【課題】 Ａｇのマイグレーションによるリークを抑制する。
【解決手段】 半導体素子は、第１導電型の第１の半導体層と、該第１の半導体層の上に形成される活性層と、該活性層の上に形成される第２導電型の第２の半導体層とを含む半導体積層構造と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の一方に接して形成される配線電極層と、前記第１の半導体層又は前記第２の半導体層の前記配線電極層が形成されていない他方に接して形成されるＡｇを含む反射電極層と、前記反射電極層を覆って形成される透明導電膜からなる第１キャップ層と、該第１キャップ層を覆って形成され、金属、合金又は金属窒化物からなる第２キャップ層との積層を少なくとも２セット以上含むキャップ層と、共晶層を介して前記キャップ層と結合する支持基板とを有する。 （もっと読む）

【課題】コンタクト部における光吸収の抑制と、電極と半導体層との良好なオーミック接触との両立を図り、順方向電圧をさほど上昇させることなく発光出力を向上させることが可能な紫外光を発する半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体発光素子１００は、第１伝導型の半導体層１０５と、発光層１０４と、第２伝導型の半導体層１０３とをこの順に含む半導体積層体１０６と、第１伝導型半導体層１０５上に、コンタクト層１０７とオーミック電極層１０８とが積層してなるコンタクト部１０９と、オーミック電極層１０８に接し、第１伝導型半導体層１０５と電気的に接続する第１電極１１３と、第２伝導型半導体層１０３に電気的に接続する第２電極１１２と、を有し、コンタクト部１０９には第１伝導型半導体層１０５が露出する複数の島状の開口部１１１を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
高抵抗領域と低抵抗領域が隣接して形成されると、境界部に電流集中が生じる。
【解決手段】
窒化物半導体発光素子は、基板と、基板上に配置され、ｐ型層、活性層、ｎ型層を含む窒化物半導体積層と、ｐ型層と基板との間に形成されたｐ側電極と、ｎ型層上の限定された領域に形成されたｎ側電極と、ｎ側電極に対向する領域を含んで、ｐ型層内、またはｐ型層表面に形成され、実質的に電流を流さない高抵抗領域と、高抵抗領域外側のｐ型層に形成され、ｐ側電極との間に電流を流す低抵抗領域と、高抵抗領域と低抵抗領域の間に形成され、制限された電流を流すグレーデッド領域と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体膜に対するコンタクト層として機能するＩＴＯ膜を有する半導体発光装置において、ＩＴＯ膜と半導体膜との接触の増大を抑制することができる半導体発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体発光装置１は、発光層を含む半導体膜２０と、半導体膜上に設けられたＩＴＯ膜３０と、ＩＴＯ膜３０の上面の一部および側面を覆う酸素吸着性を有する酸素吸着部８０と、ＩＴＯ膜３０の上面に設けられた光反射性を有する反射電極４０と、ＩＴＯ膜３０、酸素吸着部８０および反射電極４０からなる積層体を覆うキャップ層５０と、キャップ層５０上に接合層６１を介して接合された支持基板６０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光吸収の低減された発光ダイオード、製造方法、ランプ、照明装置を提供する。
【解決手段】基板１上に設けられた発光層２４を含む化合物半導体層１０と、基板１と化合物半導体層１０との間に設けられたオーミックコンタクト電極７と、化合物半導体層１０の基板１の反対側に設けられたオーミック電極１１と、オーミック電極１１の表面を覆うように設けられた枝部１２ｂと枝部１２ｂに連結されたパッド部１２ａとを含む表面電極１２と、発光層２４のうちパッド部１２ａと平面視で重なる領域に配置されたパッド下発光層２４ａと、パッド部１２ａと平面視で重なる領域を除く領域に配置された発光層２４との間に設けられ、パッド下発光層２４ａに供給される電流を妨げる電流遮断部１３とを備える発光ダイオード１００とする。 （もっと読む）

【課題】ｍ面ＧａＮ基板の裏面に形成された低接触抵抗のｎ側電極を有するＧａＮ系発光ダイオードを製造する方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系発光ダイオードの製造方法は、ｎ型導電性のｍ面ＧａＮ基板である基板１１０と、基板１１０上にエピタキシャル成長したＧａＮ系半導体からなりｐｎ接合型の発光構造を含むエピ層１２０と、を有するエピウェハを準備する第１ステップと、前記エピウェハに含まれる基板１１０の裏面をポリッシングする第２ステップと、前記第２ステップでポリッシュされた基板１１０の裏面全体にｎ側オーミック電極を形成する第３ステップと、前記第３ステップで形成された前記ｎ側オーミック電極をエッチングによりパターニングする第４ステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】高性能で高信頼性の、銀を用いた電極を有する半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、反射電極と、酸化物層と、窒素含有層と、を含む半導体発光素子が提供される。第１半導体層は、第１導電形である。発光部は、第１半導体層の上に設けられる。第２半導体層は、発光部の上に設けられ、第２導電形である。反射電極は、第２半導体層の上に設けられ、Ａｇを含む。酸化物層は、反射電極の上に設けられ、開口部を有し、絶縁性である。窒素含有層は、酸化物層の上に設けられ、開口部に繋がる開口部を有し、絶縁性である。 （もっと読む）

