【課題】トランスＴのコア３０内の磁束φが一方向に偏る直流偏磁が生じうること。
【解決手段】コア３０は、フェライト等によって構成される。コア３０の軸方向において、局所的に、軸方向の直交断面積が小さくなる部分が設けられている。この部分は、コア３０の突起部として検出用磁心３２が形成されており、これは、検出用コイルＷｄを貫く。検出用コイルＷｄに誘起される電圧は、電圧検出回路２２を介して制御装置２０に出力される。制御装置２０では、検出用コイルＷｄにパルス状の電圧が誘起されるタイミングを、コア３０の磁束φのゼロクロスタイミングとして検出する。そして、このタイミング間の間隔に基づき、直流偏磁の有無を判断する。 （もっと読む）

【課題】セルの温度制御を行わなくても光の照射される領域に原子が析出することを抑制する。
【解決手段】磁場測定装置は、光により励起されると磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子を内部に封入し、当該原子に照射される前記直線偏光を透過させるセルと、前記セルを透過する前記直線偏光の偏光面の回転角を計測する計測部とを備える。このセルは、前記内部に面した壁面のうち前記直線偏光が透過する第１領域を含む第１部材と、前記内部に面した壁面のうち外部までの熱抵抗が前記第１領域よりも低い第２領域を含む第２部材とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数のセルを並べて磁場を計測する磁場計測装置において、セル内の原子密度を制御して磁場の測定精度を向上させる技術を提供する。
【解決手段】磁場計測装置は、円偏光により励起される原子が混入されている膜が内壁に形成され、当該原子からなる原子群が含まれたセルを複数配列したセンサーアレイに対し、一定の磁場を印加して各セルにおける磁場を磁場検出部で検出し、各セルの膜から前記原子を光誘起脱離させる誘起光の光量を変化させて各セルの磁場の検出結果が目標値となるように誘起光照射部から誘起光を照射する第１の処理を行う。また、磁場計測装置は、各セルの磁場の検出結果が目標値となる光量で誘起光照射部から各セルに誘起光を照射し、検体から発する磁場を磁場検出部で検出する第２の処理を行う。 （もっと読む）

【課題】光ポンピング方式の磁気測定装置において、感度を向上させること。
【解決手段】磁気測定装置は、磁場強度に応じて光の偏光面方位を変化させる媒体を内部に収容したセルと、その媒体と相互作用する光を、セルに出射する光源と、セルを透過した光を、セルに向けて反射するミラーと、光を、第１偏光成分および第２偏光成分を含む複数の偏光成分に分離する偏光分離器と、ミラーで反射されセルを透過した光の第１偏光成分を検出する第１光検出器と、ミラーで反射されセルを透過した光の第２偏光成分を検出する第２光検出器とを有する。 （もっと読む）

【課題】光の照射される領域に原子が析出することを抑制するために、適切なタイミング
でセル内部に温度勾配を発生させる。
【解決手段】磁場測定装置は、指示を示す指示信号を取得する取得手段と、光により励起
されると磁場に応じて直線偏光の偏光面を回転させる原子を内部に封入し、当該原子に照
射される前記直線偏光を透過させるセルと、前記セルを透過した前記直線偏光の偏光面の
回転角を計測する計測部と、前記セルを外部から加熱する加熱部と、前記取得手段が前記
計測部による計測を停止する旨の指示を示す指示信号を取得すると、前記計測部に計測を
停止させ、前記加熱部に加熱を停止させるとともに、前記セルのうち前記光が照射される
部分よりも温度が低い前記光の照射されない部分が存在するように前記セルの内部に温度
勾配を発生させる温度勾配発生部とを備える。 （もっと読む）

【課題】金属製の耐水圧容器を用いることなく高圧力下でも使用可能な光ファイバ磁気センサを提供する。
【解決手段】光ファイバ磁気センサは、センシング光ファイバコイル３ａ、センシング光ファイバコイル３ａに接着された磁歪材料３ｂ及びこの磁歪材料３ｂに交流磁界を印加するための励磁コイル３ｃを有する磁気センシング部３と、内部に磁気センシング部３が収納された容器１とを備え、容器１内に油などの液体２が充填されている。 （もっと読む）

