基板処理装置および基板処理方法
【課題】基板の搬送高さを高精度に制御し得る技術を提供する。
【解決手段】塗布ステージ４は、空気を噴出する噴出孔４０ａと、空気を吸引する吸引孔４０ｂとが設けられている。噴出孔４０ａのそれぞれには、空気を供給する供給ラインＬ１が接続されており、吸引孔４０ｂのそれぞれには、空気を吸引する吸引ラインＬ２が接続されている。供給ラインＬ１の供給流量は、流量計１４ａが検出する流量値に基づいて、ニードル弁１３の開度が調整されることによって制御される。また、吸引ラインＬ２の吸引流量は、流量計１４ｂが検出する流量値に基づいて、ニードル弁１９ａの開度が調整されることによって制御される。なお、この供給流量および吸引流量の制御は、基板Ｗが塗布ステージ４上に搬送されてくるよりも前に実行される。
【解決手段】塗布ステージ４は、空気を噴出する噴出孔４０ａと、空気を吸引する吸引孔４０ｂとが設けられている。噴出孔４０ａのそれぞれには、空気を供給する供給ラインＬ１が接続されており、吸引孔４０ｂのそれぞれには、空気を吸引する吸引ラインＬ２が接続されている。供給ラインＬ１の供給流量は、流量計１４ａが検出する流量値に基づいて、ニードル弁１３の開度が調整されることによって制御される。また、吸引ラインＬ２の吸引流量は、流量計１４ｂが検出する流量値に基づいて、ニードル弁１９ａの開度が調整されることによって制御される。なお、この供給流量および吸引流量の制御は、基板Ｗが塗布ステージ４上に搬送されてくるよりも前に実行される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶表示装置用ガラス基板、半導体基板、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板、太陽電池パネル用基板、電子ペーパー用基板等の精密電子装置用基板、あるいはそれに類する各種基板を搬送する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置用ガラス基板等の基板を搬送する際には、基板の汚損を防止しつつ効率的な搬送を目指した種々の基板搬送装置が用いられている。
【０００３】
近年、液晶ディスプレイを製造するマスターガラス基板のサイズが大型化している。このような大型ガラス基板を搬送する際には、搬送の衝撃によって基板に損傷を与えないように、基板の平面度を高精度に保って搬送を行うことが重要である。また、撓ませることなく安定して基板を搬送することが求められている。
【０００４】
基板を搬送する技術は、これまでにも幾つか提案されているが、上記のような要求に応える搬送技術として、できる限り非接触状態で基板を搬送する技術が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００５】
特許文献１には、表面に設けられた気体噴出孔から空気を噴出させ、その圧力を利用して基板を浮上させるステージを備えた搬送機構が開示されている。そして、この基板に向けて噴出された空気は、表面に設けられた吸引孔から吸引するように構成されており、気体の噴出と吸引との間でバランスをとることによって、基板の高さ位置が制御される。
【０００６】
さらに、特許文献１には、噴出させる気体の圧力（噴出圧）を圧力計で測定し、これを常時監視して圧力制御手段（例えばバルブ）により噴出圧を一定にすることによって、搬送する基板の浮上高さを一定にすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−４０５３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、圧力計で測定した場合、噴出孔を基板が覆っている状態では、比較的噴出圧を安定して測定し得るが、噴出孔の上方に基板が存在しない場合、噴出気体がほぼ自由に抜けていく状態となり、噴出圧の絶対値が非常に小さくなってしまうため、圧力を精度よく測定することが困難となる場合がある。
【０００９】
また、圧力計に基づいて圧力制御手段であるバルブの開度を制御した場合、圧力の測定値が安定するまでに相応の時間を要するため、噴出圧を適切に制御できるまでに時間がかかり、基板を所定高さに安定して搬送することが困難となる場合がある。
【００１０】
本発明は上記のような課題に鑑みてなされたものであり、基板の搬送高さを高精度に制御し得る技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するため、第１の態様は、搬送される基板に対して処理を行う基板処理装置であって、基板に向けて気体を供給することにより、前記基板に浮上力を付与する気体供給部と、基板に向けて供給される気体の供給流量を検出する供給流量検出部と、前記浮上力が付与される基板の位置を検出する位置検出部と、前記供給流量検出部によって検出される供給流量と、前記位置検出部によって検出される基板の位置に対応した供給流量の基準とを比較することによって、前記供給流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する供給流量判定部とを備える。
【００１２】
また、第２の態様は、第１の態様に係る基板処理装置において、前記判定部によって、前記供給流量検出部が検出する供給流量が許容範囲外の値であると判定される場合に、許容範囲内に収まるように前記気体供給部から供給される気体の流量を制御する流量制御部、をさらに備える。
【００１３】
また、第３の態様は、第１または第２の態様に係る基板処理装置において、前記気体供給部から供給された気体を基板に向けて噴射する複数の噴出孔が形成された平面を有するステージと、前記ステージの平面の上方において、基板に対して所定の処理を行う処理部とをさらに備える。
【００１４】
また、第４の態様は、第３の態様に係る基板処理装置において、前記処理部が、基板の進行方向に対して直交する方向に延びるスリット状の吐出口から処理液を吐出して基板に塗布するスリットノズルと、前記スリットノズルに対して、前記処理液を供給する処理液供給部とを備える。
【００１５】
また、第５の態様は、第３または第４の態様に係る基板処理装置において、基板の位置に対応する前記供給流量の基準のうち、基板が前記ステージ上に進入した位置に対応する基準が、前記ステージ上から退出した位置に対応する基準よりも小さい。
【００１６】
また、第６の態様は、第３から第５の態様までのいずれか１態様に係る基板処理装置において、基板がステージ上に進入する前に、前記供給流量判定部が、前記供給流量検出部の検出する供給流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する。
【００１７】
また、第７の態様は、第３から第６の態様までのいずれか１態様に係る基板処理装置において、前記ステージ上に進入する前から退出するまでの間、前記供給流量判定部が、前記供給流量検出部の検出する供給流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する。
【００１８】
また、第８の態様は、第１から第７の態様までのいずれか１態様に係る基板処理装置において、気体を吸引することによって、前記浮上力が付与される基板の高さ位置を調節する気体吸引部、をさらに備える。
【００１９】
また、第９の態様は、第８の態様に係る基板処理装置において、前記気体吸引部によって吸引される気体の吸引流量を検出する吸引流量検出部と、前記吸引流量検出部によって検出される吸引流量と、前記位置検出部によって検出される基板の位置に対応する吸引流量の基準とを比較することによって、前記吸引流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する吸引流量判定部とを備える。
【００２０】
また、第１０の態様は、搬送される基板に対して、処理を行う基板処理方法であって、(a)基板に向けて気体を供給することにより、前記基板に浮上力を付与する工程と、(b)前記(a)工程において基板に向けて供給される気体の供給流量を検出する工程と、(c)前記(a)工程において浮上力が付与される基板の位置を検出する工程と、(d)前記(b)工程において検出される供給流量と、前記(c)工程において検出される基板の位置に対応する供給流量の基準とを比較することによって、前記供給量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する工程とを有する。
【００２１】
また、第１１の態様は、第１０の態様に係る基板処理方法において、前記(c)工程において、検出される供給流量が許容範囲外の値であると判定される場合に、許容範囲内に収まるように前記(a)工程において供給する気体流量を制御する工程、をさらに有する。
【発明の効果】
【００２２】
第１から第９までの態様に係る基板処理装置によれば、流量を検出対象とすることにより、圧力を検出する場合に比べて、安定した検出結果を取得し得る、また、供給流量の検出結果と基板の位置に対応する供給流量の基準とを比較することによって、基板に向けた気体供給が適切に実施されるかどうかを精度よく把握できる。したがって、基板の搬送高さを高精度に制御することができるという優れた効果を奏し得る。
【００２３】
特に、第２の態様に係る基板処理装置によれば、供給流量の判定結果に基づいて流量を制御することにより、基板の高さ位置を高精度に制御することが可能となる。
【００２４】
特に、第３の態様に係る基板処理装置によれば、ステージに対して基板を適切に浮上させることができるため、ステージ上において、適切に基板処理を実施できるという優れた効果を奏し得る。
【００２５】
特に、第４の態様に係る基板処理装置によれば、高さ位置の変動が抑えられた基板に対してスリットノズルから吐出された処理液が塗布されるため、塗布ムラが抑えられた状態で処理液を塗布できるという優れた効果を奏し得る。
【００２６】
特に、第５の態様に係る基板処理装置によれば、ステージの噴出孔が基板に覆われるほど、ステージと基板との間に気体が滞留しやすくなって、検出される気体の供給流量が減少する。このような事情に合わせて基準を設定することにより、流量判定を適切に実施できるという優れた効果を奏し得る。
【００２７】
特に、第６の態様に係る基板処理装置によれば、基板がステージ上に進入する前に、気体の供給流量が許容範囲内にあるかどうかが判定されるため、基板処理前に基板を適切な高さ位置に保持できるかどうかを検知し得る。したがって、基板の処理エラーの発生を抑制できるという優れた効果を奏し得る。
【００２８】
特に、第７の態様に係る基板処理装置によれば、気体の供給流量が許容範囲内にあるかどうかを判定することによって、基板がステージ上で処理される間、基板の高さ位置が適切に制御されているかどうかを検知できるため、基板の処理エラーを効率的に検出し得る。
【００２９】
特に、第８の態様に係る基板処理装置によれば、基板に向けて供給された気体を適宜吸引することによって、基板の高さ位置を調節しやすくなるという優れた効果を奏し得る。
【００３０】
特に、第９の態様に係る基板処理装置によれば、気体供給部と気体吸引部とで適切に基板の高さ位置が制御されているかどうかを容易に把握できるという優れた効果を奏し得る。
【００３１】
また、第１０および第１１の態様に係る基板処理方法によれば、流量を検出対象とすることにより、圧力を検出する場合に比べて、安定した検出結果を取得し得る、また、供給流量の検出結果と基板の位置に対応する供給流量の基準とを比較することによって、基板に向けた気体供給が適切に実施されるかどうかを精度よく把握できる。したがって、基板の搬送高さを高精度に制御することができるという優れた効果を奏し得る。
【００３２】
特に、第１１の態様に係る基板処理方法によれば、供給流量の判定結果に基づいて流量を制御することにより、基板の高さ位置を高精度に制御することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示した上面図である。
【図２】ノズルユニットおよびノズル洗浄待機ユニットを取り外した基板処理装置の概略構成を示した上面図である。
【図３】塗布ステージの表面を示した上面図である。
【図４】塗布ステージにおける空気の流路を示す模式図である。
【図５】基板搬送チャック、ノズルユニットおよびノズル洗浄待機ユニットのＹＺ断面を示した模式図である。
【図６】制御部と制御部によって制御される各構成との接続関係を示したブロック図である。
【図７】塗布ステージにおける流量制御処理を実施する制御部の動作の流れ図である。
【図８】浮上搬送される基板の位置と、塗布ステージの各流路における気体流量の関係を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成要素はあくまでも例示するものであり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００３５】
なお、以下の説明においては、方向および向きを示す際に、適宜図中に示す３次元のＸＹＺ直交座標を用いる。ここで、Ｘ軸およびＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向（＋Ｚ側が上側、−Ｚ側が下側）を示す。また、便宜上、Ｘ軸方向を左右方向（基板搬送に関して＋Ｘ側が下流側、−Ｘ側が上流側）とし、Ｙ軸方向を奥行き方向（＋Ｙ側、−Ｙ側）とする。
【００３６】
＜１． 第１実施形態＞
＜１．１．基板処理装置の概要＞
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示した上面図である。また、図２は、ノズルユニット５およびノズル洗浄待機ユニット９を取り外した場合における、基板処理装置１の概略構成を示した上面図である。
【００３７】
基板処理装置１は、処理液を吐出するスリットが形成された長尺のノズルと基板とを相対的に移動させて基板の表面に処理液を塗布する装置（スリットコータ）として構成されている。この装置１は、基板の表面に形成された電極層等を選択的にエッチングする前処理として、処理液としてのレジスト液を基板に塗布するプロセス等に利用される。
