【課題】シャッターを開状態から閉状態とするのにかかる時間をほぼ一定に保つことができるシャッターおよび当該シャッターを用いた周波数調整方法を提供すること。
【解決手段】開閉自在なシャッター装置１は、ベース２とシャッター部３とを連結する形状記憶合金４１と、形状記憶合金４１に電圧を印加する電圧印加手段４２と、形状記憶合金４１を冷却する冷却手段４３と、形状記憶合金４１の温度を検知する温度検知手段４４と、電圧印加手段４２および冷却手段４３の駆動を制御する制御手段４５と、ベース２に対してシャッター部３を付勢する付勢手段４６とを有している。また、制御手段４５は、開状態における形状記憶合金４１の温度が所定温度となるように、温度検知手段４４の検知結果に基づいて電圧印加手段４２および前記冷却手段４３の少なくとも一方の駆動を制御する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルを発生させるネジを用いず、熱効率にも優れた新規な構造のウェハ支持装置を提供する。
【解決手段】静電チャック１１と薄板部材１５と固定部材１７とを備えて構成されるウェハ支持装置１０であり、固定部材１７の脚部１８は、ウェハ載置領域を囲むように薄板部材に配置された開口１６を貫通してその上面より上方にまで突出し、その上端から係合部１９が内方に突出している。薄板部材および固定部材が静電チャックの静電吸着面に吸着固定されることにより、該薄板部材と該固定部材の係合部との間にウェハの周縁部を挟んでウェハを固定する。ウェハを上下から挟んだ状態で固定するので、通常の上向き使用だけでなく、下向きや垂直にして使用してもウェハが脱落しない。 （もっと読む）

【課題】大気圧下での基板のエッチングにおいて、反応室内でＣｌＦ_３などプロセスガスによるエッチングとＮ_２ガスなどによる基板冷却同時に実現可能とすること。
【解決手段】大気圧下でのエッチング処理において、基板裏面側にベルヌーイチャックで保持し、このベルヌーイチャックに冷却ガスを供給することによって基板裏面を冷却しながら、基板表面をプロセスガスによってエッチングする。
本構成によって、プロセスガスによるエッチングと冷却ガスによる基板冷却を同時に実現することができる。 （もっと読む）

【課題】基板に付着している異物（パーティクルやエッチング時の残渣等）をドライ洗浄により良好に除去することができる技術を提供する。
【解決手段】アッシング時の酸化によりウエハＷの表面に形成されたシリコン酸化膜８を、フッ化水素ガスによりエッチングすることで、ウエハＷに付着したパーティクルＰをシリコン酸化膜８ごと除去する。このフッ化水素によるエッチング時には、ウエハＷの向きを表面が下を向くように設定し、更にウエハＷを加熱して帯電させることにより、パーティクルＰに対して重力に加えて熱泳動力及び静電気力を作用させる。また、アッシング時のシリコン酸化膜８をエッチングした後、更に例えばオゾンガスによりウエハＷの表面を酸化し、次いでフッ化水素ガスによるエッチングを行う連続工程を１回あるいは２回以上実施することで、より一層確実にパーティクルＰを除去することができる。 （もっと読む）

高真空処理チャンバー、高真空処理チャンバーと連結されたトランスフォーマー型プラズマトロン、及び、トランスフォーマー型プラズマトロンに少なくとも１つのガスを導入するための、トランスフォーマー型プラズマトロンに連結された少なくとも１つのガス源とを具備するプラズマ発生装置であって、前記高真空処理チャンバーは少なくとも１つのエントリーポートを有し、前記トランスフォーマー型プラズマトロンは、交流電流を発生させるためのラジオ周波数電力源と、該ラジオ周波数電力源と接続された複数の導体と、前記ガスを閉じ込める閉ループ・ディスチャージチャンバーと、該閉ループ・ディスチャージチャンバーの周りに取り付けられ前記導体と接続された複数の透磁性の高い磁気鉄心と、該閉ループ・ディスチャージチャンバーの内側に沿って配置した複数の開口と、内側部分と外側部分とを連結する少なくとも２つの絶縁ガスケットを具備し、前記エントリーポートは、前記内側部分が前記高真空処理チャンバーに物理的に貫通するよう該内側部分を受け取るように構成され、前記導体は前記複数の透磁性の高い磁気鉄心の周りに１次巻き線を形成し、前記閉ループ・ディスチャージチャンバー中のガスは前記複数の透磁性の高い磁気鉄心の周りに２次巻き線を形成し、前記トランスフォーマー型プラズマトロンは、前記導体に前記交流電流が供給されたとき、それぞれのプラズマの少なくとも１つのガスに点火し、前記開口は、前記内側部分から該それぞれのプラズマを前記高真空処理チャンバーに放出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い結晶性をもった物を製造することが可能なドライプロセス装置を提供する。
【解決手段】基板保持部１０ａに保持された基板１４の温度を所望の温度に保つ温度調整器と、前記基板保持部１０ａとターゲット保持部１０ｂとにそれぞれ配置された高周波電極１１ａ、１１ｂと、両電極の陰陽を切り替える陰陽切替器と、前記チャンバー内の気体を外部の排出するあたりその排気速度を調整する排気調整器と、前記チャンバー内へ供給する気体の供給速度を調整する給気調整器と、この給気調整器を介して前記チャンバーに供給する気体の種類を変更する気体切替器とからなり、前記基板保持部１０ａに保持された基板１４に対しスパッタリング法、イオン注入法、ＣＶＤ法等の異なった複数のドライプロセスを選択して連続実行する。 （もっと読む）

