【課題】大きな抵抗を使わずに消費電力の少ない基準電圧を発生する。
【解決手段】ＰチャネルトランジスタＭ３のドレイン電流をＩ1とし、ＰチャネルトランジスタＭ４のドレイン電流をＩ２とすると、接合Ｄ１に生ずる電圧ＶＤ１と接合Ｄ２に生ずる電圧ＶＤ２の関係はＶＤ１−ＶＤ２＝（ｋ×Ｔ÷ｑ）×ｌｎ（１０×Ｉ１÷Ｉ２）となり、絶対温度Ｔに比例する電圧が得られる。Ｎチャネルトランジスタ差動対Ｍ６及びＭ７と、Ｐチャネルトランジスタの能動負荷Ｍ１及びＭ２なる差動アンプで、負帰還をかけることにより、ＰチャネルトランジスタＭ１０のゲート・バックゲート間電圧がＶＤ１−ＶＤ２と等しくなる。ＰチャネルトランジスタＭ４とＭ５の電流を等しく設定すると、ＰチャネルトランジスタＭ１１〜Ｍ２０のそれぞれのゲート・バックゲート間の電圧はＰチャネルトランジスタＭ１０と等しくなり、Ｖｏｕｔは温度係数がほぼゼロの基準電圧となる。 （もっと読む）

【課題】オフセット電圧に影響されずに一定電圧を発生する定電圧発生回路を小さな占有面積で実現する。
【解決手段】第１電位と第２電位とを出力する基準電位発生部Q1,Q2,R1-R3と、第１および第２電位を２個の入力とし、第１動作期間に出力が出力線に接続される第１アンプ部と、第１および第２電位を２個の入力とし、第２動作期間に出力が出力線に接続される第２アンプ部と、ローパスフィルタ11と、を備え、第１と第２動作期間を交互に行い、第１アンプ部は、第２動作期間においてオフセット電圧を記憶し、第１動作期間において記憶したオフセット電圧分を相殺して第１電位と第２電位を等しくする出力を行い、第２アンプ部は、第１動作期間においてオフセット電圧を記憶し、第２動作期間において記憶したオフセット電圧分を相殺して第１電位と第２電位を等しくする出力を行う。 （もっと読む）

【課題】環境変動による出力電流の変動を抑えることが可能な定電流回路を提供することを目的とする。
【解決手段】基準電流Ｉｒｅｆを出力する電流源２と、互いに直列接続される抵抗１３〜１６と、抵抗１３〜１６に基準電流Ｉｒｅｆと同じ電流を流すｎＭＯＳＦＥＴ４３、２及びｐＭＯＳＦＥＴ７、８と、出力電流Ｉｏｕｔとして基準電流Ｉｒｅｆと同じ電流を流すｎＭＯＳＦＥＴ４３、４４及びｐＭＯＳＦＥＴ４２、４５と、それぞれ、オン、オフすることにより、ｐＭＯＳＦＥＴ４２、４５のドレイン電流の大きさを調整するｎＭＯＳＦＥＴ３〜６と、抵抗１３〜１６にそれぞれかかる電位Ｖ１〜Ｖ４と、基準電圧Ｖｒｅｆとの比較結果に基づいて、ｎＭＯＳＦＥＴ３〜６のそれぞれのオン、オフを制御するコンパレータ９〜１２とを備えて定電圧回路１を構成する。 （もっと読む）

【課題】 安定した定電流を流すことができる定電流回路を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造ばらつきにより、ＮＭＯＳトランジスタＮ１及びＮＭＯＳトランジスタＬＮ２のＫ値がばらついても、抵抗Ｒ１に発生する電圧は常にＮＭＯＳトランジスタＮ１とＮＭＯＳトランジスタＬＮ２とのしきい値電圧差になり、抵抗Ｒ１に発生する電圧もほとんどばらつかなくなる。温度変化により、ＮＭＯＳトランジスタＮ１及びＮＭＯＳトランジスタＬＮ２のＫ値が変化しても、抵抗Ｒ１に発生する電圧は常にＮＭＯＳトランジスタＮ１とＮＭＯＳトランジスタＬＮ２とのしきい値電圧差になり、抵抗Ｒ１に発生する電圧もほとんど変化しなくなる。 （もっと読む）

【課題】差動カレントミラー回路において、入力電流の同相成分を除去して、精度良く信号処理を行うこと。
【解決手段】第１分流手段５により、第１電流入力端子１に入力する電流が第１電流経路２１と第２電流経路２２に分流される。第２分流手段６により、第２電流入力端子２に入力する電流が第３電流経路２３と第４電流経路２４に分流される。第３カレントミラー１３により、第２電流経路２２に流れる電流と第４電流経路２４に流れる電流を合成した電流を複製し、第１電流経路２１から同相成分の電流を引くことによって、第１電流経路２１を流れる電流の差動成分のみを第１電流出力端子３側へ流す。同様に、第３カレントミラー１３により、第３電流経路２３から同相成分の電流を引き、第３電流経路２３を流れる電流の差動成分のみを第２電流出力端子４側へ流す。 （もっと読む）

