【課題】エピタキシャル成長の際の裏面クモリやピンハローを抑制して、高品質なシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】気相成長装置を用いて、サセプタのウェーハ載置面上にシリコン単結晶基板を載置して、該シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることによりシリコンエピタキシャルウェーハを製造する方法であって、サセプタとして、ＳｉＣにより表面をコートされた黒鉛製サセプタをチャンバー内に配設し、黒鉛製サセプタのウェーハ載置面上にポリシリコンのコートは行わずに、ウェーハ載置面上にリフトピンによりシリコン単結晶基板を載置して、シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長させることで、エピタキシャル成長においてシリコン単結晶基板の裏面のリフトピンの先端部に対向する領域に発生する面荒れを防止するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長において、ヒータからの熱線を調節して、シリコン単結晶基板を面内均一に加熱し、膜厚が均一なエピタキシャル層を成長させることができる装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】サセプタに水平に載置されたシリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長装置であって、前記サセプタの上下に各々配置され、放射状に円形に並べられた複数の棒状の単体ヒータを有するヒータと、該上下のヒータのそれぞれの中央に配置された上下の円筒状リフレクタと、前記上のヒータの上側及び前記下のヒータの下側に各々配置された上下のドーナツ状リフレクタとを備え、一部又は全ての前記単体ヒータの前記ヒータの中心側に、前記単体ヒータからの熱放射を散乱させる散乱体を有するものであるエピタキシャル成長装置。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理システムで使用するプラズマ処理チャンバのプラズマチャンバ表面での副生成物堆積を減少させる方法を提供する。
【解決手段】本方法はプラズマ処理チャンバに堆積バリアを提供する工程を含んでおり、堆積バリアはプラズマ処理チャンバのプラズマ発生領域に設置されるように設計されており、プラズマがプラズマ処理チャンバ内で照射されたときに生成される副生成物の少なくとも一部を堆積バリアに付着させ、プラズマ処理チャンバ表面上での副生成堆積を減少させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】急速加熱処理における温度分布は、ウエハのパターニングに依存し変化する。急速加熱処理（ＲＴＰ）の均一性は大幅に高める方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１２や他の基板を熱的に処理する装置６０及び方法（例えば、急速加熱処理）放射ランプ２６の列２４は、ウエハを加熱する為にウエハの裏側に放射を向ける。ウエハの表側は、パターン化された集積回路１６が形成されるが、放射反射器２８に面する。ランプがウエハの上方にあるとき、エッジリングは、ウエハをそのエッジ排除ゾーンで支持する。あるいは、リアクタは、上方に向けられたランプ２６と、反射器２８を上方に含み、ウエハの表側に面する。 （もっと読む）

【課題】基板のゆがみや破損を防止する有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法および装置を提供する。
【解決手段】有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）法は、第１表面に金属系材料層が配置された基板を提供することと、金属系材料層が基板とベースの間に介するように基板をチャンバー内のベースの上に配置することと、第１表面の反対側にある基板の第２表面にＭＯＣＶＤプロセスを行うこととを含む。金属系材料層と基板の間の熱伝導率の差は、１Ｗ／ｍ℃〜２０Ｗ／ｍ℃の範囲内であり、金属系材料層と基板の熱膨張係数は、同一等級である。 （もっと読む）

【課題】 熱応力によるウエハ保持体の破損が生じにくく、且つ均熱性に優れたウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 埋設された発熱体２を有し、窒化アルミニウムを主成分とする材料で構成される基板１と、この基板１に機械的に結合してこれを支持する筒状の支持体４とからなる半導体製造装置用ウエハ保持体であって、支持体４の内側には基板１の温度測定用の測温素子１１を収納する筒状体１２が設けられており、筒状体１２の内側は大気雰囲気であり且つ支持体４の内側の雰囲気から隔離されている （もっと読む）

