【課題】シールキャップアームや炉口シャッタアームの撓みを補正して、Ｏリングを十分潰すことができ、処理室を十分シールするができる閉塞補助機構を備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を搬入する開口部を有し、搬入した基板に対し処理を行う処理室と、基板が処理室内にあるときに前記処理室の開口部を閉塞する第１の蓋体と、前記第１の蓋体を開閉動作させる第１の開閉機構と、基板が処理室内にないときに前記処理室の開口部を閉塞する第２の蓋体と、前記第２の蓋体を開閉動作させる第２の開閉機構と、前記第１の開閉機構の閉塞力を補助する第１の閉塞補助機構と、前記第２の開閉機構の閉塞力を補助する第２の閉塞補助機構とを備える基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】携帯無線機を簡易に組立及び分解でき、コネクタとＲＡＤＩＯ基板とを強固に接続できる携帯無線機における接続構造を提供すること。
【解決手段】接続構造２７は、アンテナを携帯無線機１０に接続する接続部であるコネクタ２３と、携帯無線機１０のデータを処理するＲＡＤＩＯ基板２５とを接続する。接続構造２７は、ＲＡＤＩＯ基板２５と、コネクタ２３とが固定され、コネクタ２３とＲＡＤＩＯ基板２５とを接続する接続部材である接続端子３３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】
レジスト層あるいはアモルファスカーボン層を表面に有する基板に、低温で良質の膜を形成する。
【解決手段】
レジスト層もしくはアモルファスカーボン層を表面に有する基板にＨＭＤＳガスを曝すＨＭＤＳガス暴露工程と、基板に酸素含有ガスを曝す酸素含有ガス暴露工程と、を行うことにより、少なくともレジスト層もしくはアモルファスカーボン層の上にシリコン酸化膜を形成する。これにより、基板の表面のレジストあるいはＡＣＬにダメージを与えることのない低い処理温度で、不純物が少なく、ウェットエッチングレートが低い膜をレジストあるいはＡＣＬの上に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＯＦＤＭＡ−ＴＤＤ通信方式の無線通信システムで、効果的に移動局装置同士の直接通信を実現する。
【解決手段】基地局装置は、上りデータ領域１５の一部を同期信号領域２１、移動局間直接通信領域２２として割り当てる。移動局装置は、基地局装置との間で直接的に同期をとることが可能である場合には同期信号領域２１を使用して間接同期信号を送信し、他の場合には他の移動局装置からの間接同期信号により基地局装置との間で間接的に同期をとり同期信号領域２１を使用して間接同期信号を送信し、また、移動局間直接通信領域２２を使用して移動局装置間の直接通信を行う。 （もっと読む）

【課題】縦型チューブＡＬＤ（原子層堆積）装置を用いる成膜方法において、スループットや膜質の変化を回避しながら面内膜厚分布均一性を向上させる。
【解決手段】複数枚のウエハを水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容した処理室内に、各ウエハに対応するように複数のガス供給孔が設けられた第１ノズルを介してＤＣＳ（ジクロロシラン＝ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）ガスを供給して各ウエハに成膜する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記ガス供給孔の位置を隣接する前記ウエハ間の中心位置よりも上方に対応する位置に配置することで、ウエハ面内膜厚分布をウエハ中央部膜厚がウエハ周辺部膜厚よりも厚い分布となるように制御するか、もしくは、前記ガス供給孔の位置を隣接する前記ウエハ間の中心位置よりも下方に対応する位置に配置することで、ウエハ面内膜厚分布をウエハ中央部膜厚がウエハ周辺部膜厚よりも薄い分布となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】 高調波成分の負荷を、基本波の調整に影響されることなく短絡から開放までの範囲で最適な負荷となるよう独立して設定することができ、高い電力変換効率を得ることができる電力増幅器を提供する。
【解決手段】 トランジスタ３の出力に、高調波に対する負荷を設定して反射する高調波反射回路４と、設定された高調波に対する後段の負荷の影響を分離する負荷分離回路５と、基本波についてトランジスタ３と出力負荷との整合を取る基本波整合調整回路６を備え、高調波反射回路４に設けられた先端開放スタブ２３の長さが調整されることで、高調波の負荷を調整する電力増幅器としており、高調波成分及び基本波について独立して最適な負荷調整を行うことができ、電力変換効率を向上させることができるものである。 （もっと読む）

