【課題】基板処理装置のスループットを低減させることなく、キャリアの内部やキャリアに収容された基板の汚損を防止すること。
【解決手段】本発明では、キャリア載置台（６）に載置されたキャリア（３）の蓋（５）を開放し、キャリア（３）に収容された基板（２）を基板処理室（７）へ搬送し、基板処理室（７）で基板（２）の処理を行う基板処理装置（１）及び基板処理方法並びに基板処理プログラムにおいて、キャリア載置台（６）に載置された第１のキャリア（３）に対して処理が行われている場合、第２のキャリア（３）の蓋（５）を閉塞させた状態で第２のキャリア（３）をキャリア載置台（６）に待機させ、その後、所定の条件が満たされたときに第２のキャリア（３）の蓋（５）を開放し、基板（２）の処理を開始することにした。 （もっと読む）

【課題】電子材料上のレジストを短時間で確実に剥離除去する。
【解決手段】電子材料を過硫酸含有硫酸溶液で洗浄してレジストを剥離洗浄し、その後ガス溶解水でウェット洗浄する。過硫酸含有硫酸溶液によるレジスト剥離後のウェット洗浄を、ガス溶解水を用いて行うことにより、洗浄に要する時間を従来法に比べて大幅に短縮することができる。過硫酸含有硫酸溶液は、硫酸溶液を電気分解することによって製造されたものであることが好ましく、レジストの剥離洗浄装置からの過硫酸濃度が低下した硫酸溶液を電解反応装置に送給して再生し、過硫酸濃度を十分に高めた硫酸溶液を洗浄装置に循環することにより、高濃度の過硫酸によりレジストを効率的に剥離除去すると共に、硫酸溶液を繰り返し使用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】より低コストかつ省資源な洗浄を行うために、ガス溶解水を用いた高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄のみにより、超音波洗浄を組み合わせる必要がない程度に十分な洗浄効果をあげる洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄流体吐出ノズルから洗浄液又は洗浄液と気体との混合流体を被洗浄物に向けて吐出させて、被洗浄物を高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄する洗浄方法において、流体吐出ノズルに導入される洗浄液に溶存ガスを含ませる。溶存ガスは、所定の圧力が加えられることにより洗浄液に溶解され、溶存ガスの洗浄液への溶解量は、洗浄液の液温における飽和溶解度を第１飽和溶解度とし、洗浄液の液温を保ったまま所定の圧力を加えた状態における飽和溶解度を第２飽和溶解度とした場合に、第２飽和溶解度と第１飽和溶解度との差の１０〜７０％を第１飽和溶解度に加えたものとする。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨のプロセス後、シリコンからなる半導体ウェハから研磨された表面および裏面の研磨プロセスの残渣を取除く。
【解決手段】シリコンからなる半導体ウェハを半導体ウェハの化学機械研磨のプロセス直後に洗浄するための方法であって、ａ）半導体ウェハを研磨板から第１の洗浄モジュールに搬送し、搬送中、半導体ウェハの両側面に、少なくとも１回、１０００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｂ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｃ）半導体ウェハの側面に、７００００Ｐａ以下の圧力でフッ化水素および界面活性剤を含有する水溶液を吹付ける工程と、ｄ）半導体ウェハの側面に、２００００Ｐａ以下の圧力で水を吹付ける工程と、ｅ）半導体ウェハをアルカリ性洗浄水溶液に浸漬する工程と、ｆ）回転ローラに挟まれた半導体ウェハを、水を供給しながら洗浄する工程と、ｇ）半導体ウェハに水を吹付ける工程と、ｈ）半導体ウェハを乾燥する工程とを、示す順に含む方法。 （もっと読む）

