【課題】共振器構造を有する半導体基板上の半導体レーザであって、単一モード特性を損なうことなく、光出力の使用割合を増大させることのできる半導体レーザを提供すること。
【解決手段】半導体レーザの共振器構造が、その両端面に関する対称軸を有する。そして、半導体レーザからの第１及び第２の光出力を半導体基板の単一の端面から取り出すため、共振器構造の第１の端面に第１の出力導波路、第２の端面に第２の出力導波路を接続する。第１及び第２の出力導波路からの第１及び第２の光出力を等しくするために、半導体レーザと第１及び第２の出力導波路の方位を９０度傾ける。半導体レーザとしてλ/４位相シフトを中央に設けたＤＦＢレーザを用いることができる。また、図６のような構成も考えられる。出力導波路を設けず、共振器構造を構成する導波路自体を曲げることで、共振器構造の両端面からの第１及び第２の光出力を同一方向から出射させる。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板のＳｉ面とを接合させる構造において、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層と基板とに剥がれが生じることを抑制すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓ基板３２の主面上に形成された光を発振する活性層３８を含む積層半導体層４６のうちの最表面の層である、Ｉｎを含まないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓからなるコンタクト層４４の表面に、ＩｎＡｓの複数の量子ドットからなる接合層２２を形成する工程と、コンタクト層４４の表面を、接合層２２を介して、基板１０に含まれるＳｉ薄膜層１６のＳｉ面に接合させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】半導体光増幅器モジュールの組み立てコストを低減する。
【解決手段】基板１上に光増幅器をなす光導波路２を設けて半導体光増幅器チップ１０を構成する。光導波路２はＵ字型を横に倒した構造をしている。光入射口３及び光出射口４はドライエッチングによって形成された傾斜端面をなしている。光導波路２中にはドライエッチングによって形成された全反射鏡５及び６が設けられる。入力光７は光入射口３より入射し、光導波路２で増幅される。光波導波路２中で導波光８は増幅されつつ、全反射鏡５及び６によって反射されて、光出射口４より出射されて、出力光９となる。 （もっと読む）

【課題】植物工場用の光源や蛍光体励起用の光源として使用可能であり、かつ高圧ナトリウムランプや発光ダイオードよりも設備コストや消費電力を低減できる半導体レーザ素子及び半導体レーザアレイを提供する。
【解決手段】互いに対向配置された一対の共振器面を有する半導体レーザ素子３０において、第１導電型の半導体基板１と、半導体基板１の下方に形成され、一対の共振器面から外部に向けて出射されるレーザ光Ｌａを発生すると共に半導体基板１に向けて自然放出光Ｌｂを発生する活性層５と、活性層５の下方に形成された第２導電型のリッジ１４と、リッジ１４に接続された第１の電極１９（２０）と、半導体基板１に接続された第２の電極２６と、を備え、自然放出光Ｌｂは、半導体基板１におけるリッジ１４が形成されている領域に対応する領域から外部に向けて出射される。 （もっと読む）

【課題】
モニタ光取り出し機能付きＬＤを搭載したコンパクトな光モジュールを実現する。
【解決手段】
モニタ用PDとLDを備えた光モジュールであって、LDとして、水平方向に共振したレーザ光をテーパ面で面発光させる水平共振器面発光レーザであって、出射面にレーザを集積するレンズを備えたものを用い、テーパ面からの反射光の光軸がレンズ中心から若干ずれた位置にレンズを形成することで、レンズ端部面からの反射光をレーザ下方に取り出すことができるようになるので、PDをLDのレンズ下方直ぐ傍、場合によっては、LDの一部と重ねて配置することも可能になる。 （もっと読む）