【００３８】
スリットコータの塗布対象となる基板は、代表的に液晶表示装置に画面パネルを製造するための角形（ここでは、長方形）のガラス基板（基板Ｗ）であるが、半導体基板、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板、太陽電池パネル用基板等の他種類の基板であってもよい。
【００３９】
基板処理装置１の機構的構成は、上流ユニットから搬送されてくる水平姿勢の基板Ｗを受け入れて（＋Ｘ）方向に搬送する基板搬送装置２と、基板Ｗに処理液を塗布する塗布装置３と、出口浮上ステージ１１とに大別される。この基板処理装置１で処理液が塗布された後の基板Ｗは、出口浮上ステージ１１から移載ロボット３６によって減圧乾燥ユニット３７、３８のいずれかに移載され、塗布された処理液の減圧乾燥を受ける。その後、減圧乾燥ユニット３８と上下方向に積層された受け渡し位置３９に基板Ｗが移載され、さらに次の工程のための別装置に払い出される。
【００４０】
基板搬送装置２は、上流ユニットから送られてきた基板Ｗを搬送するコロコンベア３０と、圧縮空気によって基板Ｗを浮上させる入口浮上ステージ１０と、コロコンベア３０から入口浮上ステージ１０に基板Ｗを移載する移載ユニット６と、基板Ｗの両側端を吸着保持して下流に搬送する基板搬送チャック８とに大別される。また、塗布装置３は、処理液を吐出するスリットノズル５５を備えたノズルユニット５と、スリットノズル５５の洗浄を行うノズル洗浄待機ユニット９と、塗布処理が行われる塗布ステージ４とに大別される。
【００４１】
この基板処理装置１の全体を通して見たときの基板搬送区間ＴＲは、基板の支持方式の違いによって３つの区間に大別される。
【００４２】
(１) 接触支持区間ＴＡ：
上流側の接触支持区間ＴＡは、基板Ｗの下面に接触するコロ配列で基板Ｗを支持しつつ、それぞれのコロの回転によって基板を搬送する「コロ搬送方式」となっている。コロ搬送方式での基板支持は、基板Ｗの下面に接触して基板Ｗを支持する「接触支持形式」の１態様である。なお、本実施形態では、基板処理装置１の前段側に存在する上流ユニットの搬送も、コロ搬送方式となっている。
【００４３】
(２) 浮上支持区間ＴＣ１，ＴＣ２：
後述する支持形式転換区間ＴＢをはさんで接触支持区間ＴＡの下流側にある浮上支持区間ＴＣ１、ＴＣ２は、圧縮空気によって基板を浮上させることによって基板Ｗを支持する。一般に、基板を浮上させて基板を支持する形式が「浮上支持形式」であるが、この実施形態では、加圧気体（具体的には圧縮空気）によって浮上支持形式を実現しつつ、基板の両側端を吸着保持して基板を移動させる浮上搬送方式となっている。区間ＴＣ１、ＴＣ２のうち区間ＴＣ１は、処理液の塗布に直接に関係する塗布用搬送区間であり、区間ＴＣ２は基板を移載ロボット３６に受け渡すための出口区間である。
【００４４】
(３) 支持形式転換区間：ＴＢ
接触支持区間ＴＡと浮上支持区間ＴＣ１との間に設けられた支持形式転換区間ＴＢは、接触支持区間ＴＡと浮上支持区間ＴＣ１との間で、基板の支持方式を転換するための区間である。基板の支持形式ではなく搬送方式という観点から見れば、支持形式転換区間ＴＢは、接触支持区間ＴＡでの「接触搬送方式」としての「コロ搬送方式」と、浮上支持区間ＴＣ１、ＴＣ２での「浮上搬送方式」との間で、基板の搬送方式を転換する区間である。
【００４５】
＜１．２． 各部の構成および機能＞
＜●コロコンベア３０＞
コロコンベア３０は、回転する複数のコロ３０１の外周面の最上部が基板Ｗの下面に当接することで、基板Ｗに推進力を与え、下流方向に移動させる接触式の搬送装置である。駆動源であるモータと１本の回転軸３０２、さらにそれぞれ隣接する回転軸３０２同士において、タイミングベルト（図示せず）が掛け渡されているため、同じ回転速度を、同じタイミングで各回転軸３０２に与えることが可能である。これらの複数のコロ３０１は、後述する移載ユニット６のコロ６０１とは異なり、固定高さに設けられて基板の下面に接触するコロ群を構成する。
【００４６】
このコロコンベア３０において、Ｘ軸方向と平行な両端部の一方には、減速センサ（図示せず）が設置されており、この減速センサの設置位置よりもさらに基板Ｗの搬送方向下流側には、停止センサ（図示せず）が設置されている。搬送される基板Ｗの先端が、減速センサに検知されることにより、コロ３０１の回転速度は減速され、停止センサが基板Ｗの先端を検知することでコロ３０１の回転は停止される。このように事前に搬送される基板Ｗの速度を落とすことで、基板Ｗに加わる衝撃を最小限にしたうえで、基板Ｗの停止が可能となる。
【００４７】
＜●移載ユニット６＞
コロコンベア３０の下流側には移載ユニット６が設置されている。この移載ユニット６はコロコンベア３０と入口浮上ステージ１０との間隔空間に設置されており、浮上パッド６４と移載昇降コロコンベア６０とを備えている。
【００４８】
浮上パッド６４は、それぞれの上面から基板Ｗの下面に圧縮気体、例えば空気を噴出して基板Ｗを浮上させ、基板Ｗを非接触状態で支持する浮上機構である。浮上パッド６４は、空気を噴出するための多数の噴出孔を上面に分布させて設けた長方形状の部材で構成されており、その上面が気体噴射面となる。この噴出孔からは常に空気が噴出されている。この浮上パッド６４が、長手方向を基板Ｗの搬送方向と平行になるように、Ｙ軸方向に沿って所定間隔をおいて複数設置（図１では８個）されている。これら複数の浮上パッド６４の集合体が基板Ｗの浮上ステージとして機能する。
【００４９】
所定間隔をおいて配列された浮上パッド６４間の空隙には、移載昇降コロコンベア６０の複数のコロ６０１からなるコロ群が、各コロ６０１の外周面の最上部における回転方向と、浮上パッド６４の長手方向とが平行になる向きで位置しており、コロ６０１の回転の中心を回転軸６０２が貫いている。コロ６０１および回転軸６０２は、コロコンベア３０と同様に、駆動源であるモータによって回転駆動される。
【００５０】
各コロ６０１は、図示しない空圧駆動又は油圧駆動式のシリンダを備えた昇降機構によって、上下に昇降可能に構成されている。この昇降機構の駆動に合わせて、コロコンベア６０は、略水平を保ちつつＺ軸方向に昇降することによって、コロコンベア３０で搬送されてきた基板を受け取ったり、浮上パッド６４上に基板Ｗを浮上させたりする。
【００５１】
より詳細には、上昇時のコロ６０１の位置は、その外周面の最上部が基板Ｗの下面と接触する位置であり、浮上パッド６４の噴出孔からの空気の噴出により基板Ｗが浮上する高さよりも高い位置である。また、下降時のコロ６０１の位置は、コロ６０１の外周面の最上部が浮上パッド６４の上面よりも低い位置となる。上昇時においては、コロコンベア３０と同様に、回転するコロ６０１の外周面の最上部が基板Ｗの下面に当接することで、基板Ｗに推進力を与え、基板Ｗを下流方向に移動させる。
【００５２】
この移載昇降コロコンベア６０が上昇した状態で回転することにより、基板Ｗはコロコンベア３０から入口浮上ステージ１０へと搬送される。基板Ｗがコロコンベア３０を通過すると、移載昇降コロコンベア６０は浮上パッド６４の上面よりも下方に下降する。そのため、移載ユニット６による基板Ｗの支持は浮上パッド６４による浮上力のみとなり、入口浮上ステージ１０での浮上力と協働して基板Ｗを浮上させ、コロ等の下部機構とは非接触状態に移行する。
【００５３】
この移載ユニット６の搬送方向（＋Ｘ方向）の長さすなわち図１における支持形式転換区間ＴＢの長さは、搬送方向における基板Ｗの長さよりも短くなっている。換言すれば、搬送方向（＋Ｘ方向）について所定長の基板Ｗの処理を行う装置１において、移載ユニット６の搬送方向（＋Ｘ方向）の長さはその所定長よりも短くされている。そのため、基板処理ラインの全長を短縮化することが可能である。
【００５４】
＜●入口浮上ステージ１０＞
移載ユニット６の下流側には入口浮上ステージ１０が設置されている。この入口浮上ステージ１０は、多数の空気の噴出孔１０ａが１枚の板状ステージ面の全面にわたって分布形成されており、圧縮空気の噴出による気体圧力で基板Ｗを浮上させて、基板Ｗを、入口浮上ステージ１０の上面すなわち気体噴射面に対して非接触状態にすることが可能である。このときの基板Ｗの浮上高さは１０〜５００マイクロメートルとなる。入口浮上ステージ１０におけるこのような基板浮上原理は、移載ユニット６における浮上パッド６４の平行配列と同じである。
【００５５】
基板処理装置１の基板搬送路において、基板Ｗの搬送方向に対して平行な基板Ｗの幅方向（Ｙ軸方向）外側の位置（以下、「側方位置」と称する）には、回転軸がＺ軸と平行であるガイドローラが設置されている。ガイドローラは、入口浮上ステージ１０に基板Ｗの搬送が行われない場合には退避位置（基板Ｗの側辺の移動軌跡に相当するラインから離れた位置）にある。そして、基板搬送時には、ガイドローラが搬送方向に平行な基板Ｗの２辺を、両側から押し付けるように接触して基板Ｗが位置決めされる。
【００５６】
入口浮上ステージ１０の、Ｘ軸方向と平行な両端部の一方には、コロコンベア３０と同様に図示しない減速センサと停止センサとが設置されており、基板Ｗの搬送速度を減速させたうえで、入口浮上ステージ１０における所定の停止位置で基板Ｗの搬送を停止させることができる。
【００５７】
＜●塗布ステージ４＞
図３は、塗布ステージ４の表面を示した上面図である。入口浮上ステージ１０の下流には塗布ステージ４が存在する。図１に示すように、この塗布ステージ４上において基板Ｗはスリットノズル５５から処理液としてレジスト液を塗布される。
【００５８】
この塗布ステージ４は入口浮上ステージ１０と同様に、ステージ表面において多数の小孔が分布形成されている。入口浮上ステージ１０では、小孔は空気の噴出のみを行うように構成されているが、塗布ステージ４には、空気の噴出だけでなく、空気の吸引を行うための小孔も形成されている。つまり、塗布ステージ４上に存在する多数の小孔は、図３に示すように、圧縮空気の噴出孔４０ａと吸引孔４０ｂとに分類される。
【００５９】
このように空気の噴出と吸引とが行われることで、噴出孔４０ａからステージ面上に噴出した圧縮空気の空気流は水平方向に広がった後、それらの噴出孔４０ａに隣接する吸引孔４０ｂから吸引される。この吸引によって、浮上した基板Ｗと塗布ステージ４上面との間における空気層（圧力気体層）の圧力バランスがより安定的となり、浮上力が付与された基板Ｗの高さ位置を調整しやすくなる。以上のように、塗布ステージ４は、基板Ｗに向けて気体を噴射することによって、基板Ｗに浮上力を付与して支持する基板支持部として機能する。
【００６０】
図４は、塗布ステージ４における空気の流路を示す模式図である。まず、空気の供給流路（供給ラインＬ１）については、コンプレッサ等の圧縮機構２０１で圧縮された空気が、レギュレーター２０２で所定の圧力に調整された後に、各噴出孔４０ａにつながる流路へ送られる。このように、圧縮機構２０１は、基板に向けて気体を噴射することにより、基板に浮上力を付与して支持する浮上用給気部として機能する。
【００６１】
レギュレーター２０２で圧力が調整された空気は、フィルタ１２を通って清浄化され、ニードル弁１３（コントロールバルブ）でその圧力が調節される。このニードル弁１３の開度によって、供給ラインＬ１における気体流量（供給流量）が調整される。したがって、ニードル弁１３は、気体供給量調整部として機能する。その後、流量計１４ａ、圧力計１５、エアオペレーションバルブ１６を通過して、塗布ステージ４の噴出孔４０ａから噴出される。空気の供給の開始および停止は、エアオペレーションバルブ１６の開閉を制御部７からの指令信号によって行うことで実行される。圧縮機構２０１の圧縮空気の圧力制御もまた、制御部７によって実行される。
【００６２】
一方、塗布ステージ４における空気の吸引については、吸引手段としてのブロワ１８が用いられている。なお、吸引手段として、真空ポンプ等が用いられていてもよい。塗布ステージ４上に設けられた吸引孔４０ｂは、吸引流路である吸引ラインＬ２（図４中、二点鎖線で示す）に接続されている。吸引孔４０ｂから吸引された空気は、圧力計１７、流量計１４ｂ、ニードル弁１９（コントロールバルブ）を通過する。このニードル弁１９は、その開度が調整されることによって、吸引ラインＬ２における気体流量（吸引流量）を調整するための吸引量調整部として機能する。
【００６３】
＜●ノズルユニット５＞
図５は、基板搬送チャック８とノズルユニット５とノズル洗浄待機ユニット９とのＹＺ断面を示した模式図である。
【００６４】
基板Ｗの表面にレジスト液を塗布するノズルユニット５は、塗布ステージ４の上方に設置されており、図５に示す架橋構造を持つ。このような架橋構造は、例えばカーボンファイバ補強樹脂を骨材とするノズル支持部と、その両端を支持して昇降させる昇降機構とから構成されている。ノズル支持部にはスリットノズル５５が設置されている。このスリットノズル５５は、処理液供給機構（図示せず）から供給されるレジスト液を、その下端に形成されているスリット状の吐出口５５ａから基板Ｗの上面へ吐出する。この吐出口５５ａは、塗布ステージ４に対して略水平であり、Ｙ軸方向に沿って延びている。
【００６５】
ノズルの昇降機構はノズル支持部の両端に設置されており、主に駆動源であるサーボモータ５９と、ボールねじ５８とによって構成されている。このサーボモータ５９により、ノズル支持部は塗布ステージ４に対して鉛直方向に延びたボールねじ５８に沿って昇降駆動されて、スリットノズル５５の吐出口５５ａと基板Ｗとの間隔は調節される。
【００６６】
この昇降機構には、基板搬送路の両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）で基板と接しない位置にＸ軸方向に沿って延びるノズルユニット走行ガイド５１が設置されている。
【００６７】
