【課題】面発光型蛍光発光装置において、十分な電子放出効率が得られる陰極の製造方法および構造を提供する。
【解決手段】タングステンまたはモリブデンからなる電極層１の上に、Ｒｕ又はＹを構成材料とし電子放出層よりも小さい抵抗率を有する導電性の第２の層２を、スパッタにより１ｎｍから２００ｎｍの厚さに成膜し、第２の層２の上に電子放出層として、仕事関数が第２の層２の金属よりも小さく、且つ３．６ｅＶ以下の希土類材料からなる層をリアクティブスパッタにより１原子層から１０ｎｍの間の膜厚に積層形成する。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドにドナー元素が均一に添加されたナノ多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、炭素と、該炭素中に原子レベルで分散するように添加されたＶ族元素３と、不可避不純物とで構成される。該多結晶ダイヤモンド１の結晶粒径は５００ｎｍ以下である。上記多結晶ダイヤモンド１は、Ｖ族元素が炭素中に原子レベルで分散するように添加され、結晶粒径が１０μｍ以下である黒鉛に、高温高圧プレス装置内で熱処理を施すことで作製可能である。 （もっと読む）

【課題】大型の極薄型ディスプレイ装置や照明装置に使用して好適な、簡易かつ実用的な電子放出素子の製造方法、およびそれを用いた発光装置を提供する。
【解決手段】隔壁１４によって隔てられた窪み部１２を有し、前記窪み部１２にはカソード電極１６と電子放出源１８が設けられ、前記隔壁１４上にはゲート電極２０が設けられた構造体を備える電子放出素子の製造方法であって、前記隔壁１４上へゲート電極２０を陽極接合する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電子エミッタに関し、特に、カーボンナノチューブを利用した電子エミッタ、その製造方法及び該電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管に関するものである。
【解決手段】本発明の電子エミッタは、チューブ状構造体を有する。チューブ状構造体を有する電子エミッタにおいて、前記電子エミッタは、中空の線状の軸心を有し、前記電子エミッタは、前記線状の軸心を囲む複数のカーボンナノチューブからなり、前記電子エミッタの一つの端部に、複数の電子放出の先端が形成されている。また、本発明は、前記電子エミッタの製造方法及び前記電子エミッタを利用した電界放出表示装置の画素管も提供する。 （もっと読む）

【課題】ナノカーボンから構成されるエミッタを備えるエミッタ電極、エミッタ電極の製造方法及び照明装置を提供する。
【解決手段】所定のパターンで形成されたドット１０１ａを備える導電層１２のほぼ全面にナノカーボンとバインダとの混合物を塗布し、ドット１０１ａのパターンに沿って凹凸状にカーボン層１０２ａを形成する。基板１１を熱焼成してバインダを除去し、ドット１０１ａのエッジ１０４近傍のカーボン層１０２にひび割れ１０３を生じさせるとともに、ひび割れ１０３の周辺からナノカーボンを起毛させる。これにより、ピーリング処理等を必要とせず、ナノカーボンを起毛させることができる。 （もっと読む）

【課題】優れた電子放出特性を発揮する三極構造型の電界電子放出型ランプを簡便な手法で低コストに製造する。
【解決手段】ゲート電極に対してカソード電極上への電子放出素子形成の際に必要な触媒形成のためのマスクとしての機能を付与させる。カソード電極およびゲート電極を密着させ、ゲート電極をマスクとして利用してカソード電極上に触媒形成を行い、次にカソード電極とゲート電極を一旦引き離してカソード電極上に電子放出素子としてのナノスケール炭素材料を形成させ、さらにナノスケール炭素材料が形成されたカソード電極をゲート電極に形成された開口部の直下に配置させることにより、三極構造型の電界電子放出型ランプを製造する。 （もっと読む）

【課題】角電流密度が高く、エネルギー幅が小さくて、しかもトータルエミッション電流を抑制した安定な電子ビームが得られる電子放射陰極を提供する。
【解決手段】軸方位が＜１００＞方位の高融点金属の単結晶からなるニードルに前記高融点金属の仕事関数を低減するための元素と酸素とからなる被覆層を設けた電子放射陰極であって、前記ニードルの少なくとも円錐部に（１００）面が形成されておらず、しかも前記高融点金属の単結晶からなるニードルの尖鋭部に内接する球の半径をＲ１、先端円錐部の全角をテーパー角θとするときに、先端半径Ｒ１が１．０μｍ以上１０μｍ以下であり、テーパー角θが２５゜以下であることを特徴とする電子放射陰極。 （もっと読む）

