【課題】操作性を向上させることのできるレーザ装置を提供する。
【解決手段】このレーザ装置では、信号用半導体レーザ１０から希土類ドープ光ファイバ２１にレーザ光を出射するときに、第１励起用半導体レーザ２２から出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ２１を高励起状態に励起させる。そして、高励起状態となっている希土類ドープ光ファイバ２１を通じて、信号用半導体レーザ１０から出射されたレーザ光を増幅し、増幅光として出射する。ここでは、第１励起用半導体レーザ２２よりも低いレーザ出力を有する第２励起用半導体レーザ２３を設ける。そして、第１励起用半導体レーザ２２から出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ２１を高励起状態に励起させる前に、第１励起用半導体レーザ２２及び第２励起用半導体レーザ２３からそれぞれ出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ２１を予備励起させる。 （もっと読む）

【課題】増幅光の出力を安定化させることのできるレーザ装置を提供する。
【解決手段】このレーザ装置は、希土類ドープ光ファイバ２１を高励起状態に励起させることの可能な基準レーザ出力を有する第１励起用半導体レーザ２２と、第１励起用半導体レーザ２２よりも低いレーザ出力を有する第２励起用半導体レーザ２３とを備える。そして、信号用半導体レーザ１０からレーザ光をパルス発振する前に、第２励起用半導体レーザ２３から出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ２１を予備励起させる。また、信号用半導体レーザ１０からレーザ光を出射する際に、第１励起用半導体レーザ２２から出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ２１を励起させる。ここでは、第１励起用半導体レーザ２２からのレーザ光の出射開始時に、そのレーザ出力を基準レーザ出力よりも高い高レーザ出力に設定した後、基準レーザ出力まで低下させる。 （もっと読む）

【課題】増幅光の出力を安定化させることのできるレーザ装置を提供する。
【解決手段】このレーザ装置では、信号用半導体レーザ１０から希土類ドープ光ファイバ２１にレーザ光を出射するときに、第１励起用半導体レーザ２２から出射されるレーザ光によって希土類ドープ光ファイバ２１を励起させる。そして、励起状態となっている希土類ドープ光ファイバ２１を通じて、信号用半導体レーザ１０から出射されたレーザ光を増幅し、増幅光として出射する。ここでは、第１励起用半導体レーザ２２よりも低いレーザ出力を有する第２励起用半導体レーザ２３から希土類ドープ光ファイバ２１にレーザ光を出射することにより、同光ファイバ２１を予備励起させる。また、第１励起用半導体レーザ２２からのレーザ光の出射が停止されたとき、その時点から所定時間が経過するまでの期間、第２励起用半導体レーザ２３からのレーザ光の出射を停止する。 （もっと読む）

【課題】 励起光からレーザー発振光への変換効率を向上させることにより、小型でランニングコストの低い固体レーザ装置を提供すること。
【解決手段】 励起光源と、レーザ媒質を含む軸励起方式のレーザ共振器と、励起光源から出射される励起光を、レーザ共振器内レーザ媒質の一端部へと、レーザ共振光と同軸に入射させるための励起光導入光学系とを有し、レーザ媒質は３準位動作にてレーザ発振を行うように構成されており、かつレーザ媒質の一端部からレーザ媒質内へと入射され、レーザ媒質中を通過して、レーザ媒質の他端部からレーザ媒質外へと出射される励起光の全部又は一部を折り返して、レーザ媒質の他端部へとレーザ共振光と同軸に再入射させるための励起光再導入光学系をさらに有する。 （もっと読む）

【課題】光増幅されて出力される被増幅光を高パワーにすることができるとともに、他の光部品に与えるダメージや発熱の問題を低減することができる光学モジュールを提供する。
【解決手段】光学モジュール１は、種光源１１、励起光源１２、光結合器１３、増幅用光ファイバ２１、吸収用光ファイバ２２、ＡＰＣ光コネクタ３１および光学系３２を備える。増幅用光ファイバおよび吸収用光ファイバそれぞれは、コア，第１クラッド，第２クラッドおよび第３クラッドを有し、被増幅光をシングルモードでコアにより導波させるとともに、励起光をマルチモードでコア，第１クラッドおよび第２クラッドにより導波させる。増幅用光ファイバのコアは、励起光により励起され被増幅光を光増幅するための増幅用ドーパントが添加されている。吸収用光ファイバの第２クラッドは、励起光を吸収するための吸収用ドーパントが添加されている。 （もっと読む）