２つ（−Ｙ側、＋Ｙ側）のノズルユニットリニアモータ５３のそれぞれの固定子は本体装置のＹ軸方向の側面にＸ軸方向に沿って設けられており、それぞれの移動子は昇降機構の外側に固設されている。これらの固定子と移動子との間に生じる磁気相互作用によって、ノズルユニット５は、ノズルユニット走行ガイド５１に沿って移動する。
【００６８】
塗布処理を行う際には、スリットノズル５５の吐出口５５ａからレジスト液を吐出した状態で、基板搬送チャック８が基板Ｗの両端を保持して（＋Ｘ）軸方向に所定の速度で水平移動させる。
【００６９】
基板搬送チャック８は、下面が非接触状態にある基板Ｗのエッジを保持して基板Ｗを下流方向に搬送するための装置である。原点状態において基板搬送チャック８は、浮上パッド６４と入口浮上ステージ１０とに跨って停止した基板Ｗの、Ｘ軸方向に平行な両端部の直下に位置している。つまり、基板Ｗを吸着する位置の内側に、移載ユニット６と入口浮上ステージ１０とが位置する構造である。
【００７０】
図１等に示すように、基板搬送チャック８は、基板搬送経路に沿って、入口浮上ステージ１０、塗布ステージ４および出口浮上ステージ１１の両側部のみならず、移載ユニット６の両側部にも延在している。
【００７１】
図５に示すように基板搬送チャック８は、左右対称（＋Ｙ側と−Ｙ側とで対称）構造となっており、左右それぞれで、基板Ｗを吸着保持するチャック部８８と、Ｘ軸方向に移動するための搬送チャック走行ガイド８１と、その移動のための駆動力を発生させる搬送チャックリニアモータ８３と、基板Ｗの位置を検出するための搬送チャックリニアスケール８２とを備えている。
【００７２】
チャック部８８は、図示しないシリンダの動作により昇降させることが可能である。チャック部８８が上昇することで、＋Ｙ側、−Ｙ側の基板Ｗの両端部の下面は支持され、吸着保持される。
【００７３】
このチャック部８８の下方には、基板搬送路の両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）で、ノズルユニット走行ガイド５１よりも内側の位置に、Ｘ軸方向に沿って搬送チャック走行ガイド８１が設置してある。
【００７４】
２つの搬送チャックリニアモータ（−Ｙ側、＋Ｙ側）のそれぞれの固定子は基板処理装置１のＹ軸方向における最も内側の側面にＸ軸方向に沿って設けられている。それぞれの移動子は基板搬送チャック８に固設されている。これらの固定子と移動子との間に生じる 磁気相互作用によって基板搬送チャック８は、搬送チャック走行ガイド８１に沿って移動する。
【００７５】
２つの搬送チャックリニアスケール８２についても、基板処理装置１の両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）に、それぞれ設置されている。この搬送チャックリニアスケール８２が基板搬送チャック８の移動位置を検出するため、制御部７はその検出結果に基づいて基板位置の制御を行う。
【００７６】
ノズル洗浄待機ユニット９は、スリットノズル５５が基板Ｗの表面に塗布処理を行った後で、レジスト液で汚れたノズル先端を洗浄し、次の塗布処理に向けてスリットノズル５５の吐出口５５ａの状態を整えるための装置である。そのため、スリットノズル５５からのレジスト液の吐出対象となる略円筒状のローラ９５を備えている。
【００７７】
ローラ９５の外周面にスリットノズル５５を近接させた状態で吐出口５５ａから一定のレジスト液を吐出させると、吐出口５５ａにレジスト液の液だまりが形成される。このように吐出口５５ａに液だまりが均一に形成されると、その後の塗布処理を高精度に行うことが可能となる。このようにして、スリットノズル５５の吐出口５５ａは初期化され、次の基板Ｗの塗布処理に備える。
【００７８】
図１，２に戻って、塗布ステージ４の下流には出口浮上ステージ１１が設置されている。この出口浮上ステージ１１は入口浮上ステージ１０と同様に気体を噴出させるための噴出孔１１ａが形成されており、さらにリフトピン１１５が噴出孔１１ａの合間を縫って所定間隔をおいて、基板Ｗの全面に対向するように配置されている。
【００７９】
リフトピン１１５は出口浮上ステージ１１の下方に設置されたリフトピン昇降機構（図示せず）によって、鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降駆動される。下降時はリフトピン１１５の先端が出口浮上ステージ１１の上面以下に、上昇時はリフトピン１１５の先端が基板Ｗを移載ロボット３６に受け渡す位置まで上昇する。リフトピン１１５が上昇することで基板Ｗの下面は支持され、持ち上げられるので、基板Ｗは出口浮上ステージ１１の上面から引きはがされる。出口浮上ステージ１１の下流に設置された移載ロボット３６がリフトピン１１５間に移載フォークを差し込み、リフトピン１１５からの基板Ｗの受け渡しが行われる。
【００８０】
＜１．３． 流路内の流量制御＞
次に、図４で示した空気の各流路における気体の流量制御について説明する。
【００８１】
図６は、制御部７と制御部７によって制御される各構成との接続関係を示したブロック図である。制御部７は、図示を省略するＣＰＵやメモリ（ＲＡＭ）の他、プログラムが格納されたＲＯＭ等の一般的なコンピュータとして構成されている。図６では、流量制御を行う要素に絞って図示しているが、制御部７は、コンピュータにインストールされたプログラムと、装置各部の特性データ、および各基板Ｗの処理手順（レシピ）に従って装置各部を制御し、一連の基板の連続処理を実行するように構成されている。なお、制御部７はその一部または全部が専用回路で構成されていてもよい。
【００８２】
制御部７は、ニードル弁１３，１９を制御することによって、各気体流路内の気体流量を制御する。詳細には、制御部７は、供給ラインＬ１内の気体流量を流量計１４ａで検出し、この検出結果に基づき、ニードル弁１３の開度を制御して、供給ラインＬ１内の気体流量を調整する。また、制御部７は、吸引ラインＬ２内の気体流量を流量計１４ｂで検出し、この検出結果に基づき、ニードル弁１９の開度を制御して、吸引ラインＬ２内の気体流量を調整する。
【００８３】
制御部７による流量検出に基づいた各流路（供給ラインＬ１および吸引ラインＬ２）内の流量制御は、以下のようにして実施される。すなわち、噴出孔４０ａから噴出する気体量や吸引孔４０ｂから吸引する気体の吸引量の条件を複数変更して、試験的に基板Ｗの塗布処理を行い、問題なく塗布処理が実施できたときの各流路の流量値を基準値として取得する。なお、各流量値は、塗布ステージ４上における基板Ｗの位置に応じて変化し得るため、基板Ｗの位置に応じて基準値が定められる。基準値が記録された基準値データＳＴＤは、記憶部７１（補助記憶装置等）に格納される。また、流量値と同様に、圧力計１５，１７によって測定される圧力値についても、同様に基準値データＳＴＤとして記憶部７１に格納される。
【００８４】
ここで、各流路内における気体流量を制御する場合、制御部７は、上記記憶部７１に格納された流量の基準値と、実際の基板処理（ここでは、基板搬送と塗布処理を含む。）の際に測定される各流路内の流量の測定値とを比較する。そして、流量判定部７ａによって測定値が基準値から所定の閾値で離れていると判定される場合に、ニードル弁１３，１９の開度を調整することによって、流量値が許容範囲内に収束するように流量調整を行う。
【００８５】
また、図６に示すように、制御部７には報知機構７３が接続されている。報知機構７３は、例えば液晶ディスプレイ等に警告表示を行うもの、あるいは、音響や赤色光線などを発したりするもの、もしくはこれらの組合せたもの等で構成されている。制御部７は、流量計１４ａ，１４ｂおよび圧力計１５，１７の測定結果が異常である際等に、報知機構７３によってその異常をオペレータに報知するように構成されている。
【００８６】
次に、塗布ステージ４において基板Ｗを浮上搬送する際の、制御部７による流量制御処理について説明する。
【００８７】
図７は、塗布ステージ４における流量制御処理を実施する制御部７の動作の流れ図である。まず、制御部７は、塗布ステージ４上に基板Ｗが存在するか否かを判断する（ステップＳ１）。具体的には、搬送チャックリニアスケール８２を監視することによって、基板搬送チャック８により搬送されている基板Ｗの位置を検出し、塗布ステージ４上に基板Ｗが存在するか否かを検出する。
【００８８】
塗布ステージ４上に基板Ｗが存在する場合（ステップＳ１においてＹＥＳ）、制御部７は、流量制御を行わずに、塗布ステージ４上の基板Ｗが搬出されるまで待機する。一方、塗布ステージ４上に基板Ｗが存在しない場合（ステップＳ１においてＮＯ）、次のステップである流量判定（ステップＳ２、ステップＳ６）へ進む。
【００８９】
まずステップＳ２について説明する。制御部７は、記憶部７１に格納された供給流量の基準値と、実際に流量計１４ａで測定される測定値とを比較することによって、測定値が許容範囲内にあるかどうかを判定する（ステップＳ２）。この判定は、具体的には、測定値と基準値との差、または測定値を基準値で割ったときの商の値が、あらかじめ定められた閾値を超えるか否か等を流量判定部７ａが判定することによって実現される。
【００９０】
測定された供給流量が許容範囲内である場合（ステップＳ２においてＹＥＳ）、流量制御を行う必要はないため、制御部７は次のステップＳ１１（圧力測定）に進む。これに対して、供給流量が許容範囲外である場合は（ステップＳ２においてＮＯ）、制御部７は、供給ラインＬ１における気体流量の調整を開始する（ステップＳ３）。詳細には、ニードル弁１３の開度を制御する。そして制御部７は、制御許容時間内であるかどうかを判定する（ステップＳ４）、具体的には、ステップＳ１において検出される基板Ｗの位置に基づき、基板Ｗが塗布ステージ４上に到達するまでの時間が算出され、この時間が制御許容時間となる。ステップＳ４では、この制御許容時間がまだ残っているかどうかで判定される。
【００９１】
制御許容時間内である場合（ステップＳ４においてＹＥＳ）、制御部７は再びステップＳ２に戻って、流量判定を行い、以降の動作を繰り返して実行する。これに対して、制御許容時間が既に完了している場合は（ステップＳ４においてＮＯ）、制御部７は、報知機構７３によって、供給ラインＬ１における供給流量が異常であることをオペレータに報知して（ステップＳ５）、流量制御を終了する。
【００９２】
また、制御部７は、以上のステップＳ２〜ステップＳ５の動作と並行して、吸引流量の制御についても行う。具体的には、ステップＳ１において塗布ステージ４上に基板Ｗがないことを確認すると、制御部７は、記憶部７１に格納された吸引流量の基準値と、実際に吸引ラインＬ２の流量計１４ｂで測定される測定値とを比較することによって、測定値が許容範囲内にあるかどうかを判定する。この判定は、具体的には、測定値と基準値との差、もしくは、測定値を基準値で割ったときの商の値が、あらかじめ定められた閾値を超えるか否かを流量判定部７ａが判定することによって実現される。
【００９３】
測定された吸引流量の値が許容範囲内である場合（ステップＳ６においてＹＥＳ）、流量制御を行う必要はないため、制御部７は流量調整を行わずに次のステップＳ１１（圧力測定）に進む。これ対して、吸引流量が許容範囲外である場合は（ステップＳ６においてＮＯ）、制御部７はニードル弁１９の開度を制御することによって、吸引ラインＬ２における気体流量の調整を開始する（ステップＳ７）。さらに制御部７は、制御許容時間内であるかどうかを判定する（ステップＳ９）。このステップＳ９は、ステップＳ４と同様であるため、説明を省略する。
【００９４】
制御許容時間内である場合（ステップＳ８においてＹＥＳ）、制御部７は再びステップＳ６に戻って、流量判定を行うことにより、吸引流量が適切かどうかを判定する。これに対して、制御許容時間が完了している場合は（ステップＳ８においてＮＯ）、制御部７は、報知機構によって、吸引流量が異常であることをオペレータに報知して（ステップＳ９）、流量制御を終了する。
【００９５】
ステップＳ２およびステップＳ６において供給流量および吸引流量の双方が許容範囲内の大きさであると判定された場合（ステップＳ２，Ｓ６においてＹＥＳ）、制御部７は供給ラインＬ１内および吸引ラインＬ２内の圧力が、許容範囲内の値であるかどうかを判定する（ステップＳ１１）。具体的には、圧力計１５，１７で計測される圧力値と、基準値データＳＴＤに記録された圧力の基準値とを比較することによって、測定される圧力値が予め定められた許容範囲内にあるか否かが判定される。
【００９６】
圧力が許容範囲を超えると判定された場合（ステップＳ１１においてＮＯ）、制御部７は報知機構７３によって、圧力が異常であることをオペレーターに報知して（ステップＳ１２）、流量制御処理を終了する。この際、供給ラインＬ１および吸引ラインＬ２のどちらの圧力が異常であるかどうかが分かるように報知することで、後のメンテナンスが容易となる。
【００９７】
一方、各流路内の圧力についても許容範囲内であると判定された場合（ステップＳ１１においてＹＥＳ）、制御部７は、基板進入を許可する（ステップＳ１３）。具体的には、基板搬送チャック８等による基板Ｗの塗布ステージ４上への基板搬送を許可する。そして制御部７は、塗布ステージ４に搬送される基板Ｗに対して、スリットノズル５５からレジスト液を吐出する等の一連の塗布処理を実行する（ステップＳ１４）。
【００９８】
塗布処理が完了すると制御部７は、さらに塗布処理すべき次の基板Ｗがあるかどうかを検出することによって、基板処理装置１における塗布処理を終了するかどうかを判定する（ステップＳ１５）。次の処理対象の基板Ｗがない等のために塗布処理を終了する場合は（ステップＳ１５においてＹＥＳ）、流量制御処理を終了する。これに対して、塗布処理を続行する場合は（ステップＳ１５においてＮＯ）、ステップＳ１に戻って、以降の動作を繰り返して実行する。
【００９９】
以上のように、本実施形態に係る基板処理装置１は、基板Ｗの位置を検出することによって、塗布ステージ４に基板Ｗが搬送されてくる前に流量判定を行い、各流路内の流量制御を行う。これにより、基板Ｗに向けた気体の供給が適切に実施されるかどうかを高精度に把握できるとともに、基板処理前に基板を適切な高さ位置に保持できるかどうかを検知し得る。したがって、基板Ｗの処理エラーの発生を抑制できる。
