【課題】比較的低コストで製造でき、低い静電正接を有し、加工性に優れた酸化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウムの純度が９９．０重量％以上の酸化アルミニウム焼結体であって、酸化チタンおよび二酸化ケイ素が合計で０．２重量％以上０．８重量％以下含有され、酸化アルミニウム粒子の長尺方向の平均粒径が２０μｍ以上である。このように、酸化チタンが含有されることで、酸化アルミニウム粒子が粗大化し、酸化アルミニウム粒子同士の粒界が少なくなるため、誘電正接を低下させることができる。一方で、二酸化ケイ素が含有されるため、安定的に誘電正接を低下させることができる。また、粒子が粗大化することによって加工性を向上させることができる。また、極端に高い酸化アルミニウムの純度は不要であり、低コスト化できる。 （もっと読む）

【課題】 所望の比誘電率εｒが安定して得られ、かつ高いＱｆ値と、良好な共振周波数の温度係数を示す誘電体セラミックスを得ること。
【解決手段】 主結晶相がＢａ，Ｎｄ，ＳｍおよびＴｉを含有するとともに、Ｔｉの一部がＡｌで置換されてなり、前記主結晶相に含有されるＡｌの含有量がモル％換算でＡｌの全含有量の10％以上であれば、高い比誘電率εｒと、高い品質係数Ｑｆ値と、０ｐｐｍ／℃に近い共振周波数の温度係数τｆとを有する誘電体セラミックスを得ることができる。また、上記誘電体セラミックスを備える誘電体フィルタは、良好な性能を有する誘電体フィルタとすることができる。 （もっと読む）

【課題】低温焼成が可能で、高周波領域での誘電損失が低く、メッキ耐食性に優れた焼結体を得ることが可能なセラミックス組成物及び電子部品を提供する。
【解決手段】Ｂａ_４（Ｒｅ_{（１−ｘ）}，Ｂｉ_ｘ）_９．３３Ｔｉ_１８Ｏ_５４で現わされる主相成分と、主相成分１００質量部に対し酸化物換算で、Ｂ成分を０．３〜１．４質量部、Ｌｉ成分を０．１〜０．３質量部、Ｚｎ成分を１．５〜７質量部及びＡｇ成分を１．５〜２質量部含有する第１副成分と、主相成分１００質量部に対し酸化物換算で、Ｓｉ成分を０〜１．２５質量部、Ａｌ成分を０〜１．２５質量部、Ｂｉ成分を０〜５質量部含有する第２副成分とを含むセラミックス組成物。該セラミックス組成物を焼成して得られるセラミックス層と、該セラミックス層の表面及び／又は内部にあって、セラミックス組成物と同時焼成して得られる導体層とを有する電子部品。 （もっと読む）

【課題】１００ｎｍ以下の粒径のチタン酸バリウム系化合物を主原料として使用して誘電体層を形成しても、積層セラミックコンデンサの容量を増加させることができる方法を提供する。
【解決手段】チタン酸アルカリ土類金属化合物を主原料とする誘電体セラミックスの誘電率を向上する方法であって、前記チタン酸アルカリ土類金属化合物を主成分とする誘電体セラミックスの原料組成物に、誘電率向上剤としてバリウム化合物を含有させるようにした。 （もっと読む）

【課題】 絶縁耐力が高く、優れた放熱特性および機械的特性を有する窒化珪素質焼結体およびこれを用いた回路基板ならびに電子装置を提供する。
【解決手段】 窒化珪素を主成分とし、マグネシウム，希土類金属，アルミニウムおよび硼素を酸化物換算でそれぞれ２質量％以上６質量％以下，12質量％以上16質量％以下，0.1質量％以上0.5質量％以下，0.06質量％以上0.32質量％以下含んでなり、β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主結晶相と、組成式がＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７（ＲＥは希土類金属）として示される成分を含む粒界相とにより構成され、Ｘ線回折法によって求められる、回折角27°〜28°におけるβ−Ｓｉ_３Ｎ_４の第１のピーク強度Ｉ_０に対する、回折角30°〜35°におけるＲＥ_４Ｓｉ_２Ｎ_２Ｏ_７の第１のピーク強度Ｉ_１の比率（Ｉ_１／Ｉ_０）が20％以下（但し、０％を除く）の窒化珪素質焼結体である。 （もっと読む）

