【課題】半導体膜の結晶成長に用いられる成長用基板とは別の支持基板を半導体膜に接合する工程を含む半導体素子の製造方法において、半導体素子を構成する各材料間の熱膨張率差に起因する上記の如きパターンずれの問題を解消し得る製造方法を提供する。
【解決手段】
成長用基板上に半導体膜を形成する。半導体膜上にｐ電極を形成する。成長用基板上又は半導体膜上に活性化接合層を形成する。支持基板上に共晶接合層および活性化接合層を形成する。成長用基板側および支持基板側の活性化接合層の表面を活性化する。活性化された活性化接合層同士を密着させてこれらの各層の間で表面活性化接合を形成する。共晶金属層に含まれる共晶材料が融解する温度で熱処理を行って、ｐ電極と共晶金属層との間で共晶接合を形成する。表面活性化接合は、共晶接合を形成するときの熱処理温度よりも低い温度下において形成される。 （もっと読む）

【課題】ｎ電極、ｐ電極の位置を最適化して発光の均一性をさらに高めること。
【解決手段】発光素子１の平面形状は、長辺の長さをＬとする長方形である。ｎ電極１０、ｐ電極１１は、長方形の長辺方向の対称軸Ｌ１上に配置されている。また、ｐ電極１１は、短辺１ａから距離ｄの位置に配置され、ｎ電極１０は、短辺１ｂから距離（Ｌ−２ｄ）／２の位置に配置されている。ここで距離ｄは、ｐ電極１１を一方の短辺１ａに配置し、ｎ電極１０をもう一方の短辺１ｂに配置した発光素子の、対称軸Ｌ１での電流密度が最小となる位置をｘｍｉｎとして、ｄ＝ｘｍｉｎ／２である。このようにｎ電極１０、ｐ電極１１を配置することで、電流密度の均一性を高めることができ、より均一な発光を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】水洗処理による窒化ガリウムまたはその他種類の発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】発光ダイオードの製造方法は、ウェハーのすべてのＰコンタクト１１とＮコンタクト１２とを覆い遮蔽して親水性樹脂材から構成される遮蔽層を形成する段階と、ウェハーに黄色（または紅色と緑色を混合した）蛍光粉を含む高分子無機または有機化合物質３でパッケージする段階と、水洗過程を通じて親水性樹脂材の遮蔽層を除去しＰコンタクト１１とＮコンタクト１２とを露出させる段階と、裁断と金線４を溶接する過程を経て白色光を発する発光ダイオードに形成する段階とを含む。水洗過程によってＰコンタクト１１とＮコンタクト１２とは露出するので、排熱性がよく、使用寿命も更に長くなり、金線は破断することなく、光暈け現象の発生も避けられる。 （もっと読む）

【課題】波長変換層を備えた活性領域を有するオプトエレクトロニクスデバイスを提供すること
【解決手段】・第１の電極を含み、・第１の電極上の、活性領域を有するビーム放射層列を含み、活性領域は面法線を備えた主延在面を有しており、非ランベルト放射特性を有する電磁一次ビームを放出し、・ビーム放射層列上の、一次ビームに対して透過性の第２の電極を含み、・一次ビームのビーム路内にある波長変換層を含み、波長変換層は一次ビームの少なくとも一部を電磁二次ビームに変換し、・第１の電極は一次ビームに対して反射性であり、・非ランベルト放射特性は、ビーム放射層列の一次ビームの強度によって、面法線に対して測定された放射角度αに依存して定められ、・角度が最大角度まで上昇するにつれて増大し、・波長変換層内での電磁一次ビームの変換率は、放射角度が上昇するにつれて増大する、オプトエレクトロニクスデバイス。 （もっと読む）

