【課題】微量セル内の測定対象試料の温度を正確に測定するための方法を提供する。
【解決手段】角セル内の温度（Ｔ_１、Ｔ_２・・・）を変化させ（Ｓ１０）、その温度毎にスペクトルが作成される（Ｓ１２）。スペクトルの主成分スコアを特性値（Ａ_１、Ａ_２・・・）として算出する（Ｓ１４、Ｓ１６）。キャピラリーセル内の温度とスコアとの値をプロットし検量線とする（Ｓ１８）。キャピラリーホルダ内の温度（Ｔ_１、Ｔ_２・・・）を変化させ（Ｓ２０）、その温度毎にスペクトルが作成される（Ｓ２２）。同様の手順で特性値（Ａ_１、Ａ_２・・・）を算出し（Ｓ２４）、検量線（検量式）を用いることによりキャピラリーセル内の温度（Ｔ^０_１、Ｔ^０_２・・・）を求める（Ｓ２６）。キャピラリーセル内の温度とキャピラリーホルダ内の温度とをプロットして校正曲線（校正式）とする。 （もっと読む）

【課題】 電子チップを単一の要素と接するように配置するだけで、その電子チップの較正を行うことができ、また不揮発性メモリの使用を必要としない、電子チップの較正方法を提供する。
【解決手段】 この較正方法は、較正される電子チップの通常トランスデューサ、および通常トランスデューサの熱的特性と異なる熱的特性を有する較正トランスデューサを、第１の要素に接するように配置するステップ（１４４）と、通常トランスデューサおよび較正トランスデューサで、それぞれ、対応する温度変化ΔＴ₁、および温度変化ΔＴ₁と異なる温度変化ΔＴ_cを測定するステップ（１４６）と、測定された温度変化ΔＴ₁およびΔＴ_cに基づいて、較正される電子チップを較正するステップ（１５４、１５６）とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】設計変更せずに、複数個の温度を容易に感知し、工程の変化に対処できるようにした温度センサを提供すること。
【解決手段】ヒューズカットの可否またはテストモードでテストモードパルスに応じて第１の選択信号及び第２の選択信号を生成する選択信号生成部と、前記第１の選択信号及び第２の選択信号に応じて、第１の基準電圧または第２の基準電圧を第１の選択基準電圧に出力し、第３の基準電圧または第４の基準電圧を第２の選択基準電圧に出力する基準電圧選択部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】設計変更せずに、複数個の温度を容易に感知し、工程の変化に対処できるようにした温度センサを提供すること。
【解決手段】テストモードで発振信号に応じてカウントされる第１のカウント信号及び第２のカウント信号を生成するカウント信号生成部と、前記第１のカウント信号及び第２のカウント信号をデコードして第１のテスト選択信号及び第２のテスト選択信号と終了信号とを生成するカウント信号デコーダと、前記第１のテスト選択信号及び第２のテスト選択信号に応じて第１の選択基準電圧または第２の選択基準電圧を入力基準電圧に出力する入力基準電圧選択部と、前記第１のテスト選択信号及び第２のテスト選択信号に応じて第１のラッチパルス及び第２のラッチパルスを生成するラッチパルス生成部とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】測定装置との接続部および側道を有するサーモウェルと、前記測定装置との接続を通ってサーモウェル内に進入する第１の温度センサと、前記側道を通ってサーモウェル内に進入する参照センサと、前記第１の温度センサおよび参照センサのそれぞれと接続され、第１の温度センサから受け取る信号に基づいて温度を計算するとともに、前記参照センサから受け取る信号に基づいてリアルタイムで温度計算の校正を行う回路を含むトランスミッタとを備える温度測定システムを構築する。 （もっと読む）