【課題】伝送路での位相差変動を抽出する変調光解析装置と、それを用いて、プローブ部の揺動の影響を差し引ける電界磁界測定用光学プローブとを実現する。
【解決手段】解析対象の楕円偏光を入射し、これを第１、２の偏光に分岐し、第１の偏光を入射し、第１の偏光分岐手段でその搬送波と側帯波にπ／４で交叉する偏光成分に分離し、第１、２の光電変換手段で強度を測定する。第２の偏光を１／４波長板に通した後、搬送波と側帯波に対してπ／４で交叉する偏光成分に分離し、この強度を第３、４の光電変換手段で測定し、第１から第４の光電変換手段の出力を入力して、入射光の搬送波と側帯波の強度や位相を算出する。解析する周波数は信号発生器の周波数で指定する。信号処理回路は、第１、２（第３、４）の光電変換手段の各々の出力間の差の第１（第２）の差信号について強度の比から、解析対象の入射光の搬送波と側帯波の位相差を算出する。 （もっと読む）

【課題】大きさ、重量ともに片手で把持できるプローブ部を光検出系と光ファイバーで結んだもので、揺動で測定値が変動しない電界測定装置を実現する。
【解決手段】光源からの偏光をサーキュレータ、第２光路を通じて電気光学結晶に照射し、偏光面が変調された偏光を、第２光路と上記サーキュレータを通じて偏光面検出手段に入力して電界の測定を行う。第２光路は、光源に近い方から順に第１、第２、第３偏波保持光ファイバーが光学的に接続したものであり、第２偏波保持光ファイバーは１／４波長板に相当するもので、第２と第３偏波保持光ファイバーとの接続部は、光軸の周りの取付角度が、π／４ラジアンの奇数倍であり、第１と第２偏波保持光ファイバーとの接続部は、光軸の周りの取付角度が、第３偏波保持光ファイバーによって生じる偏光面の回転を補償する角度である。 （もっと読む）

【課題】セルの大容量化を可能にすること。
【解決手段】セルユニットは、第１セルと、前記第１セルからみて第１方向に配置された第２セルと、第１光源から出力された光を、前記第１方向に垂直な第２方向に揃えられた複数のビームを含むビームアレイとして出力する第１光学系と、前記第１光学系から入射された前記第２方向の光を前記第１方向に反射して前記第１セルに入射する第１面を有する第２光学系と、前記第１光学系から入射された前記第２方向の光を前記第１方向に反射して前記第２セルに入射する第１面、および前記第２光学系の前記第１面によって反射されて前記第１セルを通過した前記第１方向の光を前記第２方向に反射する第２面を有する第３光学系と、前記第３光学系の前記第１面によって反射されて前記第２セルを通過した前記第１方向の光を前記第２方向に反射する第２面を有する第４光学系とを有する。 （もっと読む）

【課題】光ポンピング磁力計を用いて、読み出し用のプローブ光が二つの磁場計測領域を順次通過して、それぞれの領域での磁束密度に応じた信号を得る勾配計を構成する。特に高感度な光ポンピング磁力計による勾配計において、信号源としての双極子モーメントからの大きな信号が得られる幾何学配置を規定する。
【解決手段】信号源の磁気モーメント、第１の磁場計測領域、第２の磁場計測領域をこの順に配置し、この軸をｚ軸とする。磁場計測領域では、磁場のｚ成分を計測する。ポンプ光はｙ軸方向に照射する。プローブ光は第１の磁場計測領域をｘ軸の正の方向に透過し、光路を折り返した後、第２の磁場計測領域をｘ軸の負の方向に透過し、光学系で偏光面の回転角を検出する。あるいは、共鳴型の光ポンピング磁力計において、プローブ光を第１、第２の磁場計測領域をｚ方向に通過させる。 （もっと読む）

