【課題】Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化等に伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。
【解決手段】Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の酸素量をターゲット全体の酸素量の平均値に対して±２０％以内とする。Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の窒素量をターゲット全体の窒素量の平均値に対して±４０％以内とする。Ａｌを主成分とするスパッタリングターゲットの各部位の炭素量をターゲット全体の炭素量の平均値に対して±７０％以内とする。 （もっと読む）

【課題】導電性が良好でありながらも銅の拡散を十分に防止することが可能な銅配線の埋め込み構造を備えた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１絶縁膜１３に形成された配線溝１３ａ内、第２絶縁膜２２および第３絶縁膜に形成された配線溝２４ａと接続孔２２ａ内に、拡散防止層１５，２５を介して銅配線１７ａ，２６ａが埋め込まれた半導体装置２７において、拡散防止層１５，２５は、ルテニウムカーバイト（ＲｕＣｘ）、ルテニウムシリサイド（ＲｕＳｉｘ）、またはルテニウム合金（ＲｕＴａ）を用いて構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング装置に好適に用いられる電磁石ユニットを提供する。
【解決手段】 電磁石８１には、第１のフォトダイオード８２５と第２のフォトダイオード８２８が設けられており、電磁石８１への通電を制御する通電制御器８２は、第１のフォトダイオード８２５からの光を受ける第１のフォトトランジスタ８２４と、第１のフォトトランジスタ８２４に接続された第１の正側駆動用トランジスタ８２１と、第２のフォトダイオード８２８からの光を受ける第２のフォトトランジスタ８２７と、第２のフォトトランジスタ８２７に接続された負側駆動用トランジスタ８２２とを備えている。第１のフォトトランジスタ８２４がオンすると、電磁石８１に第一の向きに電流が流れ、第２のフォトトランジスタ８２７がオンすると、電磁石８１に逆の第二の向きに電流が流れる。 （もっと読む）

【課題】ＥＣＲスパッタ成膜後の基板面内の膜厚均一性をターゲット使用寿命の間維持できるＥＣＲスパッタ処理装置を提供する。
【解決手段】ＥＣＲスパッタ処理装置のターゲット１２０を複数の短冊形状ターゲット１２１を筒形状に配置して構成する。各短冊形状ターゲット１２１は独立したターゲット電源１１１を有し、短冊形状ターゲット１２１のプラズマ生成室１０５側の端部に設けられたターゲット開口軸１１３を起点として任意の角度（０度〜２０度）に開口可能に設けられる。隣接する短冊形状ターゲット１２１間には、ターゲット１０４と同材質の三角柱ガイド１１２が配置される。これにより、ターゲット１２０が開口した際にターゲット１２０内面の筒形状内のＥＣＲプラズマ領域１０５からターゲット１２０の外部へＥＣＲプラズマが廻り込み、効率が低下することを防止するとともに、成膜後の基板１０３面内の膜厚均一性を維持することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル膜をスパッタエッチングしても、配線の信頼性を低下させない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の上に、絶縁材料からなる層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜に、その底面まで達するビアホールを形成する。ビアホール内の下側の一部に、埋め込み部材を充填する。層間絶縁膜の厚さ方向の途中まで達し、平面視においてビアホールに連続する配線溝を形成する。このとき、層間絶縁膜のエッチングレートが埋め込み部材のエッチングレートよりも速い条件で、ビアホール内に残っている埋め込み部材の上面と、配線溝の底面との高さの差が、ビアホールの平面形状の最大寸法の１／２以下になるように配線溝を形成する。ビアホール内の埋め込み部材を除去する。ビアホール及び配線溝内に導電部材を充填する。 （もっと読む）

【課題】銅拡散防止能力に優れ、且つ、銅配線との密着性が良好なバリアメタル膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第４の層間絶縁膜１６の上面とビアホール１６ａの内面に、希ガスと窒素ガスとの混合ガスを使用する反応性スパッタ法により、チタン族元素の窒化物よりなるバリアメタル膜１８を形成する工程を有し、バリアメタル膜１８を形成する工程が第１スパッタ工程と第２スパッタ工程とを含み、該第２スパッタ工程において、上記混合ガス中における窒素ガスの流量比を第１スパッタ工程におけるよりも低くする共に、第１スパッタ工程で形成されたビアホール１６ａ底部のバリアメタル膜１８を薄膜化する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】気相原料分散システムにおけるパーティクル汚染を低減する方法およびシステムを提供する。
【解決手段】気相原料分散システム３０は、膜前駆体の気相原料を成膜システム１のプロセスチャンバ１０へ導入するよう構成される複数の開口を備える気相原料分散ヘッド３４と、ハウジングとを備える。ハウジングと気相原料分散ヘッド３４により、膜前駆体蒸発システム５０と結合され、蒸発システム５０からの膜前駆体５２の気相原料を受けてこの気相原料を複数の開口を通してプロセスチャンバ１０へ分散するよう構成されるプレナム３２が形成される。パーティクル汚染を低減するため、気相原料分散システム３０は、プレナム３２の圧力と成膜システムの圧力との差または比を低減するよう構成される。たとえば、プレナム３２の圧力は、プロセス空間３３の圧力の２倍未満、または、プロセス空間３３の圧力よりも５０ｍＴｏｒｒ、３０ｍＴｏｒｒもしくは２０ｍＴｏｒｒ低い。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン及び窒素を含まないタンタル含有薄膜の形成が可能な新規なタンタル化合物とその製造方法、及び膜の形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるタンタル化合物を、テトラハロシクロペンタジエニルタンタル誘導体とメチル化金属化合物とを反応させることにより製造し、このタンタル化合物を原料としてタンタル含有薄膜を形成させる。


（式中、Ｍｅはメチル基を、ｎは１から５の整数を、Ｒはアルキル基を示す。） （もっと読む）

【要 約】
【課題】低抵抗の窒化物薄膜を低い成膜温度で形成する。
【解決手段】真空雰囲気中に高融点金属を有する原料ガスと窒素原子を有する含窒素還元ガスを導入し、高融点金属の窒化物薄膜２４を形成する際、窒素を有しない補助還元ガスを導入する。補助還元ガスによって析出した高融点金属が、析出した窒化物の高融点金属の不足分を補償し、化学量論組成比に近く、低比抵抗の窒化物薄膜２４を成長させることができる。 （もっと読む）

成膜システム（1）内の基板（25）の粒子コンタミネーションが抑制される方法およびシステムが提供される。成膜システムは、1または2以上の粒子拡散器（47）を有し、これらは、膜前駆体粒子の流通を防止し、または一部防止するように構成され、あるいは膜前駆体粒子を分解し、または部分的に分解するように構成される。粒子拡散器は、膜前駆体蒸発システム（50）、蒸気供給システム（40）、蒸気分配システム（30）、またはこれらの2以上の内部に導入されても良い。
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