【課題】光導波路を高速光伝送に適した長さにすることが可能で、かつモノリシックに集積することができる半導体光素子及びそれを用いた光送受信装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板１上に形成した少なくとも２種類の屈折率の異なる半導体層からなる反射器７と、反射器７の上に形成した下部クラッド層３と上部クラッド層４に挟持された光導波路２と、光導波路２の少なくとも一方の端面に基板１面に対して４５°の角度をもって配置された反射鏡５と、反射鏡５に対向した位置の基板１の裏面に形成した反射防止膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】偏光度を高めることが可能な構造を有する窒化ガリウム系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光ダイオード１１ａは、半導体領域１３と、ＩｎＧａＮ層１５と、活性層１７とを備える。半導体領域１３は半極性を示す主面１３ａを有し、ＧａＮまたはＡｌＧａＮからなる。半導体領域１３の主面１３ａは、該主面１３ａにおける［０００１］軸方向の基準軸Ｃｘに直交する平面Ｓｃに対して角度αで傾斜する。半導体領域１３の厚さＤ_１３はＩｎＧａＮ層１７の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}より大きく、ＩｎＧａＮ層１５の厚さＤ_{ＩｎＧａＮ}は１５０ｎｍ以上を有する。ＩｎＧａＮ層１５は半導体領域１３の主面１３ａの直上に設けられて、主面１３ａに接している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ層１５の主面１５ａ上に設けられ、この主面１５ａに接触している。活性層１７は、ＩｎＧａＮ井戸層２１を含む。 （もっと読む）

【課題】井戸層に効率よくキャリアを供給することができる窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体１０４と、ｐ型窒化物半導体１０６と、ｎ型窒化物半導体１０４とｐ型窒化物半導体１０６との間に配置される活性層と、を備える。活性層は、２層の障壁層８０１、８０２、８０４、８０５を積層した積層体と、井戸層８０３とが交互に積層することにより構成される。積層体は、窒化ガリウムからなる第１の障壁層８０１、８０５と、窒化ガリウムからなる第２の障壁層８０２、８０４とからなる。 （もっと読む）

【課題】高い歩留まり、低コスト、高い信頼性および良好な波面品質のＩｎＧａＡｌＮレーザの提供。
【解決手段】基板１２上で、エピタキシャル成長され、下部クラッド層２０、活性層２２、上部クラッド層２４および接触層２６を有する。リソグラフィによって画定されたマスクを介したドライエッチングは、長さＩ_ｃおよび幅ｂ_ｍのレーザメサ３０を作製する。リソグラフィおよびエッチングの別の手順は、メサの上部に幅ｗのリッジ構造３２を形成する。エッチングステップはまた、レーザ導波路構造の端部にミラーまたはファセットを形成する。チップの長さＩ_ｓおよび幅ｂ_ｓは、導波路の長さＩ_ｃおよびメサの幅ｂ_ｍ以上の好都合な値とされ得る。 （もっと読む）

【課題】ＣＯＤ破壊を抑制した信頼性の高い半導体レーザ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザ１００は、半導体基板１０１と、半導体基板上に形成され、窒化物半導体層を含む共振器１０２と、を備える。共振器の端面の下端１０２ａは、半導体基板と接しないように切欠領域１０１ａを有する。この切欠領域によって、共振器の端面近傍の領域に掛かる歪を、端面近傍の領域間の領域に掛かる歪より小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】発光端面上の誘電体膜の膜厚がバラつくことを抑制できる半導体レーザの構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの製造方法は、半導体基板上に活性層を含む半導体層が積層している、半導体ウェハ１００を形成する工程と、半導体ウェハ１００に、活性層より深い凹部１０６を複数形成する工程と、少なくとも凹部１０６内の第１の端面と第１の端面に対向する第２の端面とを覆うように、第１の誘電体膜（ＡＲコート膜１０８）を形成する工程と、第１の端面上のＡＲコート膜１０８を覆うように、分離膜（Ａｕ膜）を形成する工程と、Ａｕ膜上および第２の端面上のＡＲコート膜１０８上に、第２の誘電体膜（ＨＲコート膜）を形成する工程と、Ａｕ膜上のＨＲコート膜を除去するとともに、Ａｕ膜を除去する工程と、を含み、Ａｕ膜は、ＡＲコート膜１０８およびＨＲコート膜に対してエッチング選択比が１０以上である。 （もっと読む）

