スループットを最適化するためにプロセス加工システムを動作させるための方法およびシステムを記載する。本プロセス加工システムは化学的酸化物除去のために構成され、本プロセス加工システムは、基材を化学処理するように構成された下部チャンバ部分、基材を熱処理するように構成された上部チャンバ部分、および下部チャンバ部分と上部チャンバ部分との間で基材を移動させるように構成された基材昇降アセンブリを有するプロセスチャンバを備える。
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物体を熱処理する少なくとも１つの装置を含む熱処理システムであって、該装置は、１つのプラットフォーム、または互いに反対側に位置した２つのプラットフォームからなり、ここで少なくとも１つのプラットフォームは物体を加熱または冷却する少なくとも１つの熱的手段を有し、少なくとも１つのプラットフォームは、非接触で物体を支持する流体機械的手段を有している、熱処理システムである。前記プラットフォームは、少なくとも１つの、複数からなる基本セルからなる作動面を有し、この基本セルは、少なくとも１つの、複数からなる圧力吐出口と、少なくとも１つの、複数からなる流体排出流路を有するものである。各基本セルの圧力吐出口の少なくとも１つは、流量絞り機構を介して高圧流体源に流体的に接続され、この圧力吐出口は、前記物体とプラットフォームの作動面の間の流体クッションの形成維持のために加圧流体を供給するものである。流量絞り機構は、特性的には、流体的な戻しばね的な挙動を示すものである。各流体排出路は流入口と流出口を有し、各基本セルに対する質量流量の平衡をとるものである。 （もっと読む）

各処理室での処理時間が異なる基板処理装置で、処理室への基板投入間隔を一定として且つ処理室での基板滞留を発生させない。基板の搬送空間となる搬送室と、基板の処理時間がそれぞれ異なり且つ基板の処理がそれぞれにより並行に行われることが可能であり且つ一の基板の処理がそれぞれにより順番に行われる複数の処理室と、搬送室に設けられて基板を搬送する機能を有する基板搬送手段を備え、そして、基板搬送制御手段が、同一の処理室に対する基板の投入時間の間隔を一定として、一の処理室から他の処理室への基板の搬送処理の１以上について、一の処理室による基板の処理が終了した後に当該基板を他の処理室へ搬送する際に、当該搬送処理に要する標準搬送時間と比べて長い時間をかけて当該
搬送処理が完了されるように基板搬送手段による基板の搬送処理を制御する。 （もっと読む）

【課題】 基板の反転を含む基板搬送における基板の損傷を防止し、これらの基板搬送機構を有する基板加工装置の小型化によって設置面積を減少させることができる基板加工方法および基板加工装置が提供される。
【解決手段】 マザー基板を単位基板に割断する基板加工装置は、マザー基板にスクライブラインを形成するスクライブ部３と、形成されたスクライブラインに沿ってマザー基板をブレークするブレーク部４と、少なくとも前記各部の間でマザー基板または単位基板を搬送する基板搬送部２とを具備し、基板搬送部２が、基板をそれぞれの基板の主面で吸着して保持する吸着面を備えた複数の回転台座５１，７３を有し、回転台座５１，７３のそれぞれは、回転軸５２，７２を有し、基板を吸着保持した状態で少なくとも基板の両主面が上下方向に反転するよう各基板をそれぞれの回転軸５２，７２周りにほぼ同時に回動させる基板吸着回動手段を有する。 （もっと読む）

投影光学系と液体とを介したパターンの像によって露光された基板を搬送する基板搬送装置は、前記基板を支持する基板支持部材と、前記基板支持部材と、前記基板の裏面のうち少なくとも一部の領域との少なくとも一方に付着した前記液体を除去する液体除去機構とを備える。 （もっと読む）

