【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】低オン抵抗、高耐圧及び高信頼性を達成する。
【解決手段】窒化物半導体装置１１０は、第１半導体層３、第２半導体層４、第１電極１０、第２電極７、第３電極８、第１絶縁膜６及び第２絶縁膜５を備える。第１半導体層３は、窒化物半導体を含む。第２半導体層４は、第１半導体層３上に設けられ、孔部４ａを有する。第２半導体層４は、第１半導体層３よりも広い禁制帯幅を有する窒化物半導体を含む。第１電極１０は、孔部４ａ内に設けられる。第１電極１０の一方側に第２電極７、他方側に第３電極８が設けられ、それぞれ第２半導体層４と電気的に接続される。第１絶縁膜６は、酸素を含有する膜であって、第１電極１０と孔部４ａの内壁とのあいだ、及び第１電極１０と第２電極７とのあいだに設けられ、第３電極８と離間して設けられる。第２絶縁膜５は、窒素を含有する膜であって、第１電極１０と第３電極８とのあいだで第２半導体層４に接して設けられる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜界面材料としてＧｅＯ₂ を用いた場合においてもＧｅＯ₂ 層の劣化を抑制することができ、素子の信頼性向上をはかると共に、プロセスの歩留まり向上をはかる。
【解決手段】本発明の実施形態による電界効果トランジスタは、Ｇｅを含む基板１０上の一部に設けられた、少なくともＧｅＯ₂ 層を含むゲート絶縁膜２０と、ゲート絶縁膜２０上に設けられたゲート電極３０と、ゲート電極３０下のチャネル領域を挟んで前記基板に設けられたソース／ドレイン領域５０と、前記ゲート絶縁膜２０の両側部に形成された窒素含有領域２５と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】プラズマ窒化ゲート誘電層における窒素プロファイルを改善する為の方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する方法において：基板が、あるシステム１０の窒化用チャンバ２０Ｂ内に置かれている間に、前記基板上に形成されたゲート誘電層に窒素（Ｎ）を導入するステップと；前記システム１０から前記基板を外に搬送することなく、前記基板を前記システム１０のアニール用チャンバ２０Ｃに搬送するステップと；前記窒化用チャンバ２０Ｂ内の前記基板の温度を超える温度まで、前記アニール用チャンバ２０Ｃ内で前記基板を加熱することにより、前記ゲート誘電層をアニールするステップと；を備え、前記アニールの間、前記アニール用チャンバ２０Ｃ内の圧力は、少なくとも５０トルであり、前記基板を、前記窒素が導入された後、５分以内にアニールする、前記方法。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な半導体装置を形成する。
【解決手段】本発明は、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴをｐＭＩＳ形成領域１Ａに有し、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴをｎＭＩＳ形成領域１Ｂに有する半導体装置の製造方法であって、ＨｆＯＮ膜５上にＡｌ膜８ａを形成する工程と、Ａｌ膜上にＴｉリッチなＴｉＮ膜７ａを形成する工程と、を有する。さらに、ｎＭＩＳ形成領域１ＢのＴｉＮ膜およびＡｌ膜を除去する工程と、ｎＭＩＳ形成領域１ＢのＨｆＯＮ膜５上およびｐＭＩＳ形成領域１ＡのＴｉＮ膜７ａ上にＬａ膜８ｂを形成する工程と、Ｌａ膜８ｂ上にＮリッチなＴｉＮ膜７ｂを形成する工程と、熱処理を施す工程とを有する。かかる工程によれば、ｐＭＩＳ形成領域１Ａにおいては、ＨｆＡｌＯＮ膜のＮ含有量を少なくでき、ｎＭＩＳ形成領域１Ｂにおいては、ＨｆＬａＯＮ膜のＮ含有量を多くできる。よって、ｅＷＦを改善できる。 （もっと読む）

【課題】製造工程の効率化とパッシベーション膜の剥離の抑制とが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、金を含む配線３０ａ及び配線３０ｂを形成する工程と、配線３０ａ及び配線３０ｂに接して、窒化シリコン膜３２をプラズマ気相成長する工程と、窒化シリコン膜３２の製膜レートよりも大きな製膜レートのもと、窒化シリコン膜３２に接し、窒化シリコン膜３２よりもシリコン組成比が小さい窒化シリコン膜２２をプラズマ気相成長する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型電界効果トランジスタとｐチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ、ｐチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０と、ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０とを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０のゲート電極１５を覆う応力制御膜１９には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０のゲート電極３５を覆う応力制御膜３９には、膜応力が、ｎチャネル型トランジスタ１０の応力制御膜１９より、圧縮応力側の膜を用いることにより、ｎチャネル型、ｐチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を有する窒化物半導体を低コストで製造する。
【解決手段】基板１０の上方に形成された半導体層２２，２３，２４と、前記半導体層の一部を酸化することにより形成された絶縁膜３０と、前記絶縁膜上に形成された電極４１と、を有し、前記絶縁膜は、酸化ガリウムを含むもの、または、酸化ガリウム及び酸化インジウムを含むものにより形成されているものであることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】成膜原料としてコバルトカルボニルを用いてＣｏ膜を成膜する場合に、段差被覆性が良好でかつ再現性高くＣｏ膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に単一原料として気体状のＣｏ_４（ＣＯ）_１２を供給し、基板Ｗ上でＣｏ_４（ＣＯ）_１２を熱分解させて基板Ｗ上にＣｏ膜を成膜する。このとき、成膜原料として固体原料であるＣｏ_２（ＣＯ）_８を用い、これをＣｏ_２（ＣＯ）_８の分解開始温度未満の温度で気化させ、これにより生成された気体状のＣｏ_２（ＣＯ）_８をＣｏ_４（ＣＯ）_１２が安定に存在する温度にして気体状のＣｏ_４（ＣＯ）_１２に変化させ、処理容器１内に供給する。または、成膜原料として固体原料であるＣｏ_４（ＣＯ）_１２を用い、これを気化させて処理容器１内に供給する。 （もっと読む）

【課題】半導体層とゲート電極との間に絶縁膜が形成された半導体装置の信頼性を高める。
【解決手段】基板の上方に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された電極と、を有し、前記絶縁膜は炭素を主成分とするアモルファス膜を含むものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）