【課題】熱放散性や製造容易性に優れ、かつ水分等の異物の侵入を抑えたＣＳＰ構造の半導体装置、並びにその半導体装置を構成するリードフレームを形成するための異形断面条及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様において、突起３が形成された部分であるアウターリードとしての２つの厚肉部２Ａ、及び２つの厚肉部２Ａの間のインナーリードとしての薄肉部２Ｂを有するリードフレーム５Ａと、ボンディングワイヤ１２を介して薄肉部２Ｂに電気的に接続される半導体チップ１１と、リードフレーム５Ａ及び半導体チップ１１を封止する樹脂パッケージ１４と、を含み、リードフレーム５Ａの上面及び下面の樹脂パッケージ１４に接触する部分に、突起３に平行な線状の微小溝４Ａ、４Ｂが形成され、微小溝４Ａ、４Ｂの深さは前記突起の高さよりも小さく、２つの厚肉部２Ａの一部が樹脂パッケージ１４の底面及び側面に露出する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高い導電性を備え、かつ、軟質材においても高い引張り強さと伸び率を有し、製造工程が単純でかつ安価である軟質希薄銅合金材料の製造方法を提供することにある。
【解決手段】本発明は、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｃａ、Ｖ、Ｎｉ、Ｍｎ、及びＣｒからなる群から選択された添加元素を含み、残部が銅である軟質希薄銅合金に塑性加工を施し、次いで焼鈍処理を施す軟質希薄銅合金材料の製造方法であって、前記焼鈍処理を行う前の前記塑性加工における加工度が５０％以上である。 （もっと読む）

【課題】円筒型スパッタリングターゲット材の外周面側から内周面側までのスパッタ速度の均一化を図る。
【解決手段】純度３Ｎ以上の無酸素銅から形成され、円筒形状を有する円筒型スパッタリングターゲット材２０であって、外周面２１側から内周面２２側へ向けて硬さが次第に増加するとともに、外周面２１側から内周面２２側へ向けて（１１１）面の配向率が次第に増加する。 （もっと読む）

【課題】制御ケーブルでの電圧降下によりＤＣリターン電圧が上昇しても、正常に通信を行うことを可能とするＡＩＳＧデバイス用インターフェイス回路及びＡＩＳＧデバイスを提供する。
【解決手段】ＡＩＳＧ規格に準拠した入力コネクタ２および出力コネクタ３と、入力コネクタ２から入力された制御信号を一定電圧昇圧して出力する電圧シフト回路８と、を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】ＴＡＢテープの絶縁層に開口を容易に形成するとともに、開口の縁部におけるバリの発生を抑制したＴＡＢテープの製造方法を提供する。
【解決手段】金属箔２上に、スクリーン印刷により絶縁性樹脂３を塗布して、金属箔２が露出した開口５を有する絶縁層４を形成する工程と、絶縁層４を硬化して、開口５における縁部が面取り形状である絶縁層４を形成する工程と、金属箔２を、フォトリソグラフィを用いてエッチングして、配線の一部が開口５にて露出する配線パターン７を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】３値の入力信号を光変調器に印加して光を変調する変調方式において、制御を開始したときに、初めに設定したバイアス点が最適なバイアス点から１８０°位相がずれていても、速やかにバイアス点を最適なバイアス点となるように制御する。
【解決手段】光送信機は、ＭＣＵ３０を用いてＭＺ型光変調器に印加するバイアス電圧Ｖ_Ｂを制御する。ＭＣＵ３０は、低周波信号ｓをバイアス電圧Ｖ_Ｂに重畳する。このとき制御入力値ｆは制御誤差ｅとなる。制御誤差ｅがゼロであった場合、ＭＣＵ３０は、低周波信号ｓを入力信号に重畳する。このとき制御入力値ｆは判別量ｄとなる。ＭＣＵ３０は、判別量ｄの正負符号からバイアス電圧Ｖ_Ｂが最適なバイアス点にあるかを判定する。 （もっと読む）

【課題】印刷インクの濃度と粘度の両方を一定に保つことができるケーブル表面印刷装置を提供する。
【解決手段】インクと溶剤とを調合してなる印刷インク１１を用いてケーブル１２の表面に文字、図形、又は記号を印刷するケーブル表面印刷装置１０において、印刷インク１１の温度を計測する温度計１８と、温度計１８の計測値に基づいて印刷インク１１の温度を調節する温度調節手段１９と、印刷インク１１の粘度を計測する粘度計２０と、粘度計２０の計測値に基づいて印刷インク１１の粘度を調節する粘度調節手段２１と、を備え、温度調節手段１９によって印刷インク１１の温度を一定に保った状態で、粘度調節手段２１によって印刷インク１１の粘度を一定に保つことで、印刷インク１１の濃度を一定に保つものである。 （もっと読む）

【課題】複数のアンテナ素子及び移相器を収容する筒体の外径を大きくすることなく、移相器を制御するための制御装置を搭載可能なアンテナ装置を提供する。
【解決手段】アンテナ装置１は、複数のアンテナ素子を有するアレイアンテナ１１と、複数のアンテナ素子間の位相差を調節する移相器１２と、移相器１２の動作を制御する制御装置３と、アレイアンテナ１１及び移相器１２を収容し、水平方向に対して直交又は傾斜して固定される円筒状の筒体１０とを備え、筒体１０には、その側面に貫通孔１０ａが形成され、貫通孔１０ａを覆うように筒体１０の外周面に固定され、鉛直方向下方に開口２ａを有するカバー部材２をさらに備え、制御装置３は、カバー部材２に収容され、貫通孔１０ａを挿通する電線３７を介して移相器１２の動作を制御し、かつカバー部材２の開口２ａを介してカバー部材２の内部から取り出し可能である。 （もっと読む）

【課題】制御を開始したときに、初めに設定したバイアス点が最適なバイアス点から１８０°位相がずれていても、速やかにバイアス点を最適なバイアス点となるように制御することができる光変調器を提供する。
【解決手段】光送信機１０のマッハツェンダ型光変調器１２は、低周波信号Ｐｓが重畳された入力信号Ｍｓと印加されたバイアス電圧Ｖｂｓに応じて光ＣＷを変調し、光信号Ｏｓとして出力する。ＭＣＵ４０は、光信号Ｏｓの低周波成分と低周波信号Ｐｓの位相差に基づき、バイアス電圧Ｖｂｔを設定する。ＭＣＵ４０は、制御を開始したときに、光信号Ｏｓの低周波成分と低周波信号Ｐｓの位相差がゼロであった場合、バイアス電圧Ｖｂｔにオフセット電圧Ｖｔを重畳して、バイアス電圧をオフセットする。 （もっと読む）

【課題】優れた屈曲特性と、低スティフネス性とを兼ね備えた圧延銅箔を提供する。
【解決手段】圧延銅箔は、０．０００２質量％以上０．００３質量％以下のケイ素（Ｓｉ）と、０．００２５質量％以上０．０１８質量％以下の硼素（Ｂ）と、０．０００２質量％以上質量比で前記硼素（Ｂ）の５分の１以下の硫黄（Ｓ）とを含有し、残部が無酸素銅又は酸素量が０．００２質量％以下の低酸素濃度の銅（Ｃｕ）、及び不可避不純物からなる銅合金材を、厚さが１μｍ以上２０μｍ以下の箔状体に圧延加工してなる。 （もっと読む）