半導体装置の検査方法
【課題】本発明は、半導体装置を固定すると共に、移動可能な構成とされた半導体装置用ステージと、プローブピンをクリーニングするクリーニングステージとを備えた検査装置を用いた半導体装置の検査方法に関し、半導体装置の電気的検査を精度良く行うことを課題とする。
【解決手段】半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの所定の場所の鉛直方向の第１の位置に対する半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの他の場所の鉛直方向の第２の位置のずれ量を検出するずれ量検出手段３５により検出されたずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整した。
【解決手段】半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの所定の場所の鉛直方向の第１の位置に対する半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの他の場所の鉛直方向の第２の位置のずれ量を検出するずれ量検出手段３５により検出されたずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整した。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の検査方法に係り、特に半導体装置を固定すると共に、移動可能な構成とされた半導体装置用ステージと、プローブピンをクリーニングするクリーニングステージとを備えた検査装置を用いた半導体装置の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１２は、従来の検査装置の断面図である。図１２において、Ｙ１，Ｙ１方向は鉛直方向、Ｘ１，Ｘ１方向は鉛直方向と直交する面方向をそれぞれ示している。
【０００３】
図１２を参照するに、従来の検査装置２００は、プローバー２０１と、テスタ２０２とを有する。プローバー２０１は、筐体２０４と、ヘッドプレート２０５と、半導体装置用ステージ２０６と、温度制御手段２０７と、支持体２０９と、クリーニングステージ２１１と、クリーニングシート２１２と、プローブカードホルダー２１３と、プローブカード２１５と、コンタクトリング２１９と、テストヘッド２２１とを有する。
【０００４】
筐体２０４は、半導体装置用ステージ２０６やクリーニングステージ２１１等を収容するためのものである。筐体２０４の上端部は、開放端とされている。ヘッドプレート２０５は、筐体２０４に対して開閉可能な状態で筐体２０４の上端部に設けられている。ヘッドプレート２０５は、コンタクトリング２１９を保持するためのものである。
【０００５】
半導体装置用ステージ２０６は、半導体装置２０８（半導体基板上に複数の半導体集積回路が形成されたもの）を固定するためのものである。半導体装置用ステージ２０６は、Ｘ１，Ｘ１方向及びＹ１，Ｙ１方向に移動可能な構成とされている。温度制御手段２０７は、半導体装置用ステージ２０６に内蔵されている。温度制御手段２０７は、半導体装置用ステージ２０６を介して、半導体装置２０８を所定の温度に加熱または冷却するためのものである。
【０００６】
支持体２０９は、Ｘ１，Ｘ１方向及びＹ１，Ｙ１方向に移動可能な構成とされている。支持体２０９は、クリーニングステージ２１１を支持するためのものである。クリーニングステージ２１１は、支持体２０９の上端部に固定されている。クリーニングステージ２１１は、半導体装置用ステージ２０６の近傍に配置されている。クリーニングステージ２１１は、支持体２０９がＸ１，Ｘ１方向及び／またはＹ１，Ｙ１方向に移動した際、支持体２０９と一体的に移動する。
【０００７】
クリーニングシート２１２は、クリーニングステージ２１１の上面２１１Ａに設けられている。クリーニングシート２１２は、プローブピン２１８の先端（半導体装置２０８と接触する部分）を削ってプローブピン２１８のクリーニングを行うためのものである。プローブカードホルダー２１３は、ヘッドプレート２０５の下方に設けられている。プローブカードホルダー２１３は、プローブカード２１５を保持するためのものである。
【０００８】
プローブカード２１５は、プローブカードホルダー２１３に着脱可能に装着されている。プローブカード２１５は、コンタクトリング２１９の下方に配置されている。プローブカード２１５は、支持基板２１６と、配線パターン２１７と、プローブピン２１８とを有する。
【０００９】
支持基板２１６は、板状とされており、配線パターン２１７及びプローブピン２１８を配設するためのものである。配線パターン２１７は、支持基板２１６を貫通すると共に、支持基板２１６の両面に亘って設けられている。配線パターン２１７は、コンタクトリング２１９の接続ピンと電気的に接続されている。プローブピン２１８は、支持基板２１６の下面側に複数設けられている。プローブピン２１８は、配線パターン２１７と電気的に接続されている。検査装置２００により半導体装置２０８の電気的な検査を行う際、プローブピン２１８は、半導体装置２０８に設けられた半導体集積回路のパッド（図示せず）と接触される。
【００１０】
コンタクトリング２１９は、ヘッドプレート２０５に保持されている。コンタクトリング２１９は、プローブカード２１５とテストヘッド２２１との間において信号の授受が可能なように、電気的信号の中継を行なうためのものである。
【００１１】
テストヘッド２２１は、コンタクトリング２１９上に配置されている。テストヘッド２２１は、コンタクトリング２１９及びテスタ２０２と電気的に接続されている。
【００１２】
テスタ２０２は、テストヘッド２２１と電気的に接続されている。テスタ２０２は、プローバー２０１の制御全般を行う。具体的には、テスタ２０２は、例えば、半導体装置用ステージ２０６及びクリーニングステージ２１１の移動方向及び移動量の制御や、半導体装置用ステージ２０６の上面２０６Ａ及びクリーニングステージ２１１の上面２１１Ａの傾きの制御等を行う。テスタ２０２は、予めテスタ２０２内に格納されたプログラムに従って、プローバー２０１を駆動させて半導体装置２０８の電気的検査を行う。
【００１３】
このような構成とされた従来の検査装置２００は、温度制御手段２０７により半導体装置２０８の温度を所定の温度に保持した状態で、半導体装置２０８の電気的検査を行う。
【００１４】
また、検査装置２００では、検査装置２００の導入時に検査装置２００の製造元が検査装置２００の立ち上げ（検査装置２００に電源等のユーティリティを接続して使用可能な状態とする行為）を行うときにのみ、ダイヤルゲージやデジタルインジケータ等を用いて、半導体装置用ステージ２０６の上面２０６Ａ及びクリーニングステージ２１１の上面２１１Ａの傾きを検出し、半導体装置用ステージ２０６の上面２０６Ａ及びクリーニングステージ２１１の上面２１１Ａが略水平となるように調整を行っていた（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平５−１４４８９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、従来の検査装置２００では、検査装置２００の製造元が検査装置２００の導入時にのみ、半導体装置用ステージ２０６の上面２０６Ａが略水平となるように調整を行っていたため、時間の経過と共に、半導体装置用ステージ２０６の上面２０６Ａに傾きが生じて、半導体装置２０８の電気的検査を精度よく行うことが困難であるという問題があった。
【００１６】
また、従来の検査装置２００では、検査装置２００の製造元が検査装置２００の導入時にのみ、クリーニングステージ２１１の上面２１１Ａが略水平となるように調整を行っていたため、時間の経過と共に、クリーニングステージ２１１の上面２１１Ａが傾いた場合には、複数のプローブピン２１８の先端の削れ量が異なってしまう。これにより、プローブピン２１８と半導体集積回路のパッド（図示せず）との間で接触不良が発生して、半導体装置２０８の電気的検査を精度よく行うことが困難であるという問題があった。
【００１７】
さらに、半導体装置２０８を所定の温度に加熱または冷却して半導体装置２０８の電気的検査を行う場合、熱の影響により常温時の半導体装置用ステージ２０６の上面２０６Ａよりも半導体装置用ステージ２０６の上面２０６Ａの傾きが大きくなってしまう。これにより、プローブピン２１８と半導体集積回路のパッド（図示せず）との間で接触不良が発生して、半導体装置２０８の電気的検査を精度よく行うことが困難であるという問題があった。
【００１８】
また、半導体装置２０８を所定の温度に加熱または冷却して半導体装置２０８の電気的検査を行う場合、半導体装置用ステージ２０６の近傍に配置されたクリーニングステージ２１１に温度勾配が生じて、クリーニングステージ２１１の上面２１１Ａが傾いてしまう。これにより、複数のプローブピン２１８の先端の削れ量が異なってしまうため、プローブピン２１８と半導体集積回路のパッド（図示せず）との間で接触不良が発生して、半導体装置２０８の電気的検査を精度よく行うことが困難であるという問題があった。
【００１９】
そこで、本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、半導体装置の電気的検査を精度良く行うことのできる半導体装置の検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の一観点によれば、半導体装置（２０）を固定すると共に、移動可能な構成とされた半導体装置用ステージ（１７）と、プローブカード（３１）のプローブピン（４９）をクリーニングするクリーニングステージ（２３）と、
前記半導体装置用ステージ（１７）の上面（１７Ａ）及び／または前記クリーニングステージ（２３）の上面（２３Ａ）の所定の場所の鉛直方向の第１の位置に対する前記半導体装置用ステージ（１７）の上面（１７Ａ）及び／または前記クリーニングステージ（２３）の上面（２３Ａ）の他の場所の前記鉛直方向の第２の位置のずれ量を検出するずれ量検出手段（３５）と、を備えた検査装置（１０）を用いた半導体装置（２０）の検査方法であって、前記ずれ量検出手段（３５）により検出された前記ずれ量に基づいて、前記半導体装置用ステージ（１７）の上面（１７Ａ）及び／または前記クリーニングステージ（２３）の上面（２３Ａ）が略水平となるように調整することを特徴とする半導体装置（２０）の検査方法が提供される。
【００２１】
本発明によれば、ずれ量検出手段（３５）により検出されたずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ（１７）の上面（１７Ａ）及び／またはクリーニングステージ（２３）の上面（２３Ａ）が略水平となるように調整することにより、プローブピン（４９）と半導体装置（２０）との間における接触不良がなくなるため、半導体装置（２０）の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００２２】
なお、上記参照符号は、あくまでも参考であり、これによって、本願発明が図示の態様に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００２３】
本発明は、半導体装置の電気的検査を精度良く行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
【００２５】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る検査装置の断面図である。図１において、Ｙ，Ｙ方向は鉛直方向、Ｘ，Ｘ方向は鉛直方向に直交する面方向をそれぞれ示している。
【００２６】
始めに、図１を参照して、半導体装置２０の電気的な検査を行う際に使用する検査装置１０について説明する。検査装置１０は、プローバー１１と、テスタ１２とを有した構成とされている。プローバー１１は、筐体１４と、駆動装置１５，２１と、支持体１６，２２と、半導体装置用ステージ１７と、温度制御手段１８と、クリーニングステージ２３と、クリーニングシート２５と、ヘッドプレート２６と、ホルダー支持体２７と、プローブカードホルダー２８と、プローブカード３１と、コンタクトリング３２と、テストヘッド３３と、ずれ量検出手段３５とを有する。
【００２７】
筐体１４は、駆動装置１５，２１、支持体１６，２２、半導体装置用ステージ１７、クリーニングステージ２３、及びずれ量検出手段３５等を収容するためのものである。筐体１４の上端部は、開放端とされている。
【００２８】
駆動装置１５は、筐体１４の底部に設けられている。駆動装置１５は、支持体１６を介して、半導体装置用ステージ１７をＸ，Ｘ方向及び／又はＹ，Ｙ方向に移動させるための装置である。支持体１６は、駆動装置１５上に設けられている。支持体１６は、半導体装置用ステージ１７を支持するためのものである。
【００２９】
半導体装置用ステージ１７は、支持体１６の上端部に固定されている。半導体装置用ステージ１７は、半導体装置２０を固定するためのものである。半導体装置用ステージ１７は、駆動装置１５により支持体１６が移動させられた際、支持体１６と一体的に移動する。半導体装置２０は、例えば、ＳｉやＧａ−Ａｓ等の材料からなる半導体基板上に複数の半導体集積回路が形成されたものである。半導体集積回路は、半導体装置２０の電気的な検査時にプローブピン４９の先端部が接触するパッド（図示せず）を有する。
【００３０】
温度制御手段１８は、半導体装置用ステージ１７に内蔵されている。温度制御手段１８は、半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxとなるように半導体装置用ステージ１７を加熱又は冷却するためのものである。所定の温度Ｔxとは、半導体装置２０の電気的な検査を行う際の半導体装置２０の温度のことである。温度制御手段１８は、常温よりも高い温度で半導体装置２０を検査する場合には半導体装置用ステージ１７を加熱し、常温よりも低い温度で半導体装置２０を検査する場合には半導体装置用ステージ１７を冷却する。
【００３１】
駆動装置２１は、筐体１４の底部に設けられている。駆動装置２１は、支持体２２を介して、クリーニングステージ２３をＸ，Ｘ方向及び／又はＹ，Ｙ方向に移動させるための装置である。支持体２２は、駆動装置２１上に設けられている。支持体２２は、クリーニングステージ２３を支持するためのものである。
【００３２】
クリーニングステージ２３は、支持体２２の上端部に固定されている。クリーニングステージ２３は、駆動装置２１により支持体２２がＸ，Ｘ方向及び／又はＹ，Ｙ方向に移動させられた際、支持体２２と一体的に移動する。
【００３３】
クリーニングシート２５は、クリーニングステージ２３の上面２３Ａに貼り付けられている。クリーニングシート２５は、プローブピン４９の先端部（半導体集積回路のパッド（図示せず）と接触する部分）を削って、プローブピン４９の先端部をクリーニングするためのシートである。
【００３４】
ヘッドプレート２６は、ヘッドプレート本体３７と、コンタクトリング装着部３８とを有する。ヘッドプレート本体３７は、筐体１４の上端部に設けられている。ヘッドプレート本体３７は、筐体１４に対して開閉可能な構成とされている。コンタクトリング装着部３８は、ヘッドプレート本体３７の中央付近を貫通するようにヘッドプレート本体３７に形成されている。コンタクトリング装着部３８は、コンタクトリング３２をヘッドプレート本体３７に装着するためのものである。また、筐体１４内の空間は、コンタクトリング３２が装着されたヘッドプレート２６が筐体１４の上端部を塞ぐことで密閉される。
【００３５】
ホルダー支持体２７は、ヘッドプレート本体３７の下面３７Ａに設けられている。ホルダー支持体２７は、プローブカードホルダー２８を支持するためのものである。
【００３６】
プローブカードホルダー２８は、ホルダー本体４１と、プローブカード装着部４２とを有する。ホルダー本体４１は、ホルダー支持体２７に支持されている。プローブカード装着部４２は、ホルダー本体４１の中央付近を貫通するようにホルダー本体４１に設けられている。プローブカード装着部４２は、プローブカード３１をホルダー本体４１に装着するためのものである。
【００３７】
プローブカード３１は、プローブカード装着部４２に着脱可能に装着されている。プローブカード３１は、支持基板４７と、配線パターン４８Ａ，４８Ｂと、複数のプローブピン４９とを有する。支持基板４７は、板状とされており、貫通孔５１Ａ，５１Ｂを有する。配線パターン４８Ａは、貫通孔５１Ａを充填すると共に、支持基板４７の両面に亘って設けられている。配線パターン４８Ａは、コンタクトリング３２の接続ピン４４Ａと接触している。配線パターン４８Ｂは、貫通孔５１Ｂを充填すると共に、支持基板４７の両面に亘って設けられている。配線パターン４８Ｂは、コンタクトリング３２の接続ピン４４Ｂと接触している。これにより、プローブカード３１は、テスタ１２、コンタクトリング３２、及びテストヘッド３３と電気的に接続されている。プローブピン４９は、支持基板４７の下面側に設けられている。プローブピン４９は、配線パターン４８Ａまたは配線パターン４８Ｂと接続されている。これにより、プローブピン４９は、配線パターン４８Ａまたは配線パターン４８Ｂと電気的に接続される。
【００３８】
プローブカード３１は、半導体装置２０に設けられた半導体集積回路のパッド（図示せず）に、プローブピン４９の先端部を押し当てて、半導体集積回路のパッド（図示せず）に電気信号を入出力するための検査用治具である。
【００３９】
コンタクトリング３２は、コンタクトリング装着部３８に着脱可能な状態で装着されている。コンタクトリング３２は、コンタクトリング本体４３と、接続ピン４４Ａ，４４Ｂ，４５Ａ，４５Ｂとを有する。コンタクトリング本体４３は、接続ピン４４Ａ，４４Ｂ，４５Ａ，４５Ｂを介して、プローブカード３１及びテストヘッド３３と電気的に接続されている。コンタクトリング本体４３は、プローブカード３１と、テストヘッド３３との間のデータ（信号）の中継をするためのものである。
【００４０】
接続ピン４４Ａ，４４Ｂは、コンタクトリング本体４３の下面側に設けられている。接続ピン４４Ａ，４４Ｂは、コンタクトリング本体４３の下面から突出している。接続ピン４４Ａは、入力用の接続ピンであり、接続ピン４４Ｂは、出力用の接続ピンである。接続ピン４４Ａは、配線パターン４８Ａと接触しており、接続ピン４４Ｂは、配線パターン４８Ｂと接触している。
【００４１】
接続ピン４５Ａ，４５Ｂは、コンタクトリング本体４３の上面側に設けられている。接続ピン４５Ａは、入力用の接続ピンであり、接続ピン４５Ｂは、出力用の接続ピンである。接続ピン４５Ａ，４５Ｂは、コンタクトリング本体４３の上面から突出しており、テストヘッド３３と電気的に接続されている。また、接続ピン４５Ａは接続ピン４４Ａと電気的に接続されており、接続ピン４５Ｂは接続ピン４４Ｂと電気的に接続されている。
【００４２】
テストヘッド３３は、コンタクトリング３２上に設けられており、コンタクトリング３２と電気的に接続されている。テストヘッド３３は、テスタ１２と電気的に接続されている。テストヘッド３３は、テスタ１２から送信される半導体装置２０の検査条件を受信し、コンタクトリング３２を介して、プローブカード３１に受信した検査条件を与えるためのものである。
【００４３】
