国際特許分類[H01L31/12]の内容
電気 (1,674,590) | 基本的電気素子 (808,144) | 半導体装置,他に属さない電気的固体装置 (445,984) | 赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部 (20,572) | 1つ以上の電気光源,例.エレクトロルミネッセンス光源,と構造的に結合されたもの,例.1つの共通基板内または上に形成されたもの,およびその電気光源と電気的または光学的に結合されたもの (722)
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オプトカプラ
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受発光素子
【課題】 小型で光検出精度の優れた受発光素子を提供する。
【解決手段】 一導電型の半導体材料から成り、傾斜面2b1およびこれに続く底面2b2で構成された窪み部2bを一主面2aに有する基板2と、基板2の一主面2aに設けられた発光ダイオード3と、窪み部2bの底面2b2に設けられた第1フォトダイオード4と、窪み部2bの傾斜面2b1に設けられた第2フォトダイオード5とを有する。
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半導体集積回路およびそれを用いた光センサ機器
【課題】修正前の特性値がその特性値の出現頻度分布における平均値±2×(標準偏差)の範囲に入る製造品に対するヒューズ溶断本数を少なくする。
【解決手段】素子アレイ14には抵抗アレイを設け、特性値の分布の平均値を素子アレイ14で得られる合成抵抗値の中央値に対応付け、トリミング情報生成回路12における上記中央値より大きい合成抵抗値に対応するトリミング情報の配列を、10進数で「15」〜「8」の降順に、上記中央値以下の合成抵抗値に対応するトリミング情報の配列を、10進数で「0」〜「7」の昇順に設定する。変換回路13は、トリミング情報生成回路12からのトリミング情報を変換して、素子アレイ14の抵抗アレイから各合成抵抗値を得るためにオフする抵抗を選択する素子選択情報を生成する。こうして、上記分布における「平均値±2σ」の範囲内に対応付けられトリミング情報を生成する場合のヒューズ溶断数を大幅に削減する。
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撮像装置
【課題】被撮像物が厚い書籍であっても綴じ部近辺の像が歪まない小型の撮像装置を提供する。特に、薄い撮像装置を提供する。さらには、小型化により撮像装置の可搬性を向上させる。
【解決手段】撮像面が両面に配された撮像装置を提供する。好ましくは、発光素子及び受光素子などの撮像装置を構成する素子は、すべて一の基板上に配する。換言すると、第1の撮像面と、前記第1の撮像面の逆を向いた第2の撮像面と、を有する撮像装置である。
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入力デバイス
【課題】発光側の光導波路コアが複数の辺状部材の接合により構成されたものであっても、そのコアの光結合部位における光結合損失の変動が小さく、枠内の検知空間における高い検出精度を安定して維持することのできる入力デバイスを提供する。
【解決手段】複数の辺状部材(10A〜10D)を突き合わせて構成された枠状の光導波路10における発光側の二分岐状の光導波路コアC1は、枠の角部10zに位置する共通部1と、共通部1から二股状に分岐する連絡路(2a,3a)と、枠の2辺に配置される主路(2b,3b)とからなり、上記の1つの主路2bと連絡路2aの光結合が、上記辺状部材どうしの端面の突き合わせにより形成されている。これら主路2bと連絡路2aの光結合部位における光入射側の結合端面2dのコア幅(WA)は、対向する光出射側の結合端面2eのコア幅(WB)以上に広く(WA≧WB)形成されている。
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回路基板及び近接センサ
【課題】部品点数が増大せず、新たな実装面積の確保も不要で、反射成分を低減できる近接センサ、及び近接センサを実装するための回路基板を提供する。
【解決手段】回路基板は、近接センサ10が実装され、回路基板の本体49と、回路基板の本体49に設けられ、カバー18に当接するカバー当接面47と、近接センサ10と回路基板とを導通接続させる伸縮自在なスプリングコネクタ26と、を有する。スプリングコネクタ26は、カバー当接面47をカバー18に押し当てる。
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ソリッドステートリレー及び負荷駆動回路
【課題】簡単かつ安価な構成であるにも拘わらず、スナバ回路及び制御回路のいずれの損傷に対しても、他の電子部品の焼損を適切に防止する。
【解決手段】入力端子の間に接続される発光素子8からの光を光電変換する受光素子9と、交流電源3と負荷4とが接続される出力端子6と、受光素子9の一端と出力端子6の一方とを結ぶ第1接続ライン11と、受光素子9の他端と出力端子6の他方とを結ぶ第2接続ライン12と、第1接続ライン11と第2接続ライン12の間に接続される、受光素子9からの出力に基づいて導通するスイッチング素子12と、コンデンサと抵抗とを直列接続してなるスナバ回路14とを備える。スナバ回路14の抵抗は、第1接続ライン11の、受光素子9の一端と、スイッチング素子12の一端との間に接続し、抵抗とスイッチング素子12の一端との間に過電流防護素子21を接続する。
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光結合型絶縁回路
【課題】消費電力を低減しパルス幅歪みを抑制した光結合型絶縁回路を提供する。
【解決手段】第1発光素子3と、第2発光素子5と、第1発光素子3および第2発光素子5の発光を制御する発光制御部11と、第1発光素子3の発光を検出する第1受光素子7と、第1受光素子7に直列に接続され、第2発光素子5の発光を検出する第2受光素子9と、を備える。さらに、第1受光素子7と第2受光素子9との接続点に電気的に接続され、ハイおよびローの電圧を交互に出力する出力部21を備える。出力部21は、第1発光素子3の発光を検知した第1受光素子7から電荷が充電されることにより、前記ハイおよび前記ローのいずれか一方から他方に出力を反転し、第2発光素子5の発光を検知した第2受光素子9を介して電荷を放電することにより出力を再反転する。
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集積型半導体装置
【課題】 従来に比べて小型で、素子機能部間で、高い周波数の信号を高精度に伝送することができる集積型半導体装置を提供する。
【解決手段】 サファイア単結晶基板10と、サファイア単結晶基板10の一方主面10Aに第1素子機能部22を備え、他方主面10Bに第2素子機能部32を備え、第1素子機能部22が光を発光し、第2素子機能部32がサファイア単結晶基板10を透過した光を受光することで、高い周波数の信号を精度良く伝送する。
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ワイヤレス光結合検出装置および電子機器
【課題】取付け場所の制約が少なく、かつ、高価な生産設備を必要とすることなく製造できるワイヤレス光結合検出装置を実現する。
【解決手段】ワイヤレス光結合検出装置は、光を出射する発光素子部4と、発光素子部4からの光を受信したか否かに応じて対象物の有無を検出し、検出データを生成する受光素子部8と、電力受信用コイル9と、信号送信用アンテナ10とを備えている。電力受信用コイル10は、外部からの電波を受けることによって誘電電流を発生させ、該誘電電流を発光素子部4および受光素子部8を駆動するための駆動電流として供給する。信号送信用アンテナ10は、受光素子部8が生成する検出データを外部にワイヤレス送信する。
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