説明

国際特許分類[H01L25/16]の内容

電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体 (14,678) | 装置が27/00〜51/00の2つ以上の異なるメイングループに分類される型からなるもの,例.ハイブリッド回路の形成 (138)

国際特許分類[H01L25/16]に分類される特許

1 - 10 / 138


【課題】発振器を簡単な構成により薄型化、低背化、小型化し、かつワイヤーボンディングによる電気的接続の信頼性を向上させる。
【解決手段】発振器1は、振動片5をパッケージ3内に搭載した振動子2とその発振回路を有するIC素子3とリードフレーム4とを備える。リードフレームはその一方の面に設けた凹部9内に配置された複数のインナーリード部10と、凹部の外側に配置された複数のアウターリード部11とを有する。振動子は、その下面に接着したIC素子をリードフレーム側に、平面的に複数のインナーリード間に画定される空間内に配置して、その下面でリードフレームの他方の面に接着されている。インナーリード部に形成したバンプ15と、IC素子の電極パッド12との間をボンディングワイヤー14で電気的に接続する。IC素子の電極パッドにも任意によりバンプ18が形成される。 (もっと読む)


【課題】データ処理装置などの機器間又は機器内において、チップ間やボード間で送受信される高速光信号を伝送する際に、安価な作製手段で伝送速度高速化、小型・集積化、および部品実装性に優れるSi集積の光モジュールおよび光電気混載ボードを提供する。
【解決手段】Si同一基板100上に、レーザ光源素子101と、Si基板100に直接設けられたSi導波路102とを具備し、Si導波路102が基板水平方向に形成され、Si導波路光出射端からの光軸延長線上に、基板平行に対して傾斜角を有する第1のテーパ面106と、それと対向する位置に基板平行に対して傾斜角を有する第2のテーパ面107がそれぞれ表面に露呈した光路変換部106を設け、基板外部との間でやりとりされる光信号が、光路変換部104およびSi基板100内部を介して基板垂直方向に光学的に接続される光モジュールとする。 (もっと読む)


【課題】 小型化を促進する表面実装型圧電発振器を提供する。
【解決手段】 圧電振動片2とICチップ3と当該ICチップと接続される電極パッドが形成された収納部を有する絶縁性のベース4とを備えており、前記圧電振動片は励振電極と接続電極と引出電極とが形成され、前記ICチップは一方の主面に2列に配置された前記ベースと接続される複数の第1接続端子が形成され、他方の主面に前記第1接続端子と同じ列方向で前記圧電振動片と接続される少なくとも一対の第2接続端子が形成されており、前記ベースの収納部の電極パッドと前記ICチップの第1接続端子とが金属バンプを介してフリップチップボンディング接合され、前記ICチップの第2接続端子と前記圧電振動片の接続電極とが金属バンプを介してフリップチップボンディング接合されてなる。 (もっと読む)


【課題】複数の電圧レベルの電源電圧が供給される入出力バッファ回路に対して、従来よりも少ない電源配線スペースで十分な電源供給を可能にする。
【解決手段】半導体装置3において、入出力バッファ回路BFは電圧レベルの変換を行なう。第1の電源配線HVLは、入出力バッファ回路BFの第1の回路部分HCと接続され、第1の回路部分HCに第1の電源電圧VCC1を供給する。第2の電源配線LVLは、入出力バッファ回路BFの第2の回路部分LCと接続され、第2の回路部分LCに第2の電源電圧VCC2を供給する。複数のスイッチ部SWは、第3の電源配線SVLに沿った複数箇所にそれぞれ設けられる。複数のスイッチ部SWの各々は、内部回路10から出力された制御信号に応じて、第1および第2の電源配線HVL,LVLのうち選択された一方の電源配線と第3の電源配線SVLとを接続する。 (もっと読む)


【課題】封止部材をエッチングすることなく、光センサ装置の受光面を封止部材から露出できるようにした光センサ装置の製造方法及び光センサ装置を提供する。
【解決手段】粘着テープの粘着性を有する面であって、リードフレーム30´から露出している領域にIR素子10の受光面16を貼付する工程と、リードフレーム30´の表面にIC素子20を取り付ける工程と、リードフレーム30´とIC素子20とをワイヤー45で電気的に接続する工程と、IR素子10とIC素子20とをワイヤー46で電気的に接続する工程と、IR素子10とIC素子20とワイヤー45、46をモールド樹脂49で覆う工程と、モールド樹脂49及びリードフレーム30´から粘着テープを除去する工程と、ダイシングストリート36に沿ってモールド樹脂49及びリードフレーム30´を切断して、パッケージを形成する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】出力パワーを増やすことができるエネルギーハーべスティング電子装置を提供する。
【解決手段】前記電子装置は複数のエネルギーハーベストを含むエネルギーハーベストアレイと、前記エネルギーハーベストアレイに接続される単一整流器と、前記単一整流器に接続されるとともに負荷抵抗を有する出力部を含む。前記複数のエネルギーハーベストは前記出力部の前記負荷抵抗より高い第1固有抵抗を有し、並列に接続される複数の第1エネルギーハーベストと、前記第1固有抵抗より高い第2固有抵抗を有し、前記複数の第1エネルギーハーベストに並列に接続される一つの第2エネルギーハーベストを含む。 (もっと読む)


【課題】製造効率の向上、コストダウン、信頼性の向上、小型化を容易に実現させる。
【解決手段】各配線111h,211hにおいて、第1半導体チップ100および第2半導体チップ200の側端部にて露出した側面を、導電層401で被覆される。これにより、導電層401によって両配線111h,211hの間が電気的に接続させる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、湿気の多い外気によるセンサの金属電極の腐食を防止し、かつセンサの樹脂封止によるセンサの反りの発生を防止してセンサ特性への影響を低減するセンサデバイスの製造方法及びセンサデバイスを提供する。
【解決手段】センサデバイスの製造方法は、固定部、前記固定部の内側に位置する可動部、前記固定部と前記可動部を接続する可撓部、及び複数の金属電極を有するセンサを基板上に配置し、前記センサの複数の金属電極及び前記基板の複数の端子をボンディングワイヤにより電気的に接続し、前記複数の金属電極と前記複数の端子の間にある前記ボンディングワイヤの一部が露出するように、前記センサの複数の金属電極の前記ボンディングワイヤと接続された部位を樹脂により覆う。 (もっと読む)


【課題】矩形の基板上に、変換体と矩形の半導体基板と有し、小型化と低コスト化可能な変換体モジュールを提供する。
【解決手段】矩形の形状を有する基板2と、鋭角の頂点を1つ以上含む多角形の形状を有する変換体3と、矩形の形状を有する半導体基板4とを備え、変換体3は、基板2の第1側辺と変換体3の一つの側辺とが実質的に平行となるように、基板2上に配置され、半導体基板4は、基板2の第1側辺と半導体基板4の1つの側辺とが実質的に平行となるように基板2に配置される。 (もっと読む)


【課題】オン抵抗の増大を抑制し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ユニポーラ型の化合物半導体素子(30a)と、この化合物半導体素子(30a)に並列的に外部接続されたバイパス用半導体素子(40a)とを具備し、バイパス用半導体素子(40a)の通電開始電圧が化合物半導体素子(30a)のソース・ドレイン方向の通電開始電圧よりも小さいことを特徴とする。 (もっと読む)


1 - 10 / 138