本発明は、一般に、半導体製造設備と半導体製造プロセスに関する。とりわけ、曲面を有する半導体表面への露光装置及び露光方法に関する。
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【課題】オートチューニングの自由度を高める。
【解決手段】ＰＩＤ制御装置は、設定値と制御量との偏差に対してＰＩＤパラメータに基づく制御演算を行って操作量を算出するＰＩＤ制御演算部７と、ＰＩＤパラメータのうち比例帯を修正する修正係数αを予め記憶する比例帯Ｐｂ修正係数α設定部１０と、積分時間を修正する修正係数βを予め記憶する積分時間Ｔｉ修正係数β設定部１１と、微分時間を修正する修正係数γを予め記憶する微分時間Ｔｄ修正係数γ設定部１２と、リミットサイクル式のオートチューニングの実行時に制御応答を検出するリミットサイクルＡＴ演算部と、検出された制御応答と修正係数α，β，γに基づいてＰＩＤパラメータを算出してＰＩＤ制御演算部７に設定するＰＩＤパラメータ算出部とを備える。 （もっと読む）

半導体を製造するステーションは、球面半導体デバイスまたはボール（52）の表面領域（84）上に露光させる。マスクパターンジェネレータ (56)は集合的に像を表示するために、一時的変更を受ける光のパターンを与える。マスクパターンジェネレータは、全体像の部分を提供する能動露光輪郭（80）を有する。半導体デバイスの表面領域に、光のパターンがレンズ（62）で導かれる。半導体デバイスは、半導体デバイスの表面領域の部分上に光のパターンを露光させるために、光のパターンの一時的変更に応じて回転する。露光輪郭は、より狭い中心を有して、中心から離れるにつれて広くなる。そのようにして露光輪郭は、湾曲を有することができる。
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【課題】 コイルばね部の一端部に該コイルばね部よりも大径の穴用止め輪部を連接した固定具を筒状体の内部に安定に、しかも確実に装着するための取付治具を提供する。
【解決手段】 弾性的に縮径可能な棒状体からなり、その先端部に前記固定具の穴用止め輪部に内側から係合して該固定具を装着可能な係止部を備えた軸体と、先端部に前記固定具を装着した上記軸体を挿通可能な貫通孔を備え、該貫通孔に挿入された前記軸体をその挿入長に応じて縮径させる筒体とを備える。好ましくは前記軸体はその先端部から軸方向に切り込まれた長尺のスリットを備える。また前記筒体は前記軸体が挿入される一端部側から他端部側に向けて徐々に縮径する内壁面を有する。 （もっと読む）

【課題】 簡易な構造で指向性の鋭い放音が可能なスピーカ装置を提供する。
【解決手段】 前端に開口を有し該開口よりも後方に焦点を有する回転面形状の音反射内壁を少なくとも該開口側に有し内部空間が形成されたフードと、フード内に、前方に向けて配置された振動面およびこの振動面を振動させる放音回路を有する音処理部とを備えたことで、スピーカ装置から放射される音のフード外部での広がり方を左右する、音処理部の振動面の直径を、実際の寸法よりも大きな寸法とみなせることができた。 （もっと読む）

【課題】 小型で高性能なガスクロマトグラフ装置を提供する。
【解決手段】 サンプル流体及びキャリア流体を注入する注入ブロック１と、表面に溝２１を有し、溝２１の内面に固定相を有するプレートＡ１５、Ｂ１６と、注入ブロック１の後流に配置され、プレートＡ１５、Ｂ１６を複数積層し、プレートＡ１５、Ｂ１６の溝２１が連通することにより流路を形成するガス分離部２と、ガス分離部２の出口と連通する検出部３とを設け、ガス分離部２を小型化すると共に十分長い溝２１内に設けられた固定相により、サンプル流体内のそれぞれの組成を高精度に分離し、高性能なクロマトグラフ装置とする。 （もっと読む）

【課題】 小型で耐久年数の長いクロマトグラフを提供する。
【解決手段】 混合されたサンプル及びキャリア媒体を導入する注入ブロック１と、第１注入口１１から導入されたサンプルとキャリア媒体とを通す第１ガス分離部２と、第１ガス分離部２を通過したサンプルを検出するＴＣＤセンサ３６と、第２注入部１５から導入されたサンプルとキャリア媒体を通す第２ガス分離部６と、第２ガス分離部６を通過したサンプルを検出するＴＣＤセンサ７３と、第１ガス分離部２及び第２ガス分離部６を同時に加熱するヒータ５を設けたうえ、第１ガス分離部２のプレートＡ、Ｂ２１、２２及び第２ガス分離部６のプレートＣ、Ｄ６１、６２を同軸方向に積層組み付ける。 （もっと読む）

【課題】電磁流量計と同じ構成を用いて、流体の流速に関わらず、流体の特性や状態あるいは測定管内の状態を検出する。
【解決手段】流体の特性や状態あるいは流体が流れる測定管内の状態を検出対象のパラメータとする状態検出装置は、流体が流れる測定管１と、流体に印加される磁場と流体の流れとによって生じた起電力を検出する電極２ａ，２ｂと、電極２ａ，２ｂを含む平面ＰＬＮに対して非対称かつ時間変化する磁場を流体に印加する励磁コイル３および電源部４と、電極２ａ，２ｂで検出される、流体の流速とは無関係な∂Ａ／∂ｔ成分の起電力と流体の流速に起因するｖ×Ｂ成分の起電力との合成起電力から∂Ａ／∂ｔ成分を抽出し、∂Ａ／∂ｔ成分の中からパラメータに依存する変動要因を抽出して、変動要因に基づいてパラメータを定量化する状態定量化部８とを備える。 （もっと読む）

【課題】 光路差を補正することにより受光素子上に干渉縞を形成可能な差圧測定システムを提供する。

【解決手段】 光を照射する光源4と、第1外力P_O1に応じて第1測定光路差を光に与える第1測定センサ5と、第2外力P_O2に応じて第2測定光路差を光に与える第2測定センサ15と、光に干渉計光路差を与え、干渉縞を形成する干渉計28と、光を分波し、センサ間光路差から干渉計光路差の最大値を引いた値よりも大きい補償光路差を分波された光の一方に与える光路差補償手段128と、干渉縞から第1及び第2外力P_O1, P_O2の差を算出する信号処理装置7とを備える。 （もっと読む）

【課題】積分ワインドアップを防止し、従来のパラメータ調整方法や自動調整機能の適用を可能にする。
【解決手段】制御装置は、制御偏差を算出する制御偏差算出部２３−１〜２３−３と、３個の制御偏差を状態量変換行列により各制御偏差を線形結合した値に変換する制御偏差変換部２６と、変換された各制御偏差にそれぞれ対応する重み係数を乗算する重み係数設定部２７−１〜２７−３と、重み係数が乗算された各制御偏差を状態量変換行列の逆行列により再変換する逆行列再変換部２８と、再変換された各制御偏差に基づき各制御ループの操作量を算出する制御演算部２５−１〜２５−３と、制御上の制約を受けていない制御ループの制御演算部が相対制御偏差の乱れを整える制御をより強く要求されるように、状態量変換行列および逆行列を適応的に修正する行列修正部３２とを備える。 （もっと読む）