【課題】 反りがある被処理部材を固定した場合でも、被処理部材に反り力が生じない状態で被処理部材を保持面に均一に当接させる。
【解決手段】 ウエハ１３の反りに応じた曲率のウエハステージ２１に吸引手段によりウエハ１３を吸引させ、反り力を生じさせることなくウエハ１３をウエハステージ２１の上面に保持させ、保持面に対してウエハ１３を均一に当接させる。また、ウエハ１３の反りに応じた傾斜面２９を有するホルダ２６により、ウエハ１３の周縁部に対して面方向の相対移動がない状態でウエハ１３をウエハステージ２１に固定する。 （もっと読む）

二重ゾーンプラズマ処理チャンバが提供される。プラズマ処理チャンバは、処理チャンバ内で第１の基板を支持するように構成された第１の支持表面を有する第１の基板支持体と、処理チャンバ内で第２の基板を支持するように構成された第２の支持表面を有する第２の基板支持体とを含む。１つまたは複数のガス分配部材と流体連結する１つまたは複数のガス供給源が、第１の基板支持体に隣接する第１のゾーンおよび第２の基板支持体に隣接する第２のゾーンに処理ガスを供給する。高周波（ＲＦ）アンテナは、ＲＦエネルギーを処理チャンバの内部に誘導結合し、第１および第２のゾーンにおいて処理ガスにエネルギーを与えてプラズマ状態にするように構成される。アンテナは第１の基板支持体と第２の基板支持体との間に配置される。 （もっと読む）

【課題】ワークピースの背面から重合体を除去するための方法を提供する。
【解決手段】本方法は背面の周縁環状部を露出した状態で、真空チャンバ内においてワークピースを背面で支持することを含む。本方法は更に、ガス流をチャンバ直径の約１％のワークピース縁部の間隙内にワークピース縁部で閉じ込めることを更に含み、間隙により正面側を含む上方処理ゾーンと背面を含む下方処理ゾーンとの間の境界が規定される。第１プラズマを下方外部チャンバ内において重合体エッチング前駆体ガスから発生させ、エッチャント副生成物を第１プラズマから下方処理ゾーンへと導入する。第２プラズマをエッチャント副生成物の捕捉剤の前駆体ガスから上方外部プラズマチャンバ内で発生させ、捕捉種を第２プラズマから上方処理ゾーンへと導入する。 （もっと読む）

【課題】深さ対幅が１０：１より大きいアスペクト比を持つ高アスペクト比のホールを備える基板からポリマーを除去する方法を提供する。
【解決手段】２つの電極の間にアーク状のプラズマを発生させ、４０００℃と１２０００℃との間の範囲の温度を有する大気高温ガス流を前記アーク状のプラズマから形成する。前記基板に前記大気高温ガス流を向け、前記基板上に流体力学的なガス境界を形成する。前記基板を電気的劣化させることなく前記ホール内部の前記ポリマーを除去するように、必要な時間において前記基板上を前記大気高温ガス流を通過させるとともに、前記ポリマーを前記ホールから所望の深さまで除去するように、前記大気高温ガス流が前記基板上を所望の回数だけ通過するよう前記基板を移動する。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族化合物半導体の製造に際し、導入配管に吸着している残留ドーパント原料の残留量を低減する。
【解決手段】反応炉１内のガス流路６に臨ませて配置された基板１０を加熱し、導入配管１２から原料ガス、ドーパント原料をガス流路６内に供給して基板１０の表面に流すことにより、基板１０上に半導体結晶をエピタキシャル成長させるIII−Ｖ族化合物半導体の製造方法において、前記エピタキシャル成長を行う前に、又は前記エピタキシャル成長を終了した後に、導入配管１２にクリーニングガスを流すことにより、導入配管１２の壁面に付着しているドーパント原料を離脱させて、反応炉１の外部へ排気する。 （もっと読む）