【課題】レーザ光源の略全てを波長変換でき高効率の光源を提供する。さらに、シンチレーションの低減に寄与する光源装置、照明装置、モニタ装置、及び画像表示装置を提供する。
【解決手段】光源装置は、レーザ光源１０と、波長変換素子１２と、レーザ光源１０から射出され波長変換素子１２で変換される高調波レーザ光２０の光路上に配設され、基本波レーザ光１８ａ，１８ｂを選択して波長変換素子１２に折り返し、高調波レーザ光２０，２２を透過させる波長選択素子１４，１６と、を含み、基本波レーザ光１８ａ，１８ｂの光路は、往路と復路とを含み、往路は、レーザ光源１０から射出され波長変換素子１２を介して波長選択素子１４，１６に入射する光路に位置し、復路は、波長選択素子１４，１６を射出し、波長変換素子１２に入射する光路に位置し、波長変換素子１２内で往路と復路とは異なる領域を通過する。 （もっと読む）

【課題】従来のアップ変換レーザーシステムと同じか、またはそれより大きい出力パワーにおいて、コンパクトな寸法を有するアップ変換レーザーシステムを提供する。
【解決手段】本発明は、第１ミラー（５）と第２ミラー（６）との間に配置された利得構造体（４）を有する少なくとも１つの半導体レーザーを備え、前記第１ミラー（５）および前記第２ミラー（６）は、前記半導体レーザーのレーザーキャビティ（７）を形成し、更に前記半導体レーザーの基本放射線をアップ変換するためのアップ変換層を備えるアップ変換レーザーシステムに関し、本発明のアップ変換層は、前記半導体レーザーの前記レーザーキャビティ（７）内に配置されていることを特徴とする。提案されたアップ変換レーザーシステムはコンパクトな構造となっている。 （もっと読む）

【課題】シングルモードで、かつ、効率の良い安定した出力の小型レーザ装置、あるいはASE光源を提供する。
【解決手段】励起光の波長が発生する光よりも長波長である、励起LDと共振器と希土類元素添加ファイバを用いたレーザ装置または光源において、希土類元素添加ファイバの規格化周波数Vが発生する光の波長に対して2.4＜V＜3.9であり、かつ、共振器中に希土類添加ファイバ以外のファイバの一部が発生した光に対してシングルモードであるファイバが挿入されることを特徴とするレーザ装置。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、簡単な構成により、低コストで且つより小径の発光点を備えると共に、より高輝度の光を出射することができるようにした半導体光源装置と、その発光部そして発光部の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 半導体発光素子１１ａと、一端から入射された上記半導体発光素子からの光を他端に導く光ファイバ１２と、この光ファイバの他端側端部に配置された蛍光体粒子１３ａを含有する発光部１３と、を含んでいる、半導体光源装置１０において、上記発光部が、上記光ファイバのコアの他端に対して一体に形成されたコアと同じ材料に蛍光体粒子を混入した透明材料から成る上記コアの直径より大きい直径を備えた微小球から構成されており、上記微小球が、上記半導体発光素子からの光または、上記半導体発光素子からの光により励起された蛍光を閉じ込めて共振させるように、半導体光源装置１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】高効率に真空紫外領域のレーザを得ること。
【解決手段】クリプトンガスに第１のレーザを照射して、このクリプトンガスにおいて二光子共鳴中間励起を生起させると共に、第１のレーザとは波長の異なる第２のレーザをクリプトンガスに照射して、第１のレーザ及び第２のレーザの波長と異なる第３の波長を有した第３のレーザを発振させる四波混合レーザ発振方法を用いたレーザ装置である。この装置において、第１のレーザの照射によるクリプトンガスの二光子共鳴多光子イオン化によって生じるイオン電流を測定する電流測定装置と、電流測定装置の出力に基づいて、第１のレーザの波長を制御する波長制御装置とを設けた。 （もっと読む）