【課題】リモート温度センサ等の温度制御装置を追加設置することなく半導体集積回路上に形成された温度検出回路の検査が可能な半導体装置およびその検査方法を提供する。
【解決手段】半導体ユニット１００は、温度変化に応じて変化する第１電流を出力する第１電流源１１１と、基準信号ＶREFにより出力電流が制御可能かつ温度に対して略一定の第２電流を出力する第２電流源１１２と、第１電流と第２電流の差を第３電流として入力し電圧に変換して温度信号ＶTMPとして出力する電流電圧変換回路１１３から構成される温度検出回路１１０と、温度検出回路１１０と同一チップ上に形成され、設定信号ＶSETにより発熱量が変化する信号処理回路１２０を具備する。判定手段は、設定信号ＶSETおよび基準信号ＶREFを印加した際の温度検出回路１１０から出力される温度信号ＶTMPを検査基準値ＶTESTと比較し、半導体ユニット１００の適否を判定する。
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排気後処理システムにおいて用いられる３個の温度センサ４１５および４２５そして４３５のうちの１のセンサの合理性について判定するといったセンサ診断方法６００であり、この診断方法は、第１のセンサ４１５と第２のセンサ４２５間の温度差を判定するステップ６１０と、第２のセンサ４２５と第３のセンサ４３５との間の温度差を判定するステップ６１０と、そしてこれらの温度差が許容される閾値の範囲内に収まっているかどうかを判定するステップ６１５と、二つの温度差を比較してエラーがある場合には、どのセンサがエラーであるかを判定するステップ６２０を具える。 （もっと読む）

【課題】熱電対温度センサの温度ドリフトの発生状況を正確に診断する。
【解決手段】第１の温度領域（温度ドリフトが発生するであろう温度領域）Ｓ１における各温度範囲（温度幅５０℃）での熱電対温度センサの使用時間にその温度範囲に応じた正方向への重み付けを施す。第２の温度領域（温度ドリフトが解消するであろう温度領域）Ｓ２における各温度範囲での熱電対温度センサの使用時間にその温度範囲に応じた負方向への重み付けを施す。第１の温度領域Ｓ１および第２の温度領域Ｓ２における各温度範囲での重み付けが施された熱電対温度センサの使用時間を加算し、その加算値をドリフト量とする。このドリフト量に基づいて温度ドリフトの発生状況を診断する。 （もっと読む）

本発明は、ある振動周波数でパルス列（ＤＡＴＡ＿ＩＮ）を発生する手段（２０００）と、測定される温度（Ｔ）に依存しない、所定の期間内のパルス数をカウントし、パルス列（ＤＡＴＡ＿ＩＮ）中のパルス数を示す複数のビット（ｂ₁₁、ｂ₁₀、．．．、ｂ₀）を発生する手段（３０００）と、前記ビットから直列デジタル信号（ＤＡＴＡ＿ＯＵＴ）を発生する手段（４０００）とからなる内蔵型温度センサ（１０８）に関し、パルス列（ＤＡＴＡ＿ＩＮ）発生手段（２０００）は、測定される温度（Ｔ）に依存する遅延をもたらし得る複数の論理ゲート（２４１０、２４２０、２４３０、２４４０、２４５０）を含み、前記手段（２０００）は、測定される温度（Ｔ）に依存する振動周波数をもつパルス列（ＤＡＴＡ＿ＩＮ）を発生する。本発明は、温度測定方法およびワイヤレスシステム用のトランスポンダにも関する。
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【課題】動作環境を変えることなく、かつ、短時間で動作試験を行うことを可能にする。
【解決手段】環境温度の変化を検出する温度検出回路部１９８において、定電流源Ｉ１と温度依存性のあるダイオードＤ１との組み合わせからなり、ダイオードＤ１の出力として温度依存性のある電圧Ｖtempを得る温度検知部１９８１に、モニター端子１９９１と、定電流源Ｉ１とカレントミラーを形成する定電流源Ｉ２と、３つのスイッチＳＷ１〜ＳＷ３とからなり、電源供給回路の回路動作を試験するテスト回路を内蔵する。 （もっと読む）