少なくとも１つの基板（５）を真空プロセスにて処理するための少なくとも１つの処理チャンバ（１）を備えた、基板を処理するためのシステムであって、前記処理チャンバ（１）は、閉鎖ボディ（１５）にて閉鎖することができる基板アクセス（１３）を備え、このシステムは、少なくとも前記閉鎖ボディ（１５）を移動させるように構成された運搬デバイス（８）を備え、この運搬デバイス（８）は、前記基板（５）を前記真空プロセスの際に少なくとも部分的にカバーするためのマスク（４）を、少なくとも前記処理チャンバ（１）の外側のある位置と前記処理チャンバ（１）の内側のある位置との間で運搬するように構成される。少なくとも前記基板ホルダ（２）に、基板ホルダ（２）とマスク（４）とを互いに位置決めするための手段が提供された場合は、有利である。本発明は、更に、このようなシステムの使用に係る。
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一方のウエハステージ（ＷＳＴ１）上のウエハに対する露光動作が行われるのと並行して両ウエハステージ（ＷＳＴ１，ＷＳＴ２）の入れ替えのため他方のウエハステージ（ＷＳＴ２）が一方のウエハステージの下方に一時的に位置する工程を含むこととすることで、一方のウエハステージ上のウエハに対する露光動作と並行して、他方のウエハステージをその一方のウエハステージの下方に一時的に位置する手順に従った両ウエハステージの入れ替え動作（交換動作）の一部を行うことができる。これにより、一方のウエハステージ上のウエハに対する露光動作が終了した時点から両ウエハステージの入れ替え動作が開始される場合に比べてその入れ替えを短時間で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】小型で、しかも安価でありながら、汎用性に優れた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理部ＰＳでは、それぞれが互いに異なる現像処理を施す２つの現像処理ユニット１０Ａ、１０Ｂと、現像処理された基板に超臨界乾燥処理を施す超臨界乾燥処理ユニット２０と、これらの処理ユニット１０Ａ、１０Ｂ、２０に取り囲まれるように配置された主搬送ロボット３０とが設けられている。この主搬送ロボット３０は未処理基板Ｗを受け取ると、該基板Ｗに形成されているレジスト膜の膜材料に対応する現像処理ユニットに基板Ｗを搬送する。そして、現像処理が完了すると、いずれの現像処理ユニット１０Ａ、１０Ｂで現像処理されたのかを問わず、主搬送ロボット３０は現像処理を受けた基板Ｗを超臨界乾燥処理ユニット２０にウェット搬送する。 （もっと読む）

【課題】大気ロボットハンドリング装置を提供すること。
【解決手段】半導体製造ツール３０は２つのロードロック３６，４０を有し、一方はツール３０に入って処理される半導体ウェーハ用であり、他方は処理後にツール３０から出るウェーハ用である。ツール３０は３つの大気ウェーハハンドリングロボット４４，４６，４８と関連して、ロードロック３６，４０により可能となる高スループットを得る。第１のロボット４４は未処理のウェーハを供給源からウェーハ・プリアライナ５０に搬送し、第２のロボット４６は、ウェーハを、ウェーハ・プリアライナ５０から、ウェーハがツール３０に入るロードロック３６に搬送し、第３のロボット４８は、処理済のウェーハを、ウェーハがツール３０から出るロードロック４０から供給源４２に搬送する。 （もっと読む）

【課題】アームの熱膨脹収縮により生じるハンド部材の偏位量を許容範囲内に収めることができるアーム回動形のワーク搬送用ロボットを提供する。
【解決手段】固定プーリ８，２７と、一端が固定プーリ８，２７に対して回動自在に支持されたアーム１３，２６と、アーム１３，２６の他端に回転自在に支持された回転プーリ１５，２９と、固定プーリと回転プーリとの間に張設されたベルト１７，３０とを備えたアーム機構を多段に設けて、最終段のアーム機構の回転プーリ２９にハンド部材４０を取り付けたワーク搬送用ロボットにおいて、アーム１３，２６の熱膨脹収縮によりハンド部材４０に生じる偏位を許容範囲に収めるように、テンションローラ２２，３５からベルト１７，３０に与える張力を調整するようにした。 （もっと読む）

【課題】 基板ガラスの検査工程の時間短縮（タクトタイムの短縮）を図るとともに、確実な検査を行うことのできる基板ガラスの移送装置を提供する。
【解決手段】 移送装置１０は、ＰＤＰ用ガラスより幅広に位置する一対のサイドレール１６の内側に突出可能な支持ガイド２４を設け、支持ピン２６の突出にてＰＤＰ用ガラス１２の持ち上げを可能にするとともに、サイドレール１６を連桿とする四節機構１７を形成し、この四節機構１７における揺り腕１８には駆動手段を設け、当該駆動手段の稼働にて揺り腕１８、２０を揺動させ、サイドレール１６に保持されたＰＤＰ用ガラス１２を検査装置１４へ移送可能にした。このため素早い移送が可能となり、検査工程の時間短縮を図ることができる。またステージ３２が平坦になり、接触子３６によりＰＤＰ用ガラス１２がたわむのを防止でき、確実な検査を行うことができる。 （もっと読む）