【０１００】
また、ステップＳ５，Ｓ９，Ｓ１１において異常報知が実行された場合、制御部７はステップＳ１３の処理（基板進入の許可）を実行しないため、塗布ステージ４上に基板Ｗが搬送されることが抑制される。これにより、基板Ｗの高さ位置を制御できないことによる基板Ｗの塗布不良の発生を抑制することができる。
【０１０１】
なお、ステップＳ５，Ｓ９，Ｓ１１で異常報知が実行された場合であっても、制御部７が基板Ｗの搬送および塗布処理を継続して行うように構成してもよい。基板搬送を停止することは、基板処理装置における基板処理の歩留まり低下を必然的に招来するおそれがあるため、塗布処理を継続して行うことが望ましい場合もある。なお、この場合には、流量値や圧力値が異常な状態で塗布処理が行われた基板Ｗについて、後の検査工程で必ず検査するように構成されることが望ましい。
【０１０２】
また、ステップＳ５，Ｓ９，Ｓ１１において異常報知が実行された場合に、基板搬送を行うものの、塗布処理を行わないように構成されていてもよい。この場合は、塗布不良の発生を予め抑制することができる。
【０１０３】
以上が、制御部７による流量制御処理についての説明である。
【０１０４】
ところで、本実施形態の基板処理装置１では、各流路の「流量」に基づき、塗布ステージ４上で噴射もしくは吸引される空気の量を調整する。ここで、空気の供給量および吸引量を、各流路の「圧力」に基づいて制御することも可能である。しかしながら、圧力に基づく流量制御の場合、以下のような問題が起こり得る。
【０１０５】
すなわち、例えば、基板Ｗが塗布ステージ４の上方の大部分を覆っているときなどは、噴出孔４０ａから噴出した空気の多くが吸引孔４０ｂで吸引される状態となる。この場合、各流路の圧力の絶対値は十分に大きいため、比較的安定して各流路の圧力を測定することができる。ところが、基板Ｗが塗布ステージ４上（詳細には、噴出孔４０ａまたは吸引孔４０ｂの上方）にない場合や、僅かだけしか覆われていない場合等では、噴出孔４０ａから噴出される空気のほとんどが大気中に分散し、吸引孔４０ｂは、噴出孔４０ａからの空気よりも大気中の空気を吸引することとなる。このような場合、各流路の圧力の絶対値は、非常に低い値となるため、安定して正確に圧力を測定することは困難となる。
【０１０６】
これに対して、「流量」については、塗布ステージ４上における基板Ｗの有無にかかわらず、安定して測定することができる。したがって、気体の供給量および吸引量を、供給ラインＬ１および吸引ラインＬ２の気体流量のそれぞれに基づいて適切に制御することができるため、基板Ｗを適切な高さ位置に搬送することができる。したがって、「圧力」ではなく「流量」に基づいて空気の供給量および吸引量を制御することで、安定した基板搬送と基板処理とを実行することができる。
【０１０７】
また、圧力に基づく流量制御の場合、圧力計の測定精度が安定する（すなわち、安定した測定結果が得られる）までに相応の時間を要する。これに比べて、流量測定の場合は、比較的早くに流量値を安定的に検出することができる。したがって、流量制御の応答性を高めることができるため、基板Ｗの搬送高さをより制御しやすくなる。
【０１０８】
＜２． 第２実施形態＞
第１実施形態の基板処理装置１では、基板Ｗが塗布ステージ４に搬入される前に流量判定して、流量制御を行うように構成されていたが、流量制御を行うタイミングは、上記のようなものに限られるものではない。具体的には、塗布ステージ４上を基板Ｗが通過する間（レジスト液が塗布される期間を含む。）、流量計１４ａ，１４ｂによって検出される流量値が、記憶部７１に格納された基準値と比較して、許容範囲内にあるかがどうかが判定される。
【０１０９】
図８は、浮上搬送される基板Ｗの位置と、塗布ステージ４の各流路における気体流量の関係を説明するための説明図である。なお、図８（ａ）〜（ｃ）は、基板Ｗが移動する様子を模式的に示している。詳細には、図８（ａ）は、基板Ｗの搬送方向の前方端ＦＷが塗布ステージ４の（−Ｘ）側端部（以下、始端位置ＰＯＳ１）に到達してから塗布ステージ４の（＋Ｘ）側端部（以下、終端位置ＰＯＳ２）に到達するまでを示している。また、図８（ｂ）は、前方端ＦＷが終端位置ＰＯＳ２に到達してから基板Ｗの搬送方向の後方端ＢＷが始端位置ＰＯＳ１に到達するまでを示している。さらに、図８（ｃ）は、後方端ＢＷが始端位置ＰＯＳ１に到達してから終端位置ＰＯＳ２に到達するまでを示している。また、図８（ｄ）は、移動する基板Ｗの前方端ＦＷの各位置における、供給ラインＬ１の供給流量の変化（実線）と、吸引ラインＬ２の吸引流量の変化（破線）を示す図である。
【０１１０】
図８（ｄ）に示すように、前方端ＦＷが始端位置ＰＯＳ１に到達するまでは、塗布ステージ４上に基板Ｗが存在しないため、供給流量および吸引流量は、略一定に保たれる。そして前方端ＦＷが始端位置ＰＯＳ１に到達してから終端位置ＰＯＳ２に到達するまで、塗布ステージ４上を基板Ｗが次第に覆うこととなる。このとき、供給ラインＬ１および吸引ラインＬ２内の供給流量および吸引流量が次第に減少する。
【０１１１】
さらに図８（ｂ）に示すように、前方端ＦＷが終端位置ＰＯＳ２を通過してから後方端ＢＷが始端位置ＰＯＳ１を通過するまでの間は、塗布ステージ４上が基板Ｗによって覆われる状態が続く。この期間では、図８（ｄ）に示すように、供給流量および吸引流量は、略一定となる。また、図８（ｃ）に示すように、後方端ＢＷが始端位置ＰＯＳ１を通過してから終端位置ＰＯＳ２を通過するまでは、基板Ｗが塗布ステージ４上から徐々に退出されることによって、供給流量および吸引流量が次第に増加する。そして後方端ＢＷが終端位置ＰＯＳ２を通過すると、塗布ステージ４上が完全に開放され、再び供給流量および吸引流量が略一定に保たれることとなる。
【０１１２】
以上のように、塗布ステージ４上における基板Ｗの有無によって、流量計１４ａ，１４ｂが検出される供給流量、吸引流量が共に変化する。特に、基板Ｗが塗布ステージ４上に進入したときの供給流量、吸引流量のそれぞれは、塗布ステージ４から退出したとき（もしくは進入する前）よりも小さい値となる。
【０１１３】
本実施形態では、流量値の比較対象となる供給流量および吸引流量の基準値を、基板Ｗの位置毎に応じて上記のような大小関係となるように設定される。そして制御部７は、各基板処理において塗布ステージ４上に進入する前から退出するまでの間に測定される流量の測定値と、この基準値を常時比較するように構成される。このように基板処理装置１を構成した場合、基板Ｗが塗布ステージ４上で処理される間、基板Ｗの高さ位置が適切に制御されているかどうかを検知できるため、基板Ｗの処理エラーを効率的に検出し得る。
【０１１４】
なお、基板Ｗが塗布ステージ４上を通過する間、制御部７は、流量判定を行いながら、各流路の流量値を許容範囲内に収束させるようにニードル弁１３，１９を制御してもよい。ただし、塗布ステージ４上に基板が搬入された状態で流量制御を実行した場合、基板Ｗに振動が生じる等して逆にその姿勢が不安定となり、塗布不良が発生する場合がある。したがって、基板Ｗが塗布ステージ４上を通過する間は、制御部７は流量判定のみを行い、流量制御を行わない方が好ましい。このため、流量制御については、第１実施形態のように基板Ｗが塗布ステージ４に搬入される前にのみ実行するようにし、基板Ｗが塗布ステージ４上を移動する間（特に、基板Ｗにレジスト液の塗布を行っている間）は、流量制御を一切行わないように構成することによって、塗布処理中の基板Ｗの姿勢を安定させるようにすることが望ましい場合もある。
【０１１５】
＜３． 変形例＞
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【０１１６】
例えば上記実施形態では、図４に示すように、気体給気部である圧縮機構２０１により供給される全気体の流量値を流量計１４ａで測定するようにしているが、供給ラインＬ１のうちの、例えば噴出孔４０ａのそれぞれに連結する分岐後の流路において、流量計１４ａを設け、この位置での流量に基づいて制御部７が流量制御を行うように構成してもよい。このことは、吸引ラインＬ２における吸引流量の測定においても同様である。
【０１１７】
また、上記実施形態では、各流路の流量調節手段として、ニードル弁を使用すると説明したが、ダイヤフラム式、バタフライ式等の流量調節弁やマスフローコントローラーなどの調節弁が用いられていてもよい。
【０１１８】
また、基板に向けて供給する気体として、窒素ガス等を採用することによって、基板Ｗ上の処理液を含む化合物への影響を最小限に抑制することも可能である。
【０１１９】
また、上記実施形態では、搬送チャックリニアスケール８２によって基板Ｗの位置を検出するようにしているが、例えば、物理的に基板Ｗに接触することによって、基板Ｗの通過を検出する接触式センサーや、光や音波等によって基板Ｗの位置を検出する非接触式センサー等を利用して、基板Ｗの位置を検出するようにしてもよい。
【０１２０】
また、上記実施形態および変形例にて説明した各構成は、矛盾の生じない限りにおいて、互いに組み合わせたり、あるいは省略したりすることができる。
【符号の説明】
【０１２１】
１ 基板処理装置
２ 基板搬送装置
３ 塗布装置
４ 塗布ステージ
５ ノズルユニット
７ 制御部
８ 基板搬送チャック
１０ 入口浮上ステージ
１１ 出口浮上ステージ
１３，１９ ニードル弁
１４ａ，１４ｂ 流量計
１５，１７ 圧力計
１８ ブロワ
２０１ 圧縮機構
４０ａ 噴出孔
４０ｂ 吸引孔
５５ スリットノズル
７１ 記憶部
７３ 報知機構
７ａ 流量判定部
８２ 搬送チャックリニアスケール
ＢＷ 後方端
ＦＷ 前方端
Ｌ１ 供給ライン
Ｌ２ 吸引ライン
ＰＯＳ１ 始端位置
ＰＯＳ２ 終端位置
ＳＴＤ 基準値データ
Ｗ 基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶表示装置用ガラス基板、半導体基板、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板、太陽電池パネル用基板、電子ペーパー用基板等の精密電子装置用基板、あるいはそれに類する各種基板を搬送する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置用ガラス基板等の基板を搬送する際には、基板の汚損を防止しつつ効率的な搬送を目指した種々の基板搬送装置が用いられている。
【０００３】
近年、液晶ディスプレイを製造するマスターガラス基板のサイズが大型化している。このような大型ガラス基板を搬送する際には、搬送の衝撃によって基板に損傷を与えないように、基板の平面度を高精度に保って搬送を行うことが重要である。また、撓ませることなく安定して基板を搬送することが求められている。
【０００４】
基板を搬送する技術は、これまでにも幾つか提案されているが、上記のような要求に応える搬送技術として、できる限り非接触状態で基板を搬送する技術が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００５】
特許文献１には、表面に設けられた気体噴出孔から空気を噴出させ、その圧力を利用して基板を浮上させるステージを備えた搬送機構が開示されている。そして、この基板に向けて噴出された空気は、表面に設けられた吸引孔から吸引するように構成されており、気体の噴出と吸引との間でバランスをとることによって、基板の高さ位置が制御される。
【０００６】
さらに、特許文献１には、噴出させる気体の圧力（噴出圧）を圧力計で測定し、これを常時監視して圧力制御手段（例えばバルブ）により噴出圧を一定にすることによって、搬送する基板の浮上高さを一定にすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−４０５３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、圧力計で測定した場合、噴出孔を基板が覆っている状態では、比較的噴出圧を安定して測定し得るが、噴出孔の上方に基板が存在しない場合、噴出気体がほぼ自由に抜けていく状態となり、噴出圧の絶対値が非常に小さくなってしまうため、圧力を精度よく測定することが困難となる場合がある。
【０００９】
また、圧力計に基づいて圧力制御手段であるバルブの開度を制御した場合、圧力の測定値が安定するまでに相応の時間を要するため、噴出圧を適切に制御できるまでに時間がかかり、基板を所定高さに安定して搬送することが困難となる場合がある。
【００１０】
本発明は上記のような課題に鑑みてなされたものであり、基板の搬送高さを高精度に制御し得る技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するため、第１の態様は、搬送される基板に対して処理を行う基板処理装置であって、基板に向けて気体を供給することにより、前記基板に浮上力を付与する気体供給部と、基板に向けて供給される気体の供給流量を検出する供給流量検出部と、前記浮上力が付与される基板の位置を検出する位置検出部と、前記供給流量検出部によって検出される供給流量と、前記位置検出部によって検出される基板の位置に対応した供給流量の基準とを比較することによって、前記供給流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する供給流量判定部とを備える。
【００１２】
また、第２の態様は、第１の態様に係る基板処理装置において、前記判定部によって、前記供給流量検出部が検出する供給流量が許容範囲外の値であると判定される場合に、許容範囲内に収まるように前記気体供給部から供給される気体の流量を制御する流量制御部、をさらに備える。
【００１３】
また、第３の態様は、第１または第２の態様に係る基板処理装置において、前記気体供給部から供給された気体を基板に向けて噴射する複数の噴出孔が形成された平面を有するステージと、前記ステージの平面の上方において、基板に対して所定の処理を行う処理部とをさらに備える。
【００１４】