【課題】 半導体レーザ素子の製造効率をさらに向上させるとともに、ＦＦＰがリップルの少ない良好なガウシアン形状となる半導体レーザ素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板２と、基板上に形成された半導体層４と、半導体層４に形成された導波路領域と、導波路領域の光出射側端部に形成された端面と、を有する半導体レーザ素子であって、端面は少なくとも一方に突出した共振器端面６を含む突出部８と、共振器端面６よりも後方に第２の端面７を有しており、突出部８の側面１０に半導体層からなる段差部１２を有しており、第２の端面７の前方に、端面から離間した壁部５を有する。 （もっと読む）

ファセットミラーを伴うキャビティを採用する半極性｛２０−２１｝ＩＩＩ族窒化物系レーザダイオード。エッチングされたファセットミラーは、レーザダイオードのキャビティまたはストライプの配向および寸法を任意に制御する能力を提供し、それによって、レーザダイオードの電気および光学特性の制御を可能にする。一実施形態において、レーザダイオードは、半極性｛２０−２１｝ＩＩＩ族窒化物系レーザダイオードである。一実施形態において、半極性｛２０−２１｝ＩＩＩ族窒化物系レーザダイオード構造は、緑色光である波長においてピーク強度を有する光を放出する。
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【課題】 結晶性が良好な素子窒化物光半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 この窒化物光半導体素子は、Ａ面サファイア基板１と、基板１上に設けられた厚さが１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層２と、ＡｌＮ層２上に形成されたｎ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層４と、ｎ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層４上に形成されたｐ型のＩＩＩ族窒化物系半導体層９とを備えている。Ａ面サファイア基板１上に、１μｍを超えるＣ面ＡｌＮ層を成長することによって、これにクラックが発生せず、平坦性と結晶性に優れたＣ面ＡｌＮ層が得られる。 （もっと読む）

【課題】電極による光吸収を抑制した信頼性の高い半導体素子を提供すること及び簡便な半導体素子の製造工程を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に積層された半導体層と、前記半導体層の表面に形成されたストライプ状のリッジと、前記リッジ上に形成された電極と、を備えてなる半導体素子であって、電極は、リッジの上面に対して平坦部と、該平坦部の両側に傾斜部とを有しており、リッジの側面から前記電極の傾斜部に至る領域に保護膜を被覆している。 （もっと読む）

【課題】良好な断面形状を有する光を得ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】第１領域１０と、該第１領域と隣接する第２領域２０と、を含む発光装置１００であって、第１領域１０および第２領域２０に形成された基板１０２と、第１領域１０の基板の上方に形成された第１クラッド層１０４、活性層１０６、第２クラッド層１０８と、第２領域２０の基板の上方に形成されたガイド層１２０とコア層１２２とを含み、前記活性層は第１側面１０５と第２側面１０７とを有し、活性層の少なくとも一部は利得領域１６０を構成し、少なくとも第２側面１０７には利得領域の端面１７２が設けられ、コア層１２２は、利得領域の第２側面１０７側の端面１７２と隣接する第３側面１２１と、第３側面１２１と反対側の第４側面１２３とを有し、利得領域に生じる光は、第２側面１０７側の端面１７２から、コア層１２２内を進行し、第４側面１２３まで至り、出射される。 （もっと読む）

【課題】活性層におけるＩｎ偏析による発光特性の低下が抑制されたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体光素子１１ａでは、基板１３の主面１３ａは、この第１のＧａＮ系半導体のｃ軸に沿って延びる基準軸Ｃｘに直交する面から該第１のＧａＮ系半導体のｍ軸の方向に６３度以上８０度未満の範囲の傾斜角で傾斜している。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５は、主面１３ａ上に設けられている。ＧａＮ系半導体エピタキシャル領域１５上には、活性層１７が設けられている。活性層１７は、少なくとも一つの半導体エピタキシャル層１９を含む。半導体エピタキシャル層１９は、ＩｎＧａＮからなる。半導体エピタキシャル層１９の膜厚方向は、基準軸Ｃｘに対して傾斜している。この基準軸Ｃｘは、第１のＧａＮ系半導体の［０００１］軸の方向に向いている。 （もっと読む）