【課題】結合効率が高く位置合わせのトレランスが大きい結合を、簡単な構成で実現できる半導体レーザモジュールを提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザモジュール３００は、半導体レーザ素子１００と少なくとも１つの屈折率分布型ロッドレンズ２００とを備える。半導体レーザ素子１００は、半導体基板１０と、半導体基板１０上に積層された半導体多層膜を備える。半導体多層膜は、基板側から順に積層された下側クラッド層、活性層、および上側クラッド層を含む。半導体基板１０および半導体多層膜は、平坦面１０１と、平坦面１０１から突出するように形成され且つ第１および第２の端面を含む積層構造１０２とを構成している。屈折率分布型ロッドレンズ２００は、レーザ光がロイドのミラー干渉を生じる位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】導波路の斜め端面による端面反射率の低減効果を得ながらも、半導体光素子の導波路に入射するビームの方向或いは導波路から出射するビームの方向を、劈開端面とは独立に設計可能にした半導体光素子および光モジュールを提供する。
【解決手段】半導体レーザ１０はハイメサ型の導波路１２を有する。導波路１２は、劈開端面１６とは異なる斜め端面１７を出射端面として有する。斜め端面１７による端面反射率を低減できると共に、斜め端面１７から出射する出射ビーム２１の方向を、劈開端面１６とは独立に設計できる。出射ビーム２１が劈開端面１６に対して垂直に出射されるようにしている。このため、半導体光素子の出射ビームを光ファイバや他の導波路などに結合しようとする場合、半導体レーザ１０を斜めに傾けてサブマウントに配置するなどの工夫をする必要が無い。 （もっと読む）

【課題】高効率で、素子サイズが小さく高密度集積が可能で安価に大量生産でき、形成の制御性に優れ、電子デバイスとの融合性に優れた微小共振器型光源を提供する。
【解決手段】微小共振器型光源は、光伝播方向と垂直な断面が矩形である、励起光導入用の第一コア３１と、光伝播方向と垂直な断面が矩形でかつ平面視円形の光共振器を構成する第二コア３２と、光伝播方向と垂直な断面が矩形である、第二コア３２からの光導出用の第三コア３３と、第一コア３１、第二コア３２および第三コア３３を覆うクラッドとを備える。第二コア３３は、発光源となる物質が添加され、発光波長に対してウィスパーリングギャラリーモード条件を満たす。 （もっと読む）

本発明の様々な実施の形態は、微小共振装置および微小共振装置の製造方法に関する。一実施の形態においては、微小共振装置（２００）は、上面層（２０４）を有する基板（２０６）、および基板内に埋込まれ、基板の上面層に隣接して配置される少なくとも１個の導波路（２１４、２１６）を備える。微小共振装置はまた、上層（２１８）、中間層（２２２）、下層（２２０）、周辺領域、および周囲被膜（２２４）を有する微小共振器（２０２、４０２）を含む。微小共振器の下層（２２０）は基板の上面層（２０４）に接続され、上面層と電気通信を行う。微小共振器が配置されることによって、周辺領域の少なくとも一部は少なくとも１個の導波路（２１４、２１６）上方に配置される。周囲被膜（２２４）は周囲面の少なくとも一部を覆い、微小共振器の上層、中間層、および下層に比べて比較的低い屈折率を有する。
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【課題】リトロー型ＥＣＤＬにおける光軸のずれを安価かつ正確に補正することが可能なレーザー光源装置およびそれを用いた情報記録再生装置を提供する。
【解決手段】リトロー型ＥＣＤＬ１０Ａは、光ビーム７Ｐを出射する半導体レーザ１と、光ビーム７Ｐを受けて、１次回折光７Ｒを半導体レーザ１に帰還し、０次回折光８を出射する回折格子４と、ａ面とｂ面とがなす角およびｃ面とｄ面とがなす角がともに直角であり、０次回折光８をｄ面で全反射させて反射光９として出射する四角形のプリズム３Ａとを備える。リトロー型ＥＣＤＬ１０Ａは、ｃ面とｄ面とが交わる頂点を軸にプリズム３Ａを回転させることにより、光ビーム７Ｐの波長を可変する。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザ光を、それぞれの強度を調整して出力できる新規な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ装置は、活性層２４を含む半導体多層膜と、活性層２４に電流を注入するための第１および第２の電極とを備え、複数のレーザ光６１〜６４を出射する。活性層２４は、端面２４ａ〜２４ｄを有する。端面２４ａ〜２４ｄは、それぞれ、仮想の菱形の経路３２の４つの頂点の位置に存在する。複数のレーザ光６１〜６４は、経路３２に沿って時計回りおよび反時計回りに伝搬するレーザ光（Ｌ１・Ｌ２）の一部が出射されたレーザ光である。第１および第２の電極は、活性層２４のうち経路３２に対応する部分であって経路３２の対角線で分割される複数の部分に、異なる量の電流を注入できるように形成されている。そして、それら複数の部分に注入される電流量を変化させることによって、複数のレーザ光６１〜６４の強度が制御される。 （もっと読む）