【課題】優れた変換効率を有する外部共振型アップ−コンバージョン光ファイバレーザを提供する。
【解決手段】光ファイバレーザは、第１波長光を出力し、無反射（ＡＲ）層と高反射（ＨＲ）層を有するレーザ３１と、コアが希土類物質でドープされたアップ−コンバージョン光ファイバ３９と、前記第１波長光に対する共振器として動作可能とする出力側ミラーＤＭ２と、前記光ファイバを第２波長光に対する共振器として動作可能とする入力側ミラーＤＭ１と、入射される光を前記レーザのための固有偏波の光に転換して出力する偏光モード調整部３４と、前記偏光モード調整部から入力された光を前記光ファイバで求められる形状に変換して前記光ファイバに出力し、その逆に前記光ファイバから入力された光を前記レーザで求められる形状に変換して前記偏光モード調整部に出力するビーム変換部３５を含む。 （もっと読む）

スペックル雑音の減少を伴う可視放射線を放射するレーザ共振器に関し、光共振器は、可視放射線発光レイジング材料の両端に少なくとも２つの鏡によって形成され、その光共振器はマルチモード動作を強化するので、可視放射線発光レイジング材料はスペクトル的に広げられた可視放射線を放射し、スペクトル的に広げられた可視放射線の包絡関数は、１ｎｍ〜１５ｎｍ内の半値全幅（ＦＷＨＷ）を有する。
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本発明は、ポリマーおよび増感剤を含む、光エネルギのアップコンバージョンのための系に関する。前記ポリマーの三重項レベルは、前記増感剤の三重項レベルよりも低い。前記系は、アップコンバージョンの間、非常に効率的であり、従って、従来技術により用いられるポリマーと比較して、アップコンバージョンのために用いられるデバイスにおける使用に、より適している。 （もっと読む）

出射される波長の制限が緩和されたコヒーレント光源を提供することを課題とする。本発明のコヒーレント光源は、第１の光（３）と、第１の光（３）より波長の短い第２の光（４）を同時に出射するコヒーレント光源であり、少なくとも第１の光（３）を出射する光源本体と、第１の光（３）を透過又は反射するミラー（５）と、ミラー（５）の少なくとも一部に設けられた機能性膜（６）と、を備えている。機能性膜（６）は、第２の光（４）により光触媒効果を発現する。 （もっと読む）

本発明は、IR波長レーザ放射線の上位変換用の導波構造であって、a）水分に対して安定な材料、機械的に安定な材料および／または温度的に安定な材料で実質的に構成された、少なくとも一つのベース基板層と、b）好ましくはフッ化物ガラスのような、実質的にハロゲン化物ガラスで構成され、前記ベース基板層の上に設置された少なくとも一つのアクティブ層と、を有し、前記少なくとも一つのベース基板層の前記材料は、前記少なくとも一つのアクティブ層の前記材料とは異なる組成を有することを特徴とする導波構造に関する。 （もっと読む）

本発明は、導波路を励起するよう使用され、光源としても使用される半導体ダイオードレーザに係る。ＩＲ波長放射から可視光線放射を作り出す本発明に従った導波路レーザは、ａ）ＩＲ波長放射を作り出す少なくとも１つの半導体ダイオードレーザ又はダイオードレーザ・バーと、ｂ）後に放射が続く光子吸収エネルギ移動のアップコンバージョン工程によってＩＲ波長放射を可視光線へと変換する半導体ダイオードレーザにおいて放射層の厚さより少なくとも１μｍ厚い厚さを有する少なくとも１つのアップコンバージョン層と、ｃ）可視光線放射を再循環する少なくとも１つの光学的感知手段及び／又はＩＲ波長放射を再循環する少なくとも１つの光学的感知手段と、を有する。レーザダイオード又はレーザダイオード・バー、及びアップコンバージョン層は、同一の基板上又は別個の基板上に配置される。レーザダイオード又はレーザダイオード・バー、及びアップコンバージョン層は、近接して配置される。近接して配置されたダイオードレーザ・バーとアップコンバージョン層との間にギャップが形成される。あるいは、レーザダイオード又はレーザダイオード・バー、及びアップコンバージョン層は、このオーダにおいて接触して配置され、導波路レーザは、
【数５６】


乃至
【数５７】


であるビーム質Ｍ２を有する。
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