【課題】試験器の配置位置を変更しても、ソフトウェアの修正を必要としない故障診断システムを提供する。
【解決手段】故障診断システムを、中継装置との間のカスケード接続用ポートを有する制御装置と、上位カスケード接続用ポートと下位カスケード接続用ポートと複数の試験器接続用ポートを有する中継装置と、中継装置の試験器接続用ポートとそれぞれ接続され、格納スペースに配置される試験器と接続する接続器と、試験器の位置を表示する表示装置とで構成し、格納スペースの表示位置に関する格納スペース位置情報と、中継装置の試験器接続用ポートと格納スペースの位置情報とを対応付けるポート位置情報と、試験器の識別子と名称とを対応付ける機器情報と、試験器が接続されたポート番号と試験器の識別子とを対応付ける接続機器情報とに基づいて、試験器が配置された格納スペースに対応する前記表示装置の表示位置に、該試験器の名称を表示させる。 （もっと読む）

【課題】カメラマン以外のスタジオにいる関係者に認識できるようにする機能を提供する。
【解決手段】複数のレンズと映像表示手段とを有する撮像装置と該複数の撮像装置の映像を選択する手段と、該選択する手段の現用選択信号と予備選択信号を前記複数の撮像装置に送る手段と、前記現用選択信号を前記複数の撮像装置の前面に赤で表示する警告手段と、前記現用選択信号を前記映像表示手段の背面または撮像装置の背面に赤で表示する手段と、前記予備選択信号を前記映像表示手段の背面または撮像装置の背面に緑で表示する手段とを有する、撮像システムにおいて、前記現用選択信号がｏｆｆの場合で前記予備選択信号がｏｎ場合は緑を表示する警告手段を前記レンズまたは前記映像表示手段または前記撮像装置の前面に備える。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＶＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して良質な窒化チタン膜を、ＡＬＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して速い成膜速度で、すなわち高い生産性で提供することが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理室に基板を搬入する基板搬入工程と、前記処理室に第１の処理ガス及び第２の処理ガスを同時に供給して前記基板に所定の膜を形成する膜形成工程と、前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスの供給を停止して前記処理室内に残留する第１の処理ガス及び第２の処理ガスを除去する除去工程と、前記除去工程の後に、前記処理室に前記第２の処理ガスを供給して前記基板に形成された膜を改質する改質工程と、前記処理室から前記基板を搬出する基板搬出工程と、を有し、前記膜形成工程では、前記処理室に前記第２の処理ガスを供給する時間が、前記処理室に前記第１の処理ガスを供給する時間より長いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷却水の消費量を削減する。
【解決手段】ウエハ２００を加熱して処理する処理炉２０２において、冷却水供給ポンプ２、入口コック３、圧力計４、マニホールド２０９の冷却水ライン５Ａ、シールキャップ２１９の冷却水ライン５Ｂ、シャッタ１０２の冷却水ライン５Ｃ、ジャケット２０７の冷却水ライン５Ｄ、各冷却水ライン５Ａ〜５Ｄに接続された流量調整弁６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄ、出口コック７、タンク８および流量制御部９を備えている冷却水供給装置１を設ける。冷却必要箇所としてのマニホールド２０９、シールキャップ２１９、シャッタ１０２およびジャケット２０７には各熱電対１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄを設置する。流量制御部９は各熱電対１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄの測定温度を一定に保つように冷却水の流量を各流量調整弁６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄによって制御する。 （もっと読む）