【課題】簡便な製造工程を実現しながら、プロセスの安定化を図り、信頼性を向上させた半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０上に、活性層１２を含み、表面にストライプ状のリッジ１４が形成された半導体層２０と、リッジ１４上に形成された電極１５とを備えてなる半導体素子であって、電極１５は、半導体層２０とリッジ１４上面のみで接触し、かつリッジ１４上面よりも幅広であり、リッジ１４側面から電極１５上面に至り、リッジ１４上面に開口部を有する保護膜１６が形成されてなる半導体素子。 （もっと読む）

【課題】
光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供する。
【解決手段】
光モジュールにおいて、半導体基板１１の主表面に対して光を垂直方向に出射する発光素子が光出射領域に集積されたレンズ１９と光出射領域を囲むように集積された保持部２２とを有することにより、発光素子と発光素子からの光を導波する光ファイバ３１との水平垂直方向の位置合わせの簡易性が向上し、光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】発光効率を高めることができる半導体発光素子、光ピックアップ装置、光源装置および半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、ウルツ鉱型結晶構造の無極性面と当該無極性面に沿った方向とは直交する有極性面とを有する下地層１と、下地層１の当該無極性面である成長面１Ａ上に形成されており、当該無極性面１Ａにおける下地層１の格子定数とは異なる格子定数を有するIII族窒化物半導体からなる複数の量子細線活性層２とを含み、量子細線活性層２は、前記有極性面の法線方向（ｃ軸方向）に伸長するように形成されている。 （もっと読む）

【課題】より真円に近い断面形状を有する光を得ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光装置１０００は、第１領域１１２と、第２領域１１４と、を有する第１表面１１０を備える第１基板１００と、第１領域１１２に順次積層された第１クラッド層２０４、活性層２０６、第２クラッド層２０８を有する半導体層２００と、第１表面１１０と対向し、かつ、第３領域３１２と、第４領域３１４と、を有する第２表面３１０を備える第２基板３００と、を含み、第１領域１１２と第３領域３１２との間には、半導体層３００が配置され、活性層２０６は、第１側面２０５と、第１側面２０５と対向する第２側面２０７と、を有し、第１側面２０５および第２側面２０７の少なくとも一方には、出射端面２２２，２２４が設けられ、出射端面２２２，２２４から出射される光は、互いに対向する第２領域１１４と第４領域３１２との間の導波領域２０内を伝搬する。 （もっと読む）

【課題】 ＦＦＰがリップルの少ない良好なガウシアン形状となる半導体発光素子を提供すること。また、共振器端面と保護膜との密着性を向上させ、製造効率の増大を図り、製造コストの低減を行うことができる半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】 基板と、該基板上に積層された半導体層と、該半導体層の共振器側の端面に形成された突出部とを有する半導体発光素子において、前記突出部は、光出射面と側面とを有しており、前記突出部の平面視形状は、連続した波状形状又は凹凸形状をしており、前記突出部の側面は、光出射面よりも表面粗さが大きい領域を有していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェハからチップ化までの分割工程数を低減し、安定した品質の窒化物半導体レーザ素子を効率的に製造して、歩留まりを改善することができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１０上に積層され、共振器を備える窒化物半導体層からなるウエハを分割して窒化物半導体レーザ素子を得る窒化物半導体レーザ素子の製造方法であって、前記ウエハに、エッチングによって共振器面１３ａ、１３ｂを形成し、共振器面１３ａ、１３ｂと平行な方向に破線状の第１補助溝２１及び共振器面１３ａ、１３ｂと略垂直な方向に第２補助溝２２を第１補助溝２１よりも深く形成し、第１補助溝２１及び第２補助溝２２に沿って分割してチップ状の窒化物半導体レーザ素子を得る工程を備える窒化物半導体レーザ素子の製造方法。 （もっと読む）

ファセットが、ファセットによって囲まれているキャビティ内の光学モードを支持するために十分に平滑であるように、光電気化学（ＰＥＣ）エッチを使用してファセットをエッチングすることによって半導体レーザ素子を加工する方法。ＰＥＣエッチングは、平滑な側壁を伴い、いかなるイオン損傷ももたらすことなく、ＧａＮ内に深い異方性トレンチをエッチングするために使用することが可能な方法であって、エッチングされたファセットの角度は、エッチングに作用するために使用される光の方向によって制御することが可能である。
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