国際特許分類[H01L21/306]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断 (21,268) | 化学的または電気的処理,例.電解エッチング (9,750)
国際特許分類[H01L21/306]の下位に属する分類
電解エッチング (92)
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング (7,154)
マスクを用いるもの (427)
国際特許分類[H01L21/306]に分類される特許
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燐酸溶液中の珪素濃度測定装置及び測定方法
【課題】本発明はエッチング処理装置で循環使用、あるいは、エッチング処理後、珪素除去装置で珪素成分を除去した燐酸溶液中の珪素濃度を弗化水素酸で分解し、発生した四弗化珪素(SiF4)を赤外吸収測定器で簡易に迅速かつ精度よく測定し、安定した珪素濃度管理が可能とする測定装置及び測定方法を提供すること。
【解決手段】稼働中の半導体基板処理装置においてエッチング液として循環使用されている燐酸溶液中の珪素濃度の測定方法であって、前記半導体基板処理装置から100〜180℃に加熱された一定量の燐酸溶液を抜き出し、これを急速に5〜50℃に冷却し、しかる後、急速に5〜50℃に冷却された該一定量の燐酸溶液に弗化水素酸を添加して両者間の反応により四弗化珪素を生じさせ、更に、生成した四弗化珪素をキャリアガスにより気化させ、気化した四弗化珪素ガスの濃度を赤外吸収測定器により測定することを特徴とする燐酸溶液中の珪素濃度の測定装置及び測定方法。
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半導体製造装置及び半導体製造方法。
【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、溶液を、溶液の触媒として作用する転写部の裏面に供給し、転写部の表面を半導体基板の表面に接触すべく転写部の裏面を押圧し、転写部の裏面を押圧したまま水平移動し、水平移動とともに、裏面に供給された溶液を、接触している転写部の表面及び半導体基板の表面に貫通する転写部の裏面の穴に挿入する。
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半導体製造装置及び半導体製造方法。
【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、触媒として作用する転写部の表面に溶液を塗布し、溶液が塗布された転写部の表面を半導体基板の表面と接触すべく配置する。
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半導体製造装置及び半導体製造方法。
【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、傾斜した半導体基板の表面近傍に、溶液の触媒として作用する転写部を配置し、転写部が配置された半導体基板の表面近傍を流れるように半導体基板の表面に溶液を供給する。
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半導体製造装置及び半導体製造方法。
【課題】半導体基板を溶液に浸漬しないで半導体基板表面に転写部の形状を転写できる仕組みを提供すること。
【解決手段】転写部の形状を半導体基板の表面に転写する半導体製造装置が、半導体基板の表面に溶液を投下し、触媒として作用する転写部の表面を溶液が投下された半導体基板の表面に接触するべく水平移動する。
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半導体装置の製造方法
【課題】信頼性を低下することなく、高集積化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、薄膜抵抗体と配線層とが、接続層とビアホールに埋設されたタングステンプラグとを介して電気的に接続されてなる半導体装置の製造方法である。従来、接続層は、バリアメタル層を介して薄膜抵抗体と接続された構成である。この接続層としてアルミニウムを用いたものでは、接続層とタングステンプラグとの線膨張係数の差異に起因してストレスマイグレーションにより、接続層にボイドが発生する懸念があった。本発明では、接続層を除去する工程を実施し、タングステンプラグをバリアメタル層と直接接続する。これにより、タングステンプラグは、アルミニウムよりなる接続層を介することなく、薄膜抵抗体と電気的に接続される。したがって、接続層におけるボイドの発生を抑制し、半導体装置の接続信頼性を向上することができる。
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エッチング方法及びこれに用いられるエッチング液、これを用いた半導体基板製品の製造方法
【課題】Tiを含む層を優先的に溶解する選択的なウエットエッチングを可能とし、しかもエッチング・アッシング等により生じる残渣をも効果的に洗浄除去することができるエッチング方法及びこれに用いるエッチング液、これを用いた半導体基板製品の製造方法を提供する。
【解決手段】
Tiを含む第1層と、Cu、SiO、SiN、SiOC、及びSiONの少なくとも1種を含む第2層とを有する半導体基板に特定のエッチング液を適用し、前記第1層を選択的にエッチングする方法であり、前記特定のエッチング液が、有機アミン化合物からなる塩基性化合物と酸化剤とを水性媒体中に含み、そのpHが7〜14であるエッチング方法。
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表面処理方法および表面処理された物品
【課題】物品に付着しているよごれなどの有機物を大気中に飛散させることなく分解または除去でき、かつ物品の損傷が抑えられる表面処理方法、物品の損傷を抑えながら、物品表面をエッチングする表面処理方法、および表面を高度に洗浄し、損傷がほとんどない物品や表面をエッチングしながら、損傷のない物品を提供する。
【解決手段】水を含む液体中の水蒸気気泡内に発生したプラズマを、該液体中において、水に対する接触角が90度以下である材料に付着している有機物に接触させて、該有機物を材料から除去する表面処理方法;水を含む液体中の水蒸気気泡内に発生したプラズマを、前記液体中において、水に対する接触角が90度以下である材料に接触させて、該材料を破壊せずに、該材料の表面をエッチングするエッチング方法。
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半導体装置の製造方法及び処理装置
【課題】薬液の除去性能を高く維持することができる半導体装置の製造方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】レジストパターン3をマスクとして絶縁膜2をドライエッチングすることにより開口部4を形成する。絶縁膜2のドライエッチングの際に開口部4の内面に付着した反応生成物5に波長が200nm以下の紫外線を照射して、反応生成物5に含まれる有機成分を分解する。薬液を用いて、有機成分の分解後に開口部4の内面に残存している付着物6を除去する。付着物6が除去された開口部4内に導電膜7を形成する。
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半導体装置の製造方法
【課題】レジスト形状の制限が無く、またステップカバレッジの悪い成膜方法を用いなくても良いリフトオフ工程が行えるようにする。
【解決手段】レジスト2の上に被パターニング膜3を成膜したのち、イオン照射によって被パターニング膜3のコーナ部を選択的にエッチングすることでレジスト2を露出させるようする。そして、レジスト2を除去することで、レジスト2の上の被パターニング膜3をリフトオフさせ、被パターニング膜3をパターニングする。このようにしてリフトオフ工程を行えば、レジスト2の側面において被パターニング膜3が厚く形成されていたとしても、イオン照射によってレジスト2を露出させることができる。このため、レジスト2の側面での被パターニング膜3の厚みの制限を受けないため、あえてステップカバレッジの悪い成膜方法を用いなくても良くなり、ステップカバレッジの良い成膜方法を選択することもできる。
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