ずれ量検出手段３５は、筐体１４内に収容されており、テスタ１２と電気的に接続されている。ずれ量検出手段３５は、駆動装置５３と、支持体５４と、測定部５５とを有する。駆動装置５３は、筐体１４の内壁に設けられている。駆動装置５３は、支持体５４をＸ，Ｘ方向及び／またはＹ，Ｙ方向に移動させるための装置である。支持体５４は、一方の端部が駆動装置５３と接続されており、他方の端部が測定部５５と接続されている。支持体５４は、伸縮自在な構成とされている。支持体５４は、測定部５５を支持すると共に、測定部５５を所望の位置に移動させるためのものである。
【００４４】
図２は、第１の実施の形態のずれ量検出手段の測定部を示す図であり、図３は、第１の実施の形態のずれ量検出手段がステージの上面のずれ量を検出している様子を模式的に示した図である。図２及び図３において、図１に示す検査装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４５】
図２を参照するに、測定部５５は、測定部本体５７と、ステム５８と、スピンドル５９と、測定子６１と、測定用針６２とを有する。測定部本体５７は、支持体５４により支持されている。測定部本体５７は、スピンドル５９をＹ，Ｙ方向に移動させる駆動部（図示せず）を内蔵している。ステム５８は、スピンドル５９の一部を収容すると共に、スピンドル５９がＸ，Ｘ方向に移動することを防止するためのものである。スピンドル５９は、その一部がステム５８に収容されている。スピンドル５９は、Ｙ，Ｙ方向に移動可能な構成とされている。測定子６１は、スピンドル５９の一方の端部に設けられている。
【００４６】
測定用針６２は、測定子６１に設けられている。測定用針６２は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの所定の場所（例えば、半導体装置用ステージ１７の場合は上面１７Ａの中心、クリーニングステージ２３の場合は上面２３Ａの中心）の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第１の位置に対する半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの他の場所の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第２の位置のずれ量を検出するためのものである。測定用針６２は、ずれ量を検出する際、ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと接触する（図３参照）。
【００４７】
なお、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの所定の場所の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第１の位置は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの他の場所の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第２の位置を検出する前に、ずれ量検出手段３５により求める。
【００４８】
測定用針６２の直径Ｒ１は、測定子６１の直径よりも小さい。測定用針６２の直径Ｒ１は、例えば、２０μｍ〜５０μｍとすることができる。測定用針６２の材料としては、例えば、ＲｅＷ（レニウムタングステン）やＷを用いることができる。
【００４９】
このように、測定子６１に測定子６１の直径よりも小さい直径Ｒ１を有した測定用針６２を半導体装置用ステージ１７に対して垂直に設けることにより、オーバードライブ量の精度が向上するため、ずれ量を精度よく検出することができる。
【００５０】
なお、測定部５５としては、例えば、ダイヤルゲージやデジタルインジケータの測定子に測定用針６２を設けたものを用いることができる。また、測定部５５としては、検出誤差が２μｍ以下のダイヤルゲージまたはデジタルインジケータを用いるとよい。
【００５１】
上記構成とされたずれ量検出手段３５は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの所定の場所（例えば、半導体装置用ステージ１７の場合は上面１７Ａの中心、クリーニングステージ２３の場合は上面２３Ａの中心）の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第１の位置に対する半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの他の場所（通常、複数の場所）の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第２の位置のずれ量を検出する。ずれ量検出手段３５は、検出した半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量をテスタ１２に送信する。
【００５２】
次に、図１を参照して、テスタ１２について説明する。テスタ１２は、テストヘッド３３と電気的に接続されており、記憶部１２Ａと、制御部１２Ｂとを有する。記憶部１２Ａは、制御部１２Ｂと電気的に接続されている。記憶部１２Ａには、半導体装置２０を検査する際の検査条件、ずれ量検出手段３５が測定する半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及びクリーニングステージ２３の上面２３Ａの所定の場所及び他の場所に関するマップ（測定場所の座標情報）等が格納されている。
【００５３】
制御部１２Ｂは、プローバー１１の制御全般を行う。例えば、駆動装置１５を介して半導体装置用ステージ１７の移動方向及び移動量を制御したり、駆動装置２１を介してクリーニングステージ２３の移動方向及び移動量を制御したり、駆動装置５３を介して測定部５５の移動方向及び移動量を制御したりする。
【００５４】
また、制御部１２Ｂは、ずれ量検出手段３５から送信されるずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの傾きを調整する。
【００５５】
さらに、制御部１２Ｂは、記憶部１２Ａに格納された検査条件に基づいて、プローバー１１を制御して半導体装置２０の電気的検査を行う。
【００５６】
本実施の形態の検査装置によれば、筐体１４の内壁にずれ量検出手段３５を設け、ずれ量検出手段３５から送信される半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａが略水平となるように調整を行うことにより、半導体装置２０の電気的な検査を行う際、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００５７】
また、ずれ量検出手段３５から送信されるクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量に基づいて、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行うことにより、クリーニングシート２５により削られる複数のプローブピン４９の先端部の削れ量を略等しくすることが可能となる。これにより、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００５８】
さらに、半導体装置２０を検査する所定の温度Ｔxに半導体装置用ステージ１７を加熱または冷却した後に、ずれ量検出手段３５により半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量を検出し、この検出したずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａが略水平となるように調整を行うことにより、所定の温度Ｔxに加熱又は冷却された半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００５９】
また、半導体装置２０を検査する所定の温度Ｔxに半導体装置用ステージ１７を加熱または冷却した後に、ずれ量検出手段３５によりクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出し、この検出したずれ量に基づいて、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行うことにより、クリーニングステージ２３が半導体装置用ステージ１７の温度の影響を受けた場合でも、クリーニングシート２５により削られる複数のプローブピン４９の先端部の削れ量を略等しくすることが可能となる。これにより、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００６０】
なお、本実施の形態では、クリーニングステージ２３を備えた検査装置１０を例に挙げて説明したが、クリーニングステージ２３を備えていない検査装置に本実施の形態のずれ量検出手段３５を設けてもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００６１】
また、温度制御手段１８を備えていない検査装置に、本実施の形態のずれ量検出手段３５を設けてもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００６２】
また、本実施の形態では、ずれ量検出手段３５に測定用針６２を設けた場合を例に挙げて説明したが、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａに測定子６１を直接接触させた場合でも、ずれ量を検出することは可能である。
【００６３】
図４は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の検査方法を説明するためのフローチャートの一例を示す図である。
【００６４】
図４を参照して、上記構成とされた検査装置１０を用いて、所定の温度Ｔxに加熱又は冷却された半導体装置２０を検査する場合を例に挙げて、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置２０の検査方法について説明する。
【００６５】
図４に示す処理が起動されると、ＳＴＥＰ７１では、半導体装置２０を検査する温度（所定の温度Ｔx）となるように、温度制御手段１８により半導体装置用ステージ１７を加熱又は冷却する。
【００６６】
続く、ＳＴＥＰ７２では、ずれ量検出手段３５により、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの所定の場所（例えば、半導体装置用ステージ１７の場合は上面１７Ａの中心、クリーニングステージ２３の場合は上面２３Ａの中心）の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第１の位置を基準としたときの、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの他の場所の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第２の位置のずれ量を検出する。ずれ量検出手段３５が検出した半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量、及びクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量はテスタ１２に送信され、処理はＳＴＥＰ７３に進む。なお、ＳＴＥＰ７２では、クリーニングステージ２３の上面２３Ａにクリーニングシート２５を貼り付けた状態で、クリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出する。
【００６７】
ＳＴＥＰ７３では、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａが略水平となるように調整を行うと共に、クリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量に基づいて、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行う。
【００６８】
続く、ＳＴＥＰ７４では、複数のプローブピン４９の先端部をクリーニングシート２５に接触させてプローブピン４９をクリーニングする。
【００６９】
このように、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整した後に、複数のプローブピン４９をクリーニングすることで、クリーニングシート２５により削られる複数のプローブピン４９の先端部の削れ量を略等しくすることが可能となり、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００７０】
次いで、ＳＴＥＰ７５では、半導体装置用ステージ１７上に半導体装置２０を固定する。続く、ＳＴＥＰ７６では、半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxとなるように、温度制御手段１８により半導体装置２０を加熱又は冷却する。
【００７１】
次いで、ＳＴＥＰ７７では、テスタ１２の制御部１２Ｂにより、半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxに到達したか否かの判定が行なわれる。半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxに到達していないと判定された場合（Ｎｏの場合）、処理はＳＴＥＰ７６に戻る。また、半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxに到達したと判定された場合（Ｙｅｓの場合）、処理はＳＴＥＰ７８に進む。
【００７２】
次いで、ＳＴＥＰ７８では、テスタ１２の記憶部１２Ａに記憶された検査条件に基づいて、半導体装置２０の電気的検査を行う。続く、ＳＴＥＰ７９では、半導体装置２０に設けられた全ての半導体集積回路の電気的検査が終了したか否かの判定が行なわれる。半導体装置２０に設けられた全ての半導体集積回路の電気的検査が終了していないと判定された場合（Ｎｏの場合）、処理はＳＴＥＰ７８に戻る。また、半導体装置２０に設けられた全ての半導体集積回路の電気的検査が終了したと判定された場合（Ｙｅｓの場合）、処理は終了する。
【００７３】
本実施の形態に係る半導体装置の検査方法によれば、ずれ量検出手段３５により、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量を検出し、このずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａが略水平となるように調整を行うことにより、半導体装置２０の電気的検査を行う際、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００７４】
また、ずれ量検出手段３５により、クリーニングステージ２３の上面２３Ａを検出し、このずれ量に基づいて、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行うことにより、クリーニングシート２５により削られる複数のプローブピン４９の先端部の削れ量を略等しくすることが可能となる。これにより、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００７５】
さらに、半導体装置２０を検査する所定の温度Ｔxに半導体装置用ステージ１７を加熱または冷却した後に、ずれ量検出手段３５により半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量を検出し、この検出したずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａが略水平となるように調整を行うことにより、所定の温度Ｔxに加熱又は冷却された半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００７６】
また、半導体装置２０を検査する所定の温度Ｔxに半導体装置用ステージ１７を加熱または冷却した後に、ずれ量検出手段３５によりクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出し、この検出したずれ量に基づいて、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行うことにより、クリーニングステージ２３が半導体装置用ステージ１７の温度の影響を受けた場合でも、クリーニングシート２５により削られる複数のプローブピン４９の先端部の削れ量を略等しくすることが可能となる。これにより、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００７７】
なお、本実施の形態の半導体装置の検査方法では、半導体装置２０の電気的検査を行う前に、プローブピン４９のクリーニングを行う場合を例に挙げて説明したが、検査する半導体集積回路の数が多い場合には、ＳＴＥＰ７８とＳＴＥＰ７９の工程において、再度、プローブピン４９のクリーニングを行ってもよい。また、検査装置１０の使用頻度が低い場合には、半導体装置２０の電気的検査を行う前に、必ずプローブピン４９のクリーニングを行う必要はなく、例えば、所定期間（例えば、１ヶ月）経過後にプローブピン４９のクリーニングを行ってもよい。
【００７８】
また、本実施の形態の半導体装置の検査方法では、クリーニングステージ２３を備えた検査装置１０を用いた場合を例に挙げて説明したが、クリーニングステージ２３を備えていない検査装置にずれ量検出手段３５を設けて、半導体装置２０の検査を行ってもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００７９】
さらに、温度制御手段１８を備えていない検査装置にずれ量検出手段３５を設けて、半導体装置２０の検査を行ってもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００８０】
また、本実施例では、制御部１２Ｂによって、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの傾きを調整しているが、ずれ量検出手段３５から送信されるずれ量に基づいて、マニュアル操作で半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの傾きを調整してもよい。
【００８１】
（第２の実施の形態）
図５は、本発明の第２の実施の形態に係る検査装置の断面図である。図５において、第１の実施の形態の検査装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図５では、ずれ量検出手段７２が半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量を検出している状態を模式的に示している。
【００８２】
図５を参照するに、第２の実施の形態の検査装置７０は、テスタ１２と、プローバー７１とを有する。プローバー７１は、第１の実施の形態で説明したプローバー１１（図１参照）に設けられたずれ量検出手段３５の代わりに、ずれ量検出手段７２を設けた以外はプローバー１１と同様に構成される。
【００８３】
図６は、第２の実施の形態のずれ量検出手段の断面図である。
【００８４】
