【課題】チョッパ回路を１台として回路が大型化しないようにし、これが故障した場合でも、架線がない区間での自力走行を可能とする
【解決手段】複数台設けられるインバータの、例えば６２の出力に接続される交流電動機７２の巻線の中性点と蓄電装置９との間にスイッチ１１を設け、少なくともチョッパ回路８およびその制御装置が故障したときは、スイッチ１０ａ，１０ｂをオフにしてチョッパ回路８を切り離すとともにスイッチ１１をオンにし、インバータ出力をスイッチ１１を介して蓄電装置９に接続し、インバータ６２をチョッパ回路として動作させるようにする。 （もっと読む）

【課題】ブレークダウン電圧の低下や、オン抵抗の増大を招かず、しかも製造コストが低いＭＯＳ型半導体装置を提供すること。
【解決手段】ｎ^-ドリフト層１の表面層に選択的に配置され、曲率状の基底部を有するｐベース領域１７と、ｐベース領域１７の表面層に選択的に配置されるｎ形第１領域６と、ｎ形第１領域６表面と前記ｎ^-ドリフト層１表面に挟まれた前記ｐベース領域１７の表面にゲート絶縁膜９を介して被覆されるゲート電極８と、ｎ形第１領域６表面と前記ｐベース領域１７表面とに導電接触する金属電極１３を備えるＭＯＳ型半導体装置において、前記ｐベース領域１７のネットドーピング濃度が、複数のウェル領域を有する形状を備えているＭＯＳ型半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】残留磁束による残留磁化力によりアーマチュアが吸引部材にはりついてしまうことを抑制することができる電子膨張弁を提供すること。
【解決手段】冷媒入口と冷媒出口とが有する弁本体３１と、冷媒入口よりも小径で冷媒出口に連通する小径流路３４１を有する弁座３４と、常態においては弁座３４前後における冷媒の高低圧力差及び付勢手段により弁座３４に当接することで小径流路３４１の流入口を閉成する略円柱状のアーマチュア３２と、磁力が作用する場合にアーマチュア３２を吸引することにより冷媒の高低圧力差等に抗して弁座３４から離隔する方向に移動させて流入口３４１ａを開成させる吸引部３１１２を備え、吸引部３１１２がアーマチュア３２を吸引する場合、吸引部３１１２に当接して吸引部３１１２とアーマチュア３２との間に間隙を形成するリング部材３２１２を備え、付勢手段は、アーマチュア３２の径方向への移動量を規制するものである。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴモジュールを並列接続した構成で、Ｖ_CEを検出して過電流保護（遮断）する場合、配線インダクタンスの影響で、高速で、確実な保護ができない課題がある。
【解決手段】並列接続されたＩＧＢＴモジュール内のＩＧＢＴのＶ_CE検出用のダイオードを各ＩＧＢＴ毎又は複数個に対して1個の割合で接続し、過電流時いずれかのＶ_CEが上昇した場合には並列接続された全てのＩＧＢＴのゲート信号を強制遮断する。 （もっと読む）

【解決手段】アルミニウム又はアルミニウム合金表面の酸化皮膜を除去するための除去液であって、銀イオン及び／又は銅イオンと、該銀イオン及び／又は銅イオンの可溶化剤と、水酸化第４級アンモニウム化合物とを含有し、ｐＨが１０〜１３．５であることを特徴とするアルミニウム酸化皮膜用除去液。
【効果】本発明の除去液は、アルミニウム又はアルミニウム合金の表面に、その侵食を可及的に抑制しつつ、除去液に含まれる銀及び／又は銅化合物に由来する銀及び／又は銅を置換析出することができ、しかも、この銀や銅の置換析出物はアルミニウム又はアルミニウム合金の表面を殆ど侵食することなく低温で、迅速に溶解除去することが可能であるため、アルミニウム又はアルミニウム合金の厚みが非常に薄い場合であっても、アルミニウム又はアルミニウム合金を確実に残存させつつその表面を活性化することができる。 （もっと読む）