【課題】電子を放出するエミッションサイトの数を増やすことで発光効率を向上させたエミッタの製造方法、エミッタ、電界放出発光素子の製造方法、電界放出発光素子及び照明装置を提供する。
【解決手段】本発明のエミッタ製造方法は、金属物質をカーボンナノチューブに内包させる内包ステップと、基板に塗布されたカーボンナノチューブを大気雰囲気、窒素雰囲気及び一酸化炭素雰囲気の何れかで焼成し、カーボンナノチューブとカーボンナノチューブに内包される金属物質との接面を酸化反応させ、カーボンナノチューブを切断する切断ステップと、を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、十分な先端の尖鋭度を有するＺｎＯナノロッドを、導電膜、更には導電性を有する基板上に形成することにより、高性能な冷陰極表示素子を、簡便かつ低価格で提供できる電子放出素子の製造方法及び電子放出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０を所定温度に制御し、該基板上に酸化亜鉛を成長させ、先端が上方を向いたナノロッド５０を形成する電子放出素子６０の製造方法であって、
融点が前記所定温度以上である前記基板を用意する工程と、
前記基板上に、融点が前記所定温度以上である導電性膜２０を形成する工程と、
該導電性膜上に、前記酸化亜鉛を前記所定温度よりも低い所定低温度で成長させ、第１の直径ｄ１を有する第１のロッド３０を形成する工程と、
前記所定温度で前記酸化亜鉛を成長させ、前記第１のロッド上に、前記第１の直径よりも細い第２の直径ｄ２を有する第２のロッド４０を形成する工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 平板型画像表示装置の製造において、アノード電極を有するプレートと電子放出素子を有するプレートとをアライメントマークの検出装置を用いることなく高精度に位置合せする。
【解決手段】 本発明の、複数の電子放出素子を有する第１プレートを備えた平板型画像表示装置の製造方法は、複数のアノード電極を有する第２プレートを前記第１プレートに対向して配置する配置工程と、前記複数の電子放出素子から放出された放出電子によって前記複数のアノード電極を通して流れる電流値をそれぞれ計測する計測工程と、前記計測工程で計測された複数の電流値に基づいて前記第１プレートと前記第２プレートとの位置関係を決定する決定工程と、前記決定工程で決定された位置関係に応じて前記第１プレートと前記第２プレートとの位置関係を修正する修正工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】種々の機能性膜の製造において、形状及び膜厚のばらつきを低減した製造方法を提供する。
【解決手段】機能性膜の形成材料を含む液体を第１の基板上に付与して乾燥させて前駆体膜を形成し、第１の基板を露点まで降温させることによって該前駆体膜に吸湿させた後、第２の基板を対向配置させた状態で第１の基板を昇温させることによって、前駆体膜に含まれる水分を第２の基板に凝集させて該前駆体膜を再乾燥させる。 （もっと読む）

本明細書には、電界放出素子中の電極およびエミッターを製造する方法および上記方法から形成された素子が記載される。電界放出素子中の電極およびエミッターの製造に有用な組成物もまた記載される。
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【課題】工程が少なく、製造コストを低減できるとともに、焼成工程における有機残渣の少ない電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出材料含有塗膜、絶縁材料含有塗膜または導電材料含有塗膜の少なくとも一種が形成された基材の塗膜面をカソード電極基板上に貼り合わせ、該基材の該貼り合わせ面と反対の面からレーザー照射し、基材からカソード電極基板上に転写することにより、パターニングされた電子放出源、絶縁層またはゲート電極の少なくとも一種を形成する工程を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出型電子源の製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源の製造方法は、複数のカーボンナノチューブを含むカーボンナノチューブ構造体と、第一電極と、第二電極と、を提供する第一ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体の対向する両側を、それぞれ前記第一電極及び第二電極に接続させる第二ステップと、前記カーボンナノチューブ構造体を有機溶剤で浸漬させて複数のカーボンナノチューブ糸を形成させる第三ステップと、前記カーボンナノチューブ糸の対向する両端に電圧を印加して、前記カーボンナノチューブ糸を焼き切って、複数のカーボンナノチューブ針を形成する第四ステップと、前記カーボンナノチューブ針の一端を前記導電基板に固定させる第五ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出型電子源及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、絶縁基板と、該絶縁基板に設置された複数のグリッド電極及び陰極電極と、複数の電子放出ユニットと、を含む。前記複数のグリッド電極及び前記複数陰極電極が交叉して、複数の格子が形成され、各々の格子に一つの前記電子放出ユニットが設置され、各々の前記電子放出ユニットが、少なくとも一つの電子放出体を含み、前記電子放出体の両端がそれぞれ、前記グリッド電極及び前記陰極電極に電気的に接続され、前記電子放出体に隙間があり、該電子放出体が前記隙間に対向した二つの先端を有し、各々の前記先端が一つの電子放出先端を含む。また、本発明は、前記電界放出型電子源の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子を発射する銃軸としての針状突起物がナノオーダーの構造体として比較的に均一に林立して散在し、しかも、この微細な構造が確実に得られるとともに安価に製造できる電子銃の製造方法及びそれにより製造されることのできる電子銃を提供する。
【解決手段】電子を発射する銃軸としての針状突起物が配列基材にほゞ等間隔に散在して配置されてなる電子銃の製造方法であって、薄板状のアルミニウム金属素材の一面に多孔性陽極酸化皮膜を形成することにより、その多孔性陽極酸化皮膜に有する底部がバリア層の無数の微細孔を針状突起物を成形する型として利用し、微細孔に針状突起物の素材を充填して該針状突起物を成形する。 （もっと読む）