図５及び図６を参照して、ずれ量検出手段７２について説明する。ずれ量検出手段７２は、プローブカード装着部４２に着脱可能に装着されている。ずれ量検出手段７２は、支持基板７３と、入力用端子７５と、出力用端子７６と、支持部材７７，８２と、支持板７８，８３と、金属膜８４と、配線８５，９３と、ばね８７と、測定用針８８と、測定用針位置規制部材９１，９２とを有する。
【００８５】
支持基板７３は、入力用端子７５、出力用端子７６、及び支持部材７７を配設するためのものである。支持基板７３は、板状とされており、その中央付近に凹部９５が形成されている。支持基板７３の厚さＭ１は、例えば、３．２ｍｍとすることができる。
【００８６】
入力用端子７５は、支持基板７３の上面７３Ａに設けられている。入力用端子７５は、コンタクトリング３２の接続ピン４４Ａと接触している。入力用端子７５は、配線８５を介して、支持板８３に設けられた金属膜８４と電気的に接続されている。ずれ量検出手段７２が半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出する際、入力用端子７５には、接続ピン４４Ａを介して、所定の電圧Ｖinが入力される。
【００８７】
出力用端子７６は、支持基板７３の上面７３Ａに設けられている。出力用端子７６は、コンタクトリング３２の接続ピン４４Ｂと接触している。出力用端子７６は、配線９３を介して、導電性を有した測定用針位置規制部材９２と電気的に接続されている。金属膜８４と測定用針位置規制部材９２とが接触している状態において、入力用端子７５に所定の電圧Ｖinが入力された際、出力用端子７６は所定の電圧Ｖinを出力し、その出力結果がテスタ１２に送信される。また、金属膜８４と測定用針位置規制部材９２とが接触していない状態（金属膜８４から測定用針位置規制部材９２が離間した状態）において、入力用端子７５に所定の電圧Ｖinが入力された際、出力用端子７６から電圧は出力されない。
【００８８】
支持部材７７は、その一方の端部が支持基板７３の下面７３Ｂと接続されており、他方の端部が支持板７８の上面７８Ａと接続されている。支持部材７７は、支持板７８を支持するための部材である。支持部材７７の材料としては、例えば、セラミックを用いることができる。また、支持基板７７の厚さＭ２は、例えば、１ｍｍとすることができる。
【００８９】
支持板７８は、支持部材７７と支持部材８３との間に配置されており、支持部材７７，８２と接続されている。支持板７８は、その中心付近に貫通孔８１を有する。貫通孔８１は、測定用針８８を挿入するためのものである。凹部９５の底面９５Ａから支持板７８の上面７８Ａまでの距離Ｄ１は、例えば、３ｍｍとすることができる。
【００９０】
支持部材８２は、その一方の端部が支持板７８の下面７８Ｂと接続されており、他方の端部が支持板８３の上面８３Ａと接続されている。支持部材８２は、支持板８３を支持するための部材である。支持基板８２の高さＨ１は、例えば、２ｍｍとすることができる。
【００９１】
支持板８３は、支持板７８の下方に設けられている。支持板８３の上面８３Ａは、支持部材８２と接続されている。支持板８３は、その中央付近に貫通孔８３Ｂを有する。貫通孔８３Ｂは、測定用針８８を挿入するためのものである。支持板８３の厚さＭ３は、例えば、１ｍｍとすることができる。
【００９２】
金属膜８４は、貫通孔８３Ｂの側壁を覆うと共に支持板８３の両面８３Ａ，８３Ｂに亘って設けられている。金属膜８４は、配線８５を介して、入力用端子７５と電気的に接続されている。金属膜８４は、例えば、めっき法により形成することができる。
【００９３】
配線８５は、一方の端部が入力用端子７５と接続されており、他方の端部が金属膜８４と接続されている。配線８５は、入力用端子７５と金属膜８４とを電気的に接続するためのものである。
【００９４】
ばね８７は、凹部９５の底面９５Ａと測定用針８８との間に設けられている。ばね８７の一方の端部は、凹部９５の底面９５Ａと接続されており、他方の端部は測定用針８８の端部と接続されている。ばね８７は、測定用針８８を下方に押圧するためのものである。
【００９５】
測定用針８８は、針本体８８Ａと、接触部８８Ｂとを有する。針本体８８Ａは、貫通孔８１，８３Ｂを通過するように配設されている。針本体８８Ａの上端部は、ばね８７と接続されている。接触部８８Ｂは、針本体８８Ａの下端部に設けられている。接触部８８Ｂは、針本体８８Ａよりも直径の小さい棒状とされている。接触部８８Ｂは、ずれ量検出手段７２が半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出するときに、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと直接接触する部分である。接触部８８Ｂの直径Ｒ２は、例えば、２０μｍ〜５０μｍとすることができる。接触部８８Ｂの材料としては、例えば、ＲｅＷ（レニウムタングステン）やＷを用いることができる。
【００９６】
このように、針本体８８Ａに針本体８８Ａの直径よりも小さい直径Ｒ２を有した接触部８８Ｂを半導体装置用ステージ１７に対して垂直に設けることにより、オーバードライブ量の精度が向上するため、ずれ量を精度よく検出することができる。
【００９７】
上記構成とされた測定用針８８は、接触部８８Ｂが半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａまたはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと接触した後に、上方に移動する。
【００９８】
測定用針位置規制部材９１は、ばね８７と接続された側の針本体８８Ａに設けられている。測定用針位置規制部材９１は、支持基板７３の下面７３Ａから接触部８８Ｂの先端までの距離Ｄ２を決定するための部材である。距離Ｄ２は、例えば、６ｍｍとすることができる。測定用針位置規制部材９１の材料としては、例えば、セラミックを用いることができる。
【００９９】
測定用針位置規制部材９２は、接触部８８Ｂが設けられた側の針本体８８Ａに設けられている。測定用針位置規制部材９２は、支持板７８と支持板８３との間に配置されている。測定用針位置規制部材９２は、測定用針８８がＹ，Ｙ方向に移動した際、測定用針８８と一体的に移動する。測定用針位置規制部材９２は、導電性を有する。測定用針位置規制部材９２は、配線９３と接続されており、配線９３を介して、出力用端子７６と電気的に接続されている。
【０１００】
測定用針位置規制部材９２は、入力用端子７５に入力された所定の電圧Ｖinを出力用端子７６に出力するか否かを切り換える切換スイッチのような機能を有する。測定用針位置規制部材９２と金属膜８４とが接触した状態では、入力用端子７５に入力された所定の電圧Ｖinが出力用端子７６に出力され、測定用針位置規制部材９２と金属膜８４とが離間した状態では、入力用端子７５に入力された所定の電圧Ｖinは出力用端子７６に出力されない。このように、ずれ量検出手段７２は、出力用端子７６から入力用端子７５に入力された所定の電圧Ｖinが出力されるか否かで、接触部８８Ｂが半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａまたはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと接触したか否かを判定する。
【０１０１】
配線９３は、一方の端部が出力用端子７６と接続されており、他方の端部が測定用針位置規制部材９２と接続されている。配線９３は、出力用端子７６と測定用針位置規制部材９２とを電気的に接続するためのものである。
【０１０２】
このような構成とされたずれ量検出手段７２は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの所定の場所（例えば、半導体装置用ステージ１７の場合は上面１７Ａの中心、クリーニングステージ２３の場合は上面２３Ａの中心）の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第１の位置に対する半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの他の場所（通常、複数）の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第２の位置のずれ量を検出する。ずれ量検出手段７２は、検出した半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量をテスタ１２に送信する。
【０１０３】
テスタ１２は、ずれ量検出手段７２から送信された半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行う。
【０１０４】
上記構成とされたずれ量検出手段７２を備えた第２の実施の形態の検査装置７０においても、第１の実施の形態の検査装置１０と同様な効果を得ることができる。具体的には、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１０５】
なお、本実施の形態では、クリーニングステージ２３を備えた検査装置７０を例に挙げて説明したが、クリーニングステージ２３を備えていない検査装置に本実施の形態のずれ量検出手段７２を設けてもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１０６】
また、温度制御手段１８を備えていない検査装置に本実施の形態のずれ量検出手段７２を設けてもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１０７】
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の検査方法を説明するためのフローチャートの一例を示す図である。
【０１０８】
図７を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の検査方法を説明する。なお、本実施の形態では第２の実施の形態の検査装置７０を用いて、所定の温度Ｔxに加熱又は冷却された半導体装置２０の電気的検査を行う場合を例に挙げて以下の説明を行う。
【０１０９】
図７に示す処理が起動されると、ＳＴＥＰ１０１では、半導体装置２０を検査する温度（所定の温度Ｔx）となるように、温度制御手段１８により半導体装置用ステージ１７を加熱又は冷却する。
【０１１０】
続く、ＳＴＥＰ１０２では、ずれ量検出手段７２により、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量、及びクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出する。
【０１１１】
具体的には、例えば、始めに、金属膜８４と測定用針位置規制部材９２とは接触している状態（図６に示す状態）で、入力用端子７５に所定の電圧Ｖinとして５Ｖの電圧を印加する。このとき、金属膜８４と測定用針位置規制部材９２とが接触しているため、出力用端子７６から５Ｖの電圧が出力される。次いで、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａの所定の場所の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第１の位置を基準位置とし、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａの他の場所において、基準位置から鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）に±５０μｍの移動範囲で、鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）に半導体装置用ステージ１７を１μｍ刻みで移動させる。
【０１１２】
そして、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａと接触部８８Ｂとが接触すると、測定用針８８が上方に移動させられて、測定用針位置規制部材９２が金属膜８４から離間して、出力用端子７６から５Ｖの電圧が出力されなくなる。この出力用端子７６から５Ｖの電圧が出力されなくなったときの半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａの他の場所の鉛直方向の第２の位置と、基準位置（第１の位置）とから半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａの基準位置（第１の位置）に対するずれ量を検出する。クリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量についても、同様な手法により検出する。
【０１１３】
ずれ量検出手段７２は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量及びクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出した際、その検出したずれ量をテスタ１２に送信し、処理はＳＴＥＰ１０３に進む。
【０１１４】
なお、ＳＴＥＰ１０２では、クリーニングステージ２３の上面２３Ａにクリーニングシート２５を貼り付けた状態で、クリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出する。
【０１１５】
次いで、ＳＴＥＰ１０３では、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａが略水平となるように調整を行うと共に、クリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量に基づいて、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行う。その後、処理は、ＳＴＥＰ１０４へと進む。
【０１１６】
ＳＴＥＰ１０４では、プローブカードホルダー２８に装着されたずれ量検出手段７２を取り外して、プローブカードホルダー２８に第１の実施の形態で説明したプローブカード３１（図１参照）を装着する。
【０１１７】
続く、ＳＴＥＰ１０５では、複数のプローブピン４９の先端部をクリーニングシート２５に接触させてプローブピン４９をクリーニングする。
【０１１８】
このように、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整した後に、複数のプローブピン４９をクリーニングすることで、クリーニングシート２５により削られる複数のプローブピン４９の先端部の削れ量を略等しくすることが可能となる。これにより、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１１９】
次いで、ＳＴＥＰ１０６では、半導体装置用ステージ１７上に検査したい半導体装置２０を固定する。続く、ＳＴＥＰ１０７では、半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxとなるように、温度制御手段１８により半導体装置２０を加熱又は冷却する。
【０１２０】
次いで、ＳＴＥＰ１０８では、テスタ１２の制御部１２Ｂにより、半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxに到達したか否かの判定が行なわれる。半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxに到達していないと判定された場合（Ｎｏの場合）、処理はＳＴＥＰ１０７に戻る。また、半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxに到達したと判定された場合（Ｙｅｓの場合）、処理はＳＴＥＰ１０９に進む。
【０１２１】
ＳＴＥＰ１０９では、テスタ１２の記憶部１２Ａに記憶された検査条件に基づいて、半導体装置２０の電気的検査を行う。続く、ＳＴＥＰ１１０では、半導体装置２０に設けられた全ての半導体集積回路の電気的検査が終了したか否かの判定が行なわれる。半導体装置２０に設けられた全ての半導体集積回路の電気的検査が終了していないと判定された場合（Ｎｏの場合）、処理はＳＴＥＰ１０９に戻る。また、半導体装置２０に設けられた全ての半導体集積回路の電気的検査が終了したと判定された場合（Ｙｅｓの場合）、処理は終了する。
【０１２２】
本実施の形態に係る半導体装置の検査方法によれば、ずれ量検出手段７２により、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量を検出し、このずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａが略水平となるように調整を行うことにより、半導体装置２０の電気的検査を行う際、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１２３】
また、ずれ量検出手段７２により、クリーニングステージ２３の上面２３Ａを検出し、このずれ量に基づいて、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行うことにより、クリーニングシート２５により削られる複数のプローブピン４９の先端部の削れ量を略等しくすることが可能となる。これにより、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１２４】
さらに、半導体装置２０を検査する所定の温度Ｔxに半導体装置用ステージ１７を加熱または冷却した後に、ずれ量検出手段７２により半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量を検出し、この検出したずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａが略水平となるように調整を行うことにより、所定の温度Ｔxに加熱又は冷却された半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１２５】
また、半導体装置２０を検査する所定の温度Ｔxに半導体装置用ステージ１７を加熱または冷却した後に、ずれ量検出手段７２によりクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出し、この検出したずれ量に基づいて、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行うことにより、クリーニングステージ２３が半導体装置用ステージ１７の温度の影響を受けた場合でも、クリーニングシート２５により削られる複数のプローブピン４９の先端部の削れ量を略等しくすることが可能となる。これにより、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１２６】
なお、本実施の形態の半導体装置の検査方法では、半導体装置２０の電気的検査を行う前に、プローブピン４９のクリーニングを行う場合を例に挙げて説明したが、検査する半導体集積回路の数が多い場合には、ＳＴＥＰ１０９とＳＴＥＰ１１０の工程において、再度、プローブピン４９のクリーニングを行ってもよい。また、検査装置７０の使用頻度が低い場合には、半導体装置２０の電気的検査を行う前に、必ずプローブピン４９のクリーニングを行う必要はなく、例えば、所定期間（例えば、１ヶ月）経過後にプローブピン４９のクリーニングを行ってもよい。