【課題】光取出し効率を改善した発光素子を提供する。
【解決手段】発光素子５０１は、基板としてのサファイア基板１と、この基板の表面において、互いに異なる導電型を有する２つの半導体層としてのｎ型半導体層２およびｐ型半導体層４によって厚み方向に挟まれる状態で配置された発光層３と、前記２つの半導体層のうちの前記基板から遠い側の一方の半導体層であるｐ型半導体層４に重なるように配置された透明電極層５と、透明電極層５の上面の少なくとも一部を覆うように、透明電極層５よりも高い屈折率を有する透明材料で設けられた平坦層８と、平坦層８の上側に配置された凹凸層９とを備える。 （もっと読む）

【課題】安定性が高く、バンドギャップの大きいｐ型透明酸化物導電性材料を提供する。
【解決手段】ＡＳｂＯ₄相として同定され（ここでＡは３価のＳｂ以外の３価の金属元素）、ｐ型導電性を示すｐ型透明酸化物導電性材料。あるいは、Ａ³⁺Ｓｂ⁵⁺Ｏ₄で表される複合酸化物（ここでＡは３価のＳｂ以外の３価の金属元素）のＳｂ⁵⁺を、部分的に４価の金属イオンＢ⁴⁺で置換したｐ型透明酸化物導電性材料。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオードにおいて、発光層に加工損傷が生じることを抑止するとともに、発光層の面積を最大限に確保する。
【解決手段】発光ダイオードの製造方法は、Ｓｉ基板２１の表面にｎ型クラッド層２３を形成する第１の工程と、ｎ型クラッド層２３上に発光層２４を形成する第２の工程と、発光層２４上にｐ型クラッド層２５を形成する第３の工程と、Ｓｉ基板２１の裏面よりｎ型クラッド層２３に達するビアホール２７を形成する第４の工程と、ビアホール２７にビアホール電極２９を埋め込む第５の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】透明保護膜の膜厚に左右されずに発光層からの光の、透明保護膜の膜厚による減衰を抑制または防止して、電極やパッドといった光を遮蔽させるパターンの影響をも最小化することができて、光出力の向上とより均一な面発光を実現する。
【解決手段】両電極間に所定電圧を印加して積層間にある活性層４である発光層で発光する発光素子としてのＧａＮ系ＬＥＤ１において、両電極および両電極が設けられた積層表面を絶縁保護する透明保護膜９が設けられ、この透明保護膜９には透明な光散乱材９ａが混合されている。 （もっと読む）

【課題】生産性を向上させることができ、且つ、小型化を図ることができる半導体発光装置、発光モジュール、および半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電形の第１半導体層１２と、第２導電形の第２半導体層１１と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる発光層１３と、を含み、前記発光層が放射する光を前記第２半導体層側の第１の主面から放射する積層体１５と、前記積層体の前記第１の主面１５ａとは反対側の第２の主面１５ｂ側において、前記第１半導体層に接続される第１電極１６と、前記積層体の前記第２の主面側において前記第２半導体層に接続される第２電極１７と、前記第１電極に接続される第１配線部２１と、前記第２電極に接続される第２配線部２２と、前記積層体の前記第２の主面側に設けられ、前記第１配線部と、前記第２配線部と、を覆う封止部２５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】低電圧で高輝度の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１、第２電極層、第１、第２半導体層、発光層及び第１中間層を含む半導体発光素子が提供される。第１電極層は、金属部を有する。金属部には、円相当直径が１０ｎｍ以上５μｍ以下の複数の貫通孔が設けられている。第２電極層は光反射性である。第１半導体層は、第１電極層と第２電極層との間に設けられ第１導電形である。第２半導体層は第１半導体層と第２電極層との間に設けられ第２導電形である。発光層は、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられる。第１中間層は、第２半導体層と第２電極層との間に設けられ、光透過性である。第１中間層は、複数の第１コンタクト部と、第１非コンタクト部と、を含む。第１非コンタクト部は、積層方向に対して垂直な平面内において第１コンタクト部と並置される。 （もっと読む）

【課題】
コストおよび閾値電圧が上がることなく、静電耐圧特性を向上させた発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】
基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層、およびｐ側窒化物半導体層が順に積層され、前記ｎ側窒化物半導体層上および前記ｐ側窒化物半導体層上に、それぞれｎ側電極およびｐ側電極が設けられた発光素子において、前記ｎ側窒化物半導体層が、前記ｎ型電極と接する上部ｎ型コンタクト層と下部ｎ型コンタクト層とで構成されるｎ型コンタクト層を有し、前記上部ｎ型コンタクト層と前記下部ｎ型コンタクト層との間に、前記上部ｎ型コンタクト層および前記下部ｎ型コンタクト層のいずれとも組成の異なるＡｌＮ層が設けられており、前記ＡｌＮ層と前記ｎ側電極との間の距離が、前記ＡｌＮ層と前記基板との間の距離よりも短いことを特徴とする、発光素子。 （もっと読む）