【課題】基板の裏面とベベル部への付着異物を除去することのできる基板裏面のドライ洗浄方法とその装置を提供する。
【解決手段】非洗浄対象の基板を容器内に搬送し、前記基板を非接触に吊り下げて保持し、前記基板の裏面に、放出後は気化や揮発によって残留することの無い流体を放出し、前記基板の裏面に付着する異物を前記流体を当てることで除去し、当該除去作業後に前記基板を前記容器から搬出する。
【効果】基板の裏面や端部に付着した異物を、再付着や再汚染を起こすことも無く、また、除去装置からの発塵も無しに、かつ、付着異物の性状に無関係に効率的に除去可能となる。 （もっと読む）

【課題】反応チャンバ内の下部中央部及び側面に処理ガスの流入口を形成し、反応チャンバ下部に扇形アンテナを具備することでプラズマ密度分布を中央部と外郭にかけて対称的でかつ均一に発生させることができる誘導結合型プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応チャンバ１０と、前記反応チャンバ１０内にプラズマ空間を形成してその内部に被処理基板１３０を支持する基板ホルダー１４０ａと、前記基板ホルダー１４０ａ側面に具備されるシールド１４０ｂと、前記基板下部の所定領域に形成される複数の処理ガス流入口１６０と、前記反応チャンバ１０の下部面に設置された高周波電力が印加される扇形アンテナ１９０，１９１と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】イオンダメージを抑制しつつ、高い成膜速度で薄膜を成膜することができるプラズマＣＶＤ装置を実現する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、基板フォルダ１４と、基板フォルダ１４に設置された被処理基板１０に対向するように配置され、板状部１９ａ及び板状部１９ａから被処理基板１０側へ突出する突出部１９ｂを有するカソード電極１９と、板状部１９ａよりも被処理基板１０寄りに設けられ、カソード電極１９とは異なる電位の電圧が印加されるアノード電極２０と、アノード電極２０と同電位であり、カソード電極１９と対向するように、カソード電極１９と被処理基板１０との間に、アノード電極２０よりも被処理基板１０寄りに設けられ、厚さ方向に貫通する開孔を有するシート状の第２アノード電極２１とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＣコンポーネントのような基体表面から物質を除去する方法および装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１０内の電極１２ａに電力を加えて、プラズマを真空チャンバー内に生成する工程、および基体２２の表面２４にプラズマのイオン、原子またはフリーラジカルの１以上と接触させる工程を含む。好ましくはＤＣである電力は、可変電圧として、好ましくはパルス電圧として、アーキングを避けるために電源１４から供給される。 （もっと読む）

【課題】 シランガス等を使った高周波プラズマＣＶＤ法等の薄膜形成工程において生成されるポリシラン等のシリコン含有副生成物を除去する為のクリーニングをプラズマレスで行う工程において、クリーニング反応を促進させクリーニングガス利用率を向上させ、かつクリーニング時間の大幅な短縮化を実現する手段の提供。
【解決手段】 少なくとも反応室１０１及び／又は配管１０８内に堆積したシリコン含有物をクリーニングガスを導入して除去する方法であって、シリコン含有物を、その堆積箇所から、クリーニングガスの流速がより大きな場所へ向かって移動させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 マイクロ波の放射特性をより精密に制御することにより、被処理体の半径方向及び周方向における処理の制御性を高める。
【解決手段】 マイクロ波を放射する為の複数のスロット３３が設けられた面２３を有する環状導波路１３を有するマイクロ波供給器及びそれを用いたプラズマ処理装置において、環状導波路１３の中心Ｃ１に対してスロット３の中心Ｃ２、Ｃ５が前記面に沿った方向に偏って配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）