【課題】バイポーラ素子の形成過程で、バイポーラ素子に格子欠陥等の不具合が生じても、安定的に基準電流を他の回路に供給することができる電流源回路を得ることを目的とする。
【解決手段】バンドギャップ電圧基準回路２，４を構成しているＰ型ＭＯＳＦＥＴ１４，２４とカレントミラーを形成しているＰ型ＭＯＳＦＥＴ５が、バンドギャップ電圧基準回路２，４を構成しているＰ型ＭＯＳＦＥＴ１４，２４から出力される基準電流Ｉ_ref1，Ｉ_ref2を他の回路に供給する。 （もっと読む）

【課題】抵抗ばらつきに対しても安定した電流を供給可能な定電流源を提供すること。
【解決手段】増幅回路１０１に定電流を供給する定電流源１０３は、トランジスタＱ４、トランジスタＱ５、トランジスタＱ４のエミッタ抵抗Ｒ３、トランジスタＱ５のエミッタ抵抗Ｒ４、トランジスタＱ４とトランジスタＱ５の各ベース間のダイオードＤ３、トランジスタＱ４のベースとダイオードＤ３の接続点に接続されたダイオードＤ２、トランジスタＱ４のコレクタにゲートが接続され、増幅回路にソースが接続されたＭＯＳ Ｍ１、トランジスタＱ５のコレクタにゲートが接続され、増幅回路にソースが接続されたＭＯＳ Ｍ２、トランジスタＱ５のコレクタにゲートとソースが接続されたＭＯＳ Ｍ３、トランジスタＱ４のコレクタにゲートが接続され、トランジスタＱ５のコレクタにソースが接続されたＭＯＳ Ｍ４、及びトランジスタＱ４のコレクタにゲートとソースが接続されたＭＯＳ Ｍ５を備える。 （もっと読む）

【課題】個体ばらつきが少ない高精度な基準電圧発生回路を得られるようにする。
【解決手段】第１の基準電圧回路２から出力される第２の電圧Ｖ_２と、第１の基準電圧回路２と同一の構成及び同一の回路定数を持つ第２の基準電圧回路３及び第３の基準電圧回路４のそれぞれから出力される第３の電圧Ｖ_３及び第４の電圧Ｖ_４の３つの電圧値の大小比較を比較回路７によって行ない、その中間の値を持つ電圧値を特定して比較結果を生成する。論理回路８は比較結果に基づき、スイッチ回路９の導通状態を制御することにより、３つの電圧値の中間値を選択基準電圧Ｖ_Ｓとして、出力電圧制御回路６を構成する差動増幅回路１０の正相入力端子に入力し、出力制御回路６は、反転入力端子に入力された温度係数補正回路１から出力される第１の電圧Ｖ_１との電圧差がなくなるように、出力端子ＢＧＲ_ＯＵＴの出力電圧Ｖ_ｏを制御することにより出力電圧Ｖ_ｏの変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 拡散抵抗素子を用いた電圧発生回路における電源電圧依存性を低減する。
【解決手段】 第１電流が流れる第１トランジスタ（Ｑ１）と、第１トランジスタのエミッタ電流よりも大きな電流密度とされる第２電流が流れる第２トランジスタ（Ｑ）と、それらを結合する第１抵抗素子（Ｒ３）と、上記第２トランジスタをグランドに結合する第２抵抗素子（Ｒ４）とを設ける。上記第１トランジスタ及び上記第２トランジスタのコレクタ電圧との差分に応じた基準電圧を形成するとともに、それを上記第１トランジスタと第２トランジスタのベースに帰還する差動増幅回路（２００）を設ける。上記第１抵抗素子及び上記第２抵抗素子を拡散抵抗素子とし、上記基準電圧に呼応して上記第１抵抗素子及び上記第２抵抗素子の基板電圧を調整可能な基板電圧制御回路（３００）を設ける。上記拡散抵抗素子の基板電圧を基準電圧に応じて制御することで抵抗値変調効果を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 入力されたディジタル信号に応じた電流を出力する可変電流装置において、抵抗の抵抗値のばらつきに係らず高い精度の可変出力電流を得る。
【解決手段】 抵抗１０２・１０３に定電流源１０１の電流が流れて発生する電圧が、Ｄ／Ａ変換器１０５およびオペアンプ１０８の参照電圧Ｖａ・Ｖｂとして用いられる。抵抗１０６の一端の電圧Ｖｃはオペアンプ１０８によりＶｂに制御され、抵抗１０６には一定の電流Ｉ1 が流れる。Ｄ／Ａ変換器１０５は入力ディジタルデータ信号に応じた開放電圧Ｖｄを発生し、これとＶｃとの差に応じた電流Ｉ2 が出力抵抗１０５ａに流れ、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ１０７・１０９にはＩ1 −Ｉ2 の大きさの可変電流が流れる。この可変電流は、各抵抗の抵抗値自体に係らず、これらの比に応じた高精度な可変電流となる。 （もっと読む）