【課題】長い時間と多大な電力を要する後工程が不要であり、かつ窒化物半導体のｐｎ接合界面が大気開放されても発光素子を製造可能な方法を提供する。
【解決手段】ｐ型窒化物半導体層上に、主成分元素として亜鉛と酸素、ならびに副成分元素としてアルミニウム、ガリウム、およびインジウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む、組成物または混合物を用いて、スパッタリング法または真空蒸着法により、ｎ型酸化亜鉛層を製膜する工程を有するヘテロ接合型発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 高輝度化を図ることが可能なＬＥＤモジュールを提供すること。
【解決手段】 本発明のＬＥＤモジュール１０１は、ＬＥＤチップ２１０と、ＬＥＤチップ２１０が搭載された搭載面２２１ａを有するチップ支持体２２１と、を備え、チップ支持体２２１は、搭載面２２１ａから遠ざかるように突出し、かつＬＥＤチップ２１０を囲む突出部２２２を有する。 （もっと読む）

【課題】活性層の内部量子効率を向上させた窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に設けられたバッファ層および活性層と、を備え、バッファ層は、交互に積層された、Ｉｎ_x1Ｇａ_1-x1Ｎ（０＜ｘ１≦１）の式で表わされる第１のバッファ層と、Ｉｎ_x2Ｇａ_1-x2Ｎ（０≦ｘ２＜１、ｘ２＜ｘ１）の式で表わされる第２のバッファ層と、を有しており、第１のバッファ層のＩｎ組成ｘ１は変化し、第１のバッファ層の少なくとも１層のＩｎ組成ｘ１が、活性層のＩｎ組成よりも大きい窒化物半導体発光素子とその製造方法である。 （もっと読む）

【課題】設計したドーピング濃度および深さ方向分布の製造ばらつき（生産揺らぎ）を抑えて、発光出力を向上させかつ安定化させる。
【解決手段】ｐ型電極１１とｎ型電極１２の形成後に、静電容量測定手段が、ｐ型電極１１とｎ型電極１２間の静電容量を測定する静電容量測定工程と、不純物濃度分布演算手段が、測定した静電容量から不純物濃度分布を演算する不純物濃度分布演算工程（図示せず）と、第１不純物濃度分布制御手段が、演算した不純物濃度分布が最も低い値を特徴量として、次のロットまたは基板における発光層の形成時に、ＭＯＣＶＤ手段を制御して最大の発光出力が得られるように制御する第１不純物濃度分布制御工程（図示せず）とを有している。 （もっと読む）

【課題】狭い配光角で出射した光線において、混色を促進できるＬＥＤ照明装置用の光学素子及びそれを用いたＬＥＤ照明装置を提供する。
【解決手段】複数のＬＥＤ光源２の光放出側に配置され、ＬＥＤ光源２からの発光光が入射する凹状の入射面３と、入射面３から入射した光を反射する反射面８と、発光光を外部に放出する出射面５とを備えたＬＥＤ用光学素子は、出射面５は、複数のマイクロレンズを並べたレンズアレイＬＡを形成しており、以下の式を満たす。
５＜φ２／φ１≦１０ （１）
２．２≦Ｒ／Ｄ≦２．５ （２）
２≦Ｌ／φ１≦３ （３）
但し、
φ１：ＬＥＤ光源２の直径（ｍｍ）
φ２：出射面３の直径（ｍｍ）
Ｒ：マイクロレンズＭＳの曲率半径（ｍｍ）
Ｄ：隣接するマイクロレンズＭＳの光軸間距離（ｍｍ）
Ｌ：入射面３の深さ（ｍｍ） （もっと読む）

【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第２導電型の第２の半導体層とを含む半導体積層構造と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の一方に接して形成される配線電極層と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の前記配線電極層が形成されていない他方に接して形成されるＡｇを含む反射電極層と、前記反射電極層を覆って形成される透明導電膜からなる第１キャップ層と、該第１キャップ層を覆って形成され、金属、合金又は金属窒化物からなる第２キャップ層との積層を少なくとも２セット以上含むキャップ層と、共晶層を介して前記キャップ層と結合する支持基板とを有する。 （もっと読む）

【課題】薄膜半導体発光素子における反りやクラックの発生を防止し、歩留まりを向上することを目的とする。
【解決手段】半導体発光装置１００は、基板１０９と、基板１０９上に実装された複数の薄膜半導体発光素子１０１とを備える。各薄膜半導体発光素子１０１は、アノード接続パッド１１１およびカソード接続パッド１１５を有する。アノード接続パッド１１１およびカソード接続パッド１１５の少なくとも一方は、微細加工された部分（例えば、メッシュ形状、縞模様、渦巻模様、回折模様など）を有している。 （もっと読む）

【課題】中間層の一部および支持基板の一部の少なくともいずれかが露出している複合基板であっても、半導体デバイスを歩留まりよく製造することができる複合基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本複合基板の製造方法は、支持基板１０と、その主面の少なくとも一部上に配置された中間層２０と、その主面の少なくとも一部上に配置されたＩＩＩ族窒化物層３０ａとを含み、ＩＩＩ族窒化物層３０ａの主面と、中間層２０の主面の一部および支持基板１０の主面の一部の少なくともいずれかと、が露出している第１の複合基板１を準備する工程と、第１の複合基板１の中間層２０の露出部分を選択的にエッチングにより除去することにより第２の複合基板２を得る工程と、第２の複合基板２の支持基板１０の主面の露出部分を所定の深さまで選択的にエッチングにより除去することにより第３の複合基板３を得る工程と、を含む。 （もっと読む）