【課題】電子機器に実装された温度センサの動作検査を短時間かつ適切に実施することが可能な電子機器等を提供すること。
【解決手段】表示装置３００が、内部のＶＤＰ３０４の温度を検出するとともに、当該検出温度が警告温度以上の場合に警告信号を出力し、前記検出温度が前記警告温度未満の場合に警告信号を出力しないように構成された温度センサ３０８と、現在の検出温度よりも高い温度を前記警告温度として温度センサ３０８に設定するとともに、前記現在の検出温度よりも低い温度を前記警告温度として温度センサ３０８に設定するＣＰＵ３０１と、前記高い温度の設定時および前記低い温度の設定時における前記警告信号の出力に関する情報を表示する液晶パネル３０７とを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】 従来、測定装置及び発生器のリード線は、一端側に一対の接続端子を有するリード線本体の他端側に、同じく、一対の接続端子を設けた１対１型リード線が使用されていた。
そのため、１台の発生器で複数の変換器等の校正を行うには、個々の変換器等に対して何度も接続端子を付け替える必要があり、また、一個所の測定個所の検出値を同時に複数の測定器で直接的に測定することができない課題があった。
【解決手段】 一端側１に一対の接続端子２を有するリード線本体１０の他端側３に複数対の接続端子４を設けてなる一個所測定用多対型リード線。 （もっと読む）

【課題】半導体メモリ素子チップの内部で温度補正過程を行う半導体メモリ素子の温度情報出力装置及び方法を提供する。
【解決手段】温度の変化に応答して、第１電圧の電位レベルを変動させて出力する温度感知部と、前記第１電圧を第２電圧の電位レベルと比較した値に応答し、設定されたデジタルコード値を増加又は減少させて調整コードとして出力する比較部と、温度制御コード及び前記調整コードに応答して、前記第２電圧が最大に変動し得る電位レベルと最小に変動し得る電位レベルを決定し、それに応じて前記第２電圧の電位レベルを調整して出力する電位レベル調整部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 所定温度をばらつき少なく検出し、検出された所定温度に応じて動作状態を最適化する温度検出機能を備えた半導体装置の試験方法を提供することを目的とすること
【解決手段】 温度特性試験時に、試験温度の検出を行なう試験温度検出工程と、試験温度に対する検出結果の誤差量を測定する誤差測定工程と、測定された誤差量に基づき、所定温度を検出する温度検出部の補正を行なう補正工程とを含む。温度特性試験時の試験温度に対する検出結果の誤差量を測定し、この誤差量に基づいて所定温度を検出する温度検出部の補正を行なう。温度検出部で検出すべき所定温度での温度検出試験を行なうことなく、相対的に温度検出部を補正することができ、試験時間の短縮化を図って、試験コストを圧縮することができる。 （もっと読む）

【課題】製品出荷前の温度センサのトリミングテストを正確に行う。
【解決手段】本発明の例に関わる半導体集積回路は、第１電源電圧ＨＶ及びこれとは独立した第２電源電圧ＬＶを使用するシステムに適用され、第１電源電圧ＨＶが供給される第１領域１２と、第１領域１２内に配置される温度センサ１８と、第１領域内１２に配置され、温度センサ１８の温度制御内容を決定するトリミング信号を温度センサ１８に供給する第１入力パスＡ１とを備える。 （もっと読む）

本発明は、チップの実際の較正されていない温度Ｔ_１に比例する第１の信号（Ｉ_ptat1、Ｖ_ptat1、ｆ_ptat1）を供給する信号生成ユニット（２）を有する、温度設定曲線を較正するための半導体チップ上の構成に関する。第２の温度にチップを導くのを避けるために、チップの実際の較正されていない温度Ｔ１に比例する第１の信号（Ｉ_ptat1、Ｖ_ptat1、ｆ_ptat1）を読み出しするとともに、第２の信号（Ｉ_ptat2、Ｖ_ptat2、ｆ_ptat2）を特徴付ける第１の信号（Ｉ_ptat1、Ｖ_ptat1、ｆ_ptat1）に結合される信号オフセット（Ｉ_virt、Ｖ_virt、ｆ_virt）を生成し、そして、第１の信号（Ｉ_ptat1、Ｖ_ptat1、ｆ_ptat1）からの第１の実際の温度Ｔ_１を抽出することおよび第２の信号（Ｉ_ptat2、Ｖ_ptat2、ｆ_ptat2）から第２の較正されていない温度Ｔ₂を抽出することが提案される。
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