また、第４の態様は、第３の態様に係る基板処理装置において、前記処理部が、基板の進行方向に対して直交する方向に延びるスリット状の吐出口から処理液を吐出して基板に塗布するスリットノズルと、前記スリットノズルに対して、前記処理液を供給する処理液供給部とを備える。
【００１５】
また、第５の態様は、第３または第４の態様に係る基板処理装置において、基板の位置に対応する前記供給流量の基準のうち、基板が前記ステージ上に進入した位置に対応する基準が、前記ステージ上から退出した位置に対応する基準よりも小さい。
【００１６】
また、第６の態様は、第３から第５の態様までのいずれか１態様に係る基板処理装置において、基板がステージ上に進入する前に、前記供給流量判定部が、前記供給流量検出部の検出する供給流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する。
【００１７】
また、第７の態様は、第３から第６の態様までのいずれか１態様に係る基板処理装置において、前記ステージ上に進入する前から退出するまでの間、前記供給流量判定部が、前記供給流量検出部の検出する供給流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する。
【００１８】
また、第８の態様は、第１から第７の態様までのいずれか１態様に係る基板処理装置において、気体を吸引することによって、前記浮上力が付与される基板の高さ位置を調節する気体吸引部、をさらに備える。
【００１９】
また、第９の態様は、第８の態様に係る基板処理装置において、前記気体吸引部によって吸引される気体の吸引流量を検出する吸引流量検出部と、前記吸引流量検出部によって検出される吸引流量と、前記位置検出部によって検出される基板の位置に対応する吸引流量の基準とを比較することによって、前記吸引流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する吸引流量判定部とを備える。
【００２０】
また、第１０の態様は、搬送される基板に対して、処理を行う基板処理方法であって、(a)基板に向けて気体を供給することにより、前記基板に浮上力を付与する工程と、(b)前記(a)工程において基板に向けて供給される気体の供給流量を検出する工程と、(c)前記(a)工程において浮上力が付与される基板の位置を検出する工程と、(d)前記(b)工程において検出される供給流量と、前記(c)工程において検出される基板の位置に対応する供給流量の基準とを比較することによって、前記供給量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する工程とを有する。
【００２１】
また、第１１の態様は、第１０の態様に係る基板処理方法において、前記(c)工程において、検出される供給流量が許容範囲外の値であると判定される場合に、許容範囲内に収まるように前記(a)工程において供給する気体流量を制御する工程、をさらに有する。
【発明の効果】
【００２２】
第１から第９までの態様に係る基板処理装置によれば、流量を検出対象とすることにより、圧力を検出する場合に比べて、安定した検出結果を取得し得る、また、供給流量の検出結果と基板の位置に対応する供給流量の基準とを比較することによって、基板に向けた気体供給が適切に実施されるかどうかを精度よく把握できる。したがって、基板の搬送高さを高精度に制御することができるという優れた効果を奏し得る。
【００２３】
特に、第２の態様に係る基板処理装置によれば、供給流量の判定結果に基づいて流量を制御することにより、基板の高さ位置を高精度に制御することが可能となる。
【００２４】
特に、第３の態様に係る基板処理装置によれば、ステージに対して基板を適切に浮上させることができるため、ステージ上において、適切に基板処理を実施できるという優れた効果を奏し得る。
【００２５】
特に、第４の態様に係る基板処理装置によれば、高さ位置の変動が抑えられた基板に対してスリットノズルから吐出された処理液が塗布されるため、塗布ムラが抑えられた状態で処理液を塗布できるという優れた効果を奏し得る。
【００２６】
特に、第５の態様に係る基板処理装置によれば、ステージの噴出孔が基板に覆われるほど、ステージと基板との間に気体が滞留しやすくなって、検出される気体の供給流量が減少する。このような事情に合わせて基準を設定することにより、流量判定を適切に実施できるという優れた効果を奏し得る。
【００２７】
特に、第６の態様に係る基板処理装置によれば、基板がステージ上に進入する前に、気体の供給流量が許容範囲内にあるかどうかが判定されるため、基板処理前に基板を適切な高さ位置に保持できるかどうかを検知し得る。したがって、基板の処理エラーの発生を抑制できるという優れた効果を奏し得る。
【００２８】
特に、第７の態様に係る基板処理装置によれば、気体の供給流量が許容範囲内にあるかどうかを判定することによって、基板がステージ上で処理される間、基板の高さ位置が適切に制御されているかどうかを検知できるため、基板の処理エラーを効率的に検出し得る。
【００２９】
特に、第８の態様に係る基板処理装置によれば、基板に向けて供給された気体を適宜吸引することによって、基板の高さ位置を調節しやすくなるという優れた効果を奏し得る。
【００３０】
特に、第９の態様に係る基板処理装置によれば、気体供給部と気体吸引部とで適切に基板の高さ位置が制御されているかどうかを容易に把握できるという優れた効果を奏し得る。
【００３１】
また、第１０および第１１の態様に係る基板処理方法によれば、流量を検出対象とすることにより、圧力を検出する場合に比べて、安定した検出結果を取得し得る、また、供給流量の検出結果と基板の位置に対応する供給流量の基準とを比較することによって、基板に向けた気体供給が適切に実施されるかどうかを精度よく把握できる。したがって、基板の搬送高さを高精度に制御することができるという優れた効果を奏し得る。
【００３２】
特に、第１１の態様に係る基板処理方法によれば、供給流量の判定結果に基づいて流量を制御することにより、基板の高さ位置を高精度に制御することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示した上面図である。
【図２】ノズルユニットおよびノズル洗浄待機ユニットを取り外した基板処理装置の概略構成を示した上面図である。
【図３】塗布ステージの表面を示した上面図である。
【図４】塗布ステージにおける空気の流路を示す模式図である。
【図５】基板搬送チャック、ノズルユニットおよびノズル洗浄待機ユニットのＹＺ断面を示した模式図である。
【図６】制御部と制御部によって制御される各構成との接続関係を示したブロック図である。
【図７】塗布ステージにおける流量制御処理を実施する制御部の動作の流れ図である。
【図８】浮上搬送される基板の位置と、塗布ステージの各流路における気体流量の関係を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成要素はあくまでも例示するものであり、本発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
【００３５】
なお、以下の説明においては、方向および向きを示す際に、適宜図中に示す３次元のＸＹＺ直交座標を用いる。ここで、Ｘ軸およびＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向（＋Ｚ側が上側、−Ｚ側が下側）を示す。また、便宜上、Ｘ軸方向を左右方向（基板搬送に関して＋Ｘ側が下流側、−Ｘ側が上流側）とし、Ｙ軸方向を奥行き方向（＋Ｙ側、−Ｙ側）とする。
【００３６】
＜１． 第１実施形態＞
＜１．１．基板処理装置の概要＞
図１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示した上面図である。また、図２は、ノズルユニット５およびノズル洗浄待機ユニット９を取り外した場合における、基板処理装置１の概略構成を示した上面図である。
【００３７】
基板処理装置１は、処理液を吐出するスリットが形成された長尺のノズルと基板とを相対的に移動させて基板の表面に処理液を塗布する装置（スリットコータ）として構成されている。この装置１は、基板の表面に形成された電極層等を選択的にエッチングする前処理として、処理液としてのレジスト液を基板に塗布するプロセス等に利用される。
【００３８】
スリットコータの塗布対象となる基板は、代表的に液晶表示装置に画面パネルを製造するための角形（ここでは、長方形）のガラス基板（基板Ｗ）であるが、半導体基板、フィルム液晶用フレキシブル基板、フォトマスク用基板、カラーフィルター用基板、太陽電池パネル用基板等の他種類の基板であってもよい。
【００３９】
基板処理装置１の機構的構成は、上流ユニットから搬送されてくる水平姿勢の基板Ｗを受け入れて（＋Ｘ）方向に搬送する基板搬送装置２と、基板Ｗに処理液を塗布する塗布装置３と、出口浮上ステージ１１とに大別される。この基板処理装置１で処理液が塗布された後の基板Ｗは、出口浮上ステージ１１から移載ロボット３６によって減圧乾燥ユニット３７、３８のいずれかに移載され、塗布された処理液の減圧乾燥を受ける。その後、減圧乾燥ユニット３８と上下方向に積層された受け渡し位置３９に基板Ｗが移載され、さらに次の工程のための別装置に払い出される。
【００４０】
基板搬送装置２は、上流ユニットから送られてきた基板Ｗを搬送するコロコンベア３０と、圧縮空気によって基板Ｗを浮上させる入口浮上ステージ１０と、コロコンベア３０から入口浮上ステージ１０に基板Ｗを移載する移載ユニット６と、基板Ｗの両側端を吸着保持して下流に搬送する基板搬送チャック８とに大別される。また、塗布装置３は、処理液を吐出するスリットノズル５５を備えたノズルユニット５と、スリットノズル５５の洗浄を行うノズル洗浄待機ユニット９と、塗布処理が行われる塗布ステージ４とに大別される。
【００４１】
この基板処理装置１の全体を通して見たときの基板搬送区間ＴＲは、基板の支持方式の違いによって３つの区間に大別される。
【００４２】
(１) 接触支持区間ＴＡ：
上流側の接触支持区間ＴＡは、基板Ｗの下面に接触するコロ配列で基板Ｗを支持しつつ、それぞれのコロの回転によって基板を搬送する「コロ搬送方式」となっている。コロ搬送方式での基板支持は、基板Ｗの下面に接触して基板Ｗを支持する「接触支持形式」の１態様である。なお、本実施形態では、基板処理装置１の前段側に存在する上流ユニットの搬送も、コロ搬送方式となっている。
【００４３】
(２) 浮上支持区間ＴＣ１，ＴＣ２：
後述する支持形式転換区間ＴＢをはさんで接触支持区間ＴＡの下流側にある浮上支持区間ＴＣ１、ＴＣ２は、圧縮空気によって基板を浮上させることによって基板Ｗを支持する。一般に、基板を浮上させて基板を支持する形式が「浮上支持形式」であるが、この実施形態では、加圧気体（具体的には圧縮空気）によって浮上支持形式を実現しつつ、基板の両側端を吸着保持して基板を移動させる浮上搬送方式となっている。区間ＴＣ１、ＴＣ２のうち区間ＴＣ１は、処理液の塗布に直接に関係する塗布用搬送区間であり、区間ＴＣ２は基板を移載ロボット３６に受け渡すための出口区間である。
【００４４】
(３) 支持形式転換区間：ＴＢ
接触支持区間ＴＡと浮上支持区間ＴＣ１との間に設けられた支持形式転換区間ＴＢは、接触支持区間ＴＡと浮上支持区間ＴＣ１との間で、基板の支持方式を転換するための区間である。基板の支持形式ではなく搬送方式という観点から見れば、支持形式転換区間ＴＢは、接触支持区間ＴＡでの「接触搬送方式」としての「コロ搬送方式」と、浮上支持区間ＴＣ１、ＴＣ２での「浮上搬送方式」との間で、基板の搬送方式を転換する区間である。
【００４５】
＜１．２． 各部の構成および機能＞
＜●コロコンベア３０＞
コロコンベア３０は、回転する複数のコロ３０１の外周面の最上部が基板Ｗの下面に当接することで、基板Ｗに推進力を与え、下流方向に移動させる接触式の搬送装置である。駆動源であるモータと１本の回転軸３０２、さらにそれぞれ隣接する回転軸３０２同士において、タイミングベルト（図示せず）が掛け渡されているため、同じ回転速度を、同じタイミングで各回転軸３０２に与えることが可能である。これらの複数のコロ３０１は、後述する移載ユニット６のコロ６０１とは異なり、固定高さに設けられて基板の下面に接触するコロ群を構成する。
【００４６】
このコロコンベア３０において、Ｘ軸方向と平行な両端部の一方には、減速センサ（図示せず）が設置されており、この減速センサの設置位置よりもさらに基板Ｗの搬送方向下流側には、停止センサ（図示せず）が設置されている。搬送される基板Ｗの先端が、減速センサに検知されることにより、コロ３０１の回転速度は減速され、停止センサが基板Ｗの先端を検知することでコロ３０１の回転は停止される。このように事前に搬送される基板Ｗの速度を落とすことで、基板Ｗに加わる衝撃を最小限にしたうえで、基板Ｗの停止が可能となる。
【００４７】
＜●移載ユニット６＞
コロコンベア３０の下流側には移載ユニット６が設置されている。この移載ユニット６はコロコンベア３０と入口浮上ステージ１０との間隔空間に設置されており、浮上パッド６４と移載昇降コロコンベア６０とを備えている。
【００４８】
浮上パッド６４は、それぞれの上面から基板Ｗの下面に圧縮気体、例えば空気を噴出して基板Ｗを浮上させ、基板Ｗを非接触状態で支持する浮上機構である。浮上パッド６４は、空気を噴出するための多数の噴出孔を上面に分布させて設けた長方形状の部材で構成されており、その上面が気体噴射面となる。この噴出孔からは常に空気が噴出されている。この浮上パッド６４が、長手方向を基板Ｗの搬送方向と平行になるように、Ｙ軸方向に沿って所定間隔をおいて複数設置（図１では８個）されている。これら複数の浮上パッド６４の集合体が基板Ｗの浮上ステージとして機能する。
【００４９】
所定間隔をおいて配列された浮上パッド６４間の空隙には、移載昇降コロコンベア６０の複数のコロ６０１からなるコロ群が、各コロ６０１の外周面の最上部における回転方向と、浮上パッド６４の長手方向とが平行になる向きで位置しており、コロ６０１の回転の中心を回転軸６０２が貫いている。コロ６０１および回転軸６０２は、コロコンベア３０と同様に、駆動源であるモータによって回転駆動される。