【課題】複数のレーザ光を、それぞれの強度および方向を調整して出力できる新規な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体レーザ装置は、基板１１と、基板１１上に形成され活性層を含む半導体多層膜２０と、半導体多層膜２０の上面と接触する第１の電極１３と、基板１１の裏面側に接触する第２の電極１４とを含む。活性層は、互いに対向する第１および第２の端面と、互いに対向する第３および第４の端面とを有する。第１の電極１３の表面のうち特定の電圧印加部と第２の電極１４との間に電圧を印加して活性層に電流を注入することによって、第１および第２の端面から複数のレーザ光が出射される。そして、電圧印加部の位置および注入電流の大きさから選ばれる少なくとも１つを変更することによって、複数のレーザ光の光強度および方向が制御される。 （もっと読む）

この発明は、小さい拡がり角を有するレーザ光を出射させ、さらには該レーザ光のスペクトル幅を狭くすることが可能な構造を有する半導体レーザ装置に関する。当該半導体レーザ装置は、半導体レーザアレイと、コリメータレンズと、少なくとも一部に反射機能を有する光学素子とを備える。半導体レーザアレイは、所定平面上の第１方向に沿ってそれぞれ伸びかつ該第１方向と直交する第２方向に沿って該所定平面上に並列に配置された複数の活性層を有する。コリメータレンズは、活性層からそれぞれ出射された複数の光束を、所定平面に直交する第３方向に関してコリメートする。そして、光学素子は、コリメータレンズから出射された第２方向に所定の拡がり角を持つ各光束の光軸からずれた共振光路を有する軸ずれ外部共振器を前記活性層とともに構成するよう、コリメータレンズに対面する面上に、該コリメータレンズから到達した各光束の一部を反射させる反射部と、該到達した各光束の残りを透過させる透過部とを有する。
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【課題】 電気−光変換効率が極めて高いレーザ発振状態を利用できて単純かつ安価な構成を有しながらレーザ光が外部に漏れない安全な発光素子を提供する。
【解決手段】 発光素子（１００）は活性層（１０５）を挟むクラッド層（１０３、１０９）を含む光共振器構造を備え、電流注入によって光共振器構造においてレーザ発振状態となった誘導放出光を吸収して可視光を発する蛍光体含有層（１１１）が光共振器構造に平行して設けられている。 （もっと読む）

レーサの単一方向性は、レーザ共振器内に１つ以上のエッチングされたギャップ(78,80)を形成することにより強められる。そのギャップは、リングレーザのいずれの脚部のように、レーザのいずれのセグメントに、またはV字型レーザ(60)の一つの脚部(62)に備えられてもよい。レーザに結合された光機能デバイスの遠位の端面でのブルースター角の面は、レーザ共振器へのバック反射を低減する。配置されたブラッグ反射器は、レーザの横モード抑圧比を強めるために、レーザの出力部に用いられる。
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【課題】電磁波発生・検出素子において、共振器損失の小さい構造として発振しきい値を低減し、比較的低消費電力のものを実現することである。
【解決手段】電磁波発生・検出素子は、一定空間内において特定周波数の電磁波をこの空間内に閉じ込めるために屈折率が複数の箇所で変調された屈折率分布構造体１を備え、構造体１内の電磁波が閉じ込められる領域近傍に、半導体ヘテロ構造による量子井戸構造の量子井戸に生成されたサブバンド間の遷移により電磁波に対する利得を与える媒体４を備える。屈折率分布構造体１としては、細部の構造と全体の構造が相似形になっているフォトニックフラクタル構造、屈折率が周期的に変調を起こした人工結晶であるフォトニック結晶構造などがある。 （もっと読む）