【課題】ノズルの動作を簡単に教示することができる基板処理装置およびティーチング方法を提供する。
【解決手段】記録開始指令が制御部４に入力されると、ＣＰＵ２３は、記録開始指令が入力されてからの経過時間をタイマー２５によって計測させる。さらに、ＣＰＵ２３は、ノズルの位置を検出するエンコーダ２２の出力と経過時間とをメモリー２４に記憶させる。そして、記録終了指令が制御部４に入力されると、ＣＰＵ２３は、エンコーダ２２の出力と経過時間の記憶を終了させる。記録開始指令の発生から記録終了指令の発生までのエンコーダ２２の出力は、経過時間と関連付けられて１つの動作データとしてメモリー２４に記憶される。 （もっと読む）

【課題】ＳＰＭ法において、ウエハ等を効果的に洗浄することを可能にし、所望によっては洗浄後の溶液の循環使用を可能にする。
【解決手段】洗浄方法として、硫酸溶液と過酸化水素水とを混合した後、混合液を加熱して被洗浄材の洗浄に供するものとし、洗浄システムでは、硫酸溶液と過酸化水素水とを混合して貯液する混合貯液部と、前記混合貯液部から供給される混合液を通液しつつ加熱する加熱器と、前記加熱器から供給される加熱混合液を洗浄液として用いる洗浄部と、を備えるものとすることで、硫酸溶液と過酸化水素水との混合によって、酸化力の強い混合溶液が得られ、混合後、加熱された混合溶液を用いて被洗浄材を効果的に洗浄できる。 （もっと読む）

【課題】パターンの倒壊を抑制または防止することができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】第１疎水化剤が基板に供給されることにより、基板の表面が疎水化される（Ｓ１０４）。その後、溶剤が基板に供給されることにより、第１疎水化剤が溶剤に置換される（Ｓ１０７）。そして、第１疎水化剤とは異なる第２疎水化剤が基板に供給されることにより、溶剤が第２疎水化剤に置換され、基板の表面がさらに疎水化される（Ｓ１０８）。その後、溶剤が基板に供給されることにより、第２疎水化剤が溶剤に置換される（Ｓ１０９）。そして、溶剤が基板から除去されることにより、基板が乾燥する（Ｓ１１０）。 （もっと読む）

【課題】真空処理室でプラズマ処理が再開可能な異常が発生した場合に、オペレータによる長時間のウエハの処理再開操作待ちによりウエハに成膜された金属膜の腐食が進行する問題が考慮されていなかった。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行う真空処理室と、洗浄処理を行う洗浄処理装置とを備え、表面に金属膜の単層または金属膜を含む積層膜が成膜されたウエハを腐食性ガスにより、プラズマ処理する真空処理装置において、真空処理室に異常が発生し、プラズマ処理が中断されたウエハを所定時間経過後に、プラズマ処理が中断されたウエハを洗浄処理装置へ搬送し、洗浄処理を行うシーケンスを有する制御手段を備えたことを特徴とする真空処理装置である。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハの金属汚染をより抑制し得る最適な湿式酸化処理を実現するためのオゾン水供給システム、及び当該システムから供給されるオゾン水を用いて湿式酸化処理を行い得るシリコンウエハの湿式酸化処理システムを提供する。
【解決手段】オゾン水供給システムは、オゾン水供給装置１と、オゾン水供給装置１から湿式酸化槽１０に供給されるオゾン水のオゾン濃度を測定するオゾン濃度測定装置２，３とを備える。これにより、オゾン濃度測定装置２，３における測定値に基づいて、オゾン水供給装置１から湿式酸化槽１０に供給されるオゾン水のオゾン濃度を２ｐｐｍ以下に精確に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板等の部材に付着したＳｉ及びＣを含む膜を容易に除去でき、且つ部材にダメージを与えるおそれが少ない膜の除去方法、及びその除去方法において使用する膜除去用装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉ及びＣを含む膜が形成された半導体基板２０をチャンバ１１内に配置する。また、チャンバ１１内に酸素ガスを導入するとともに、真空排気ポンプ１７によりチャンバ１１内の圧力を例えば１０Torr（約１．３３×１０³Ｐａ）に維持する。そして、真空紫外光ランプ１３により発生した真空紫外光を半導体基板２０に照射する。これにより、ＳｉとＣとの結合が切断され、Ｓｉと酸素とが結合して、Ｓｉ及びＣを含む膜がＳｉＯ膜に変質する。その後、フッ酸等によりＳｉＯ膜を除去する。 （もっと読む）

