【課題】 基板上に成膜される薄膜の膜質を向上させる。
【解決手段】 イオンを発生するイオン発生部と、ターゲットを複数配列させたターゲット群を保持し、ターゲット群のうち所定のターゲットにイオンが入射するようターゲット群を回動させるターゲット保持部と、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が入射されるように基板を保持する基板を保持する基板保持部と、ターゲット保持部に保持され、各ターゲットに対向する部位に第１開口部がそれぞれ形成されると共に、隣接する各ターゲット間を仕切る隔壁を複数有し、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が他のターゲットに飛散することを抑制する飛散抑制部と、飛散抑制部と基板との間に設けられ、所定のターゲットを露出させるように第２開口部が形成されると共に、他のターゲットに対向する第１開口部を覆うように構成され、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が他のターゲットに入射することを抑制する入射抑制部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】マッピング情報を活用できる基板処理システムを提供する。
【解決手段】マッピング情報を活用できる基板処理システムは、複数枚のウエハを収納したポッドのキャリア識別子を認識する主制御部と、ウエハを搬送する動作制御部を主制御部からの指示に従って制御する搬送制御部と、ポッドのスロットにおけるウエハの有無を検知するマッピング装置と、を備えており、主制御部はキャリア識別子にマッピング装置の検知結果を含むマッピング情報を関連付けて蓄積してキャリア識別子−マッピング情報蓄積テーブル９１を作成する。テーブル９１に基づいて特定キャリア履歴ファイル９２を抽出することにより、マッピング情報を活用できる。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス頻度を低減でき、適切なメンテナンス時期を見極めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、イオンを発生させるイオン源４０と、イオン源４０からのイオンビーム４５を受けるターゲット３６と、第一真空容器１１内に収容されてターゲット３６からのスパッタ粒子４６を受けるウエハ１を保持するウエハホルダ１８と、第二真空容器２２へのスパッタ粒子４６の付着を抑制する防着板５１と、防着板５１へ付着するスパッタ粒子４６の付着量を予測する付着量予測部６１とを備える。 （もっと読む）

【課題】測定機器の基準値の補正量を外部で確認することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部１２０の出力部１２２は、ＭＦＣ８４及び圧力センサ１１２にＯＮ／ＯＦＦ信号を出力する。ＭＦＣ８４及び圧力センサ１１２は、例えば、出力部１２２からＯＮ信号を入力した場合に、それぞれが備える基準値補正機能による基準値補正を実行し、出力部１２２からＯＦＦ信号を入力した場合に、基準値補正機能による基準値補正を解除する。制御部１２０の算出部１２８は基準値補正前後の出力電圧から補正量を算出し、制御部１２０はこの補正量を表示部１３２に表示させる。 （もっと読む）

【課題】試験器の配置位置を変更しても、ソフトウェアの修正を必要としない故障診断システムを提供する。
【解決手段】故障診断システムを、中継装置との間のカスケード接続用ポートを有する制御装置と、上位カスケード接続用ポートと下位カスケード接続用ポートと複数の試験器接続用ポートを有する中継装置と、中継装置の試験器接続用ポートとそれぞれ接続され、格納スペースに配置される試験器と接続する接続器と、試験器の位置を表示する表示装置とで構成し、格納スペースの表示位置に関する格納スペース位置情報と、中継装置の試験器接続用ポートと格納スペースの位置情報とを対応付けるポート位置情報と、試験器の識別子と名称とを対応付ける機器情報と、試験器が接続されたポート番号と試験器の識別子とを対応付ける接続機器情報とに基づいて、試験器が配置された格納スペースに対応する前記表示装置の表示位置に、該試験器の名称を表示させる。 （もっと読む）

【課題】カメラマン以外のスタジオにいる関係者に認識できるようにする機能を提供する。
【解決手段】複数のレンズと映像表示手段とを有する撮像装置と該複数の撮像装置の映像を選択する手段と、該選択する手段の現用選択信号と予備選択信号を前記複数の撮像装置に送る手段と、前記現用選択信号を前記複数の撮像装置の前面に赤で表示する警告手段と、前記現用選択信号を前記映像表示手段の背面または撮像装置の背面に赤で表示する手段と、前記予備選択信号を前記映像表示手段の背面または撮像装置の背面に緑で表示する手段とを有する、撮像システムにおいて、前記現用選択信号がｏｆｆの場合で前記予備選択信号がｏｎ場合は緑を表示する警告手段を前記レンズまたは前記映像表示手段または前記撮像装置の前面に備える。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＶＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して良質な窒化チタン膜を、ＡＬＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して速い成膜速度で、すなわち高い生産性で提供することが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理室に基板を搬入する基板搬入工程と、前記処理室に第１の処理ガス及び第２の処理ガスを同時に供給して前記基板に所定の膜を形成する膜形成工程と、前記第１の処理ガス及び前記第２の処理ガスの供給を停止して前記処理室内に残留する第１の処理ガス及び第２の処理ガスを除去する除去工程と、前記除去工程の後に、前記処理室に前記第２の処理ガスを供給して前記基板に形成された膜を改質する改質工程と、前記処理室から前記基板を搬出する基板搬出工程と、を有し、前記膜形成工程では、前記処理室に前記第２の処理ガスを供給する時間が、前記処理室に前記第１の処理ガスを供給する時間より長いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】冷却水の消費量を削減する。
【解決手段】ウエハ２００を加熱して処理する処理炉２０２において、冷却水供給ポンプ２、入口コック３、圧力計４、マニホールド２０９の冷却水ライン５Ａ、シールキャップ２１９の冷却水ライン５Ｂ、シャッタ１０２の冷却水ライン５Ｃ、ジャケット２０７の冷却水ライン５Ｄ、各冷却水ライン５Ａ〜５Ｄに接続された流量調整弁６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄ、出口コック７、タンク８および流量制御部９を備えている冷却水供給装置１を設ける。冷却必要箇所としてのマニホールド２０９、シールキャップ２１９、シャッタ１０２およびジャケット２０７には各熱電対１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄを設置する。流量制御部９は各熱電対１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄの測定温度を一定に保つように冷却水の流量を各流量調整弁６Ａ、６Ｂ、６Ｃ、６Ｄによって制御する。 （もっと読む）

【課題】 基板上に成膜される薄膜の面内膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】 イオンを発生するイオン発生部と、ターゲットを複数配列させたターゲット群を保持し、ターゲット群のうち所定のターゲットにイオンが入射するようターゲット群を回動させるターゲット保持部と、所定のターゲットにて発生したスパッタ粒子が入射されるように基板を保持する基板保持部と、スパッタ粒子の基板上への入射を規制する規制部材を複数保持し、所定のターゲットに応じた所定の規制部材を基板と所定のターゲットとの間に挿入させる規制部材保持部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】ガス配管同士を接続するフランジ部に於いて、該フランジ部を加熱するヒータの寿命の延長を図ると共に、前記フランジ部を効率よく加熱可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収納し処理する反応管と、該反応管内に処理ガスを供給するガス供給管、前記反応管内の雰囲気を排気するガス排気管等のガス配管を具備し、該ガス配管同士は端部に形成されたフランジ部４４ａ，４６ａを介してクランパ３によって接続され、該フランジ部に連続する直管部４４，４６にヒータ９４を設けると共に前記フランジ部にもヒータ９３，９５を設け、前記フランジ部及び前記直管部を覆う断熱材９２を設けた。 （もっと読む）