【課題】全体を片手で把持できる程度のサイズで、製造時や使用時の調整が容易であり一度に複数点の測定が可能な電磁界プローブ装置を提案する。
【解決手段】電界（磁界）で偏波面の変化する電気（磁気）光学結晶と、第１の偏波を出力する光源と、第1の偏波を電気（磁気）光学結晶に集光する第１光学系と、電気（磁気）光学結晶またはその少なくとも１部を少なくとも１回以上透過して偏波状態の変化として電界（磁界）の情報を含んだ偏波（第２の偏波）を光電変換器に導くための第２光学系と、第２の偏波の偏波状態の変化を光強度の変化に変換する検波光学系と、その光出力を電気信号として出力する光電変換器と、その出力を外部に出力する出力回路と、第１または第２の偏波の偏向方向を調整する偏向調整手段と、光電変換器の出力から第１光学系、第２光学系あるいは検波光学系を制御する制御回路とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ファラデー効果を用いて高周波磁界を検出する測定装置であるが、共鳴線のピークが細かく分裂することがなく、広い周波数帯で安定した測定ができる高周波磁界計測装置を実現する。
【解決手段】強磁性共鳴効果のための静磁界発生器と、静磁界と高周波磁界とに対してファラデー効果を示す磁気光学結晶と、それを偏光で走査する偏光走査手段と、磁気光学結晶を透過した偏光の偏光面の回転角度を検出する偏光検出手段と、その出力から指定された周波数成分を検出する信号検出手段と、信号検出手段の出力を、走査信号と同期して表示する表示手段と、を備える。ここで、磁気光学結晶は、その強磁性共鳴半値全幅が３００Ａ／ｍから２０００Ａ／ｍの範囲にあるものを用いる。また、（ＢｉＹＧｄ）₃Ｆｅ₅Ｏ₁₂でＧｄの比率（＝［Ｇｄ］／（［Ｇｄ］＋［Ｙ］））を２０％〜９０％にする。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成で、高分解能で広い範囲の被検査物の探傷を行えること
【解決手段】 被検査物１に磁界を印加し、その表面のキズ２部に生じた漏洩磁界を、被検査物に近接させた磁気光学効果素子１０に透過させた直線偏光の偏光面回転により検出する磁気光学式欠陥検出方法である。磁気光学効果素子は、磁化容易軸が面内を向いている面内磁化膜の磁気光学膜１２を備え、その磁気光学膜を被検査物の表面に対向させる。そして、磁界は、被検査物１の裏面側に配置した永久磁石１８により、面内に直交する方向に印加することとした。 （もっと読む）

【課題】複雑な構成をとることなく磁界の向きが判別可能となる。
【解決手段】光源１０４と、光源１０４の光を導光する入射側光ファイバ１１４と、入射側光ファイバ１１４から出射された光を直線偏光させる偏光子１３４と、直線偏光された光を外部磁界の強さにより偏光回転させる第１ファラデー回転子１３６と、偏光回転された光に基づいて光電変換して電気信号として出力する受光器１２０と、電気信号を処理して外部磁界の強さを出力電圧値Ｖｏｕｔとして出力する処理部１５０と、を有する光ファイバ型磁界センサ１００であって、偏光子１３４の偏光軸に対する第１ファラデー回転子１３６から出射される光の偏光回転角に、９０ｎ（ｎ；整数）度ではない一定の偏光回転角を更に与える第２ファラデー回転子１３８及び永久磁石１４０と、ミラー１４２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】小型かつ高精度な磁気計測装置を提供すること。
【解決手段】第１の側方の上方に設けられ、ポンピング光を照射する第１照射装置と、第
１の側方に設けられ、第１照射装置から照射されたポンピング光を、第１のセルに入射さ
せる第１反射部材と、第２の側方の上方に設けられ、プローブ光を照射する第２照射装置
と、第２の側方に設けられ、第２照射装置から照射されたプローブ光を、第１のセルに入
射させる第２反射部材と、第３の側方の上方に設けられ、ポンピング光を照射する第３照
射装置と、第３の側方に設けられ、第３照射装置から照射されたポンピング光を第２のセ
ルに入射させる第３反射部材と、第４の側方の上方に設けられ、プローブ光を照射する第
４照射装置と、第４の側方に設けられ、第４照射装置から照射されたプローブ光を第２の
セルに入射させる第４反射部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】磁気的な情報を、特定の平面のベクトル成分に加え、他の平面のベクトル成分についても得られるようにする。
【解決手段】磁気計測装置は、円偏光により励起される原子を内部に含むセル（１１）と、円偏光成分を有し、前記原子を励起させる第１の光を、前記セルに第１の方向に照射する第１の照射部と、前記第１の照射部により前記第１の光が照射されたセルに、直線偏光成分を有する第２の光を前記第１の方向と交差する第２の方向に照射する第２の照射部と、前記第１の照射部により前記第１の光が照射されたセルに、前記第２の照射部により前記第２の光が照射されている期間に、直線偏光成分を有する第３の光を、前記第１の方向と異なり、前記第２の方向と交差する第３の方向に照射する第３の照射部と、前記第２の照射部により照射された第２の光及び前記第３の照射部により照射された第３の光のうちの前記セルを透過した成分を検出する検出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】光ポンピング法を用いた磁場勾配の測定の精度を向上させる技術を提供すること。
【解決手段】直線偏光のプローブ光を照射するプローブ光照射手段と、プローブ光が通過する２の領域に存在し、円偏光のポンプ光が照射される方向に応じて磁化する磁性媒体であって、外部から印加される磁場のうちプローブ光が通過する方向に対して直交する第１方向の成分の強度に応じて、プローブ光の偏光面を回転させる磁性媒体と、２の領域の各々における磁性媒体に対して、プローブ光を複数回通過させるように光路を制御する光路制御手段と、２の領域の各々における磁性媒体が第１の方向以外のそれぞれ反対の方向に磁化するように円偏光のポンプ光を照射するポンプ光照射手段と、２の領域の一方における磁性媒体を複数回通過することによる偏光面の回転量と、他方における偏光面の回転量との差を検出する検出手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】強磁性体の磁気特性測定において、試料の異方性磁場Ｈ_aniを容易に求める技術を提供する。
【解決手段】磁気特性測定装置１は、磁性体の試料Ｆに高繰り返し周波数ν_Lのパルスレーザを照射するレーザ光源２と、試料Ｆに磁場Ｈ_extを印加する外部磁場印加手段４と、ビームスプリッタ７と、反射板８が設けられた移動ステージ１１とを備え、パルスレーザ光として連続して照射される複数パルスをビームスプリッタ７で分離したときのビーム１とビーム２とを試料Ｆに重ねて照射するときの遅延時間ｔ_intを移動ステージ１１により制御し、試料Ｆの磁化の歳差運動を、レーザの繰り返し周波数ν_Lに同期させ、試料Ｆへ光を照射したときに誘起される磁化の歳差運動をパルスレーザに共鳴させて、外部磁場Ｈ_extに応じた試料ＦのＭＯ信号Θを偏光検出器５で検出し、制御装置６により試料Ｆの異方性磁場Ｈ_aniを算出する。 （もっと読む）