【００５０】
各コロ６０１は、図示しない空圧駆動又は油圧駆動式のシリンダを備えた昇降機構によって、上下に昇降可能に構成されている。この昇降機構の駆動に合わせて、コロコンベア６０は、略水平を保ちつつＺ軸方向に昇降することによって、コロコンベア３０で搬送されてきた基板を受け取ったり、浮上パッド６４上に基板Ｗを浮上させたりする。
【００５１】
より詳細には、上昇時のコロ６０１の位置は、その外周面の最上部が基板Ｗの下面と接触する位置であり、浮上パッド６４の噴出孔からの空気の噴出により基板Ｗが浮上する高さよりも高い位置である。また、下降時のコロ６０１の位置は、コロ６０１の外周面の最上部が浮上パッド６４の上面よりも低い位置となる。上昇時においては、コロコンベア３０と同様に、回転するコロ６０１の外周面の最上部が基板Ｗの下面に当接することで、基板Ｗに推進力を与え、基板Ｗを下流方向に移動させる。
【００５２】
この移載昇降コロコンベア６０が上昇した状態で回転することにより、基板Ｗはコロコンベア３０から入口浮上ステージ１０へと搬送される。基板Ｗがコロコンベア３０を通過すると、移載昇降コロコンベア６０は浮上パッド６４の上面よりも下方に下降する。そのため、移載ユニット６による基板Ｗの支持は浮上パッド６４による浮上力のみとなり、入口浮上ステージ１０での浮上力と協働して基板Ｗを浮上させ、コロ等の下部機構とは非接触状態に移行する。
【００５３】
この移載ユニット６の搬送方向（＋Ｘ方向）の長さすなわち図１における支持形式転換区間ＴＢの長さは、搬送方向における基板Ｗの長さよりも短くなっている。換言すれば、搬送方向（＋Ｘ方向）について所定長の基板Ｗの処理を行う装置１において、移載ユニット６の搬送方向（＋Ｘ方向）の長さはその所定長よりも短くされている。そのため、基板処理ラインの全長を短縮化することが可能である。
【００５４】
＜●入口浮上ステージ１０＞
移載ユニット６の下流側には入口浮上ステージ１０が設置されている。この入口浮上ステージ１０は、多数の空気の噴出孔１０ａが１枚の板状ステージ面の全面にわたって分布形成されており、圧縮空気の噴出による気体圧力で基板Ｗを浮上させて、基板Ｗを、入口浮上ステージ１０の上面すなわち気体噴射面に対して非接触状態にすることが可能である。このときの基板Ｗの浮上高さは１０〜５００マイクロメートルとなる。入口浮上ステージ１０におけるこのような基板浮上原理は、移載ユニット６における浮上パッド６４の平行配列と同じである。
【００５５】
基板処理装置１の基板搬送路において、基板Ｗの搬送方向に対して平行な基板Ｗの幅方向（Ｙ軸方向）外側の位置（以下、「側方位置」と称する）には、回転軸がＺ軸と平行であるガイドローラが設置されている。ガイドローラは、入口浮上ステージ１０に基板Ｗの搬送が行われない場合には退避位置（基板Ｗの側辺の移動軌跡に相当するラインから離れた位置）にある。そして、基板搬送時には、ガイドローラが搬送方向に平行な基板Ｗの２辺を、両側から押し付けるように接触して基板Ｗが位置決めされる。
【００５６】
入口浮上ステージ１０の、Ｘ軸方向と平行な両端部の一方には、コロコンベア３０と同様に図示しない減速センサと停止センサとが設置されており、基板Ｗの搬送速度を減速させたうえで、入口浮上ステージ１０における所定の停止位置で基板Ｗの搬送を停止させることができる。
【００５７】
＜●塗布ステージ４＞
図３は、塗布ステージ４の表面を示した上面図である。入口浮上ステージ１０の下流には塗布ステージ４が存在する。図１に示すように、この塗布ステージ４上において基板Ｗはスリットノズル５５から処理液としてレジスト液を塗布される。
【００５８】
この塗布ステージ４は入口浮上ステージ１０と同様に、ステージ表面において多数の小孔が分布形成されている。入口浮上ステージ１０では、小孔は空気の噴出のみを行うように構成されているが、塗布ステージ４には、空気の噴出だけでなく、空気の吸引を行うための小孔も形成されている。つまり、塗布ステージ４上に存在する多数の小孔は、図３に示すように、圧縮空気の噴出孔４０ａと吸引孔４０ｂとに分類される。
【００５９】
このように空気の噴出と吸引とが行われることで、噴出孔４０ａからステージ面上に噴出した圧縮空気の空気流は水平方向に広がった後、それらの噴出孔４０ａに隣接する吸引孔４０ｂから吸引される。この吸引によって、浮上した基板Ｗと塗布ステージ４上面との間における空気層（圧力気体層）の圧力バランスがより安定的となり、浮上力が付与された基板Ｗの高さ位置を調整しやすくなる。以上のように、塗布ステージ４は、基板Ｗに向けて気体を噴射することによって、基板Ｗに浮上力を付与して支持する基板支持部として機能する。
【００６０】
図４は、塗布ステージ４における空気の流路を示す模式図である。まず、空気の供給流路（供給ラインＬ１）については、コンプレッサ等の圧縮機構２０１で圧縮された空気が、レギュレーター２０２で所定の圧力に調整された後に、各噴出孔４０ａにつながる流路へ送られる。このように、圧縮機構２０１は、基板に向けて気体を噴射することにより、基板に浮上力を付与して支持する浮上用給気部として機能する。
【００６１】
レギュレーター２０２で圧力が調整された空気は、フィルタ１２を通って清浄化され、ニードル弁１３（コントロールバルブ）でその圧力が調節される。このニードル弁１３の開度によって、供給ラインＬ１における気体流量（供給流量）が調整される。したがって、ニードル弁１３は、気体供給量調整部として機能する。その後、流量計１４ａ、圧力計１５、エアオペレーションバルブ１６を通過して、塗布ステージ４の噴出孔４０ａから噴出される。空気の供給の開始および停止は、エアオペレーションバルブ１６の開閉を制御部７からの指令信号によって行うことで実行される。圧縮機構２０１の圧縮空気の圧力制御もまた、制御部７によって実行される。
【００６２】
一方、塗布ステージ４における空気の吸引については、吸引手段としてのブロワ１８が用いられている。なお、吸引手段として、真空ポンプ等が用いられていてもよい。塗布ステージ４上に設けられた吸引孔４０ｂは、吸引流路である吸引ラインＬ２（図４中、二点鎖線で示す）に接続されている。吸引孔４０ｂから吸引された空気は、圧力計１７、流量計１４ｂ、ニードル弁１９（コントロールバルブ）を通過する。このニードル弁１９は、その開度が調整されることによって、吸引ラインＬ２における気体流量（吸引流量）を調整するための吸引量調整部として機能する。
【００６３】
＜●ノズルユニット５＞
図５は、基板搬送チャック８とノズルユニット５とノズル洗浄待機ユニット９とのＹＺ断面を示した模式図である。
【００６４】
基板Ｗの表面にレジスト液を塗布するノズルユニット５は、塗布ステージ４の上方に設置されており、図５に示す架橋構造を持つ。このような架橋構造は、例えばカーボンファイバ補強樹脂を骨材とするノズル支持部と、その両端を支持して昇降させる昇降機構とから構成されている。ノズル支持部にはスリットノズル５５が設置されている。このスリットノズル５５は、処理液供給機構（図示せず）から供給されるレジスト液を、その下端に形成されているスリット状の吐出口５５ａから基板Ｗの上面へ吐出する。この吐出口５５ａは、塗布ステージ４に対して略水平であり、Ｙ軸方向に沿って延びている。
【００６５】
ノズルの昇降機構はノズル支持部の両端に設置されており、主に駆動源であるサーボモータ５９と、ボールねじ５８とによって構成されている。このサーボモータ５９により、ノズル支持部は塗布ステージ４に対して鉛直方向に延びたボールねじ５８に沿って昇降駆動されて、スリットノズル５５の吐出口５５ａと基板Ｗとの間隔は調節される。
【００６６】
この昇降機構には、基板搬送路の両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）で基板と接しない位置にＸ軸方向に沿って延びるノズルユニット走行ガイド５１が設置されている。
【００６７】
２つ（−Ｙ側、＋Ｙ側）のノズルユニットリニアモータ５３のそれぞれの固定子は本体装置のＹ軸方向の側面にＸ軸方向に沿って設けられており、それぞれの移動子は昇降機構の外側に固設されている。これらの固定子と移動子との間に生じる磁気相互作用によって、ノズルユニット５は、ノズルユニット走行ガイド５１に沿って移動する。
【００６８】
塗布処理を行う際には、スリットノズル５５の吐出口５５ａからレジスト液を吐出した状態で、基板搬送チャック８が基板Ｗの両端を保持して（＋Ｘ）軸方向に所定の速度で水平移動させる。
【００６９】
基板搬送チャック８は、下面が非接触状態にある基板Ｗのエッジを保持して基板Ｗを下流方向に搬送するための装置である。原点状態において基板搬送チャック８は、浮上パッド６４と入口浮上ステージ１０とに跨って停止した基板Ｗの、Ｘ軸方向に平行な両端部の直下に位置している。つまり、基板Ｗを吸着する位置の内側に、移載ユニット６と入口浮上ステージ１０とが位置する構造である。
【００７０】
図１等に示すように、基板搬送チャック８は、基板搬送経路に沿って、入口浮上ステージ１０、塗布ステージ４および出口浮上ステージ１１の両側部のみならず、移載ユニット６の両側部にも延在している。
【００７１】
図５に示すように基板搬送チャック８は、左右対称（＋Ｙ側と−Ｙ側とで対称）構造となっており、左右それぞれで、基板Ｗを吸着保持するチャック部８８と、Ｘ軸方向に移動するための搬送チャック走行ガイド８１と、その移動のための駆動力を発生させる搬送チャックリニアモータ８３と、基板Ｗの位置を検出するための搬送チャックリニアスケール８２とを備えている。
【００７２】
チャック部８８は、図示しないシリンダの動作により昇降させることが可能である。チャック部８８が上昇することで、＋Ｙ側、−Ｙ側の基板Ｗの両端部の下面は支持され、吸着保持される。
【００７３】
このチャック部８８の下方には、基板搬送路の両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）で、ノズルユニット走行ガイド５１よりも内側の位置に、Ｘ軸方向に沿って搬送チャック走行ガイド８１が設置してある。
【００７４】
２つの搬送チャックリニアモータ（−Ｙ側、＋Ｙ側）のそれぞれの固定子は基板処理装置１のＹ軸方向における最も内側の側面にＸ軸方向に沿って設けられている。それぞれの移動子は基板搬送チャック８に固設されている。これらの固定子と移動子との間に生じる 磁気相互作用によって基板搬送チャック８は、搬送チャック走行ガイド８１に沿って移動する。
【００７５】
２つの搬送チャックリニアスケール８２についても、基板処理装置１の両端（−Ｙ側、＋Ｙ側）に、それぞれ設置されている。この搬送チャックリニアスケール８２が基板搬送チャック８の移動位置を検出するため、制御部７はその検出結果に基づいて基板位置の制御を行う。
【００７６】
ノズル洗浄待機ユニット９は、スリットノズル５５が基板Ｗの表面に塗布処理を行った後で、レジスト液で汚れたノズル先端を洗浄し、次の塗布処理に向けてスリットノズル５５の吐出口５５ａの状態を整えるための装置である。そのため、スリットノズル５５からのレジスト液の吐出対象となる略円筒状のローラ９５を備えている。
【００７７】
ローラ９５の外周面にスリットノズル５５を近接させた状態で吐出口５５ａから一定のレジスト液を吐出させると、吐出口５５ａにレジスト液の液だまりが形成される。このように吐出口５５ａに液だまりが均一に形成されると、その後の塗布処理を高精度に行うことが可能となる。このようにして、スリットノズル５５の吐出口５５ａは初期化され、次の基板Ｗの塗布処理に備える。
【００７８】
図１，２に戻って、塗布ステージ４の下流には出口浮上ステージ１１が設置されている。この出口浮上ステージ１１は入口浮上ステージ１０と同様に気体を噴出させるための噴出孔１１ａが形成されており、さらにリフトピン１１５が噴出孔１１ａの合間を縫って所定間隔をおいて、基板Ｗの全面に対向するように配置されている。
【００７９】
リフトピン１１５は出口浮上ステージ１１の下方に設置されたリフトピン昇降機構（図示せず）によって、鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降駆動される。下降時はリフトピン１１５の先端が出口浮上ステージ１１の上面以下に、上昇時はリフトピン１１５の先端が基板Ｗを移載ロボット３６に受け渡す位置まで上昇する。リフトピン１１５が上昇することで基板Ｗの下面は支持され、持ち上げられるので、基板Ｗは出口浮上ステージ１１の上面から引きはがされる。出口浮上ステージ１１の下流に設置された移載ロボット３６がリフトピン１１５間に移載フォークを差し込み、リフトピン１１５からの基板Ｗの受け渡しが行われる。
【００８０】
＜１．３． 流路内の流量制御＞
次に、図４で示した空気の各流路における気体の流量制御について説明する。
【００８１】
図６は、制御部７と制御部７によって制御される各構成との接続関係を示したブロック図である。制御部７は、図示を省略するＣＰＵやメモリ（ＲＡＭ）の他、プログラムが格納されたＲＯＭ等の一般的なコンピュータとして構成されている。図６では、流量制御を行う要素に絞って図示しているが、制御部７は、コンピュータにインストールされたプログラムと、装置各部の特性データ、および各基板Ｗの処理手順（レシピ）に従って装置各部を制御し、一連の基板の連続処理を実行するように構成されている。なお、制御部７はその一部または全部が専用回路で構成されていてもよい。
【００８２】
制御部７は、ニードル弁１３，１９を制御することによって、各気体流路内の気体流量を制御する。詳細には、制御部７は、供給ラインＬ１内の気体流量を流量計１４ａで検出し、この検出結果に基づき、ニードル弁１３の開度を制御して、供給ラインＬ１内の気体流量を調整する。また、制御部７は、吸引ラインＬ２内の気体流量を流量計１４ｂで検出し、この検出結果に基づき、ニードル弁１９の開度を制御して、吸引ラインＬ２内の気体流量を調整する。