【０１２７】
また、本実施の形態の半導体装置の検査方法では、クリーニングステージ２３を備えた検査装置７０を用いた場合を例に挙げて説明したが、クリーニングステージ２３を備えていない検査装置に本実施の形態のずれ量検出手段７２を設けて、半導体装置２０の検査を行ってもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１２８】
さらに、温度制御手段１８を備えていない検査装置に本実施の形態のずれ量検出手段７２を設けて、半導体装置２０の検査を行ってもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１２９】
また、本実施例では、テスタ１２によって、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの傾きを調整しているが、ずれ量検出手段７５から送信されるずれ量に基づいて、マニュアル操作で半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの傾きを調整してもよい。
【０１３０】
（第３の実施の形態）
図８は、本発明の第３の実施の形態に係る検査装置の断面図である。図８において、第２の実施の形態の検査装置７０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図８では、ずれ量検出手段１２２が半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量を検出している状態を模式的に示している。
【０１３１】
図８を参照するに、第３の実施の形態の検査装置１２０は、テスタ１２と、プローバー１２１とを有する。プローバー１２１は、第２の実施の形態で説明したずれ量検出手段７２の代わりに、ずれ量検出手段１２２を設けた以外は第２の実施の形態のプローバー７１と同様に構成される。
【０１３２】
図９は、第３の実施の形態のずれ量検出手段の断面図であり、図１０は、第３の実施の形態のずれ量検出手段の平面図である。また、図１１は、ステージの上面またはクリーニングステージの上面と測定用針とが接触した後のずれ量検出手段を模式的に示した図である。図９〜図１１において、第２の実施の形態で説明したずれ量検出手段７２と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１３３】
図９及び図１０を参照して、ずれ量検出手段１２２について説明する。ずれ量検出手段１２２は、プローブカード装着部４２に着脱可能に装着されている（図８参照）。ずれ量検出手段１２２は、支持基板１２３と、入力用端子７５と、出力用端子７６と、支持部材７７，８２と、支持板７８，８３と、測定用針８８と、第１の可撓性部材１２６と、配線１２７，１３２と、第２の可撓性部材１２９と、発光ダイオード１３１と、測定用針位置規制部材１３５，１３６とを有する。
【０１３４】
支持基板１２３は、入力用端子７５、出力用端子７６、及び支持部材７７等を配設するためのものである。支持基板１２３は、板状とされており、その中央付近に貫通部１２４を有する。貫通部１２４は、第１及び第２の可撓性部材１２６，１２９を配置するための空間である。支持基板１２３の厚さＭ４は、例えば、３．２ｍｍとすることができる。
【０１３５】
入力用端子７５は、支持基板１２３の上面１２３Ａに設けられている。入力用端子７５は、導電性を有した測定用針位置規制部材１３５と電気的に接続されている。入力用端子７５は、コンタクトリング３２の接続ピン４４Ａと接触している（図８参照）。ずれ量検出手段１２２が半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出する際、入力用端子７５には、接続ピン４４Ａを介して、所定の電圧Ｖinが入力される。
【０１３６】
出力用端子７６は、支持基板１２３の上面１２３Ａに設けられている。出力用端子７６は、コンタクトリング３２の接続ピン４４Ｂと接触している（図８参照）。出力用端子７６は、第２の可撓性部材１２９及び発光ダイオード１３１と電気的に接続されている。出力用端子７６は、第１の可撓性部材１２６と第２の可撓性部材１２９とが接触している状態において、入力用端子７５に所定の電圧Ｖinが印加されたときに、所定の電圧Ｖinを出力する。この出力結果は、テスタ１２に送信される。また、第１の可撓性部材１２６と第２の可撓性部材１２９とが離間している状態において、入力用端子７５に所定の電圧Ｖinが印加されたときには、出力用端子７６に電圧は出力されない。
【０１３７】
支持部材７７は、その一方の端部が支持基板１２３の下面１２３Ｂと接続されており、他方の端部が支持板７８の上面７８Ａと接続されている。支持部材７７の厚さＭ２は、例えば、１ｍｍとすることができる。
【０１３８】
支持板７８は、支持部材７７と支持部材８３との間に配置されており、支持部材７７，８２と接続されている。支持板７８は、その中心付近に貫通孔８１を有する。
【０１３９】
支持部材８２は、その一方の端部が支持板７８の下面７８Ｂと接続されており、他方の端部が支持板８３の上面８３Ａと接続されている。支持基板８２の高さＨ１は、例えば、２ｍｍとすることができる。
【０１４０】
支持板８３は、支持板７８の下方に設けられている。支持板８３の上面８３Ａは、支持部材８２と接続されている。支持板８３は、その中央付近に貫通孔８３Ｂを有する。支持板８３の厚さＭ３は、例えば、１ｍｍとすることができる。
【０１４１】
測定用針８８は、針本体８８Ａと、接触部８８Ｂとを有する。針本体８８Ａは、貫通孔８１，８４Ａを通過するように配設されている。針本体８８Ａの上端部は、測定用針位置規制部材１３５と接続されている。接触部８８Ｂは、針本体８８Ａの下端部に設けられている。接触部８８Ｂは、ずれ量検出手段１２２が半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出するときに、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと直接接触する部分である。接触部８８Ｂの直径Ｒ２は、例えば、２０μｍ〜５０μｍとすることができる。接触部８８Ｂの材料としては、例えば、ＲｅＷ（レニウムタングステン）やＷを用いることができる。
【０１４２】
このように、針本体８８Ａに針本体８８Ａの直径よりも小さい直径Ｒ２を有した接触部８８Ｂを半導体装置用ステージ１７に対して垂直に設けることにより、オーバードライブ量の精度が向上するため、ずれ量を精度よく検出することができる。
【０１４３】
上記構成とされた測定用針８８は、接触部８８Ｂが半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａまたはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと接触した後に、上方に移動する。
【０１４４】
第１の可撓性部材１２６は、一方の端部が支持基板１２３の上面１２３Ａに固定されており、他方の端部が測定用針位置規制部材１３５に固定されている。第１の可撓性部材１２６は、第２の可撓性部材１２９の上方に配置されている。第１の可撓性部材１２６は、可撓性を有した部材である。第１の可撓性部材１２６は、測定用針８８がＹ，Ｙ方向に移動させられた際、測定用針８８と一体的に移動する。第１の可撓性部材１２６は、導電性を有する。第１の可撓性部材１２６は、配線１２７を介して、入力用端子７５と電気的に接続されている。
【０１４５】
測定用針位置規制部材１３５が支持板７８と接触している状態（図９に示す状態）において、第１の可撓性部材１２６は、第２の可撓性部材１２９と接触すると共に、第２の可撓性部材１２９と電気的に接続される。また、測定用針位置規制部材１３５が支持板７８の上方に離間した場合、第１の可撓性部材１２６は第２の可撓性部材１２９から離間（図１１に示す状態）し、第１の可撓性部材１２６と第２の可撓性部材１２９との間は絶縁される。
【０１４６】
このように、第１の可撓性部材１２６は、入力用端子７５に入力された所定の電圧Ｖinを、第２の可撓性部材１２９に印加するか否かを選択するスイッチとしての機能を奏する。
【０１４７】
配線１２７は、支持基板１２３の上面１２３Ａに設けられている。配線１２７は、その一方の端部が入力用端子７５と接続されており、他方の端部が第１の可撓性部材１２６と接続されている。
【０１４８】
第２の可撓性部材１２９は、その一方の端部が出力用端子７６と接続されており、他方の端部が第１の可撓性部材１２６の下方に配置されている。第２の可撓性部材１２９は、可撓性を有した部材であり、導電性を有する。第２の可撓性部材１２９は、配線１３２を介して、発光ダイオード１３１と電気的に接続されている。
【０１４９】
発光ダイオード１３１は、支持基板１２３の上面１２３Ａに設けられている。発光ダイオード１３１は、配線１３２を介して、出力用端子７６と電気的に接続されている。発光ダイオード１３１は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａまたはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと接触部８８Ｂとが離間している状態、つまり、第１の可撓性部材１２６と第２の可撓性部材１２９とが接触して、所定の電圧Ｖinが発光ダイオード１３１に印加されたときに発光する。また、発光ダイオード１３１は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａまたはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと接触部８８Ｂとが接触した状態、つまり、第１の可撓性部材１２６と第２の可撓性部材１２９とが離間した場合には発光しない。
【０１５０】
このように、ずれ量検出手段１２２に発光ダイオード１３１を設けることにより、作業者は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａまたはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと接触部８８Ｂとが接触したことを目視で認識することができる。
【０１５１】
配線１３２は、支持基板１２３の上面１２３Ａに設けられている。配線１３２は、出力用端子７６と発光ダイオード１３１とを電気的に接続している。
【０１５２】
測定用針位置規制部材１３５は、針本体８８Ａの上端部に設けられている。測定用針位置規制部材１３５の上部には、第１の可撓性部材１２６が接続されている。測定用針位置規制部材１３５は、針本体８８ＡがＹ，Ｙ方向に移動した際、針本体８８Ａと一体的に移動する。また、支持板７８と測定用針位置規制部材１３５とが接触した状態（図９に示す状態）から測定用針位置規制部材１３５が上方に移動する（図１１に示す状態）ことで、第１の可撓性部材１２６が第２の可撓性部材１２９から離間するため、第１の可撓性部材１２６と第２の可撓性部材１２９との間が絶縁される。また、測定用針位置規制部材１３５は、支持基板１２３の下面１２３Ｂから接触部８８Ｂの先端までの距離Ｄ２を規定しており、距離Ｄ２は、例えば、６ｍｍとすることができる。
【０１５３】
測定用針位置規制部材１３６は、接触部８８Ｂが設けられた側の針本体８８Ａに設けられている。測定用針位置規制部材１３６は、支持板７８と支持板８３と間に配置されている。測定用針位置規制部材１３６は、測定用針８８がＹ，Ｙ方向に移動した際、測定用針８８と一体的に移動する。
【０１５４】
このような構成とされたずれ量検出手段１２２は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの所定の場所（例えば、半導体装置用ステージ１７の場合は上面１７Ａの中心、クリーニングステージ２３の場合は上面２３Ａの中心）の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第１の位置に対する半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの他の場所（通常、複数の場所）の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第２の位置のずれ量を検出する。ずれ量検出手段１２２は、検出した半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量をテスタ１２に送信する。
【０１５５】
テスタ１２は、ずれ量検出手段１２２から送信されたずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行う。
【０１５６】
上記構成とされたずれ量検出手段１２２を備えた検査装置１２０においても、第１の実施の形態の検査装置１０と同様な効果を得ることができる。具体的には、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１５７】
なお、本実施の形態では、クリーニングステージ２３を備えた検査装置１２０を例に挙げて説明したが、クリーニングステージ２３を備えていない検査装置に本実施の形態のずれ量検出手段１２２を設けてもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１５８】
また、温度制御手段１８を備えていない検査装置に本実施の形態のずれ量検出手段１２２を設けてもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１５９】
また、上記説明した検査装置１２０を用いて、所定の温度Ｔxに加熱又は冷却した半導体装置２０を検査する場合、第２の実施の形態で説明した図７に示すフローと同様な手法により行うことができ、第２の実施の形態の半導体装置２０の検査方法と同様な効果を得ることができる。
【０１６０】
また、本実施の形態では、ずれ量検出手段１２２に発光ダイオード１３１を設けた場合を例に挙げて説明したが、発光ダイオード１３１を備えていないずれ量検出手段１２２においても同様な効果を得ることができる。
【０１６１】
また、本実施例では、テスタ１２によって、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの傾きを調整しているが、ずれ量検出手段１２２から送信されるずれ量に基づいて、マニュアル操作で半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの傾きを調整してもよい
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１６２】
本発明は、半導体装置を固定すると共に、移動可能な構成とされた半導体装置用ステージと、プローブピンをクリーニングするクリーニングステージとを備えた検査装置を用いた半導体装置の検査方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る検査装置の断面図である。
【図２】第１の実施の形態のずれ量検出手段の測定部を示す図である。
【図３】第１の実施の形態のずれ量検出手段がステージの上面のずれ量を検出している様子を模式的に示した図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の検査方法を説明するためのフローチャートの一例を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る検査装置の断面図である。
【図６】第２の実施の形態のずれ量検出手段の断面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の検査方法を説明するためのフローチャートの一例を示す図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る検査装置の断面図である。
【図９】第３の実施の形態のずれ量検出手段の断面図である。
【図１０】第３の実施の形態のずれ量検出手段の平面図である。
【図１１】ステージの上面またはクリーニングステージの上面と測定用針とが接触した後のずれ量検出手段を模式的に示した図である。
【図１２】従来の検査装置の断面図である。
【符号の説明】
【０１６４】
１０，７０，１２０ 検査装置
１１，７１，１２１ プローバー
１２ テスタ
１２Ａ 記憶部
１２Ｂ 制御部
１４ 筐体
１５，２１，５３ 駆動装置
１６，２２，５４ 支持体
１７ 半導体装置用ステージ
１７Ａ，２３Ａ，７３Ａ，７８Ａ，８３Ａ，１２３Ａ 上面
１８ 温度制御手段
２３ クリーニングステージ
２５ クリーニングシート
２６ ヘッドプレート
２７ ホルダー支持体
２８ プローブカードホルダー
３１ プローブカード
３２ コンタクトリング
３３ テストヘッド
３５，７２，１２２ ずれ量検出手段
３７ ヘッドプレート本体
３７Ａ，７３Ｂ，７８Ｂ，１３２Ｂ 下面
３８ コンタクトリング装着部
４１ ホルダー本体
４２ プローブカード装着部
４３ コンタクトリング本体
４４Ａ，４４Ｂ，４５Ａ，４５Ｂ 接続ピン
４７，７３ 支持基板
４８Ａ，４８Ｂ 配線パターン
４９ プローブピン
５１Ａ，５１Ｂ，８１，８３Ｂ 貫通孔
５５ 測定部
５７ 測定部本体
５８ ステム
５９ スピンドル
６１ 測定子
６２ 測定用針
７５ 入力用端子
７６ 出力用端子
７７，８２ 支持部材
７８，８３ 支持板
８４ 金属膜
８５，９３，１２７，１３２ 配線
８８ 測定用針
８８Ａ 針本体
８８Ｂ 接触部
８７ ばね
９１，９２，１３５，１３６ 測定用針位置規制部材
９５ 凹部
９５Ａ 底面
１２４ 貫通部
１２６ 第１の可撓性部材
１２９ 第２の可撓性部材
１３１ 発光ダイオード
Ｄ１，Ｄ２ 距離
Ｈ１ 高さ
Ｍ１〜Ｍ４ 厚さ
Ｒ１，Ｒ２ 直径
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の検査方法に係り、特に半導体装置を固定すると共に、移動可能な構成とされた半導体装置用ステージと、プローブピンをクリーニングするクリーニングステージとを備えた検査装置を用いた半導体装置の検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１２は、従来の検査装置の断面図である。図１２において、Ｙ１，Ｙ１方向は鉛直方向、Ｘ１，Ｘ１方向は鉛直方向と直交する面方向をそれぞれ示している。
【０００３】
図１２を参照するに、従来の検査装置２００は、プローバー２０１と、テスタ２０２とを有する。プローバー２０１は、筐体２０４と、ヘッドプレート２０５と、半導体装置用ステージ２０６と、温度制御手段２０７と、支持体２０９と、クリーニングステージ２１１と、クリーニングシート２１２と、プローブカードホルダー２１３と、プローブカード２１５と、コンタクトリング２１９と、テストヘッド２２１とを有する。
【０００４】
筐体２０４は、半導体装置用ステージ２０６やクリーニングステージ２１１等を収容するためのものである。筐体２０４の上端部は、開放端とされている。ヘッドプレート２０５は、筐体２０４に対して開閉可能な状態で筐体２０４の上端部に設けられている。ヘッドプレート２０５は、コンタクトリング２１９を保持するためのものである。
【０００５】
半導体装置用ステージ２０６は、半導体装置２０８（半導体基板上に複数の半導体集積回路が形成されたもの）を固定するためのものである。半導体装置用ステージ２０６は、Ｘ１，Ｘ１方向及びＹ１，Ｙ１方向に移動可能な構成とされている。温度制御手段２０７は、半導体装置用ステージ２０６に内蔵されている。温度制御手段２０７は、半導体装置用ステージ２０６を介して、半導体装置２０８を所定の温度に加熱または冷却するためのものである。