【課題】多数のナノメータオーダの半導体微結晶が半導体材料層の厚み方向に連なって形成された複数のナノ構造部を有し且つ半導体材料層の面内においてナノ構造部が周期的に形成された周期的ナノ構造体を所望のナノ構造部の周期で容易に製造することが可能な周期的ナノ構造体の製造方法、電子放出特性の向上が可能な電界放射型電子源を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン基板（半導体材料層）１に下部電極２を形成し、シリコン基板１の一表面に周期的に配列されたサイト３１を形成してから、シリコン基板１の厚み方向に連なるシリコン微結晶（半導体微結晶）３３を陽極酸化により形成することでナノ構造部３２が周期的に配列された周期的ナノ構造体１０を得て、各シリコン微結晶３３それぞれの表面にシリコン酸化膜（絶縁膜）３４を形成することで強電界ドリフト部３を形成し、強電界ドリフト部３上に表面電極４を形成することで電界放射型電子源２０を得る。 （もっと読む）

【課題】基板表面に集合配置した複数のカーボンナノチューブ等のカーボンファイバの先端部を電子放出性能に優れた活性化処理することを可能にする。
【解決手段】基板表面に集合配置した複数のカーボンファイバの各先端部とアノード電極との間隙に酸素を含むガスを導入すると共にアノード電極と該アノード電極に最近の先端部との間隙を最小最適間隙に制御することでその最近先端部に電界集中による通電電流を流してジュール熱を発生させ、このジュール熱で当該最近先端部を損耗させる操作を行うことで全体の先端部とアノード電極との間隙を均等制御し、また、上記間隙にアルゴンガス等を導入すると共に導入したガスをイオン化し、発生したガスイオンを先端部に加速衝突させて各先端部をスパッタリングや起毛処理することで活性化して各先端部の電界放射閾値電界を下げる。 （もっと読む）

【課題】十分な量の電子放出が得られると共に、電子線の細径化を図ることができる電子放出素子、電子源、電子線装置、及びこのような電子放出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】
電子源１０では、導電型がｎ型のダイヤモンド半導体からなる突起部５６を電子放出部４８に設けていることから、電子放出部４８の電子親和力及び仕事関数を十分に低減させることができ、十分な量の電子放出が得られる。また、マイクロマニピュレーションによって搬送した微細な突起部５６を設けることで、突起部５６自体に複雑な加工を施すことなく電子放出部４８の細径化を実現できるため、電子放出部４８から放出される電子線の細径化が図られる。デポジション膜６０は、カーボンによって形成され、電子源１０の使用状態における電子放出部４８の昇温に対して十分に高い融点を有しているため、突起部５６と基部５２との強固な接合が保たれる。 （もっと読む）

【課題】電子放出特性が良好で、電子放出点密度が大きく、かつ、電子放出量のゆらぎの小さい電子放出可能な電子放出素子、電子源、画像表示装置、及び、それらの簡易な製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電子放出素子の製造方法は、導電層上に電子放出材料を含む膜を形成する工程と、前記電子放出材料を含む膜が形成された導電層を水素および炭化水素のラジカルを含む雰囲気中で加熱する工程と、を有する電子放出素子の製造方法であって、前記雰囲気における前記水素および炭化水素のラジカルの総分圧が２×１０^−１１Ｐａ以上、８×１０^−４Ｐａ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）