【課題】封着材料層および封着層の形成工程にレーザ加熱を適用するにあたって、気密封止性に優れる封着層を再現性よく形成することが可能な気密部材の製造方法を提供する。
【解決手段】封着材料ペーストの枠状塗布層の第１の照射開始位置ＬＳ１から第１の照射終了位置ＬＦ１まで、焼成用レーザ光を枠状塗布層に沿って走査しながら照射して封着材料層５を形成する。封着材料層５を介して第１のガラス基板と第２のガラス基板２とを積層した後、第１の照射開始位置ＬＳ１および第１の照射終了位置ＬＦ２とは異なる位置に設定された第２の照射開始位置ＬＳ２から第２の照射終了位置ＬＦ２まで、封着用レーザ光８を封着材料層５に沿って走査しながら照射して封着層を形成する。 （もっと読む）

【課題】各種特性を向上させることのできる光電陰極を提供する。
【解決手段】光電陰極１０において、基板１２上に中間層１４、下地層１６、及び光電子放出層１８をこの順で形成する。光電子放出層１８は、ＳｂとＢｉを含有し、光の入射により光電子を外部に放出する機能を備えており、光電子放出層１８には、ＳｂＢｉに対して３２ｍｏｌ％以下のＢｉが含有されている。 （もっと読む）

【課題】
封着工程において焼成を必要とせず、かつ水分透過率の少ない表示パネル及びその製造法を提供する。
【解決手段】
本発明の表示パネルは、対向する２枚の基板によって構成される基板間周縁部をシール部によって封着し、その内部空間が減圧または不活性ガス雰囲気に維持され、シール部を硬化性樹脂で形成し、シール部の外側に、低融点金属又は低融点合金から成るバリア層を設けたことを特徴としている。また本発明の表示パネルの製造法は、シール部を硬化性樹脂で形成し、該シール部によって基板間周縁部を封着した後に、該シール部の外側を低融点金属又は低融点合金から成るバリア層にて被覆することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】真空容器を電子線放出方向に長尺化させることなく、フランジ部の大きさに応じて真空容器における沿面距離を長くし放熱性を高める。
【解決手段】冷陰極９と陽極１１との間において中空部を有するフランジ部２０ａが形成された真空容器２０を適用する。真空容器２０は、それぞれ筒状の冷陰極側容器２１と陽極側容器２２とを連通させ、その両容器２１，２２の間に中空状のフランジ部２０ａが形成されたものが挙げられる。このフランジ部２０ａの中空部には、例えば集束電極１４，ゲッター材１５が配置される。冷陰極９においては、基板７に形成された炭素膜構造１０の外周側に、ガード電極を備えたものを適用できる。また、前記炭素膜構造１０は、基板７の電極面側の中央部に形成されたものでも良い。 （もっと読む）

【課題】電極基板から電子加速層へ流れる電流経路を多く確保し、安定かつ良好な電子放出量を容易に得ることができる電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出素子１の電子加速層４は、絶縁体微粒子５と、平均粒径が絶縁体微粒子５のそれよりも小さい導電微粒子６ａとを含み、電子加速層４と電極基板２との間に、平均粒径が絶縁体微粒子５のそれよりも小さい導電微粒子６ｂを含む導電微粒子層１６を有する。 （もっと読む）

【課題】 実効的な量子効率を向上させることができる光電陰極、そのような光電陰極を備える電子管及び光電子増倍管を提供する。
【解決手段】 光電陰極１Ａ，１Ｂにおいては、Ｌａ_２Ｏ_３を含む結晶性の材料からなる下地層２００が支持基板１００Ａ，１００Ｂと光電子放出層３００との間に設けられ、光電子放出層３００に接触している。これにより、例えば光電陰極１Ａ，１Ｂの製造工程における熱処理時に、光電子放出層３００に含まれるアルカリ金属の支持基板１００Ａ，１００Ｂ側への拡散が抑制される。更に、この下地層２００は、光電子放出層３００で発生した光電子ｅ⁻のうち支持基板１００Ａ，１００Ｂ側へ向かう光電子の進行方向をその反対側に反転させるよう機能していると推察される。 （もっと読む）

【課題】実質的にＰｂＯを含有せず、かつＰ_２Ｏ_５系ガラスの問題点である耐湿性を向上させ、さらに高温で処理した場合でも結晶化せず安定な無鉛低融点ガラスが求められている。
【解決手段】実質的にＰｂＯを含有せず、モル％で表して、Ｐ_２Ｏ_５が４０〜８０、Ｆｅ_２Ｏ_３が３〜５０、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜１５、ＴｉＯ_２が０〜２０、ＺｒＯ_２が０〜１０、Ｒ_２Ｏ（Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏから選択される１種以上）が０〜４０、ＭｇＯが０〜６０、ＣａＯが０〜６０、ＳｒＯが０〜６０、ＢａＯが０〜６０、ＺｎＯが０〜６０であり、原子モル比で、（Ｆｅ＋Ａｌ＋Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ＋Ｂａ＋Ｚｎ）／Ｐが１．０未満であることを特徴とする封着用無鉛着色ガラスである。３０から３００℃の線膨張係数が（５０〜２００）×１０^−７／℃、軟化点が４００℃以上７５０℃未満である特徴を有す。 （もっと読む）

