【課題】支持板と放熱板との熱膨張率の差が大きく、端部などで歪みや反りが発生し易い場合であっても、長期のヒートサイクルに対する信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１が、支持板３０と、半導体素子１０（ＩＧＢＴチップ）と、一端に第１端部を有し他端に第２端部４２ａを有する柱状導体からなる導体ポスト４０と、を備える。導体ポスト４０の第２端部４２ａは、半導体素子１０に接続される。また、導体ポスト４０は、第２端部４２ａよりも第１端部側で支持板３０に接続される。ここで、導体ポスト４０の熱伝導率は２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、導体ポスト４０のビッカース硬度は７０以下である。 （もっと読む）

【課題】金属吸着性、陽イオン交換性や疎水性等の各機能基に固有の特性が効果的に発揮され得るポリイミド系ハイブリッド材料を提供すること。
【解決手段】ポリイミド相と、一種以上の機能基を有する無機酸化物相とを有し、それらが共有結合によって一体化されて、複合構造となっている有機−無機ポリマーハイブリッドにてポリイミド系ハイブリッド材料を構成した。 （もっと読む）

【課題】許容電流の大きい半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０１が、支持板３０と、半導体素子１０（ＩＧＢＴチップ）と、一端に第１端部を有し他端に第２端部４２ａを有する柱状導体からなる導体ポスト４０と、を備える。支持板３０には、複数の孔３０ｂが形成されるとともに、孔３０ｂの壁面に導体３３が形成されている。導体ポスト４０の第２端部４２ａは、導電性材料７２ａ〜７２ｃを介して、半導体素子１０の電極１２〜１４に接続される。また、導体ポスト４０の側面は、第２端部４２ａよりも第１端部側において、導体ポスト４０の押圧により変形した孔３０ｂの壁面（導体３３）に固着している。 （もっと読む）

【課題】ＮＯｘ浄化率が優れるハニカムフィルタを提供すること。
【解決手段】多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設され、上記セルのいずれか一方の端部が封止されたハニカム構造体と、上記ハニカム構造体のセル壁に担持されたゼオライトとを有するハニカムフィルタであって、上記セル壁に担持されたゼオライトの量は、８０〜１５０ｇ／Ｌであり、上記多数のセルは、大容量セルと、小容量セルとからなり、上記ハニカム構造体のセル壁の気孔率は、５５〜６５％であり、上記ハニカム構造体のセル壁の平均気孔径は、１５〜２５μｍであり、上記ハニカム構造体のセル壁の気孔径分布は、上記平均気孔径の半分以下の気孔径を有する気孔の気孔容積Ａ及び上記平均気孔径の２倍以上の気孔径を有する気孔の気孔容積Ｂの合計が、全気孔容積Ｃの２０％以下であることを特徴とするハニカムフィルタ。 （もっと読む）

【課題】 圧力損失の低い排ガス浄化装置を提供すること。
【解決手段】 ガス入口側及びガス出口側を備えた金属容器と、上記金属容器内に収容されたハニカムフィルタとを備えた排ガス浄化装置であって、上記ハニカムフィルタは、セル壁を隔てて長手方向に並設された多数のセルと、第１の端面と、第２の端面とを有し、上記多数のセルは、上記第１の端面側の端部が開口され上記第２の端面側の端部が封止された第１のセルと、上記第２の端面側の端部が開口され上記第１の端面側の端部が封止された第２のセルとが交互に配設されてなり、上記第１のセルの上記長手方向に垂直な断面の面積は、上記第２のセルの上記長手方向に垂直な断面の面積よりも小さく、ハニカムフィルタの上記第１の端面側が上記金属容器の上記ガス入口側に配置され、ハニカムフィルタの上記第２の端面側が上記金属容器の上記ガス出口側に配置されていることを特徴とする排ガス浄化装置。 （もっと読む）

【課題】ＮＯｘ浄化率が優れるハニカムフィルタを提供すること。
【解決手段】多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設され、上記セルのいずれか一方の端部が封止されたハニカム構造体と、上記ハニカム構造体のセル壁に担持されたゼオライトとを有するハニカムフィルタであって、上記セル壁に担持されたゼオライトの量は、８０〜１５０ｇ／Ｌであり、上記ハニカム構造体のセル壁の気孔率は、５５〜６５％であり、上記ハニカム構造体の長手方向に垂直な断面におけるセル密度は、４６．５〜６２．０個／ｃｍ^２であり、上記ハニカム構造体のセル壁の厚さは、０．２〜０．３ｍｍであり、上記多数のセルは、大容量セルと、小容量セルとからなり、上記小容量セルの上記長手方向に垂直な断面の面積に対する上記大容量セルの上記長手方向に垂直な断面の面積の面積比は、１．４〜２．４であることを特徴とするハニカムフィルタ。 （もっと読む）

【課題】高いＰＭ補集効果を発揮することができるとともに、再生処理を繰り返しても高いＮＯｘ浄化率を発揮することができるハニカムフィルタを提供すること。
【解決手段】 多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設され、上記セルのいずれか一方の端部が封止されたハニカム構造体と、上記ハニカム構造体のセル壁に担持されたゼオライトとを有するハニカムフィルタであって、上記ハニカム構造体は、炭化ケイ素を含んで構成されており、上記ハニカム構造体の気孔率は、５５〜６５％であり、上記セル壁に担持されたゼオライトの量は、８０〜１５０ｇ／Ｌであり、上記ゼオライトが担持されたセル壁の熱伝導率が、３Ｗ／ｍＫ以上であることを特徴とするハニカムフィルタ。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体圧力センサ及びその製造方法に係り、Ｓｉ基板の開口部のダイヤフラム側壁すべてをその基板面に対して垂直な面とすることにある。
【解決手段】半導体圧力センサは、単結晶シリコン基板と、前記単結晶シリコン基板を裏面側からエッチングすることによって形成されたダイヤフラム及び４面のダイヤフラム側壁と、前記単結晶シリコン基板の表面側に形成されたリード導体及び歪ゲージ抵抗からなるブリッジ回路と、を備え、前記ダイヤフラムは、面方位が（１１０）面であり、かつ、平面形状が平行四辺形であり、前記ダイヤフラム側壁は、４面とも面方位が（１１１）面であり、かつ、２面ずつ互いに平行に向かい合っており、圧力印加に伴う前記ダイヤフラムの撓み量に応じて前記ブリッジ回路の出力値が変動することを利用して、前記ダイヤフラムに印加される被検出対象の圧力を検出する。 （もっと読む）

【課題】ヒートサイクルを繰り返しても、基板の割れや、配線パターンの剥離を生じない大電力用銅配線パターンの形成されたセラミック配線基板を提供することを目的とする。
【解決手段】セラミック基板と前記セラミック基板上に形成された銅層とを含み、前記銅層における銅の平均粒子半径が１０μｍ以上であるセラミック配線基板。 （もっと読む）

【課題】再生品や端材として今後大量に発生しうる炭素繊維を用いて高強度の炭素質材料を提供する。
【解決手段】平均繊維長１ｍｍ以下の炭素繊維と、炭素質マトリックスとからなる炭素質材料であって、気孔率が１５〜３０％である炭素質材料。炭素質材料の気孔率は、１５％を下回ると、炭素繊維が短いために焼成時に大きなクラックが発生し易く、低強度の炭素質材料が出来やすくなる。３０％以上であると、炭素繊維どうしの接着が弱くなり炭素質材料の強度が低くなる。 （もっと読む）