【課題】搬送室とチャンバの温度差にかかわらず、基板をサセプタ上の所定位置に載置することのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】ロボットハンドで基板をチャンバの内部へ搬送し（Ｓ１０１）、基板支持部へ受け渡す（Ｓ１０２）。基板支持部を下降させて、サセプタの上に基板を載置する（Ｓ１０３）。基板を回転させながら温度測定を行う（Ｓ１０４）。放射温度計による測定結果と、エンコーダによる検出結果とを用いて、温度データと位置データを作成する（Ｓ１０５）。これらから基板の位置ずれ量を求めて（Ｓ１０６）、この位置ずれ量が許容値以下であるか否かを判定する（Ｓ１０７）。位置ずれ量が許容値より大きい場合には、搬送室内でロボットハンドの位置調整を行った後（Ｓ１０８）、次に成膜予定の基板をチャンバの内部へ搬送し、基板支持部を介してサセプタの上に載置する（Ｓ１０９）。 （もっと読む）

【課題】フラッシュ加熱処理時における薄膜の過度の加熱を抑制することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】表面に二酸化ケイ素の基材を形成し、さらにその上にアモルファスシリコンの薄膜を形成した半導体ウェハーＷをチャンバー６内に搬入する。フラッシュランプＦＬへの電力供給回路には絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）が接続されており、そのＩＧＢＴによってフラッシュランプＦＬへの通電時間を０．０１ミリ秒以上１ミリ秒以下とすることにより、フラッシュ光照射時間を０．０１ミリ秒以上１ミリ秒以下としている。顕著に短いフラッシュ光照射時間にてフラッシュ加熱処理を行うため、アモルファスシリコンの薄膜が過度に加熱されることは抑制され、当該薄膜が剥離するなどの弊害が防止される。 （もっと読む）

【課題】プラスチック基板上に塗布印刷を用いて所望の特性を有する膜を形成することができる膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】プラスチック基板上に塗布組成物を塗布した塗布膜からなるパターンが形成された部材を作製する工程１、部材に超音波を照射して塗布膜の乾燥および／または改質を行う工程２を備え、溶液状態の塗布膜に化学作用を及ぼして、デバイスに用いられる配線膜、電極膜、絶縁膜などの所定の膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理室内において処理空間から非処理空間へのマイクロ波の漏洩を抑制し、非処理空間内の基板搬送口等に設けられるＯリングの焼損やパーティクルの発生を抑制する手段を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室１１０を形成し導電性の壁で構成される処理容器１８と、処理室内に設けられ、基板が載置される側の基板載置面と該基板載置面と垂直な側壁とを有する導電性の基板支持台１２と、基板加熱処理時における基板載置面側の空間である処理空間へマイクロ波を供給するマイクロ波供給部２３と、基板加熱処理時における基板載置面と反対側の空間である非処理空間１３０を形成する処理容器の壁に設けられ、基板を処理室内外へ搬送する基板搬送口７１と、基板支持台の側壁又は該側壁に対向する処理容器の内壁に設けられ、処理空間へ供給されたマイクロ波が非処理空間へ通過することを抑制するマイクロ波通過抑制用の溝１７と、を備えるた基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】膜厚を確保することが可能な成膜装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態にかかる成膜装置は溝を有する基板に液体材料を供給して前記溝内に前記液体材料を埋め込み、液層を形成する塗布部と、前記溶液層を乾燥させて固化する乾燥部と、前記乾燥中に前記液層の表面に蒸気を照射する蒸気供給部と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】加熱手段を精密にキャリブレーションし、キャリブレーション時の時間を短縮できる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】キャリブレーション工程は、基板搬送手段が、表面温度を検出する温度検出手段が設けられたキャリブレーション基板を処理室１に搬入し載置するステップと、前記基板支持部２１７内に設けられた加熱手段が設定温度に基づいて加熱するステップと、温度記憶手段が前記温度検出手段で検出した前記表面温度を記録するステップと、結果に基づいて前記加熱手段２１７ｂの設定温度を補正するためのパラメータを取得するステップと、補正手段が前記パラメータに基づいて前記加熱手段２１７ｂの設定温度を補正するステップと、前記補正ステップの後に、前記キャリブレーション基板を前記処理室１から搬出するステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】基板温度の過度の上昇を抑え、加熱対象のポリイミド膜やＨｉｇｈ−ｋ膜を含む基板を加熱処理することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内に設けられる導電性の基板支持台と、前記基板支持台上に設けられ基板が載置される誘電体板と、前記処理室外に設けられるマイクロ波発生部と、前記マイクロ波発生部で発生されたマイクロ波を前記処理室内へ供給するマイクロ波供給部と、を備えるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】リフレクタからの熱線を調節してシリコン単結晶基板を面内均一に加熱し、膜厚が均一なエピタキシャル層を成長させることができる装置を提供することを目的とする。
【解決手段】サセプタの上下に各々配置され、放射状に円形に並べられた複数の棒状の単体ヒータを有するヒータと、上のヒータの上側及び前記下のヒータの下側に各々配置された上下のドーナツ状リフレクタとを備え、上下のドーナツ状リフレクタの少なくとも一つは、ヒータの熱放射を収束させる収束反射板部と熱放射を分散させる分散反射板部とを有し、収束反射板部は棒状の単体ヒータに沿って形成された円筒凹面を有し、かつ該円筒凹面はドーナツ状リフレクタの径方向で異なった曲率半径の断面の部分を有するものであるエピタキシャル成長装置。 （もっと読む）