光電陰極デバイスの量子効率を高める技術を開示する。当該技術は、光電陰極デバイスの光学的厚さを増すことができる一方で、同時に、デバイスの真空の中へ電子が逃げる確率を上げることができる。当該技術は、特に、検出器と画像化とに役立つ。１つの実施形態では、光電陰極の表面に作成されたコーナーキューブのアレイを有する光電陰極デバイスを提供する。コーナーキューブアレイは、光電陰極層と同じ材料で作られている。デバイスは、例えば、ＵＶと、可視と、ＩＲの光スペクトルにおいて動作する検出器又は画像増倍管であり得る。デバイスは、利得媒体と、陽極と、読み出しデバイスとを更に含み得る。デバイスを形成する技術も提供されている。 （もっと読む）

【課題】超格子構造を利用して電子のエネルギー状態を単色化させ、量子効率を向上させることで、所望の超高輝度性能を達成するのに好適な光陰極半導体素子を提供する。
【解決手段】光陰極半導体素子１０１は、第１半導体からなる井戸層１０３と、当該第１半導体よりバンドギャップが大きい第２半導体からなる障壁層１０４と、が複数交互に積層した超格子構造１０２を備え、当該井戸層１０３および当該障壁層１０４のそれぞれの厚さは、当該超格子構造１０２の電子のエネルギー状態において伝導帯に生ずるミニバンドの下限と、価電子帯に生ずるミニバンドの上限と、の間のバンドギャップが所望の大きさとなる厚さを上限とし、当該伝導帯に生ずるミニバンドのバンド幅と、当該ミニバンド内のエネルギー状態密度と、が所望の大きさとなる厚さを下限とするように構成する。 （もっと読む）

【課題】各種特性を向上させることのできる光電陰極を提供する
【解決手段】光電陰極１０において、基板１２上に中間層１４、下地層１６、及び光電子放出層１８をこの順で形成する。光電子放出層１８は、ＳｂとＢｉを含有し、光の入射により光電子を外部に放出する機能を備えており、光電子放出層１８には、ＳｂＢｉに対して３２ｍｏｌ％以下のＢｉが含有されている。 （もっと読む）

【課題】基板、バッファ層、歪み超格子層の材料選択の自由度を持たせた状態で、スピン偏極度と外部量子効率の高いスピン偏極電子発生素子を実現すること。
【解決手段】基板と、バッファ層と、バッファ層上に形成された歪み超格子層とを有するスピン偏極電子発生素子において、基板とバッファ層との間に、バッファ層を構成する結晶の格子定数よりも大きな格子定数を有する結晶から成る中間層を介在させた。これにより、バッファ層には、引張歪みにより基板に垂直な方向へのクラックが発生し、モザイク状となる。この結果、バッファ層上に成長させる歪み超格子層には、斜め方向の滑り転位が伝播しないために、歪み超格子層の結晶性が改善される。この結果、励起される電子のスピン偏極度と偏極電子の外部量子効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】基板寸法が１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ以上、特に２０００ｍｍ×２０００ｍｍ以上である場合に、ガラス基板全面に渡って、溶融欠陥検査を適正に行うことにより、溶融欠陥がない大型のガラス基板を得ること。
【解決手段】本発明のガラス基板は、基板寸法が１１００ｍｍ×１２５０ｍｍ以上であり、且つ経路長５０ｍｍにおける波長５００〜８００ｎｍの透過率が８０％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】真空中だけでなく大気圧中でも安定した電子放出を可能とし、かつ電子放出に伴うオゾンやＮＯｘ等の有害物質の発生を抑制した、電子放出素子を提供する。
【解決手段】電子放出素子１’は、基板２８と上部電極３との間に電子加速層４’を備え、電子加速層４’は、抗酸化力が高い金属微粒子６と、金属微粒子６の大きさより大きい絶縁体物質５’とを含んでいる。この導電微粒子の大きさより大きい絶縁体物質５’は、基板上に層形成されており、かつ、層の厚み方向に貫通する複数の開口部５１を有しており、開口部５１には、金属微粒子６が収容されている。電子放出素子１’は、真空中だけでなく大気中でも安定して電子放出でき、放電を伴わないためオゾンやＮＯｘ等の有害物質をほぼ生成せず、酸化劣化しない。そのため、電子放出素子１’は、寿命が長く大気中でも安定して長時間連続動作できる。 （もっと読む）