【０００６】
支持体２０９は、Ｘ１，Ｘ１方向及びＹ１，Ｙ１方向に移動可能な構成とされている。支持体２０９は、クリーニングステージ２１１を支持するためのものである。クリーニングステージ２１１は、支持体２０９の上端部に固定されている。クリーニングステージ２１１は、半導体装置用ステージ２０６の近傍に配置されている。クリーニングステージ２１１は、支持体２０９がＸ１，Ｘ１方向及び／またはＹ１，Ｙ１方向に移動した際、支持体２０９と一体的に移動する。
【０００７】
クリーニングシート２１２は、クリーニングステージ２１１の上面２１１Ａに設けられている。クリーニングシート２１２は、プローブピン２１８の先端（半導体装置２０８と接触する部分）を削ってプローブピン２１８のクリーニングを行うためのものである。プローブカードホルダー２１３は、ヘッドプレート２０５の下方に設けられている。プローブカードホルダー２１３は、プローブカード２１５を保持するためのものである。
【０００８】
プローブカード２１５は、プローブカードホルダー２１３に着脱可能に装着されている。プローブカード２１５は、コンタクトリング２１９の下方に配置されている。プローブカード２１５は、支持基板２１６と、配線パターン２１７と、プローブピン２１８とを有する。
【０００９】
支持基板２１６は、板状とされており、配線パターン２１７及びプローブピン２１８を配設するためのものである。配線パターン２１７は、支持基板２１６を貫通すると共に、支持基板２１６の両面に亘って設けられている。配線パターン２１７は、コンタクトリング２１９の接続ピンと電気的に接続されている。プローブピン２１８は、支持基板２１６の下面側に複数設けられている。プローブピン２１８は、配線パターン２１７と電気的に接続されている。検査装置２００により半導体装置２０８の電気的な検査を行う際、プローブピン２１８は、半導体装置２０８に設けられた半導体集積回路のパッド（図示せず）と接触される。
【００１０】
コンタクトリング２１９は、ヘッドプレート２０５に保持されている。コンタクトリング２１９は、プローブカード２１５とテストヘッド２２１との間において信号の授受が可能なように、電気的信号の中継を行なうためのものである。
【００１１】
テストヘッド２２１は、コンタクトリング２１９上に配置されている。テストヘッド２２１は、コンタクトリング２１９及びテスタ２０２と電気的に接続されている。
【００１２】
テスタ２０２は、テストヘッド２２１と電気的に接続されている。テスタ２０２は、プローバー２０１の制御全般を行う。具体的には、テスタ２０２は、例えば、半導体装置用ステージ２０６及びクリーニングステージ２１１の移動方向及び移動量の制御や、半導体装置用ステージ２０６の上面２０６Ａ及びクリーニングステージ２１１の上面２１１Ａの傾きの制御等を行う。テスタ２０２は、予めテスタ２０２内に格納されたプログラムに従って、プローバー２０１を駆動させて半導体装置２０８の電気的検査を行う。
【００１３】
このような構成とされた従来の検査装置２００は、温度制御手段２０７により半導体装置２０８の温度を所定の温度に保持した状態で、半導体装置２０８の電気的検査を行う。
【００１４】
また、検査装置２００では、検査装置２００の導入時に検査装置２００の製造元が検査装置２００の立ち上げ（検査装置２００に電源等のユーティリティを接続して使用可能な状態とする行為）を行うときにのみ、ダイヤルゲージやデジタルインジケータ等を用いて、半導体装置用ステージ２０６の上面２０６Ａ及びクリーニングステージ２１１の上面２１１Ａの傾きを検出し、半導体装置用ステージ２０６の上面２０６Ａ及びクリーニングステージ２１１の上面２１１Ａが略水平となるように調整を行っていた（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平５−１４４８９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、従来の検査装置２００では、検査装置２００の製造元が検査装置２００の導入時にのみ、半導体装置用ステージ２０６の上面２０６Ａが略水平となるように調整を行っていたため、時間の経過と共に、半導体装置用ステージ２０６の上面２０６Ａに傾きが生じて、半導体装置２０８の電気的検査を精度よく行うことが困難であるという問題があった。
【００１６】
また、従来の検査装置２００では、検査装置２００の製造元が検査装置２００の導入時にのみ、クリーニングステージ２１１の上面２１１Ａが略水平となるように調整を行っていたため、時間の経過と共に、クリーニングステージ２１１の上面２１１Ａが傾いた場合には、複数のプローブピン２１８の先端の削れ量が異なってしまう。これにより、プローブピン２１８と半導体集積回路のパッド（図示せず）との間で接触不良が発生して、半導体装置２０８の電気的検査を精度よく行うことが困難であるという問題があった。
【００１７】
さらに、半導体装置２０８を所定の温度に加熱または冷却して半導体装置２０８の電気的検査を行う場合、熱の影響により常温時の半導体装置用ステージ２０６の上面２０６Ａよりも半導体装置用ステージ２０６の上面２０６Ａの傾きが大きくなってしまう。これにより、プローブピン２１８と半導体集積回路のパッド（図示せず）との間で接触不良が発生して、半導体装置２０８の電気的検査を精度よく行うことが困難であるという問題があった。
【００１８】
また、半導体装置２０８を所定の温度に加熱または冷却して半導体装置２０８の電気的検査を行う場合、半導体装置用ステージ２０６の近傍に配置されたクリーニングステージ２１１に温度勾配が生じて、クリーニングステージ２１１の上面２１１Ａが傾いてしまう。これにより、複数のプローブピン２１８の先端の削れ量が異なってしまうため、プローブピン２１８と半導体集積回路のパッド（図示せず）との間で接触不良が発生して、半導体装置２０８の電気的検査を精度よく行うことが困難であるという問題があった。
【００１９】
そこで、本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、半導体装置の電気的検査を精度良く行うことのできる半導体装置の検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の一観点によれば、半導体装置（２０）を固定すると共に、移動可能な構成とされた半導体装置用ステージ（１７）と、プローブカード（３１）のプローブピン（４９）をクリーニングするクリーニングステージ（２３）と、
前記半導体装置用ステージ（１７）の上面（１７Ａ）及び／または前記クリーニングステージ（２３）の上面（２３Ａ）の所定の場所の鉛直方向の第１の位置に対する前記半導体装置用ステージ（１７）の上面（１７Ａ）及び／または前記クリーニングステージ（２３）の上面（２３Ａ）の他の場所の前記鉛直方向の第２の位置のずれ量を検出するずれ量検出手段（３５）と、を備えた検査装置（１０）を用いた半導体装置（２０）の検査方法であって、前記ずれ量検出手段（３５）により検出された前記ずれ量に基づいて、前記半導体装置用ステージ（１７）の上面（１７Ａ）及び／または前記クリーニングステージ（２３）の上面（２３Ａ）が略水平となるように調整することを特徴とする半導体装置（２０）の検査方法が提供される。
【００２１】
本発明によれば、ずれ量検出手段（３５）により検出されたずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ（１７）の上面（１７Ａ）及び／またはクリーニングステージ（２３）の上面（２３Ａ）が略水平となるように調整することにより、プローブピン（４９）と半導体装置（２０）との間における接触不良がなくなるため、半導体装置（２０）の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００２２】
なお、上記参照符号は、あくまでも参考であり、これによって、本願発明が図示の態様に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００２３】
本発明は、半導体装置の電気的検査を精度良く行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
【００２５】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る検査装置の断面図である。図１において、Ｙ，Ｙ方向は鉛直方向、Ｘ，Ｘ方向は鉛直方向に直交する面方向をそれぞれ示している。
【００２６】
始めに、図１を参照して、半導体装置２０の電気的な検査を行う際に使用する検査装置１０について説明する。検査装置１０は、プローバー１１と、テスタ１２とを有した構成とされている。プローバー１１は、筐体１４と、駆動装置１５，２１と、支持体１６，２２と、半導体装置用ステージ１７と、温度制御手段１８と、クリーニングステージ２３と、クリーニングシート２５と、ヘッドプレート２６と、ホルダー支持体２７と、プローブカードホルダー２８と、プローブカード３１と、コンタクトリング３２と、テストヘッド３３と、ずれ量検出手段３５とを有する。
【００２７】
筐体１４は、駆動装置１５，２１、支持体１６，２２、半導体装置用ステージ１７、クリーニングステージ２３、及びずれ量検出手段３５等を収容するためのものである。筐体１４の上端部は、開放端とされている。
【００２８】
駆動装置１５は、筐体１４の底部に設けられている。駆動装置１５は、支持体１６を介して、半導体装置用ステージ１７をＸ，Ｘ方向及び／又はＹ，Ｙ方向に移動させるための装置である。支持体１６は、駆動装置１５上に設けられている。支持体１６は、半導体装置用ステージ１７を支持するためのものである。
【００２９】
半導体装置用ステージ１７は、支持体１６の上端部に固定されている。半導体装置用ステージ１７は、半導体装置２０を固定するためのものである。半導体装置用ステージ１７は、駆動装置１５により支持体１６が移動させられた際、支持体１６と一体的に移動する。半導体装置２０は、例えば、ＳｉやＧａ−Ａｓ等の材料からなる半導体基板上に複数の半導体集積回路が形成されたものである。半導体集積回路は、半導体装置２０の電気的な検査時にプローブピン４９の先端部が接触するパッド（図示せず）を有する。
【００３０】
温度制御手段１８は、半導体装置用ステージ１７に内蔵されている。温度制御手段１８は、半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxとなるように半導体装置用ステージ１７を加熱又は冷却するためのものである。所定の温度Ｔxとは、半導体装置２０の電気的な検査を行う際の半導体装置２０の温度のことである。温度制御手段１８は、常温よりも高い温度で半導体装置２０を検査する場合には半導体装置用ステージ１７を加熱し、常温よりも低い温度で半導体装置２０を検査する場合には半導体装置用ステージ１７を冷却する。
【００３１】
駆動装置２１は、筐体１４の底部に設けられている。駆動装置２１は、支持体２２を介して、クリーニングステージ２３をＸ，Ｘ方向及び／又はＹ，Ｙ方向に移動させるための装置である。支持体２２は、駆動装置２１上に設けられている。支持体２２は、クリーニングステージ２３を支持するためのものである。
【００３２】
クリーニングステージ２３は、支持体２２の上端部に固定されている。クリーニングステージ２３は、駆動装置２１により支持体２２がＸ，Ｘ方向及び／又はＹ，Ｙ方向に移動させられた際、支持体２２と一体的に移動する。
【００３３】
クリーニングシート２５は、クリーニングステージ２３の上面２３Ａに貼り付けられている。クリーニングシート２５は、プローブピン４９の先端部（半導体集積回路のパッド（図示せず）と接触する部分）を削って、プローブピン４９の先端部をクリーニングするためのシートである。
【００３４】
ヘッドプレート２６は、ヘッドプレート本体３７と、コンタクトリング装着部３８とを有する。ヘッドプレート本体３７は、筐体１４の上端部に設けられている。ヘッドプレート本体３７は、筐体１４に対して開閉可能な構成とされている。コンタクトリング装着部３８は、ヘッドプレート本体３７の中央付近を貫通するようにヘッドプレート本体３７に形成されている。コンタクトリング装着部３８は、コンタクトリング３２をヘッドプレート本体３７に装着するためのものである。また、筐体１４内の空間は、コンタクトリング３２が装着されたヘッドプレート２６が筐体１４の上端部を塞ぐことで密閉される。
【００３５】
ホルダー支持体２７は、ヘッドプレート本体３７の下面３７Ａに設けられている。ホルダー支持体２７は、プローブカードホルダー２８を支持するためのものである。
【００３６】
プローブカードホルダー２８は、ホルダー本体４１と、プローブカード装着部４２とを有する。ホルダー本体４１は、ホルダー支持体２７に支持されている。プローブカード装着部４２は、ホルダー本体４１の中央付近を貫通するようにホルダー本体４１に設けられている。プローブカード装着部４２は、プローブカード３１をホルダー本体４１に装着するためのものである。
【００３７】
プローブカード３１は、プローブカード装着部４２に着脱可能に装着されている。プローブカード３１は、支持基板４７と、配線パターン４８Ａ，４８Ｂと、複数のプローブピン４９とを有する。支持基板４７は、板状とされており、貫通孔５１Ａ，５１Ｂを有する。配線パターン４８Ａは、貫通孔５１Ａを充填すると共に、支持基板４７の両面に亘って設けられている。配線パターン４８Ａは、コンタクトリング３２の接続ピン４４Ａと接触している。配線パターン４８Ｂは、貫通孔５１Ｂを充填すると共に、支持基板４７の両面に亘って設けられている。配線パターン４８Ｂは、コンタクトリング３２の接続ピン４４Ｂと接触している。これにより、プローブカード３１は、テスタ１２、コンタクトリング３２、及びテストヘッド３３と電気的に接続されている。プローブピン４９は、支持基板４７の下面側に設けられている。プローブピン４９は、配線パターン４８Ａまたは配線パターン４８Ｂと接続されている。これにより、プローブピン４９は、配線パターン４８Ａまたは配線パターン４８Ｂと電気的に接続される。
【００３８】
プローブカード３１は、半導体装置２０に設けられた半導体集積回路のパッド（図示せず）に、プローブピン４９の先端部を押し当てて、半導体集積回路のパッド（図示せず）に電気信号を入出力するための検査用治具である。
【００３９】
コンタクトリング３２は、コンタクトリング装着部３８に着脱可能な状態で装着されている。コンタクトリング３２は、コンタクトリング本体４３と、接続ピン４４Ａ，４４Ｂ，４５Ａ，４５Ｂとを有する。コンタクトリング本体４３は、接続ピン４４Ａ，４４Ｂ，４５Ａ，４５Ｂを介して、プローブカード３１及びテストヘッド３３と電気的に接続されている。コンタクトリング本体４３は、プローブカード３１と、テストヘッド３３との間のデータ（信号）の中継をするためのものである。
【００４０】
接続ピン４４Ａ，４４Ｂは、コンタクトリング本体４３の下面側に設けられている。接続ピン４４Ａ，４４Ｂは、コンタクトリング本体４３の下面から突出している。接続ピン４４Ａは、入力用の接続ピンであり、接続ピン４４Ｂは、出力用の接続ピンである。接続ピン４４Ａは、配線パターン４８Ａと接触しており、接続ピン４４Ｂは、配線パターン４８Ｂと接触している。
【００４１】
接続ピン４５Ａ，４５Ｂは、コンタクトリング本体４３の上面側に設けられている。接続ピン４５Ａは、入力用の接続ピンであり、接続ピン４５Ｂは、出力用の接続ピンである。接続ピン４５Ａ，４５Ｂは、コンタクトリング本体４３の上面から突出しており、テストヘッド３３と電気的に接続されている。また、接続ピン４５Ａは接続ピン４４Ａと電気的に接続されており、接続ピン４５Ｂは接続ピン４４Ｂと電気的に接続されている。
【００４２】
テストヘッド３３は、コンタクトリング３２上に設けられており、コンタクトリング３２と電気的に接続されている。テストヘッド３３は、テスタ１２と電気的に接続されている。テストヘッド３３は、テスタ１２から送信される半導体装置２０の検査条件を受信し、コンタクトリング３２を介して、プローブカード３１に受信した検査条件を与えるためのものである。
【００４３】
ずれ量検出手段３５は、筐体１４内に収容されており、テスタ１２と電気的に接続されている。ずれ量検出手段３５は、駆動装置５３と、支持体５４と、測定部５５とを有する。駆動装置５３は、筐体１４の内壁に設けられている。駆動装置５３は、支持体５４をＸ，Ｘ方向及び／またはＹ，Ｙ方向に移動させるための装置である。支持体５４は、一方の端部が駆動装置５３と接続されており、他方の端部が測定部５５と接続されている。支持体５４は、伸縮自在な構成とされている。支持体５４は、測定部５５を支持すると共に、測定部５５を所望の位置に移動させるためのものである。
【００４４】
図２は、第１の実施の形態のずれ量検出手段の測定部を示す図であり、図３は、第１の実施の形態のずれ量検出手段がステージの上面のずれ量を検出している様子を模式的に示した図である。図２及び図３において、図１に示す検査装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４５】
図２を参照するに、測定部５５は、測定部本体５７と、ステム５８と、スピンドル５９と、測定子６１と、測定用針６２とを有する。測定部本体５７は、支持体５４により支持されている。測定部本体５７は、スピンドル５９をＹ，Ｙ方向に移動させる駆動部（図示せず）を内蔵している。ステム５８は、スピンドル５９の一部を収容すると共に、スピンドル５９がＸ，Ｘ方向に移動することを防止するためのものである。スピンドル５９は、その一部がステム５８に収容されている。スピンドル５９は、Ｙ，Ｙ方向に移動可能な構成とされている。測定子６１は、スピンドル５９の一方の端部に設けられている。
【００４６】
測定用針６２は、測定子６１に設けられている。測定用針６２は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの所定の場所（例えば、半導体装置用ステージ１７の場合は上面１７Ａの中心、クリーニングステージ２３の場合は上面２３Ａの中心）の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第１の位置に対する半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの他の場所の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第２の位置のずれ量を検出するためのものである。測定用針６２は、ずれ量を検出する際、ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと接触する（図３参照）。
【００４７】
なお、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの所定の場所の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第１の位置は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの他の場所の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第２の位置を検出する前に、ずれ量検出手段３５により求める。
【００４８】