【課題】搬送方向の切替えに付随した挟圧力や搬送高さの偏差を低減し、品質向上と製造コスト低減を両立する薄膜積層体製造装置を提供する。
【解決手段】搬送経路の端部で可撓性基板１をロールから巻出し／ロールに巻取るための正逆双方向に駆動可能なロールコア駆動装置と、基板の縁部を挟持しかつその挟圧力に応じた展張力を縁部に付与する回転可能なグリップローラ６１〜６９と、成膜部３０における基板の搬送高さを検知する検知手段Ｓ１〜Ｓ９と、検知手段の検出値に基づいてグリップローラの挟圧力を制御する搬送高さ制御装置７３と、を備え、搬送高さ制御装置は、グリップローラの挟圧力の初期値を保持する保持手段を有し、基板の搬送方向の切替え時に、初期値に基づいてグリップローラ６１〜６９の挟圧力を再設定可能とする。 （もっと読む）

【課題】隣接配置した一対のロールの間に配置した一対の堰板の接触側面に沿って上昇した原材料が滞留するのを防止して高品質の材料を形成することができるロールミルを提供する。
【解決手段】複数本のロール６，７を軸平行に隣接配置し、一対のロールの間の両端を一対の堰板１０，１０で閉塞し、これら一対の堰板の間から一対のロール間に原材料Ｍを投入して混練・分散処理を行なうロールミルである。一対の堰板の原材料が接触する接触側面１６には、原材料が接触側面に沿って滞留するのを防止する滞留防止部１７が設けられている。 （もっと読む）

【目的】過電流や短絡電流が流れたとき素子を素早く確実にソフト遮断し素子破壊を防止しノイズの発生を抑制できる電力用半導体素子のゲート駆動回路を提供すること。
【解決手段】ゲート駆動回路１００にＩＧＢＴ１のゲート１ｄに蓄積された電荷を速やかに引く抜くｎチャネルＭＯＳＦＥＴでありオン抵抗が小さいＭＳＩＮＫ８と緩やかに引き抜くｎチャネルＭＯＳＦＥＴでありオン抵抗が大きいＭＳＯＦＴ７を設ける。そして、これらのＭＯＳＦＥＴがオンするタイミングをずらすことで、過電流や短絡電流が流れたときＩＧＢＴ１を素早く確実にソフト遮断することができる。その結果、素子破壊の防止とノイズ発生の抑制を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】無欠陥の無電解ニッケルメッキ膜の製造方法の提供。
【解決手段】スパッタ法を用いて、基材上に９９．９９％以上の純度および２．５μｍ以上の膜厚を有するアルミニウム層を形成する工程と、無電解メッキを用いて、アルミニウム層の上に無電解ニッケルメッキ膜を形成する工程とを含むことを特徴とする無電解ニッケルメッキ膜の製造方法。ここで、基材とアルミニウム層との間に９９．９９％以上の純度を有するチタン層を形成する工程をさらに含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】 上位コントローラと、該上位コントローラからの起動信号に基づいて被搬送物を搬送するサーボモータと、該サーボモータを可変速駆動するサーボアンプとを用いて形成される位置決め制御装置の省配線を図る。
【解決手段】 フィルム１をローラ２で一定量だけ定寸送りしつつ、カッター４で裁断するときに、ローラ２を駆動するサーボモータ１１を可変速制御するサーボアンプ４０を位置指令生成部４１、移動量メモリ部４２、位置・速度・電流制御部４３、位置ラッチ部４４、状態監視フラグ部４５、位置決め完了判定部４６で形成することにより、フィルム１上に印刷されたマーク１ａ，１ｂ，・・・をその都度通過したタイミングで発生する信号がオンされると状態監視フラグ部４５の状態監視フラグをセットし、この状態監視フラグの状態を上位コントローラ３１に出力する。 （もっと読む）