【課題】光の検出感度に優れた光電陰極を提供すること。
【解決手段】光電陰極Ｅ１の支持基板２側から被検出光が入射すると、光吸収層３がこの検出光を吸収して光電子を発生する。しかしながら、光吸収層３の厚さ等に因っては、被検出光は光吸収層３で十分に吸収されることなく、かかる光吸収層３を透過してしまうことがある。光吸収層３を透過した被検出光は、電子放出層４に達する。電子放出層４に達した検出光の一部は、コンタクト層５の貫通孔５ａに向かって進む。貫通孔５ａの対角線の長さｄ１は被検出光の波長よりも短くなっているので、被検出光が貫通孔５ａを通り抜けて外部に放出されてしまうことを抑制できる。外部放出が抑制された被検出光は、電子放出層４の露出表面で反射し、光吸収層３に再び入射して吸収される。 （もっと読む）

【課題】光の検出感度に優れた光電陰極を提供すること。
【解決手段】光電陰極Ｅ１の支持基板２側から被検出光が入射すると、光吸収層３がこの検出光を吸収して光電子を発生する。しかしながら、光吸収層３の厚さ等に因っては、被検出光は光吸収層３で十分に吸収されることなく、かかる光吸収層３を透過してしまうことがある。この場合、光吸収層３を透過した被検出光は、電子放出層４に達することとなる。電子放出層４に達した検出光の一部は、表面電極５の貫通孔５ａに向かって進む。表面電極５において、貫通孔５ａの幅ｄ１は被検出光の波長よりも短く、更に貫通孔５ａは周期性を有さずに配されている。そのため、被検出光が貫通孔５ａから外部放出されてしまうことを確実に防げる。外部放出が抑制された被検出光は、電子放出層４の露出表面で反射し、光吸収層３に再び入射して吸収される。 （もっと読む）

【課題】実装デバイスに配置されたゲッターの能力を評価しうる手段を提供する。
【解決手段】
１つの密閉空間と、その密閉空間内に配置されたゲッターと、隔壁を備えた流路を介してその密閉空間と連結され、かつ、そのゲッターによって吸収可能なガスが封入されている他の１つ又は複数の密閉空間と、前述の其々の密閉空間内に形成された振動体とを備え、レーザーを用いて前記隔壁の少なくとも一部を除去して貫通させることにより、そのゲッターが配置された密閉空間内に前述のガスが流入可能となるようなゲッターの評価用装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】光の検出感度に優れ、且つ小型化が可能な光電陰極、およびそのような光電陰極を用いた光電陰極アレイあるいは電子管を提供すること。
【解決手段】光電陰極１の第１の電極１２に光が入射すると、入射光に含まれる特定波長の光が第１の電極１２の表面プラズモンと結合し、第１の電極１２の貫通孔１８から近接場光が出力される。光吸収層６における貫通孔１８の周辺部分は、近接場光を吸収し、近接場光の強度に応じた量の光電子を発生して、貫通孔１８から外部に放出する。近接場光の強度は、特定波長の光の強度に比例しており、且つ当該光の強度よりも大きい。よって、貫通孔１８からは十分な量の光電子が放出されることとなる。貫通孔１８からは、光吸収層６のうち貫通孔１８の周辺部分にて発生した熱電子も放出されるが、放出される熱電子の量は、光吸収層６全体で発生する熱電子の合計量と比べて非常に少ない。 （もっと読む）

提供されるランプは、ランプのエンドキャップに設置され、その縦軸に沿って外側に向かって延びる端子ピンを有する。ピンは縦軸に沿って相互に関して位置がずれている。エンドキャップは一端において半円形の平行な表面を有し、ピンは半円形の平行な表面の各々から外側に向かって延びる。隔壁が半円形の表面の間にほぼ垂直に延びる。第一の実施例において、雄の延長部材は隔壁から、下側の半円形の表面の少なくとも一部に沿って外側に向かって延びる。この雄の延長部は上側の半円形の表面と同じ長さである。また、第二の実施例において、雌の凹部が境界壁に設けられる。この凹部も上側の半円形の表面から下側の半円形の表面との間にわたる。
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この発明は、アルカリ金属を安定的に発生させることのできる光電面又は二次電子放出面を形成するためのアルカリ金属発生剤等に関する。当該アルカリ金属発生剤（１）は、入射光に対応して光電子を放出する光電面、又は入射電子に対応して二次電子を放出する二次電子放出面の形成に使用される。特に、当該アルカリ金属発生剤（１）は、アルカリ金属イオンをカウンターカチオンとする少なくとも一種のバナジウム酸塩からなる酸化剤と、前記イオンを還元するための還元剤とを少なくとも含む。バナジウム酸塩はクロム酸塩よりも酸化力が弱いので、還元剤との酸化還元反応がクロム酸塩の場合に比べて緩やかに進行し、反応速度の制御が容易である。
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