測定用針６２の直径Ｒ１は、測定子６１の直径よりも小さい。測定用針６２の直径Ｒ１は、例えば、２０μｍ〜５０μｍとすることができる。測定用針６２の材料としては、例えば、ＲｅＷ（レニウムタングステン）やＷを用いることができる。
【００４９】
このように、測定子６１に測定子６１の直径よりも小さい直径Ｒ１を有した測定用針６２を半導体装置用ステージ１７に対して垂直に設けることにより、オーバードライブ量の精度が向上するため、ずれ量を精度よく検出することができる。
【００５０】
なお、測定部５５としては、例えば、ダイヤルゲージやデジタルインジケータの測定子に測定用針６２を設けたものを用いることができる。また、測定部５５としては、検出誤差が２μｍ以下のダイヤルゲージまたはデジタルインジケータを用いるとよい。
【００５１】
上記構成とされたずれ量検出手段３５は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの所定の場所（例えば、半導体装置用ステージ１７の場合は上面１７Ａの中心、クリーニングステージ２３の場合は上面２３Ａの中心）の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第１の位置に対する半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの他の場所（通常、複数の場所）の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第２の位置のずれ量を検出する。ずれ量検出手段３５は、検出した半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量をテスタ１２に送信する。
【００５２】
次に、図１を参照して、テスタ１２について説明する。テスタ１２は、テストヘッド３３と電気的に接続されており、記憶部１２Ａと、制御部１２Ｂとを有する。記憶部１２Ａは、制御部１２Ｂと電気的に接続されている。記憶部１２Ａには、半導体装置２０を検査する際の検査条件、ずれ量検出手段３５が測定する半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及びクリーニングステージ２３の上面２３Ａの所定の場所及び他の場所に関するマップ（測定場所の座標情報）等が格納されている。
【００５３】
制御部１２Ｂは、プローバー１１の制御全般を行う。例えば、駆動装置１５を介して半導体装置用ステージ１７の移動方向及び移動量を制御したり、駆動装置２１を介してクリーニングステージ２３の移動方向及び移動量を制御したり、駆動装置５３を介して測定部５５の移動方向及び移動量を制御したりする。
【００５４】
また、制御部１２Ｂは、ずれ量検出手段３５から送信されるずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの傾きを調整する。
【００５５】
さらに、制御部１２Ｂは、記憶部１２Ａに格納された検査条件に基づいて、プローバー１１を制御して半導体装置２０の電気的検査を行う。
【００５６】
本実施の形態の検査装置によれば、筐体１４の内壁にずれ量検出手段３５を設け、ずれ量検出手段３５から送信される半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａが略水平となるように調整を行うことにより、半導体装置２０の電気的な検査を行う際、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００５７】
また、ずれ量検出手段３５から送信されるクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量に基づいて、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行うことにより、クリーニングシート２５により削られる複数のプローブピン４９の先端部の削れ量を略等しくすることが可能となる。これにより、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００５８】
さらに、半導体装置２０を検査する所定の温度Ｔxに半導体装置用ステージ１７を加熱または冷却した後に、ずれ量検出手段３５により半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量を検出し、この検出したずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａが略水平となるように調整を行うことにより、所定の温度Ｔxに加熱又は冷却された半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００５９】
また、半導体装置２０を検査する所定の温度Ｔxに半導体装置用ステージ１７を加熱または冷却した後に、ずれ量検出手段３５によりクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出し、この検出したずれ量に基づいて、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行うことにより、クリーニングステージ２３が半導体装置用ステージ１７の温度の影響を受けた場合でも、クリーニングシート２５により削られる複数のプローブピン４９の先端部の削れ量を略等しくすることが可能となる。これにより、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００６０】
なお、本実施の形態では、クリーニングステージ２３を備えた検査装置１０を例に挙げて説明したが、クリーニングステージ２３を備えていない検査装置に本実施の形態のずれ量検出手段３５を設けてもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００６１】
また、温度制御手段１８を備えていない検査装置に、本実施の形態のずれ量検出手段３５を設けてもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００６２】
また、本実施の形態では、ずれ量検出手段３５に測定用針６２を設けた場合を例に挙げて説明したが、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａに測定子６１を直接接触させた場合でも、ずれ量を検出することは可能である。
【００６３】
図４は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の検査方法を説明するためのフローチャートの一例を示す図である。
【００６４】
図４を参照して、上記構成とされた検査装置１０を用いて、所定の温度Ｔxに加熱又は冷却された半導体装置２０を検査する場合を例に挙げて、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置２０の検査方法について説明する。
【００６５】
図４に示す処理が起動されると、ＳＴＥＰ７１では、半導体装置２０を検査する温度（所定の温度Ｔx）となるように、温度制御手段１８により半導体装置用ステージ１７を加熱又は冷却する。
【００６６】
続く、ＳＴＥＰ７２では、ずれ量検出手段３５により、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの所定の場所（例えば、半導体装置用ステージ１７の場合は上面１７Ａの中心、クリーニングステージ２３の場合は上面２３Ａの中心）の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第１の位置を基準としたときの、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの他の場所の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第２の位置のずれ量を検出する。ずれ量検出手段３５が検出した半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量、及びクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量はテスタ１２に送信され、処理はＳＴＥＰ７３に進む。なお、ＳＴＥＰ７２では、クリーニングステージ２３の上面２３Ａにクリーニングシート２５を貼り付けた状態で、クリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出する。
【００６７】
ＳＴＥＰ７３では、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａが略水平となるように調整を行うと共に、クリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量に基づいて、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行う。
【００６８】
続く、ＳＴＥＰ７４では、複数のプローブピン４９の先端部をクリーニングシート２５に接触させてプローブピン４９をクリーニングする。
【００６９】
このように、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整した後に、複数のプローブピン４９をクリーニングすることで、クリーニングシート２５により削られる複数のプローブピン４９の先端部の削れ量を略等しくすることが可能となり、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００７０】
次いで、ＳＴＥＰ７５では、半導体装置用ステージ１７上に半導体装置２０を固定する。続く、ＳＴＥＰ７６では、半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxとなるように、温度制御手段１８により半導体装置２０を加熱又は冷却する。
【００７１】
次いで、ＳＴＥＰ７７では、テスタ１２の制御部１２Ｂにより、半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxに到達したか否かの判定が行なわれる。半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxに到達していないと判定された場合（Ｎｏの場合）、処理はＳＴＥＰ７６に戻る。また、半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxに到達したと判定された場合（Ｙｅｓの場合）、処理はＳＴＥＰ７８に進む。
【００７２】
次いで、ＳＴＥＰ７８では、テスタ１２の記憶部１２Ａに記憶された検査条件に基づいて、半導体装置２０の電気的検査を行う。続く、ＳＴＥＰ７９では、半導体装置２０に設けられた全ての半導体集積回路の電気的検査が終了したか否かの判定が行なわれる。半導体装置２０に設けられた全ての半導体集積回路の電気的検査が終了していないと判定された場合（Ｎｏの場合）、処理はＳＴＥＰ７８に戻る。また、半導体装置２０に設けられた全ての半導体集積回路の電気的検査が終了したと判定された場合（Ｙｅｓの場合）、処理は終了する。
【００７３】
本実施の形態に係る半導体装置の検査方法によれば、ずれ量検出手段３５により、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量を検出し、このずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａが略水平となるように調整を行うことにより、半導体装置２０の電気的検査を行う際、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００７４】
また、ずれ量検出手段３５により、クリーニングステージ２３の上面２３Ａを検出し、このずれ量に基づいて、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行うことにより、クリーニングシート２５により削られる複数のプローブピン４９の先端部の削れ量を略等しくすることが可能となる。これにより、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００７５】
さらに、半導体装置２０を検査する所定の温度Ｔxに半導体装置用ステージ１７を加熱または冷却した後に、ずれ量検出手段３５により半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量を検出し、この検出したずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａが略水平となるように調整を行うことにより、所定の温度Ｔxに加熱又は冷却された半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００７６】
また、半導体装置２０を検査する所定の温度Ｔxに半導体装置用ステージ１７を加熱または冷却した後に、ずれ量検出手段３５によりクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出し、この検出したずれ量に基づいて、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行うことにより、クリーニングステージ２３が半導体装置用ステージ１７の温度の影響を受けた場合でも、クリーニングシート２５により削られる複数のプローブピン４９の先端部の削れ量を略等しくすることが可能となる。これにより、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００７７】
なお、本実施の形態の半導体装置の検査方法では、半導体装置２０の電気的検査を行う前に、プローブピン４９のクリーニングを行う場合を例に挙げて説明したが、検査する半導体集積回路の数が多い場合には、ＳＴＥＰ７８とＳＴＥＰ７９の工程において、再度、プローブピン４９のクリーニングを行ってもよい。また、検査装置１０の使用頻度が低い場合には、半導体装置２０の電気的検査を行う前に、必ずプローブピン４９のクリーニングを行う必要はなく、例えば、所定期間（例えば、１ヶ月）経過後にプローブピン４９のクリーニングを行ってもよい。
【００７８】
また、本実施の形態の半導体装置の検査方法では、クリーニングステージ２３を備えた検査装置１０を用いた場合を例に挙げて説明したが、クリーニングステージ２３を備えていない検査装置にずれ量検出手段３５を設けて、半導体装置２０の検査を行ってもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００７９】
さらに、温度制御手段１８を備えていない検査装置にずれ量検出手段３５を設けて、半導体装置２０の検査を行ってもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【００８０】
また、本実施例では、制御部１２Ｂによって、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの傾きを調整しているが、ずれ量検出手段３５から送信されるずれ量に基づいて、マニュアル操作で半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの傾きを調整してもよい。
【００８１】
（第２の実施の形態）
図５は、本発明の第２の実施の形態に係る検査装置の断面図である。図５において、第１の実施の形態の検査装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図５では、ずれ量検出手段７２が半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量を検出している状態を模式的に示している。
【００８２】
図５を参照するに、第２の実施の形態の検査装置７０は、テスタ１２と、プローバー７１とを有する。プローバー７１は、第１の実施の形態で説明したプローバー１１（図１参照）に設けられたずれ量検出手段３５の代わりに、ずれ量検出手段７２を設けた以外はプローバー１１と同様に構成される。
【００８３】
図６は、第２の実施の形態のずれ量検出手段の断面図である。
【００８４】
図５及び図６を参照して、ずれ量検出手段７２について説明する。ずれ量検出手段７２は、プローブカード装着部４２に着脱可能に装着されている。ずれ量検出手段７２は、支持基板７３と、入力用端子７５と、出力用端子７６と、支持部材７７，８２と、支持板７８，８３と、金属膜８４と、配線８５，９３と、ばね８７と、測定用針８８と、測定用針位置規制部材９１，９２とを有する。
【００８５】
支持基板７３は、入力用端子７５、出力用端子７６、及び支持部材７７を配設するためのものである。支持基板７３は、板状とされており、その中央付近に凹部９５が形成されている。支持基板７３の厚さＭ１は、例えば、３．２ｍｍとすることができる。
【００８６】
入力用端子７５は、支持基板７３の上面７３Ａに設けられている。入力用端子７５は、コンタクトリング３２の接続ピン４４Ａと接触している。入力用端子７５は、配線８５を介して、支持板８３に設けられた金属膜８４と電気的に接続されている。ずれ量検出手段７２が半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出する際、入力用端子７５には、接続ピン４４Ａを介して、所定の電圧Ｖinが入力される。
【００８７】
出力用端子７６は、支持基板７３の上面７３Ａに設けられている。出力用端子７６は、コンタクトリング３２の接続ピン４４Ｂと接触している。出力用端子７６は、配線９３を介して、導電性を有した測定用針位置規制部材９２と電気的に接続されている。金属膜８４と測定用針位置規制部材９２とが接触している状態において、入力用端子７５に所定の電圧Ｖinが入力された際、出力用端子７６は所定の電圧Ｖinを出力し、その出力結果がテスタ１２に送信される。また、金属膜８４と測定用針位置規制部材９２とが接触していない状態（金属膜８４から測定用針位置規制部材９２が離間した状態）において、入力用端子７５に所定の電圧Ｖinが入力された際、出力用端子７６から電圧は出力されない。
【００８８】
支持部材７７は、その一方の端部が支持基板７３の下面７３Ｂと接続されており、他方の端部が支持板７８の上面７８Ａと接続されている。支持部材７７は、支持板７８を支持するための部材である。支持部材７７の材料としては、例えば、セラミックを用いることができる。また、支持基板７７の厚さＭ２は、例えば、１ｍｍとすることができる。
【００８９】
支持板７８は、支持部材７７と支持部材８３との間に配置されており、支持部材７７，８２と接続されている。支持板７８は、その中心付近に貫通孔８１を有する。貫通孔８１は、測定用針８８を挿入するためのものである。凹部９５の底面９５Ａから支持板７８の上面７８Ａまでの距離Ｄ１は、例えば、３ｍｍとすることができる。
【００９０】
支持部材８２は、その一方の端部が支持板７８の下面７８Ｂと接続されており、他方の端部が支持板８３の上面８３Ａと接続されている。支持部材８２は、支持板８３を支持するための部材である。支持基板８２の高さＨ１は、例えば、２ｍｍとすることができる。
【００９１】
支持板８３は、支持板７８の下方に設けられている。支持板８３の上面８３Ａは、支持部材８２と接続されている。支持板８３は、その中央付近に貫通孔８３Ｂを有する。貫通孔８３Ｂは、測定用針８８を挿入するためのものである。支持板８３の厚さＭ３は、例えば、１ｍｍとすることができる。