【００８３】
制御部７による流量検出に基づいた各流路（供給ラインＬ１および吸引ラインＬ２）内の流量制御は、以下のようにして実施される。すなわち、噴出孔４０ａから噴出する気体量や吸引孔４０ｂから吸引する気体の吸引量の条件を複数変更して、試験的に基板Ｗの塗布処理を行い、問題なく塗布処理が実施できたときの各流路の流量値を基準値として取得する。なお、各流量値は、塗布ステージ４上における基板Ｗの位置に応じて変化し得るため、基板Ｗの位置に応じて基準値が定められる。基準値が記録された基準値データＳＴＤは、記憶部７１（補助記憶装置等）に格納される。また、流量値と同様に、圧力計１５，１７によって測定される圧力値についても、同様に基準値データＳＴＤとして記憶部７１に格納される。
【００８４】
ここで、各流路内における気体流量を制御する場合、制御部７は、上記記憶部７１に格納された流量の基準値と、実際の基板処理（ここでは、基板搬送と塗布処理を含む。）の際に測定される各流路内の流量の測定値とを比較する。そして、流量判定部７ａによって測定値が基準値から所定の閾値で離れていると判定される場合に、ニードル弁１３，１９の開度を調整することによって、流量値が許容範囲内に収束するように流量調整を行う。
【００８５】
また、図６に示すように、制御部７には報知機構７３が接続されている。報知機構７３は、例えば液晶ディスプレイ等に警告表示を行うもの、あるいは、音響や赤色光線などを発したりするもの、もしくはこれらの組合せたもの等で構成されている。制御部７は、流量計１４ａ，１４ｂおよび圧力計１５，１７の測定結果が異常である際等に、報知機構７３によってその異常をオペレータに報知するように構成されている。
【００８６】
次に、塗布ステージ４において基板Ｗを浮上搬送する際の、制御部７による流量制御処理について説明する。
【００８７】
図７は、塗布ステージ４における流量制御処理を実施する制御部７の動作の流れ図である。まず、制御部７は、塗布ステージ４上に基板Ｗが存在するか否かを判断する（ステップＳ１）。具体的には、搬送チャックリニアスケール８２を監視することによって、基板搬送チャック８により搬送されている基板Ｗの位置を検出し、塗布ステージ４上に基板Ｗが存在するか否かを検出する。
【００８８】
塗布ステージ４上に基板Ｗが存在する場合（ステップＳ１においてＹＥＳ）、制御部７は、流量制御を行わずに、塗布ステージ４上の基板Ｗが搬出されるまで待機する。一方、塗布ステージ４上に基板Ｗが存在しない場合（ステップＳ１においてＮＯ）、次のステップである流量判定（ステップＳ２、ステップＳ６）へ進む。
【００８９】
まずステップＳ２について説明する。制御部７は、記憶部７１に格納された供給流量の基準値と、実際に流量計１４ａで測定される測定値とを比較することによって、測定値が許容範囲内にあるかどうかを判定する（ステップＳ２）。この判定は、具体的には、測定値と基準値との差、または測定値を基準値で割ったときの商の値が、あらかじめ定められた閾値を超えるか否か等を流量判定部７ａが判定することによって実現される。
【００９０】
測定された供給流量が許容範囲内である場合（ステップＳ２においてＹＥＳ）、流量制御を行う必要はないため、制御部７は次のステップＳ１１（圧力測定）に進む。これに対して、供給流量が許容範囲外である場合は（ステップＳ２においてＮＯ）、制御部７は、供給ラインＬ１における気体流量の調整を開始する（ステップＳ３）。詳細には、ニードル弁１３の開度を制御する。そして制御部７は、制御許容時間内であるかどうかを判定する（ステップＳ４）、具体的には、ステップＳ１において検出される基板Ｗの位置に基づき、基板Ｗが塗布ステージ４上に到達するまでの時間が算出され、この時間が制御許容時間となる。ステップＳ４では、この制御許容時間がまだ残っているかどうかで判定される。
【００９１】
制御許容時間内である場合（ステップＳ４においてＹＥＳ）、制御部７は再びステップＳ２に戻って、流量判定を行い、以降の動作を繰り返して実行する。これに対して、制御許容時間が既に完了している場合は（ステップＳ４においてＮＯ）、制御部７は、報知機構７３によって、供給ラインＬ１における供給流量が異常であることをオペレータに報知して（ステップＳ５）、流量制御を終了する。
【００９２】
また、制御部７は、以上のステップＳ２〜ステップＳ５の動作と並行して、吸引流量の制御についても行う。具体的には、ステップＳ１において塗布ステージ４上に基板Ｗがないことを確認すると、制御部７は、記憶部７１に格納された吸引流量の基準値と、実際に吸引ラインＬ２の流量計１４ｂで測定される測定値とを比較することによって、測定値が許容範囲内にあるかどうかを判定する。この判定は、具体的には、測定値と基準値との差、もしくは、測定値を基準値で割ったときの商の値が、あらかじめ定められた閾値を超えるか否かを流量判定部７ａが判定することによって実現される。
【００９３】
測定された吸引流量の値が許容範囲内である場合（ステップＳ６においてＹＥＳ）、流量制御を行う必要はないため、制御部７は流量調整を行わずに次のステップＳ１１（圧力測定）に進む。これ対して、吸引流量が許容範囲外である場合は（ステップＳ６においてＮＯ）、制御部７はニードル弁１９の開度を制御することによって、吸引ラインＬ２における気体流量の調整を開始する（ステップＳ７）。さらに制御部７は、制御許容時間内であるかどうかを判定する（ステップＳ９）。このステップＳ９は、ステップＳ４と同様であるため、説明を省略する。
【００９４】
制御許容時間内である場合（ステップＳ８においてＹＥＳ）、制御部７は再びステップＳ６に戻って、流量判定を行うことにより、吸引流量が適切かどうかを判定する。これに対して、制御許容時間が完了している場合は（ステップＳ８においてＮＯ）、制御部７は、報知機構によって、吸引流量が異常であることをオペレータに報知して（ステップＳ９）、流量制御を終了する。
【００９５】
ステップＳ２およびステップＳ６において供給流量および吸引流量の双方が許容範囲内の大きさであると判定された場合（ステップＳ２，Ｓ６においてＹＥＳ）、制御部７は供給ラインＬ１内および吸引ラインＬ２内の圧力が、許容範囲内の値であるかどうかを判定する（ステップＳ１１）。具体的には、圧力計１５，１７で計測される圧力値と、基準値データＳＴＤに記録された圧力の基準値とを比較することによって、測定される圧力値が予め定められた許容範囲内にあるか否かが判定される。
【００９６】
圧力が許容範囲を超えると判定された場合（ステップＳ１１においてＮＯ）、制御部７は報知機構７３によって、圧力が異常であることをオペレーターに報知して（ステップＳ１２）、流量制御処理を終了する。この際、供給ラインＬ１および吸引ラインＬ２のどちらの圧力が異常であるかどうかが分かるように報知することで、後のメンテナンスが容易となる。
【００９７】
一方、各流路内の圧力についても許容範囲内であると判定された場合（ステップＳ１１においてＹＥＳ）、制御部７は、基板進入を許可する（ステップＳ１３）。具体的には、基板搬送チャック８等による基板Ｗの塗布ステージ４上への基板搬送を許可する。そして制御部７は、塗布ステージ４に搬送される基板Ｗに対して、スリットノズル５５からレジスト液を吐出する等の一連の塗布処理を実行する（ステップＳ１４）。
【００９８】
塗布処理が完了すると制御部７は、さらに塗布処理すべき次の基板Ｗがあるかどうかを検出することによって、基板処理装置１における塗布処理を終了するかどうかを判定する（ステップＳ１５）。次の処理対象の基板Ｗがない等のために塗布処理を終了する場合は（ステップＳ１５においてＹＥＳ）、流量制御処理を終了する。これに対して、塗布処理を続行する場合は（ステップＳ１５においてＮＯ）、ステップＳ１に戻って、以降の動作を繰り返して実行する。
【００９９】
以上のように、本実施形態に係る基板処理装置１は、基板Ｗの位置を検出することによって、塗布ステージ４に基板Ｗが搬送されてくる前に流量判定を行い、各流路内の流量制御を行う。これにより、基板Ｗに向けた気体の供給が適切に実施されるかどうかを高精度に把握できるとともに、基板処理前に基板を適切な高さ位置に保持できるかどうかを検知し得る。したがって、基板Ｗの処理エラーの発生を抑制できる。
【０１００】
また、ステップＳ５，Ｓ９，Ｓ１１において異常報知が実行された場合、制御部７はステップＳ１３の処理（基板進入の許可）を実行しないため、塗布ステージ４上に基板Ｗが搬送されることが抑制される。これにより、基板Ｗの高さ位置を制御できないことによる基板Ｗの塗布不良の発生を抑制することができる。
【０１０１】
なお、ステップＳ５，Ｓ９，Ｓ１１で異常報知が実行された場合であっても、制御部７が基板Ｗの搬送および塗布処理を継続して行うように構成してもよい。基板搬送を停止することは、基板処理装置における基板処理の歩留まり低下を必然的に招来するおそれがあるため、塗布処理を継続して行うことが望ましい場合もある。なお、この場合には、流量値や圧力値が異常な状態で塗布処理が行われた基板Ｗについて、後の検査工程で必ず検査するように構成されることが望ましい。
【０１０２】
また、ステップＳ５，Ｓ９，Ｓ１１において異常報知が実行された場合に、基板搬送を行うものの、塗布処理を行わないように構成されていてもよい。この場合は、塗布不良の発生を予め抑制することができる。
【０１０３】
以上が、制御部７による流量制御処理についての説明である。
【０１０４】
ところで、本実施形態の基板処理装置１では、各流路の「流量」に基づき、塗布ステージ４上で噴射もしくは吸引される空気の量を調整する。ここで、空気の供給量および吸引量を、各流路の「圧力」に基づいて制御することも可能である。しかしながら、圧力に基づく流量制御の場合、以下のような問題が起こり得る。
【０１０５】
すなわち、例えば、基板Ｗが塗布ステージ４の上方の大部分を覆っているときなどは、噴出孔４０ａから噴出した空気の多くが吸引孔４０ｂで吸引される状態となる。この場合、各流路の圧力の絶対値は十分に大きいため、比較的安定して各流路の圧力を測定することができる。ところが、基板Ｗが塗布ステージ４上（詳細には、噴出孔４０ａまたは吸引孔４０ｂの上方）にない場合や、僅かだけしか覆われていない場合等では、噴出孔４０ａから噴出される空気のほとんどが大気中に分散し、吸引孔４０ｂは、噴出孔４０ａからの空気よりも大気中の空気を吸引することとなる。このような場合、各流路の圧力の絶対値は、非常に低い値となるため、安定して正確に圧力を測定することは困難となる。
【０１０６】
これに対して、「流量」については、塗布ステージ４上における基板Ｗの有無にかかわらず、安定して測定することができる。したがって、気体の供給量および吸引量を、供給ラインＬ１および吸引ラインＬ２の気体流量のそれぞれに基づいて適切に制御することができるため、基板Ｗを適切な高さ位置に搬送することができる。したがって、「圧力」ではなく「流量」に基づいて空気の供給量および吸引量を制御することで、安定した基板搬送と基板処理とを実行することができる。
【０１０７】
また、圧力に基づく流量制御の場合、圧力計の測定精度が安定する（すなわち、安定した測定結果が得られる）までに相応の時間を要する。これに比べて、流量測定の場合は、比較的早くに流量値を安定的に検出することができる。したがって、流量制御の応答性を高めることができるため、基板Ｗの搬送高さをより制御しやすくなる。
【０１０８】
＜２． 第２実施形態＞
第１実施形態の基板処理装置１では、基板Ｗが塗布ステージ４に搬入される前に流量判定して、流量制御を行うように構成されていたが、流量制御を行うタイミングは、上記のようなものに限られるものではない。具体的には、塗布ステージ４上を基板Ｗが通過する間（レジスト液が塗布される期間を含む。）、流量計１４ａ，１４ｂによって検出される流量値が、記憶部７１に格納された基準値と比較して、許容範囲内にあるかがどうかが判定される。
【０１０９】
図８は、浮上搬送される基板Ｗの位置と、塗布ステージ４の各流路における気体流量の関係を説明するための説明図である。なお、図８（ａ）〜（ｃ）は、基板Ｗが移動する様子を模式的に示している。詳細には、図８（ａ）は、基板Ｗの搬送方向の前方端ＦＷが塗布ステージ４の（−Ｘ）側端部（以下、始端位置ＰＯＳ１）に到達してから塗布ステージ４の（＋Ｘ）側端部（以下、終端位置ＰＯＳ２）に到達するまでを示している。また、図８（ｂ）は、前方端ＦＷが終端位置ＰＯＳ２に到達してから基板Ｗの搬送方向の後方端ＢＷが始端位置ＰＯＳ１に到達するまでを示している。さらに、図８（ｃ）は、後方端ＢＷが始端位置ＰＯＳ１に到達してから終端位置ＰＯＳ２に到達するまでを示している。また、図８（ｄ）は、移動する基板Ｗの前方端ＦＷの各位置における、供給ラインＬ１の供給流量の変化（実線）と、吸引ラインＬ２の吸引流量の変化（破線）を示す図である。
【０１１０】
図８（ｄ）に示すように、前方端ＦＷが始端位置ＰＯＳ１に到達するまでは、塗布ステージ４上に基板Ｗが存在しないため、供給流量および吸引流量は、略一定に保たれる。そして前方端ＦＷが始端位置ＰＯＳ１に到達してから終端位置ＰＯＳ２に到達するまで、塗布ステージ４上を基板Ｗが次第に覆うこととなる。このとき、供給ラインＬ１および吸引ラインＬ２内の供給流量および吸引流量が次第に減少する。
【０１１１】
さらに図８（ｂ）に示すように、前方端ＦＷが終端位置ＰＯＳ２を通過してから後方端ＢＷが始端位置ＰＯＳ１を通過するまでの間は、塗布ステージ４上が基板Ｗによって覆われる状態が続く。この期間では、図８（ｄ）に示すように、供給流量および吸引流量は、略一定となる。また、図８（ｃ）に示すように、後方端ＢＷが始端位置ＰＯＳ１を通過してから終端位置ＰＯＳ２を通過するまでは、基板Ｗが塗布ステージ４上から徐々に退出されることによって、供給流量および吸引流量が次第に増加する。そして後方端ＢＷが終端位置ＰＯＳ２を通過すると、塗布ステージ４上が完全に開放され、再び供給流量および吸引流量が略一定に保たれることとなる。
【０１１２】