本発明は高精度な磁場センサシステムとこのシステムに用いられる材料に関する。このセンサシステムは、高分子材料などの無機および／または有機の磁気光学活性材料を用いて磁場を測定し、ファラデー回転を用いた干渉計を備える。高分子材料は膜状であることが好ましい。高分子材料は、ファラデー回転効果など、磁場に対して感度がよいという光学的特性を備える。また、本発明は上記高分子材料を備えるセンサヘッド構造を提供する。センサヘッドは、光ファイバやミラーを備えていてもよい。特に本発明は、光の偏光面の回転を測定するためのファイバサニャック干渉計を提供する。本発明は、磁場を検出するためにパッシブな位相バイアスを印加可能な、ファイバまたはミラーを用いたサニャック干渉計を提供する。本発明は次の３つの主な実施の態様を有する。１．検出材料：ポリチオフェンなどの共役高分子、および／または巨大ファラデー回転を示す超常磁性ナノ粒子を含む高分子。２．上記高分子や高分子とナノ粒子の複合材料（例えば膜状）を含む磁場プローブ。３．センサ：光ファイバを用いたサニャック干渉計と上記磁場プローブが組み合わされたセンサ。
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【課題】入射光の偏光状態が楕円光の状態でも検知する光強度が入射光の偏光状態の変化に依存しない偏光無依存性であり、且つ入射光の挿入損失が低減された光磁界センサの提供。
【解決手段】光導波路と、偏光分離素子と、レンズと、非相反性の偏光面回転素子と、反射体を含んで反射型光磁界センサを構成し、光導波路を単芯とし、偏光面回転素子の回転角を９０度以上且つ３６０度以下に設定し、光導波路からの入射光を偏光分離素子で２つの偏光成分に分離後、レンズで収束し、偏光面回転素子でそれぞれの偏光面を回転させて、反射体の反射面の一点で点対称に反射し、再び偏光面回転素子で偏光面を回転後、偏光分離素子で合成して、光導波路に入射させることで、２つの偏光成分をそれぞれ偏光分離素子において異常光線としてシフトさせることを特徴とする。 （もっと読む）