【００９２】
金属膜８４は、貫通孔８３Ｂの側壁を覆うと共に支持板８３の両面８３Ａ，８３Ｂに亘って設けられている。金属膜８４は、配線８５を介して、入力用端子７５と電気的に接続されている。金属膜８４は、例えば、めっき法により形成することができる。
【００９３】
配線８５は、一方の端部が入力用端子７５と接続されており、他方の端部が金属膜８４と接続されている。配線８５は、入力用端子７５と金属膜８４とを電気的に接続するためのものである。
【００９４】
ばね８７は、凹部９５の底面９５Ａと測定用針８８との間に設けられている。ばね８７の一方の端部は、凹部９５の底面９５Ａと接続されており、他方の端部は測定用針８８の端部と接続されている。ばね８７は、測定用針８８を下方に押圧するためのものである。
【００９５】
測定用針８８は、針本体８８Ａと、接触部８８Ｂとを有する。針本体８８Ａは、貫通孔８１，８３Ｂを通過するように配設されている。針本体８８Ａの上端部は、ばね８７と接続されている。接触部８８Ｂは、針本体８８Ａの下端部に設けられている。接触部８８Ｂは、針本体８８Ａよりも直径の小さい棒状とされている。接触部８８Ｂは、ずれ量検出手段７２が半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出するときに、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと直接接触する部分である。接触部８８Ｂの直径Ｒ２は、例えば、２０μｍ〜５０μｍとすることができる。接触部８８Ｂの材料としては、例えば、ＲｅＷ（レニウムタングステン）やＷを用いることができる。
【００９６】
このように、針本体８８Ａに針本体８８Ａの直径よりも小さい直径Ｒ２を有した接触部８８Ｂを半導体装置用ステージ１７に対して垂直に設けることにより、オーバードライブ量の精度が向上するため、ずれ量を精度よく検出することができる。
【００９７】
上記構成とされた測定用針８８は、接触部８８Ｂが半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａまたはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと接触した後に、上方に移動する。
【００９８】
測定用針位置規制部材９１は、ばね８７と接続された側の針本体８８Ａに設けられている。測定用針位置規制部材９１は、支持基板７３の下面７３Ａから接触部８８Ｂの先端までの距離Ｄ２を決定するための部材である。距離Ｄ２は、例えば、６ｍｍとすることができる。測定用針位置規制部材９１の材料としては、例えば、セラミックを用いることができる。
【００９９】
測定用針位置規制部材９２は、接触部８８Ｂが設けられた側の針本体８８Ａに設けられている。測定用針位置規制部材９２は、支持板７８と支持板８３との間に配置されている。測定用針位置規制部材９２は、測定用針８８がＹ，Ｙ方向に移動した際、測定用針８８と一体的に移動する。測定用針位置規制部材９２は、導電性を有する。測定用針位置規制部材９２は、配線９３と接続されており、配線９３を介して、出力用端子７６と電気的に接続されている。
【０１００】
測定用針位置規制部材９２は、入力用端子７５に入力された所定の電圧Ｖinを出力用端子７６に出力するか否かを切り換える切換スイッチのような機能を有する。測定用針位置規制部材９２と金属膜８４とが接触した状態では、入力用端子７５に入力された所定の電圧Ｖinが出力用端子７６に出力され、測定用針位置規制部材９２と金属膜８４とが離間した状態では、入力用端子７５に入力された所定の電圧Ｖinは出力用端子７６に出力されない。このように、ずれ量検出手段７２は、出力用端子７６から入力用端子７５に入力された所定の電圧Ｖinが出力されるか否かで、接触部８８Ｂが半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａまたはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと接触したか否かを判定する。
【０１０１】
配線９３は、一方の端部が出力用端子７６と接続されており、他方の端部が測定用針位置規制部材９２と接続されている。配線９３は、出力用端子７６と測定用針位置規制部材９２とを電気的に接続するためのものである。
【０１０２】
このような構成とされたずれ量検出手段７２は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの所定の場所（例えば、半導体装置用ステージ１７の場合は上面１７Ａの中心、クリーニングステージ２３の場合は上面２３Ａの中心）の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第１の位置に対する半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの他の場所（通常、複数）の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第２の位置のずれ量を検出する。ずれ量検出手段７２は、検出した半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量をテスタ１２に送信する。
【０１０３】
テスタ１２は、ずれ量検出手段７２から送信された半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行う。
【０１０４】
上記構成とされたずれ量検出手段７２を備えた第２の実施の形態の検査装置７０においても、第１の実施の形態の検査装置１０と同様な効果を得ることができる。具体的には、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１０５】
なお、本実施の形態では、クリーニングステージ２３を備えた検査装置７０を例に挙げて説明したが、クリーニングステージ２３を備えていない検査装置に本実施の形態のずれ量検出手段７２を設けてもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１０６】
また、温度制御手段１８を備えていない検査装置に本実施の形態のずれ量検出手段７２を設けてもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１０７】
図７は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の検査方法を説明するためのフローチャートの一例を示す図である。
【０１０８】
図７を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の検査方法を説明する。なお、本実施の形態では第２の実施の形態の検査装置７０を用いて、所定の温度Ｔxに加熱又は冷却された半導体装置２０の電気的検査を行う場合を例に挙げて以下の説明を行う。
【０１０９】
図７に示す処理が起動されると、ＳＴＥＰ１０１では、半導体装置２０を検査する温度（所定の温度Ｔx）となるように、温度制御手段１８により半導体装置用ステージ１７を加熱又は冷却する。
【０１１０】
続く、ＳＴＥＰ１０２では、ずれ量検出手段７２により、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量、及びクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出する。
【０１１１】
具体的には、例えば、始めに、金属膜８４と測定用針位置規制部材９２とは接触している状態（図６に示す状態）で、入力用端子７５に所定の電圧Ｖinとして５Ｖの電圧を印加する。このとき、金属膜８４と測定用針位置規制部材９２とが接触しているため、出力用端子７６から５Ｖの電圧が出力される。次いで、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａの所定の場所の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第１の位置を基準位置とし、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａの他の場所において、基準位置から鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）に±５０μｍの移動範囲で、鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）に半導体装置用ステージ１７を１μｍ刻みで移動させる。
【０１１２】
そして、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａと接触部８８Ｂとが接触すると、測定用針８８が上方に移動させられて、測定用針位置規制部材９２が金属膜８４から離間して、出力用端子７６から５Ｖの電圧が出力されなくなる。この出力用端子７６から５Ｖの電圧が出力されなくなったときの半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａの他の場所の鉛直方向の第２の位置と、基準位置（第１の位置）とから半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａの基準位置（第１の位置）に対するずれ量を検出する。クリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量についても、同様な手法により検出する。
【０１１３】
ずれ量検出手段７２は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量及びクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出した際、その検出したずれ量をテスタ１２に送信し、処理はＳＴＥＰ１０３に進む。
【０１１４】
なお、ＳＴＥＰ１０２では、クリーニングステージ２３の上面２３Ａにクリーニングシート２５を貼り付けた状態で、クリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出する。
【０１１５】
次いで、ＳＴＥＰ１０３では、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａが略水平となるように調整を行うと共に、クリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量に基づいて、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行う。その後、処理は、ＳＴＥＰ１０４へと進む。
【０１１６】
ＳＴＥＰ１０４では、プローブカードホルダー２８に装着されたずれ量検出手段７２を取り外して、プローブカードホルダー２８に第１の実施の形態で説明したプローブカード３１（図１参照）を装着する。
【０１１７】
続く、ＳＴＥＰ１０５では、複数のプローブピン４９の先端部をクリーニングシート２５に接触させてプローブピン４９をクリーニングする。
【０１１８】
このように、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整した後に、複数のプローブピン４９をクリーニングすることで、クリーニングシート２５により削られる複数のプローブピン４９の先端部の削れ量を略等しくすることが可能となる。これにより、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１１９】
次いで、ＳＴＥＰ１０６では、半導体装置用ステージ１７上に検査したい半導体装置２０を固定する。続く、ＳＴＥＰ１０７では、半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxとなるように、温度制御手段１８により半導体装置２０を加熱又は冷却する。
【０１２０】
次いで、ＳＴＥＰ１０８では、テスタ１２の制御部１２Ｂにより、半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxに到達したか否かの判定が行なわれる。半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxに到達していないと判定された場合（Ｎｏの場合）、処理はＳＴＥＰ１０７に戻る。また、半導体装置２０の温度が所定の温度Ｔxに到達したと判定された場合（Ｙｅｓの場合）、処理はＳＴＥＰ１０９に進む。
【０１２１】
ＳＴＥＰ１０９では、テスタ１２の記憶部１２Ａに記憶された検査条件に基づいて、半導体装置２０の電気的検査を行う。続く、ＳＴＥＰ１１０では、半導体装置２０に設けられた全ての半導体集積回路の電気的検査が終了したか否かの判定が行なわれる。半導体装置２０に設けられた全ての半導体集積回路の電気的検査が終了していないと判定された場合（Ｎｏの場合）、処理はＳＴＥＰ１０９に戻る。また、半導体装置２０に設けられた全ての半導体集積回路の電気的検査が終了したと判定された場合（Ｙｅｓの場合）、処理は終了する。
【０１２２】
本実施の形態に係る半導体装置の検査方法によれば、ずれ量検出手段７２により、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量を検出し、このずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａが略水平となるように調整を行うことにより、半導体装置２０の電気的検査を行う際、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１２３】
また、ずれ量検出手段７２により、クリーニングステージ２３の上面２３Ａを検出し、このずれ量に基づいて、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行うことにより、クリーニングシート２５により削られる複数のプローブピン４９の先端部の削れ量を略等しくすることが可能となる。これにより、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１２４】
さらに、半導体装置２０を検査する所定の温度Ｔxに半導体装置用ステージ１７を加熱または冷却した後に、ずれ量検出手段７２により半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量を検出し、この検出したずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａが略水平となるように調整を行うことにより、所定の温度Ｔxに加熱又は冷却された半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１２５】
また、半導体装置２０を検査する所定の温度Ｔxに半導体装置用ステージ１７を加熱または冷却した後に、ずれ量検出手段７２によりクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出し、この検出したずれ量に基づいて、クリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行うことにより、クリーニングステージ２３が半導体装置用ステージ１７の温度の影響を受けた場合でも、クリーニングシート２５により削られる複数のプローブピン４９の先端部の削れ量を略等しくすることが可能となる。これにより、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１２６】
なお、本実施の形態の半導体装置の検査方法では、半導体装置２０の電気的検査を行う前に、プローブピン４９のクリーニングを行う場合を例に挙げて説明したが、検査する半導体集積回路の数が多い場合には、ＳＴＥＰ１０９とＳＴＥＰ１１０の工程において、再度、プローブピン４９のクリーニングを行ってもよい。また、検査装置７０の使用頻度が低い場合には、半導体装置２０の電気的検査を行う前に、必ずプローブピン４９のクリーニングを行う必要はなく、例えば、所定期間（例えば、１ヶ月）経過後にプローブピン４９のクリーニングを行ってもよい。
【０１２７】
また、本実施の形態の半導体装置の検査方法では、クリーニングステージ２３を備えた検査装置７０を用いた場合を例に挙げて説明したが、クリーニングステージ２３を備えていない検査装置に本実施の形態のずれ量検出手段７２を設けて、半導体装置２０の検査を行ってもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１２８】
さらに、温度制御手段１８を備えていない検査装置に本実施の形態のずれ量検出手段７２を設けて、半導体装置２０の検査を行ってもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１２９】
また、本実施例では、テスタ１２によって、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの傾きを調整しているが、ずれ量検出手段７５から送信されるずれ量に基づいて、マニュアル操作で半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの傾きを調整してもよい。
【０１３０】
（第３の実施の形態）
図８は、本発明の第３の実施の形態に係る検査装置の断面図である。図８において、第２の実施の形態の検査装置７０と同一構成部分には同一符号を付す。また、図８では、ずれ量検出手段１２２が半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量を検出している状態を模式的に示している。
【０１３１】
図８を参照するに、第３の実施の形態の検査装置１２０は、テスタ１２と、プローバー１２１とを有する。プローバー１２１は、第２の実施の形態で説明したずれ量検出手段７２の代わりに、ずれ量検出手段１２２を設けた以外は第２の実施の形態のプローバー７１と同様に構成される。
【０１３２】
図９は、第３の実施の形態のずれ量検出手段の断面図であり、図１０は、第３の実施の形態のずれ量検出手段の平面図である。また、図１１は、ステージの上面またはクリーニングステージの上面と測定用針とが接触した後のずれ量検出手段を模式的に示した図である。図９〜図１１において、第２の実施の形態で説明したずれ量検出手段７２と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１３３】
図９及び図１０を参照して、ずれ量検出手段１２２について説明する。ずれ量検出手段１２２は、プローブカード装着部４２に着脱可能に装着されている（図８参照）。ずれ量検出手段１２２は、支持基板１２３と、入力用端子７５と、出力用端子７６と、支持部材７７，８２と、支持板７８，８３と、測定用針８８と、第１の可撓性部材１２６と、配線１２７，１３２と、第２の可撓性部材１２９と、発光ダイオード１３１と、測定用針位置規制部材１３５，１３６とを有する。
【０１３４】
支持基板１２３は、入力用端子７５、出力用端子７６、及び支持部材７７等を配設するためのものである。支持基板１２３は、板状とされており、その中央付近に貫通部１２４を有する。貫通部１２４は、第１及び第２の可撓性部材１２６，１２９を配置するための空間である。支持基板１２３の厚さＭ４は、例えば、３．２ｍｍとすることができる。