以上のように、塗布ステージ４上における基板Ｗの有無によって、流量計１４ａ，１４ｂが検出される供給流量、吸引流量が共に変化する。特に、基板Ｗが塗布ステージ４上に進入したときの供給流量、吸引流量のそれぞれは、塗布ステージ４から退出したとき（もしくは進入する前）よりも小さい値となる。
【０１１３】
本実施形態では、流量値の比較対象となる供給流量および吸引流量の基準値を、基板Ｗの位置毎に応じて上記のような大小関係となるように設定される。そして制御部７は、各基板処理において塗布ステージ４上に進入する前から退出するまでの間に測定される流量の測定値と、この基準値を常時比較するように構成される。このように基板処理装置１を構成した場合、基板Ｗが塗布ステージ４上で処理される間、基板Ｗの高さ位置が適切に制御されているかどうかを検知できるため、基板Ｗの処理エラーを効率的に検出し得る。
【０１１４】
なお、基板Ｗが塗布ステージ４上を通過する間、制御部７は、流量判定を行いながら、各流路の流量値を許容範囲内に収束させるようにニードル弁１３，１９を制御してもよい。ただし、塗布ステージ４上に基板が搬入された状態で流量制御を実行した場合、基板Ｗに振動が生じる等して逆にその姿勢が不安定となり、塗布不良が発生する場合がある。したがって、基板Ｗが塗布ステージ４上を通過する間は、制御部７は流量判定のみを行い、流量制御を行わない方が好ましい。このため、流量制御については、第１実施形態のように基板Ｗが塗布ステージ４に搬入される前にのみ実行するようにし、基板Ｗが塗布ステージ４上を移動する間（特に、基板Ｗにレジスト液の塗布を行っている間）は、流量制御を一切行わないように構成することによって、塗布処理中の基板Ｗの姿勢を安定させるようにすることが望ましい場合もある。
【０１１５】
＜３． 変形例＞
以上、実施形態について説明してきたが、本発明は上記のようなものに限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【０１１６】
例えば上記実施形態では、図４に示すように、気体給気部である圧縮機構２０１により供給される全気体の流量値を流量計１４ａで測定するようにしているが、供給ラインＬ１のうちの、例えば噴出孔４０ａのそれぞれに連結する分岐後の流路において、流量計１４ａを設け、この位置での流量に基づいて制御部７が流量制御を行うように構成してもよい。このことは、吸引ラインＬ２における吸引流量の測定においても同様である。
【０１１７】
また、上記実施形態では、各流路の流量調節手段として、ニードル弁を使用すると説明したが、ダイヤフラム式、バタフライ式等の流量調節弁やマスフローコントローラーなどの調節弁が用いられていてもよい。
【０１１８】
また、基板に向けて供給する気体として、窒素ガス等を採用することによって、基板Ｗ上の処理液を含む化合物への影響を最小限に抑制することも可能である。
【０１１９】
また、上記実施形態では、搬送チャックリニアスケール８２によって基板Ｗの位置を検出するようにしているが、例えば、物理的に基板Ｗに接触することによって、基板Ｗの通過を検出する接触式センサーや、光や音波等によって基板Ｗの位置を検出する非接触式センサー等を利用して、基板Ｗの位置を検出するようにしてもよい。
【０１２０】
また、上記実施形態および変形例にて説明した各構成は、矛盾の生じない限りにおいて、互いに組み合わせたり、あるいは省略したりすることができる。
【符号の説明】
【０１２１】
１ 基板処理装置
２ 基板搬送装置
３ 塗布装置
４ 塗布ステージ
５ ノズルユニット
７ 制御部
８ 基板搬送チャック
１０ 入口浮上ステージ
１１ 出口浮上ステージ
１３，１９ ニードル弁
１４ａ，１４ｂ 流量計
１５，１７ 圧力計
１８ ブロワ
２０１ 圧縮機構
４０ａ 噴出孔
４０ｂ 吸引孔
５５ スリットノズル
７１ 記憶部
７３ 報知機構
７ａ 流量判定部
８２ 搬送チャックリニアスケール
ＢＷ 後方端
ＦＷ 前方端
Ｌ１ 供給ライン
Ｌ２ 吸引ライン
ＰＯＳ１ 始端位置
ＰＯＳ２ 終端位置
ＳＴＤ 基準値データ
Ｗ 基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送される基板に対して処理を行う基板処理装置であって、
基板に向けて気体を供給することにより、前記基板に浮上力を付与する気体供給部と、
基板に向けて供給される気体の供給流量を検出する供給流量検出部と、
前記浮上力が付与される基板の位置を検出する位置検出部と、
前記供給流量検出部によって検出される供給流量と、前記位置検出部によって検出される基板の位置に対応した供給流量の基準とを比較することによって、前記供給流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する供給流量判定部と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記判定部によって、前記供給流量検出部が検出する供給流量が許容範囲外の値であると判定される場合に、許容範囲内に収まるように前記気体供給部から供給される気体の流量を制御する流量制御部、
をさらに備える基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記気体供給部から供給された気体を基板に向けて噴射する複数の噴出孔が形成された平面を有するステージと、
前記ステージの平面の上方において、基板に対して所定の処理を行う処理部と、
をさらに備える基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置において、
前記処理部が、
基板の進行方向に対して直交する方向に延びるスリット状の吐出口から処理液を吐出して基板に塗布するスリットノズルと、
前記スリットノズルに対して、前記処理液を供給する処理液供給部と、
を備える基板処理装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の基板処理装置において、
基板の位置に対応する前記供給流量の基準のうち、基板が前記ステージ上に進入した位置に対応する基準が、前記ステージ上から退出した位置に対応する基準よりも小さい基板処理装置。
【請求項６】
請求項３から５までのいずれか１項に記載の基板処理装置において、
基板がステージ上に進入する前に、前記供給流量判定部が、前記供給流量検出部の検出する供給流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する基板処理装置。
【請求項７】
請求項３から６までのいずれか１項に記載の基板処理装置において、
前記ステージ上に進入する前から退出するまでの間、前記供給流量判定部が、前記供給流量検出部の検出する供給流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する基板処理装置。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか１項に記載の基板処理装置において、
気体を吸引することによって、前記浮上力が付与される基板の高さ位置を調節する気体吸引部、
をさらに備える基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置において、
前記気体吸引部によって吸引される気体の吸引流量を検出する吸引流量検出部と、
前記吸引流量検出部によって検出される吸引流量と、前記位置検出部によって検出される基板の位置に対応する吸引流量の基準とを比較することによって、前記吸引流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する吸引流量判定部と、
を備える基板処理装置。
【請求項１０】
搬送される基板に対して、処理を行う基板処理方法であって、
(a) 基板に向けて気体を供給することにより、前記基板に浮上力を付与する工程と、
(b) 前記(a)工程において基板に向けて供給される気体の供給流量を検出する工程と、
(c) 前記(a)工程において浮上力が付与される基板の位置を検出する工程と、
(d) 前記(b)工程において検出される供給流量と、前記(c)工程において検出される基板の位置に対応する供給流量の基準とを比較することによって、前記供給量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する工程と、
を有する基板処理方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理方法において、
前記(c)工程において、検出される供給流量が許容範囲外の値であると判定される場合に、許容範囲内に収まるように前記(a)工程において供給する気体流量を制御する工程、
をさらに有する基板処理方法。
【請求項１】
搬送される基板に対して処理を行う基板処理装置であって、
基板に向けて気体を供給することにより、前記基板に浮上力を付与する気体供給部と、
基板に向けて供給される気体の供給流量を検出する供給流量検出部と、
前記浮上力が付与される基板の位置を検出する位置検出部と、
前記供給流量検出部によって検出される供給流量と、前記位置検出部によって検出される基板の位置に対応した供給流量の基準とを比較することによって、前記供給流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する供給流量判定部と、
を備える基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記判定部によって、前記供給流量検出部が検出する供給流量が許容範囲外の値であると判定される場合に、許容範囲内に収まるように前記気体供給部から供給される気体の流量を制御する流量制御部、
をさらに備える基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の基板処理装置において、
前記気体供給部から供給された気体を基板に向けて噴射する複数の噴出孔が形成された平面を有するステージと、
前記ステージの平面の上方において、基板に対して所定の処理を行う処理部と、
をさらに備える基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理装置において、
前記処理部が、
基板の進行方向に対して直交する方向に延びるスリット状の吐出口から処理液を吐出して基板に塗布するスリットノズルと、
前記スリットノズルに対して、前記処理液を供給する処理液供給部と、
を備える基板処理装置。
【請求項５】
請求項３または４に記載の基板処理装置において、
基板の位置に対応する前記供給流量の基準のうち、基板が前記ステージ上に進入した位置に対応する基準が、前記ステージ上から退出した位置に対応する基準よりも小さい基板処理装置。
【請求項６】
請求項３から５までのいずれか１項に記載の基板処理装置において、
基板がステージ上に進入する前に、前記供給流量判定部が、前記供給流量検出部の検出する供給流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する基板処理装置。
【請求項７】
請求項３から６までのいずれか１項に記載の基板処理装置において、
前記ステージ上に進入する前から退出するまでの間、前記供給流量判定部が、前記供給流量検出部の検出する供給流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する基板処理装置。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか１項に記載の基板処理装置において、
気体を吸引することによって、前記浮上力が付与される基板の高さ位置を調節する気体吸引部、
をさらに備える基板処理装置。
【請求項９】
請求項８に記載の基板処理装置において、
前記気体吸引部によって吸引される気体の吸引流量を検出する吸引流量検出部と、
前記吸引流量検出部によって検出される吸引流量と、前記位置検出部によって検出される基板の位置に対応する吸引流量の基準とを比較することによって、前記吸引流量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する吸引流量判定部と、
を備える基板処理装置。
【請求項１０】
搬送される基板に対して、処理を行う基板処理方法であって、
(a) 基板に向けて気体を供給することにより、前記基板に浮上力を付与する工程と、
(b) 前記(a)工程において基板に向けて供給される気体の供給流量を検出する工程と、
(c) 前記(a)工程において浮上力が付与される基板の位置を検出する工程と、
(d) 前記(b)工程において検出される供給流量と、前記(c)工程において検出される基板の位置に対応する供給流量の基準とを比較することによって、前記供給量が許容範囲内の値であるかどうかを判定する工程と、
を有する基板処理方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理方法において、
前記(c)工程において、検出される供給流量が許容範囲外の値であると判定される場合に、許容範囲内に収まるように前記(a)工程において供給する気体流量を制御する工程、
をさらに有する基板処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【公開番号】特開２０１１−２１０９７１（Ｐ２０１１−２１０９７１Ａ）
【公開日】平成２３年１０月２０日（２０１１．１０．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−７７５８３（Ｐ２０１０−７７５８３）
【出願日】平成２２年３月３０日（２０１０．３．３０）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１０月２０日（２０１１．１０．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年３月３０日（２０１０．３．３０）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]