国際特許分類[H01L21/306]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置 (183,847) | 半導体装置またはその部品の製造または処理 (125,986) | 少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置 (97,574) | 不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置 (83,040) | 21/20〜21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理 (43,387) | 表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断 (21,268) | 化学的または電気的処理,例.電解エッチング (9,750)
国際特許分類[H01L21/306]の下位に属する分類
電解エッチング (92)
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング (7,154)
マスクを用いるもの (427)
国際特許分類[H01L21/306]に分類される特許
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スリットノズルおよび基板処理装置
【課題】液膜の幅を安定させることができるスリットノズルおよびこれを備えた基板処理装置を提供すること。
【解決手段】スリットノズル11は、長手方向X1に延びるスリット状の吐出口54が形成された吐出部45と、吐出口54の長手方向X1の両端にそれぞれ配置された一対のガイド部46とを含む。一対のガイド部46は、長手方向X1に間隔を空けて対向する一対のガイド面66をそれぞれ含む。一対のガイド部46のそれぞれには、ガイド面66より凹んだ凹部68が形成されている。
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基板処理方法および基板処理装置
【課題】少ない薬液で、かつ短時間で基板上の膜を良好にエッチングする。
【解決手段】フェムト秒レーザービームLBを膜Fの加工対象部位に照射し、フェムト秒レーザービームLBが照射された表面領域に凹凸形状を有する加工部WRを形成する。この基板W上のレーザー処理済膜Fの表面に薬液が供給されてエッチング処理が実行される。このとき、加工部WRの表面は凹凸形状を有しているため、薬液の接液面積が増大し、その結果、レーザー加工処理が施されていない場合に比べ、エッチング処理に要する時間および薬液量を削減することができる。
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基板処理装置
【課題】複数の大きさの基板を処理可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、任意の大きさの基板Wを水平に支持するセンターチャック13と、上向きの環状面57をそれぞれ有する複数のリング5とを含む。複数のリング5は、環状面57の内周縁の長さがそれぞれ異なる複数のサイズ調整リングを含み、内周縁がセンターチャック13に支持されている基板Wの周縁部に近接した状態で、環状面57が基板Wを水平に取り囲むように、複数のリング5のいずれか一つが、センターチャック13に支持されている基板Wの周囲に配置される。
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基板処理装置及び基板処理方法
【課題】処理槽の内部における下から上への流れを撹乱せず、貯留された処理液を他の処理液に効率よく置換させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】処理ユニット10は、内槽15の側壁507に形成された断面V字形の溝部16の、下側テーパー面163に向けて処理液を吐出して内槽15の内部に比較的低速の液流を形成する第三吐出ノズル221を備える。第三吐出ノズル221から吐出され内槽15の下側テーパー面163に衝突した流れのうち、上方向に向かう流れを板状部材18で阻止することにより、内槽15内の下から上への流れを撹乱することなく、効率良く処理液を置換することができる。
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ウェットエッチング装置
【課題】ウェットエッチング処理中において、ウェーハの厚み及び形状を監視し、ウェーハが所望の状態と異なる場合には、直ちにウェーハに対し修正を施す。
【解決手段】ウェットエッチング装置1は、回転テーブル2に保持されたウェーハ6の中心上方で供給ノズル3からエッチング液3bを滴下させるとともに回転テーブル2を所定の回転数で回転させエッチング液3bをウェーハ6の一方の面全体に広げ、厚み測定器4でウェーハ厚みを測定し、測定結果に基づきエッチング液3bの滴下量を制御する。そして、ウェットエッチング処理中にウェーハ6の厚み及び形状が所望の状態と異なる場合は、直ちに修正することができる。したがって、エッチング不足の修正のために再度エッチングを施したりエッチング過多によってウェーハを廃棄したりすることを防止することができる。
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シリコンウェーハのウェットエッチング方法及びウェットエッチング装置
【課題】一方の濃度を一定に保つことで他方の濃度が一定範囲で変化しても所定のエッチングレートを維持することができることに着目し、一方の酸のみを添加することにより、エッチングレートを一定に維持することが可能なシリコンウェーハのウェットエッチング方法及びウェットエッチング装置を提供すること。
【解決手段】所定のエッチング量を得るためのフッ酸の濃度を第1のフッ酸濃度とし、所定のエッチング量を得るための硝酸の濃度を第1の硝酸濃度としたとき、硝酸の濃度を第1の硝酸濃度よりも高く、フッ酸の濃度を第1のフッ酸濃度とした薬液をエッチングに使用するエッチングステップと、エッチングステップで使用した薬液に、第1のフッ酸濃度よりも高い濃度のフッ酸を添加する添加ステップとを有し、添加ステップの後の薬液を再びエッチングに使用することを特徴とする。
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エッチング方法
【課題】実施形態によれば、熱燐酸溶液を用いた窒化シリコン膜のエッチング選択性を高めたエッチング方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、エッチング方法は、シリコン窒化膜の表面と、前記シリコン窒化膜と異なる材料の非エッチング膜の表面とを含む処理面に熱燐酸耐性材料を供給し、前記シリコン窒化膜の表面よりも相対的に密に前記熱燐酸耐性材料が前記非エッチング膜の表面に形成された状態で、熱燐酸溶液を用いて前記シリコン窒化膜をエッチングする。
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エッチング液
【課題】 銅及びモリブデン積層膜を一液でエッチングでき、しかも工業的に好ましい形状にエッチングできるエッチング液を提供する。
【解決手段】 過酸化水素、グリシン、燐酸及び水を含むエッチング液を、銅及びモリブデン積層膜のエッチングに用いる。
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エッチング方法
【課題】安全で簡便にエッチングできるとともに、エッチング速度を向上させたエッチング方法を提供する。
【解決手段】(1a)金属、及び少なくとも1種のN−F結合を有する有機化合物を含む材料を固体材料の表面に接触させる工程、又は
(1b−1)少なくとも1種のN−F結合を有する有機化合物を含む材料を固体材料の表面に形成する工程、及び
(1b−2)金属を含む層を、前記少なくとも1種のN−F結合を有する有機化合物を含む材料と接するように形成する工程
を含む固体材料のエッチング方法。
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低反射基板の製造方法、および光起電力装置の製造方法
【課題】短時間のエッチングで低反射化が可能な低反射基板の製造方法を得る。
【解決手段】低反射基板の製造方法は、(100)単結晶シリコン基板1aを挟んだ両面の上に不純物拡散層2を形成する工程と、両面に形成された不純物拡散層の上に50nm以上400nm以下の膜厚のシリコン酸化膜3を形成する工程と、一方の上のシリコン酸化膜に対してブラスト加工を施すことにより、シリコン酸化膜を貫通して不純物拡散層に達する開口4を形成する工程と、基板をシリコン酸化膜が耐性を有するアルカリ水溶液に浸漬して開口を介したアルカリ水溶液による不純物拡散層のエッチングを行うことにより、シリコン酸化膜と基板との間にアンダーカットを形成する工程と、引き続きアルカリ水溶液により、アンダーカットの空間的な広がりに依存しつつシリコン(111)面を露出させる異方性エッチングを行う工程と、その後にシリコン酸化膜を除去する工程とを含む。
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