【０１３５】
入力用端子７５は、支持基板１２３の上面１２３Ａに設けられている。入力用端子７５は、導電性を有した測定用針位置規制部材１３５と電気的に接続されている。入力用端子７５は、コンタクトリング３２の接続ピン４４Ａと接触している（図８参照）。ずれ量検出手段１２２が半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出する際、入力用端子７５には、接続ピン４４Ａを介して、所定の電圧Ｖinが入力される。
【０１３６】
出力用端子７６は、支持基板１２３の上面１２３Ａに設けられている。出力用端子７６は、コンタクトリング３２の接続ピン４４Ｂと接触している（図８参照）。出力用端子７６は、第２の可撓性部材１２９及び発光ダイオード１３１と電気的に接続されている。出力用端子７６は、第１の可撓性部材１２６と第２の可撓性部材１２９とが接触している状態において、入力用端子７５に所定の電圧Ｖinが印加されたときに、所定の電圧Ｖinを出力する。この出力結果は、テスタ１２に送信される。また、第１の可撓性部材１２６と第２の可撓性部材１２９とが離間している状態において、入力用端子７５に所定の電圧Ｖinが印加されたときには、出力用端子７６に電圧は出力されない。
【０１３７】
支持部材７７は、その一方の端部が支持基板１２３の下面１２３Ｂと接続されており、他方の端部が支持板７８の上面７８Ａと接続されている。支持部材７７の厚さＭ２は、例えば、１ｍｍとすることができる。
【０１３８】
支持板７８は、支持部材７７と支持部材８３との間に配置されており、支持部材７７，８２と接続されている。支持板７８は、その中心付近に貫通孔８１を有する。
【０１３９】
支持部材８２は、その一方の端部が支持板７８の下面７８Ｂと接続されており、他方の端部が支持板８３の上面８３Ａと接続されている。支持基板８２の高さＨ１は、例えば、２ｍｍとすることができる。
【０１４０】
支持板８３は、支持板７８の下方に設けられている。支持板８３の上面８３Ａは、支持部材８２と接続されている。支持板８３は、その中央付近に貫通孔８３Ｂを有する。支持板８３の厚さＭ３は、例えば、１ｍｍとすることができる。
【０１４１】
測定用針８８は、針本体８８Ａと、接触部８８Ｂとを有する。針本体８８Ａは、貫通孔８１，８４Ａを通過するように配設されている。針本体８８Ａの上端部は、測定用針位置規制部材１３５と接続されている。接触部８８Ｂは、針本体８８Ａの下端部に設けられている。接触部８８Ｂは、ずれ量検出手段１２２が半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａのずれ量及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量を検出するときに、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと直接接触する部分である。接触部８８Ｂの直径Ｒ２は、例えば、２０μｍ〜５０μｍとすることができる。接触部８８Ｂの材料としては、例えば、ＲｅＷ（レニウムタングステン）やＷを用いることができる。
【０１４２】
このように、針本体８８Ａに針本体８８Ａの直径よりも小さい直径Ｒ２を有した接触部８８Ｂを半導体装置用ステージ１７に対して垂直に設けることにより、オーバードライブ量の精度が向上するため、ずれ量を精度よく検出することができる。
【０１４３】
上記構成とされた測定用針８８は、接触部８８Ｂが半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａまたはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと接触した後に、上方に移動する。
【０１４４】
第１の可撓性部材１２６は、一方の端部が支持基板１２３の上面１２３Ａに固定されており、他方の端部が測定用針位置規制部材１３５に固定されている。第１の可撓性部材１２６は、第２の可撓性部材１２９の上方に配置されている。第１の可撓性部材１２６は、可撓性を有した部材である。第１の可撓性部材１２６は、測定用針８８がＹ，Ｙ方向に移動させられた際、測定用針８８と一体的に移動する。第１の可撓性部材１２６は、導電性を有する。第１の可撓性部材１２６は、配線１２７を介して、入力用端子７５と電気的に接続されている。
【０１４５】
測定用針位置規制部材１３５が支持板７８と接触している状態（図９に示す状態）において、第１の可撓性部材１２６は、第２の可撓性部材１２９と接触すると共に、第２の可撓性部材１２９と電気的に接続される。また、測定用針位置規制部材１３５が支持板７８の上方に離間した場合、第１の可撓性部材１２６は第２の可撓性部材１２９から離間（図１１に示す状態）し、第１の可撓性部材１２６と第２の可撓性部材１２９との間は絶縁される。
【０１４６】
このように、第１の可撓性部材１２６は、入力用端子７５に入力された所定の電圧Ｖinを、第２の可撓性部材１２９に印加するか否かを選択するスイッチとしての機能を奏する。
【０１４７】
配線１２７は、支持基板１２３の上面１２３Ａに設けられている。配線１２７は、その一方の端部が入力用端子７５と接続されており、他方の端部が第１の可撓性部材１２６と接続されている。
【０１４８】
第２の可撓性部材１２９は、その一方の端部が出力用端子７６と接続されており、他方の端部が第１の可撓性部材１２６の下方に配置されている。第２の可撓性部材１２９は、可撓性を有した部材であり、導電性を有する。第２の可撓性部材１２９は、配線１３２を介して、発光ダイオード１３１と電気的に接続されている。
【０１４９】
発光ダイオード１３１は、支持基板１２３の上面１２３Ａに設けられている。発光ダイオード１３１は、配線１３２を介して、出力用端子７６と電気的に接続されている。発光ダイオード１３１は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａまたはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと接触部８８Ｂとが離間している状態、つまり、第１の可撓性部材１２６と第２の可撓性部材１２９とが接触して、所定の電圧Ｖinが発光ダイオード１３１に印加されたときに発光する。また、発光ダイオード１３１は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａまたはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと接触部８８Ｂとが接触した状態、つまり、第１の可撓性部材１２６と第２の可撓性部材１２９とが離間した場合には発光しない。
【０１５０】
このように、ずれ量検出手段１２２に発光ダイオード１３１を設けることにより、作業者は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａまたはクリーニングステージ２３の上面２３Ａと接触部８８Ｂとが接触したことを目視で認識することができる。
【０１５１】
配線１３２は、支持基板１２３の上面１２３Ａに設けられている。配線１３２は、出力用端子７６と発光ダイオード１３１とを電気的に接続している。
【０１５２】
測定用針位置規制部材１３５は、針本体８８Ａの上端部に設けられている。測定用針位置規制部材１３５の上部には、第１の可撓性部材１２６が接続されている。測定用針位置規制部材１３５は、針本体８８ＡがＹ，Ｙ方向に移動した際、針本体８８Ａと一体的に移動する。また、支持板７８と測定用針位置規制部材１３５とが接触した状態（図９に示す状態）から測定用針位置規制部材１３５が上方に移動する（図１１に示す状態）ことで、第１の可撓性部材１２６が第２の可撓性部材１２９から離間するため、第１の可撓性部材１２６と第２の可撓性部材１２９との間が絶縁される。また、測定用針位置規制部材１３５は、支持基板１２３の下面１２３Ｂから接触部８８Ｂの先端までの距離Ｄ２を規定しており、距離Ｄ２は、例えば、６ｍｍとすることができる。
【０１５３】
測定用針位置規制部材１３６は、接触部８８Ｂが設けられた側の針本体８８Ａに設けられている。測定用針位置規制部材１３６は、支持板７８と支持板８３と間に配置されている。測定用針位置規制部材１３６は、測定用針８８がＹ，Ｙ方向に移動した際、測定用針８８と一体的に移動する。
【０１５４】
このような構成とされたずれ量検出手段１２２は、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの所定の場所（例えば、半導体装置用ステージ１７の場合は上面１７Ａの中心、クリーニングステージ２３の場合は上面２３Ａの中心）の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第１の位置に対する半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの他の場所（通常、複数の場所）の鉛直方向（Ｙ，Ｙ方向）の第２の位置のずれ量を検出する。ずれ量検出手段１２２は、検出した半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａのずれ量をテスタ１２に送信する。
【０１５５】
テスタ１２は、ずれ量検出手段１２２から送信されたずれ量に基づいて、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように調整を行う。
【０１５６】
上記構成とされたずれ量検出手段１２２を備えた検査装置１２０においても、第１の実施の形態の検査装置１０と同様な効果を得ることができる。具体的には、プローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１５７】
なお、本実施の形態では、クリーニングステージ２３を備えた検査装置１２０を例に挙げて説明したが、クリーニングステージ２３を備えていない検査装置に本実施の形態のずれ量検出手段１２２を設けてもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１５８】
また、温度制御手段１８を備えていない検査装置に本実施の形態のずれ量検出手段１２２を設けてもよい。この場合もプローブピン４９と半導体装置２０（具体的には、半導体集積回路のパッド（図示せず））との間における接触不良がなくなるため、半導体装置２０の電気的検査を精度よく行うことができる。
【０１５９】
また、上記説明した検査装置１２０を用いて、所定の温度Ｔxに加熱又は冷却した半導体装置２０を検査する場合、第２の実施の形態で説明した図７に示すフローと同様な手法により行うことができ、第２の実施の形態の半導体装置２０の検査方法と同様な効果を得ることができる。
【０１６０】
また、本実施の形態では、ずれ量検出手段１２２に発光ダイオード１３１を設けた場合を例に挙げて説明したが、発光ダイオード１３１を備えていないずれ量検出手段１２２においても同様な効果を得ることができる。
【０１６１】
また、本実施例では、テスタ１２によって、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａが略水平となるように、半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの傾きを調整しているが、ずれ量検出手段１２２から送信されるずれ量に基づいて、マニュアル操作で半導体装置用ステージ１７の上面１７Ａ及び／またはクリーニングステージ２３の上面２３Ａの傾きを調整してもよい
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１６２】
本発明は、半導体装置を固定すると共に、移動可能な構成とされた半導体装置用ステージと、プローブピンをクリーニングするクリーニングステージとを備えた検査装置を用いた半導体装置の検査方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る検査装置の断面図である。
【図２】第１の実施の形態のずれ量検出手段の測定部を示す図である。
【図３】第１の実施の形態のずれ量検出手段がステージの上面のずれ量を検出している様子を模式的に示した図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の検査方法を説明するためのフローチャートの一例を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る検査装置の断面図である。
【図６】第２の実施の形態のずれ量検出手段の断面図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の検査方法を説明するためのフローチャートの一例を示す図である。
【図８】本発明の第３の実施の形態に係る検査装置の断面図である。
【図９】第３の実施の形態のずれ量検出手段の断面図である。
【図１０】第３の実施の形態のずれ量検出手段の平面図である。
【図１１】ステージの上面またはクリーニングステージの上面と測定用針とが接触した後のずれ量検出手段を模式的に示した図である。
【図１２】従来の検査装置の断面図である。
【符号の説明】
【０１６４】
１０，７０，１２０ 検査装置
１１，７１，１２１ プローバー
１２ テスタ
１２Ａ 記憶部
１２Ｂ 制御部
１４ 筐体
１５，２１，５３ 駆動装置
１６，２２，５４ 支持体
１７ 半導体装置用ステージ
１７Ａ，２３Ａ，７３Ａ，７８Ａ，８３Ａ，１２３Ａ 上面
１８ 温度制御手段
２３ クリーニングステージ
２５ クリーニングシート
２６ ヘッドプレート
２７ ホルダー支持体
２８ プローブカードホルダー
３１ プローブカード
３２ コンタクトリング
３３ テストヘッド
３５，７２，１２２ ずれ量検出手段
３７ ヘッドプレート本体
３７Ａ，７３Ｂ，７８Ｂ，１３２Ｂ 下面
３８ コンタクトリング装着部
４１ ホルダー本体
４２ プローブカード装着部
４３ コンタクトリング本体
４４Ａ，４４Ｂ，４５Ａ，４５Ｂ 接続ピン
４７，７３ 支持基板
４８Ａ，４８Ｂ 配線パターン
４９ プローブピン
５１Ａ，５１Ｂ，８１，８３Ｂ 貫通孔
５５ 測定部
５７ 測定部本体
５８ ステム
５９ スピンドル
６１ 測定子
６２ 測定用針
７５ 入力用端子
７６ 出力用端子
７７，８２ 支持部材
７８，８３ 支持板
８４ 金属膜
８５，９３，１２７，１３２ 配線
８８ 測定用針
８８Ａ 針本体
８８Ｂ 接触部
８７ ばね
９１，９２，１３５，１３６ 測定用針位置規制部材
９５ 凹部
９５Ａ 底面
１２４ 貫通部
１２６ 第１の可撓性部材
１２９ 第２の可撓性部材
１３１ 発光ダイオード
Ｄ１，Ｄ２ 距離
Ｈ１ 高さ
Ｍ１〜Ｍ４ 厚さ
Ｒ１，Ｒ２ 直径
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を固定すると共に、移動可能な構成とされた半導体装置用ステージと、
プローブカードのプローブピンをクリーニングするクリーニングステージと、
前記半導体装置用ステージの上面及び／または前記クリーニングステージの上面の所定の場所の鉛直方向の第１の位置に対する前記半導体装置用ステージの上面及び／または前記クリーニングステージの上面の他の場所の前記鉛直方向の第２の位置のずれ量を検出するずれ量検出手段と、を備えた検査装置を用いた半導体装置の検査方法であって、
前記ずれ量検出手段により検出された前記ずれ量に基づいて、前記半導体装置用ステージの上面及び／または前記クリーニングステージの上面が略水平となるように調整することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項２】
前記検査装置は、前記半導体装置用ステージに設けられ、前記半導体装置を所定の温度に加熱又は冷却する温度制御手段を有し、
前記ずれ量検出手段は、前記半導体装置用ステージを前記所定の温度に保持しつつ、前記ずれ量を検出することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の検査方法。
【請求項３】
前記半導体装置の検査は、前記半導体装置用ステージの上面及び／または前記クリーニングステージの上面が略水平とされた後に行うことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の検査方法。
【請求項４】
前記プローブピンのクリーニングは、前記クリーニングステージの上面が略水平とされた後に行うことを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか一項記載の半導体装置の検査方法。
【請求項１】
半導体装置を固定すると共に、移動可能な構成とされた半導体装置用ステージと、
プローブカードのプローブピンをクリーニングするクリーニングステージと、
前記半導体装置用ステージの上面及び／または前記クリーニングステージの上面の所定の場所の鉛直方向の第１の位置に対する前記半導体装置用ステージの上面及び／または前記クリーニングステージの上面の他の場所の前記鉛直方向の第２の位置のずれ量を検出するずれ量検出手段と、を備えた検査装置を用いた半導体装置の検査方法であって、
前記ずれ量検出手段により検出された前記ずれ量に基づいて、前記半導体装置用ステージの上面及び／または前記クリーニングステージの上面が略水平となるように調整することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項２】
前記検査装置は、前記半導体装置用ステージに設けられ、前記半導体装置を所定の温度に加熱又は冷却する温度制御手段を有し、
前記ずれ量検出手段は、前記半導体装置用ステージを前記所定の温度に保持しつつ、前記ずれ量を検出することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の検査方法。
【請求項３】
前記半導体装置の検査は、前記半導体装置用ステージの上面及び／または前記クリーニングステージの上面が略水平とされた後に行うことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の検査方法。
【請求項４】
前記プローブピンのクリーニングは、前記クリーニングステージの上面が略水平とされた後に行うことを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか一項記載の半導体装置の検査方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００７−２９４４８９（Ｐ２００７−２９４４８９Ａ）
【公開日】平成１９年１１月８日（２００７．１１．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１１７１３２（Ｐ２００６−１１７１３２）
【出願日】平成１８年４月２０日（２００６．４．２０）
【出願人】（０００００６２２０）ミツミ電機株式会社 (1,651)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年１１月８日（２００７．１１．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年４月２０日（２００６．４．２０）
【出願人】（０００００６２２０）ミツミ電機株式会社 (1,651)
【Ｆターム（参考）】
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