【解決手段】ウエハ上の低誘電率材料及び相互接続材料に損傷を与えることなく、ウエハ上のダマシン処理によるサイドウォールポリマーを除去するための水性洗浄溶液及び洗浄溶液を用いる方法を記載する。 （もっと読む）

【課題】少ない薬品の使用量で、ウェーハ表面に付着した有機物および金属等の微粒子をより精度高く除去することができるシリコンウェーハの表面浄化方法を提供する。
【解決手段】オゾンガスをウェーハ表面に接触させ、ウェーハ表面に酸化膜を形成させ（ステップＳ１）、フッ化水素ガスをウェーハ表面に接触させ、ウェーハ表面に形成された酸化膜を除去し（ステップＳ２）、シュウ酸またはクエン酸のジカルボン酸の薬液を用いてウェーハ表面を洗浄し、微粒子の再付着防止と金属粒子の除去とを行い（ステップＳ３）、さらに、オゾン水を用いてウェーハ表面を洗浄して微粒子を除去するとともに、更なる酸化膜の形成を行う（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】２種類の薬液の混合液を用いて被処理基板から汚染物質を除去する処理にあたり、前記混合液による汚染物質の除去能の低下を抑制することが可能な基板処理装置などを提供する。
【解決手段】
処理槽２１には、被処理基板Ｗを浸漬し処理するための第１の薬液と、加熱されることにより、当該第１の薬液より蒸気圧が高く、被処理基板に対して不活性な物質を生成する第２の薬液と、の混合液が貯溜され、加熱部４１２は、処理槽２１内の混合液を加熱し、第１、第２の薬液供給部４３０、４２０は、混合液に第１、第２の薬液を補充供給する。制御部５は、混合液を第１の温度に加熱して被処理基板Ｗの処理を実行し、処理を行っていない期間中は、当該混合液の温度を第１の温度より高い第２の温度に加熱すると共に、加熱によって蒸発した混合液を補充するために、第１の薬液を補充供給するための制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハー表面にパーティクルの付着無く、半導体ウエハー及び収納カセットにウォーターマークが発生せず、スピンドライヤーを使用せず乾燥装置内で静止状態で迅速に半導体ウエハーを乾燥する方法及びその乾燥装置を提供する。
【解決手段】カセット内の各収納室に収納された洗浄後の半導体ウエハーを乾燥装置１内に導入し、半導体ウエハーを収納したカセットを乾燥装置１内の乾燥室１ｃに固定する工程と、乾燥室１ｃ内の上部の噴射ノズルから放射状熱風を強制噴射する工程と、温風噴射停止後、室内の半導体ウエハー及び収納カセットに付着した残余水分を真空乾燥に一定温度条件下で短時間に蒸発乾燥させる工程と、その後、大気圧に戻し再度噴射ノズルにて半導体ウエハー及び収納カセットに熱風を放射状に強制噴射する工程と、再度、温度条件下で真空乾燥する工程を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、溶剤の使用量を削減することができる。
【解決手段】本発明は、増感色素を吸着させた半導体層である多孔質半導体層７を透明基板である電極側基板２上に有する電極形成ワーク１２に対し、洗浄用のリンス液を噴射する。さらに本発明は、リンス液の噴射された電極形成ワーク１２に対し、リンス液をミスト状に噴射し、ミスト噴射された電極形成ワーク１２に対し、ガスとしての不活性ガスを噴射するようにした。 （もっと読む）