【課題】誘電体層を薄層化した場合であっても、良好な信頼性を得ることができるようにし、中高圧用途に適した積層セラミックコンデンサを実現する。
【解決手段】一般式｛１００（ＢａＴｉＯ_３＋ａＢａＺｒＯ_３）＋ｂＲＯ_3/2＋ｃＭｇＯ＋ｄＭｎＯ_ｘ＋ｅＳｉＯ_２｝（Ｒは特定の希土類元素、０≦ａ≦０．２、８．０≦ｂ≦１２．０、１.０≦ｃ≦１０．０、０．１≦ｄ≦３．０、１.０≦ｅ≦１０．０）で表わされる組成物を含有し、粒径が０．７μｍ以上の第１の粒子と０．６μｍ以下の第２の粒子を含み、第１の粒子の平均粒径Ａave、第２の粒子の平均粒径Ｂaveが、０．８μｍ≦Ａave≦２．０μｍ、０．１μｍ≦Ｂave≦０．５μｍ、Ａave／Ｂave≧３．０を満足し、第１の粒子が占有する面積比率ＳＡ、第２の粒子が占有する面積比率ＳＢが、０．３≦ＳＡ≦０．９、０．１≦ＳＢ≦０．７、０．８≦ＳＡ＋ＳＢ≦１．０を満足する。 （もっと読む）

【課題】 Ｑ値が高く、低温域から高温域にわたる広範囲な温度域において、共振周波数の変化の少ない誘電体セラミックスおよびこれを用いた共振器を提供する。
【解決手段】 組成式をαＬｎ_２Ｏ_ｘ・βＭｇＯ・γＢａＯ・δＴｉＯ_２（ただし、３≦ｘ≦４、Ｌｎ＝Ｌａ，Ｎｄ，Ｓｍのいずれか１種以上）と表したとき、モル比α，β，γ，δが、0.235≦α≦0.303，0.118≦β≦0.152，0.198≦γ≦0.265，0.349≦δ≦0.382、かつα＋β＋γ＋δ＝１を満足してなる誘電体セラミックスである。この誘電体セラミックスは、Ｑ値が10000以上であり、共振周波数の温度係数の値が−20〜30ｐｐｍ／℃の
範囲内であり、低温域から高温域にわたる広範囲な温度域において、共振周波数の変化の少ないものである。 （もっと読む）

【課題】内部の気泡が少ないため薄型化しても配線の断線を引き起こしにくく、かつ高性能な高周波回路に十分対応可能な低誘電損失特性を有するガラスセラミック誘電体に好適な結晶性ガラス粉末を提供する。
【解決手段】熱処理によって、主結晶としてディオプサイド結晶を析出するとともに、長石結晶を析出することを特徴とする結晶性ガラス粉末、およびそれを焼成してなるガラスセラミック誘電体。 （もっと読む）

【課題】１１００℃以下の低温焼成でも、緻密で欠陥のない焼結体及びセラミックコンデンサ並びにこれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】焼結体は、主成分としてチタン酸バリウムを含み、この主成分に添加された副成分として、Ｋ、Ｂ、Ｓｉ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含む、または副成分として、Ａｌ、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇの各元素および希土類元素を含む。 （もっと読む）