【課題】チップの状態で特性を測定することができ、色のばらつきが少なく、かつ製造工程も複雑にならないようにする。
【解決手段】１つの発光面１１０を有する窒化ガリウム系半導体であって上面のみに電極１７０Ａ、１７０Ｂを有し且つ裏面に反射膜を設けたチップ１００と、発光面１１０に形成される薄膜１６０とを備えており、薄膜１６０は、チップ１００の発光面１１０からの光による励起で可視光を発する蛍光材料を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高い反射率を有する金属からなる反射電極をその反射率を低下させることなく形成できるようにする。
【解決手段】半導体発光装置は、ｎ型半導体層１１とｐ型半導体層１３とに挟まれてなる多重量子井戸構造を有する活性層１２とを有している。ｐ型半導体層１１の上には、活性層１２からの発光光に対して高い反射率を持つ金属からなる反射電極１４と、該反射電極１４の上に形成された非金属からなる保護層１５と、該保護層１５の上に形成され、反射電極１４と開口溝１５ａを介して電気的に接続された第１のカバー電極１６とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】輝度と導電率の特性を高める高輝度のＧａＮ系発光ダイオ−ドを提供する。
【解決手段】透光絶縁基体１１６と、透光絶縁基体１１６の上に形成される第一導電型ＧａＮの第一下束縛層１５と、第一下束縛層１５の上に形成されるＩｎＧａＮ発光層１３と、発光層１３の上に形成される第二導電型ＧａＮの第二上束縛層１２と、第二上束縛層１２の上に形成される富ガリウム相のＧａＮ系接触層１７Ａと、接触層１７Ａの上に形成されるＡｌＧａＩｎＳｎＯ系統の光伝導層１１Ｂと、第一下束縛層１５の露出区域の上に形成される第一電極１４と、光伝導層１１Ｂの上に形成される第二電極１０とを備える。接触層１７Ａは、光伝導層１１Ｂとの間に安定した接触面を形成可能であり、接触面はオ−ム接触電気抵抗を低減させ、発光効率を増進し、信頼性を高めることが可能である。 （もっと読む）

【課題】改善された外部光子効率と輝度を有する３族窒化物発光素子を提供する。
【解決手段】本発明による３族窒化物発光素子は、ｎ型クラッド層と; 前記ｎ型クラッド層上に順次に形成された活性層及びｐ型クラッド層と; 前記ｐ型クラッド層上に順次形成されたＣｕＩｎＯ２層、透明伝導性酸化物層及び反射金属層を具備するｐ側電極を含む。前記反射金属層はＡｇ層またはＡｌ層であり得る。 （もっと読む）

ドーパントによる結晶の歪み・欠陥が生じず、発光効率が高く、不要な波長の発光が無く、発光波長を広く選択できる、発光ダイオードを提供する。ドーパントを添加しない同時二極性半導体を発光層とし、これに電子注入用電極すなわちｎ電極と、正孔注入用電極すなわちｐ電極とを接合して、発光ダイオードとした。
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【課題】 低欠陥密度領域と高欠陥密度領域とを有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を用いて半導体発光素子や電子走行素子を形成する場合に、その高欠陥密度領域の有効利用を図り、これらの素子全体の構造の最適化を図ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 第１の平均欠陥密度を有する結晶からなる第１の領域３中に第１の平均欠陥密度より高い第２の平均欠陥密度を有する第２の領域２を有する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板１上に素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層４、５、６が成長された半導体装置であって、第１の領域３を活性領域に用い、第２の領域２を電極配線領域または排熱構造領域に用いる。半導体装置は半導体レーザ、発光ダイオード、トランジスタなどである。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの表面側を実装基板に接続するフェイスダウン実装（表面実装）型の半導体装置において、接合不良を評価できるようにする。
【解決手段】 半導体チップ１０側には、半導体層１２，１３とオーミックコンタクトされている電極１５，１６におけるバンプ電極２１の当接部位の少なくとも一部分が周囲とは電気的に切離されたテスト用電極２３を形成し、そのテスト用電極から引出しラインを引出し、引出し電極に接続するとともに、実装基板２０側には、前記引出し電極に対向するテスト用パッドを設け、該テスト用パッド上にテスト用バンプ電極を形成する。したがって、実装基板２０側のパッドとテスト用パッドとを経由して、実装基板２０に形成した回路パターン側から、電極１５，１６とバンプ電極２１との接合部を、非破壊で、電気的に評価することができる。 （もっと読む）