本発明は、表面が酸化ケイ素の層で覆われているシリコン基板の表面の洗浄方法を提供する。この方法は、上記表面をフッ素化ガスから発生させた高周波プラズマに60秒〜900秒からなる時間暴露させ、上記プラズマによって発生させた出力密度が10mW/cm²〜350mW/cm²からなり、上記フッ素化ガスの圧力が1.333Pa〜26.664Pa (10ミリトール〜200ミリトール)からなり、そして、上記シリコン基板の温度が300℃以下であるステップa)；および、上記表面を水素高周波プラズマに5秒〜120秒からなる時間暴露させ、出力密度が10mW/cm²〜350mW/cm²からなり、水素圧が1.333Pa〜133.322Pa (10ミリトール〜1トール)からなり、そして、上記シリコン基板の温度が300℃以下であるステップb)を含む。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板よりも外形が大きい支持基板に、光熱変換層と接着剤層を介して被処理基板を貼り合わせ、この貼り合せた面とは反対側の被処理基板の面を処理しても、被処理基板の処理面に外観不良が発生することを防ぐ。
【解決手段】 被処理基板３の一方の面に接着剤層４を形成し、被処理基板の表面よりも外形が大きい表面を有する支持基板１の一方の面に、光熱変換層２を形成し、この被処理基板３を光熱変換層２の表面上に接着剤層４を介して接着して積層体を得る。この積層体をスピンコーター装置のチャンバー８内のスピンチャック９上に載せ、光熱変換層２のうち、被処理基板から露出する部分２ａを、アルカリ性水溶液１１で除去した後、高圧洗浄用ノズル１２で洗浄する。その後、被処理基板３の表面を研削や湿式処理などの処理をして、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のウェット処理において、エッチングを制御しながら薬液使用量を削減する。
【解決手段】薬液を用いて複数の基板を順次処理するウェット処理方法は、次の各工程を備える。つまり、第１の基板をウェット処理する際の設備パラメータの値を収集する工程（ａ）と、設備パラメータに基づいて、工程（ａ）における基板の被処理層のエッチングレートを算出する工程（ｂ）と、エッチングレートと、被処理層に対して予定したエッチング量とに基づいて、処理時間を算出する工程（ｃ）と、工程（ａ）の後に、第１の基板とは異なる他の基板について、処理時間のウェット処理を行なう工程（ｄ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】既存のＣＭＰ装置等で広く採用されているスピン乾燥に対応させて、乾燥用溶剤としてＨＦＥを使用した乾燥を実現できるようにする。
【解決手段】液体が付着した基板Ｗの表面を乾燥させる基板乾燥方法であって、基板Ｗを回転させながら、１２０〜１６０℃に加温され、かつ０．５〜１．０ＭＰａに加圧されたハイドロフルオロエーテルと水溶性アルコールとの混合蒸気２２を基板Ｗの表面に吹付けて基板Ｗの表面の液体を除去する。 （もっと読む）

【課題】ゲートメタル材料の溶解抑制と良好なコンタクト抵抗取得とを両立可能な半導体装置の洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の洗浄方法は、以下の工程を備えている。シリコンを含み、かつ主表面ＭＳを有する半導体基板ＳＢが準備される。主表面ＭＳの上にメタル層ＧＭとシリコン層ＧＰとを下から順に積層した積層ゲートＧＥ２が形成される。主表面ＭＳとシリコン層ＧＰ表面との各々にシリサイド層ＳＣＬが形成される。主表面ＭＳと積層ゲートＧＥ２表面との各々のシリサイド層ＳＣＬの上に絶縁層ＩＬが形成される。半導体基板ＳＢの主表面ＭＳと積層ゲートＧＥ２の表面との各々のシリサイド層ＳＣＬが絶縁層ＩＬから露出するようにシェアードコンタクトホールＳＣ２が絶縁層ＩＬに形成される。シェアードコンタクトホールＳＣ２に硫酸洗浄、過酸化水素水洗浄およびＡＰＭ洗浄をそれぞれ別工程で行うことによりシェアードコンタクトホールＳＣ２に形成された変質層ＡＬが除去される。 （もっと読む）