【課題】非接触式電力伝達系を提供する。
【解決手段】この電力伝達系は誘電材料を含む場集束素子を含む。誘電材料は（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３又はＣａＣｕ_３Ｔｉ_４Ｏ_１２の群から選択される組成物を含む。（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ_３の組成物には、Ｃａ_{１−ｘ−ｙ}Ｂａ_ｘＳｒ_ｙＴｉ_１−ｚＣｒ_ｚＯ_３−δＮ_ｐのような材料が包含され、ここで０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０≦ｚ≦０．０１、０≦δ≦１、０≦ｐ≦１である。ＣａＣｕ_３Ｔｉ_４Ｏ_１２の組成物には、Ｃａ_{１−ｘ−ｙ}Ｂａ_ｘＳｒ_ｙ（Ｃａ_１−ｚＣｕ_ｚ）Ｃｕ_２Ｔｉ_４−δＡｌ_δＯ_{１２−０．５δ}のような材料が包含され、ここで０≦ｘ＜０．５、０≦ｙ＜０．５、０≦ｚ≦１、０≦ｄ≦０．１である。 （もっと読む）

【課題】高強度で熱伝導率やヤング率も高く、且つ緻密であると同時に、１０００℃以下の低温での焼成によって製造することができ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ等の低抵抗導体から成る配線層を表面或いは内部に備えた絶縁基板として有用な低温焼成セラミック焼結体を得る。
【解決手段】結晶相として、（ａ）ガーナイト結晶相および／またはスピネル結晶相、（ｂ）アスペクト比が３以上の針状晶を含むセルシアン結晶相、及び（ｃ）ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＣ、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、３Ａｌ_２Ｏ_３・２ＳｉＯ_２及びＭｇ_２ＳｉＯ_４の群から選ばれる少なくとも１種の結晶相、を含有しており、且つ開気孔率が０．３％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電界印加時の高温試験や高温高湿試験が良好である積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体セラミックは、（Ｂａ_1-yＡ_y）（Ｔｉ_1-xＢ_x）Ｏ₃を主成分とし、前記ＡはＮａ，Ｋから選択される少なくとも１種の元素であり、前記ＢはＮｂ，Ｔａから選択される少なくとも１種の元素であり、前記ｘおよびｙは、ｘｙ平面で、点Ｃ（ｘ＝０．０００７，ｙ＝０．０００００１），点Ｄ（ｘ＝０．００５，ｙ＝０．０００００１），点Ｅ（ｘ＝０．００５，ｙ＝０．００２），点Ｆ（ｘ＝０．０００７，ｙ＝０．０００２）を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または線上にあることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、信頼性、特に負荷試験における寿命特性に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１に備える誘電体セラミック層２を構成する誘電体セラミックとして、主成分が（Ｂａ，Ｒ）（Ｔｉ，Ｖ）Ｏ_３系または（Ｂａ，Ｃａ，Ｒ）（Ｔｉ，Ｖ）Ｏ_３系（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれる少なくとも１種）であって、ＶおよびＲの双方が主成分粒子内に均一に存在しているものを用いる。 （もっと読む）

【課題】ゼロ膨張係数で、高強度、低誘電率の、低温で焼結したβ−ユ−クリプタイトセラミックスを提供する。
【解決手段】β−ユ−クリプタイトセラミックスの組成の原料粉末を十分混合し、低温で仮焼して、焼結助剤を加えると共に、微粉砕することによって、ゼロ膨張係数で、高強度、低誘電率のβ−ユ−クリプタイトセラミックス焼結体。 （もっと読む）

【課題】一般的なアルミナ粉末で作製された成形体を低温で焼結する。
【解決手段】本発明のアルミナ焼結体の製法は、（ａ）少なくともＡｌ₂Ｏ₃とＭｇＦ₂との混合粉末又はＡｌ₂Ｏ₃とＭｇＦ₂とＭｇＯとの混合粉末を所定形状の成形体に成形する工程と、（ｂ）該成形体を真空雰囲気下又は非酸化性雰囲気下でホットプレス焼成してアルミナ焼結体とする工程であって、Ａｌ₂Ｏ₃１００重量部に対するＭｇＦ₂の使用量をＸ（重量部）、ホットプレス焼成温度をＹ（℃）としたときに下記式（１）〜（４）を満たすようにホットプレス焼成温度を設定する工程と、を含む。
１１２０≦Ｙ≦１３００ …（１），０．１５≦Ｘ≦１．８９ …（２）
Ｙ≦−７８．７Ｘ＋１３４９ …（３），Ｙ≧−２００Ｘ＋１２１２ …（４） （もっと読む）

