【課題】処理室に供給する液体原料を効率よく気化する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１６内にウエハ１４を搬入する工程と、処理室１６内に液体原料スプレーノズル７０より金属化合物を含む液体原料を供給しつつ液体原料スプレーノズル７０と支持台１８にバイアス電圧を印加することで、液体原料を気化させた原料ガスを帯電した状態で噴霧させてウエハ１４に供給し、ウエハ１４上に原料ガスを吸着させる工程と、処理室１６内に酸化剤を供給することで、ウエハ１４上に吸着させた原料ガスと酸化剤とを反応させて金属含有層を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、ウエハ１４上に所定膜厚の金属含有膜を形成する処理を行う工程と、処理室１６内から処理済みのウエハ１４を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】測定器を変更したり、測定器の配置を変更する場合に、例えば、変更後の測定器の寸法や消費電力が、その測定器を収容予定の収容架（収容場所）の寸法や消費電力に合っているか否かを、判断することのできる試験システムを提供する。
【解決手段】複数の測定器を収容可能な収容架を備えた試験システムを、各測定器の仕様を記憶する測定器情報テーブルと、収容架の仕様を記憶する収容架情報テーブルとを記憶しておき、測定器の画像と収容架の画像が表示部に表示された状態において、操作員から指定された測定器を指定された収容架へ配置する指示を受け付けると、前記指定された測定器が前記指定された収容架に収容可能であるかを判定し、収容不可と判定された場合に、収容不可である旨の報知メッセージを、表示部に表示するよう構成する。 （もっと読む）

【課題】緊急一括通報において一括通報、グループ通報、又は個別通報を行う無線通信システム及び緊急通報方式を提供する。
【解決手段】（１）の通報開始ではオペレータが操作卓１１から一括通報、グループ通報、又は個別通報のいずれかを設定すると、（２）の緊急一括通報開始で親局装置１２に緊急一括通報開始データが送信され、（３）の呼番号通知では操作卓１１に呼番号通知データが送信される。（４）の通報開始指示では、親局装置１２は屋外拡声子局２０または戸別受信機３０に通報開始指示データを送信する。（５）の番号通知では、親局装置１２は屋外拡声子局２０または戸別受信機３０に番号通知データを送信する。通報開始指示データと番号通知データの通報種別「緊急一括通報開始」に対する子局識別番号に「一括番号、グループ番号、個別番号」を設定できるようにする。 （もっと読む）

【課題】ヒータ昇温時に、熱応力に起因する基板載置部の破損を防止することができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】基板を収容し加熱処理を行う基板処理室と、前記基板処理室内に設けられ、その表面に基板を載置する基板載置部と、前記基板載置部内に設けられ、基板を加熱するための第1のヒータと、前記基板載置部内に設けられ、基板を加熱するための第２のヒータと、前記第1のヒータと第２のヒータを加熱制御する制御部であって、前記第1のヒータの加熱制御値に基づいて、第２のヒータの加熱制御値を決定するよう制御する制御部とから半導体製造装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】電子シャッタ変更命令を適応し変更した電子シャッタの画像データのみを出力する。
【解決手段】ＩＴ−ＣＣＤと、ＶＤ前に電子シャッタタイミングによって定まる蓄積時間を読み込むタイミング発生部とオーバーフロードレイン掃き捨てと読み出しとを内蔵の垂直転送駆動部と、双方向伝送回路とを有する固体撮像装置において、電子シャッタ変更命令を毎垂直周期ごとに受けつけ該電子シャッタ変更命令が来た次の垂直周期は、画像データの出力または伝送の少なくとも一方を中止し、該電子シャッタ変更命令に対応した電子シャッタパルスをＳＵＢに印加し、該電子シャッタ変更命令が来た次の次の垂直周期に該電子シャッタ変更命令に対応した画像データを出力する。 （もっと読む）

【課題】無線ＬＡＮでＱｏＳを効率的に行う通信装置を提供する。
【解決手段】
送信するデータに含まれる優先度に関する情報に従い、上位層のスケジューリング手段にて下位層にデータを渡す順序のスケジューリングを行う。このスケジューリングにより計算された新たな優先度に関する情報を、改めてスケジューリング手段がデータに付与する。この上で、下位層では、スケジューリング手段から受け取った優先度の異なるデータを一つの送信キューに記憶する。そして、送信制御手段が、送信キューに記憶されたデータに付与されている新たな優先度に関する情報を基に、データに送信待ち時間を設定する。最終的に、送信制御手段は、設定された送信待ち時間に従って、データの送信制御を行う。 （もっと読む）

【課題】誘導加熱方式を使用した基板処理装置を構成する被誘導体の破損を抑制できる技術を提供する。
【解決手段】本発明では、サセプタ２１８Ｈの上段にさらに、少なくとも、ダミーサセプタＤＭＹ１が配置され、または、サセプタ２１８Ｌの下段に、さらに、少なくとも、ダミーサセプタＤＭＹ３が配置されている。これらのダミーサセプタＤＭＹ１、ＤＭＹ３には、ウェハ２００が搭載されておらず、サセプタ２１８Ｈもしくはサセプタ２１８Ｌに載置されたウェハ２００を加熱する。 （もっと読む）

【課題】低温での酸化膜形成において、ウエハ面内の膜厚均一性を向上させた基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を収容して処理する反応管と、前記反応管内を加熱するヒータと、前記反応管内で前記複数枚の基板を所定の間隔で積層し配列させて保持する基板保持具と、前記反応管内の前記複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の基板配列方向における複数箇所から前記反応管内に、酸素含有ガスと水素含有ガスとを混合させて供給するガス供給ノズルと、前記反応管内を排気する排気口と、前記反応管内の圧力が大気圧よりも低い所定の圧力となるように制御する圧力制御部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】処理ガス供給配管の置換容積を最小限とし、反応室内に供給する処理ガスの切替え速度を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室５２と、該処理室内に複数の処理ガスを供給する複数の処理ガス供給手段と、前記処理室内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給手段と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、前記複数の処理ガス供給手段と前記キャリアガス供給手段と前記排気手段とを制御する制御手段とを具備し、前記複数の処理ガス供給手段は、処理ガス配管部に上流側から順に設けられた上流側バルブ５６，６３と流量制御手段５７，５８，６４と下流側第１バルブ５９，６５と下流側第２バルブ６２，６７とを有し、前記キャリアガス供給手段は、キャリアガス配管部に設けられたバルブ７９，８３の下流側で前記下流側第２バルブ６２，６７と前記処理室５２との間にもそれぞれ接続される基板処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】実践的な移動物体の監視処理を行うことができる映像記録装置を提供する。
【解決手段】映像信号を取得する取得部（Ｓ１１）と、取得した映像信号を第１記録媒体に記録する第１記録部（Ｓ１２）と、映像信号を読み出して選択的に再度記録するための選択条件として移動物体が所定方向に移動することを設定する設定部（Ｓ１３）と、第１記録部が記録した映像信号から動きのある動き映像信号だけを抽出し、動き映像信号が設定部により設定された選択条件に叶うかどうかを判定し、選択条件に叶うと判定された動き映像信号だけを第２記録媒体に記録する第２記録部（Ｓ１７）をもつ映像記録装置。 （もっと読む）