【課題】膜応力の小さい低誘電率の絶縁膜を形成できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室内へ無機シリコンガスと酸素含有ガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン酸化膜を形成するシリコン酸化膜形成工程と、処理室内へ有機シリコンガスを供給している状態で、励起エネルギーを処理室内へ供給して、基板表面にシリコン膜を形成するシリコン膜形成工程と、を行うことにより、処理室内の基板表面に絶縁膜を形成するよう、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 面内均一な基板処理を再現性良く得ることができる基板処理装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
基板を処理する処理室と、処理室内にて基板を支持する基板支持部と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマ生成部と、基板支持部の内部に設けられる複数のインピーダンス電極と、インピーダンス電極毎に設けられた基板電位分布調整部と、処理室内を排気する排気部と、少なくともガス供給部、プラズマ生成部及び基板電位分布調整部を制御する制御部と、を備え、制御部は、少なくともガス供給部により供給した処理ガスをプラズマ生成部により励起し、励起した処理ガスを前記基板に供給して処理する際に、基板の処理面の電位分布を基板電位分布調整部によりそれぞれ調整する。 （もっと読む）

【課題】 ノズルから吐出された液滴に変質等が生じないように吐出空間の雰囲気を置換することが可能なデバイス製造方法を提供する。
【解決手段】 デバイスの製造方法は、基板をチャンバ内に搬入して載置台に載置する工程と、待機位置において封止部材により液滴吐出ノズルを隔離した状態で、チャンバの内部を減圧する減圧工程と、ガス供給機構からチャンバ内にパージガスを導入してチャンバ内部の雰囲気を置換するとともに大気圧状態に戻す雰囲気置換工程と、封止部材による液滴吐出ノズルの隔離を解除し、液滴吐出ノズルを吐出位置に移動させて被処理体へ向けて前記液滴を吐出する吐出工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】高速成膜時でも高品質な水素化アモルファスシリコン膜を形成することができる半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】電力の供給により原料ガスをプラズマにして活性種に分解し基板上に堆積させ半導体薄膜を製造する方法において、上記原料ガスは第１４族元素水素化合物および／または第１４族元素水素化合物の誘導体を含み、上記記電力が供給されるオン状態と、上記電力が供給されないオフ状態とが交互に切り替わり、かつオフ状態の継続時間が一定でない、半導体薄膜の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体薄膜を形成する製造方法及びその製造方法を実現するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】４族元素の原子と水素原子とを含む化合物をプラズマと活性種とに分解する工程と、活性種を基板上に堆積させる工程とを備え、分解する工程において、プラズマ生成エネルギーは休止期間と供給期間とを繰り返すように間欠的に供給され、プラズマ生成エネルギーは供給期間において時間的に変動する。 （もっと読む）