【課題】 低歪性を有するとともに、高温に保持したときの絶縁抵抗の変化率が小さく、高温負荷寿命に優れた積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】 誘電体層５が、イットリウム、マンガン、マグネシウム、イッテルビウムと、ディスプロシウム、ホルミウムおよびエルビウムから選ばれる少なくとも１種の希土類元素（ＲＥ）とを含有するとともに、チタン酸バリウムを主成分とする結晶相を主たる結晶相とし、該結晶相が立方晶系を主体とする結晶構造を有する結晶粒子により構成されているとともに、前記希土類元素が固溶した（Ｙｂ・ＲＥ）_２ＴｉＯ_５相を含有する誘電体磁器からなる。 （もっと読む）

【課題】 従来のセラミックス回路基板は、耐熱サイクル特性および曲げ強度特性が良好であるものの、絶縁性能に対する信頼性の要求がさらに高くなっている現在、必ずしも十分とは言えなくなってきている。
【解決手段】 窒化珪素を主成分とし、希土類金属酸化物を含む粒界相を有してなり、任意の断面における面積が１００μｍ^２の範囲で前記粒界相の数が４２個以下であることを特徴とするセラミック焼結体とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＧＨｚ帯領域で使用可能な磁性焼結体、および磁性体と誘電体との複合焼結体、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 六方晶Ｂａフェライト粉末と、Ｌｉ_２Ｏ換算で５．０モル％以上のＬｉ、およびＳｉＯ_２換算で１７．０〜２４．１モル％のＳｉを含み、軟化点が４００〜４７０℃のガラス粉末とを、前記六方晶Ｂａフェライト粉末および前記ガラス粉末の合量に対して前記ガラス粉末が１５〜３０体積％となるように混合し、成形し得られるＬｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｆｅ−Ｏスピネル型結晶を主結晶とする磁性焼結体を用いる。 （もっと読む）

【課題】 高温超伝導フィルタに適した高Qf値を有する電子デバイス用誘電体を提供する。
【解決手段】 組成式を(1-X)LaAlO₃-XSrTiO₃と表し、0<X≦0.2を満足し、誘電率が24以上、Qf値が300,000GHz以上の誘電体特性を有する複合酸化物の単結晶材料の（110）面を電界面としたことを特徴とする電子デバイス用誘電体。この電子デバイス用誘電体は、準ミリ波以上の高周波帯域で誘電体材料としてQf値が大幅に向上するとともに高温超伝導フィルタに適用できる。 （もっと読む）

【課題】高熱膨張率及び低熱伝導率を有する絶縁基板用絶縁材料、その製造方法及びその応用製品を提供する。
【解決手段】化学組成ＫＡｌＳｉ_２＋ｘＯ_６＋２ｘ（０．５≦ｘ≦１．８）を有するケイ酸アルミ焼結体からなる、熱電発電素子を構成する絶縁基板用絶縁材料であって、相対密度が９５％以上の緻密なケイ酸アルミニウムセラミックからなり、熱疲労による発電能力の低下が抑制された特性を有することを特徴とする熱電発電素子を構成する絶縁基板用絶縁材料、その製造方法、絶縁基板及びその応用製品。
【効果】高熱膨張率及び低熱伝導率を有する絶縁基板を提供すると共に、該絶縁基板を用いた熱疲労に優れ出力特性の高い熱電素子を提供することができる。 （もっと読む）