【課題】色度ばらつきを低減した半導体発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体発光装置は、第１の面とその反対側に形成された第２の面と発光層とを含む半導体層と、第２の面における発光層を有する領域に設けられたｐ側電極と、第２の面における発光層を含まない領域に設けられたｎ側電極とをそれぞれが含む３つ以上のチップと、第１の面上に設けられた同種類の蛍光体層とを備えている。チップは、平面視で中央に位置する中央チップと、中央チップを挟んで対称配置された少なくとも２つの周辺チップとを有する。周辺チップ間で第１の面上の蛍光体層の厚さは同じであり、中央チップの第１の面上の蛍光体層と、周辺チップの第１の面上の蛍光体層とは、厚さが異なる。 （もっと読む）

【課題】 発光輝度分布の発生を抑制する。
【解決手段】 基板上に複数の半導体発光素子が形成された半導体発光素子アレイであって、前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、前記基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成され、前記電極層に電気的に接続されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｎ型半導体層とを有する半導体発光層と、前記半導体発光層の一辺に沿って、該一辺と平行に形成された第１配線層と、前記第１配線層から前記半導体発光層にかけて延在し、前記半導体発光層の表面において、前記ｎ型半導体層と電気的に接続される複数の第２配線層とを有し、前記複数の第２配線層のうち、前記半導体発光層の他の前記半導体発光素子間との端部近傍に形成される第２配線層の前記半導体発光層への電流注入量が、前記半導体発光層の中心部近傍に形成される第２配線層の前記半導体発光層への電流注入量よりも高い半導体発光素子アレイが提供される。 （もっと読む）

【課題】 発光輝度分布の発生を抑制する。
【解決手段】 第１の方向に長い基板上に複数の半導体発光素子が形成された半導体発光素子アレイであって、前記複数の半導体発光素子のそれぞれが、前記基板上に形成された電極層と、前記電極層上に形成され、前記電極層に電気的に接続されたｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成されたｎ型半導体層とを有する半導体発光層と、前記半導体発光層の一辺に沿って、該一辺と平行に形成された第１配線層と、前記第１配線層から前記半導体発光層にかけて延在し、前記半導体発光層の表面において、前記ｎ型半導体層と電気的に接続される複数の第２配線層とを有し、前記半導体発光層の平面形状が、前記第１の方向に平行な上辺及び下辺と、該上辺及び下辺に垂直な線に対して傾斜する部分を含む２つの短辺を有する形状であり、前記斜辺の頂点から垂直に引いた直線が隣接する半導体発光素子の下辺と交差する形状である半導体発光素子アレイが提供される。 （もっと読む）

【課題】低光吸収率の透明導電膜を安定的に成膜できることで、高い品質が確保できる発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子は、透光性基板１１に、ｎ型半導体層１２１、発光層１２２およびｐ型半導体層１２３が積層された半導体層１２と、半導体層１２に積層され、金属酸化物からなる成膜材料により成膜された透明導電膜１３と、透明導電膜１３に積層された反射部１４とを備えている。この透明導電膜を成膜する際には、半導体層に透明導電膜の原膜をスパッタにより成膜するスパッタ工程と、原膜を酸素含有雰囲気ガスによりアニールする第１アニール工程と、酸素非含有雰囲気ガスによりアニールする第２アニール工程との２段階アニールを行う。第１アニール工程または第２アニール工程では、雰囲気温度が６００℃より高く、６８０℃より低くなるような範囲で行う。 （もっと読む）

【課題】工程安全性が向上して電気的に連結された複数の発光セルを含む発光素子、発光素子パッケージ、ライトユニットを提供する。
【解決手段】支持基板７０と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第１半導体層１１、前記第１半導体層の下の第１活性層１２、前記第１活性層の下の第２導電型の第２半導体層１３を有する第１発光構造物１０、前記第１発光構造物の下の第１反射電極１７、前記第１反射電極のまわりに配置された第１金属層１９と、前記支持基板上に配置された、第１導電型の第３半導体層２１、前記第３半導体層の下の第２活性層２２、前記第２活性層の下の第２導電型の第４半導体層２３を有する第２発光構造物２０、前記第２発光構造物の下の第２反射電極２７、前記第２反射電極のまわりに配置された第２金属層２９と、前記第１発光構造物の第１半導体層内部に接触して、前記第２反射電極と電気的に連結する第１コンタクト部４３とを備える。 （もっと読む）

【課題】低コストで、反射率が高く信頼性も高い反射鏡を有する窒化物半導体発光素子、窒化物半導体発光装置、及び窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】基板と、基板の上に設けられ、発光層を有する窒化物半導体積層部と、窒化物半導体積層部の上部に設けられる保護層と、を有する窒化物半導体発光素子と、窒化物半導体発光素子が実装されるパッケージ基板と、パッケージ基板に実装された窒化物半導体発光素子を封止する透光性の樹脂封止部と、を備える窒化物半導体発光装置において、窒化物半導体発光素子の基板と発光層との間、窒化物半導体発光素子の発光層と保護層との間、及びパッケージ基板のうちの少なくとも１つに、エアーギャップ層を形成する。 （もっと読む）