【課題】 高速で駆動電圧が低く、かつＤＣバイアス電圧が小さい光変調器を提供する。
【解決手段】 電気光学効果を有する基板１と、基板１に形成された光を導波するための光導波路３と、基板１の一方の面側に形成され、光を変調する高周波電気信号を印加するための高周波電気信号とバイアス電圧を印加する中心導体４ａ及び接地導体４ｂ、４ｃからなる進行波電極４と、中心導体４ａに外部電気回路から高周波電気信号を印加するための芯線７を具備するコネクタ部６とを有し、進行波電極４に高周波電気信号とバイアスを印加することにより光導波路３を伝搬する光の位相を変調する領域である相互作用部２５が具備されている光変調器において、少なくとも中心導体２１ａを形成した展開基板２０を高周波電気信号が入力されるコネクタ部６の芯線７の近傍に設け、光の位相を変調するための相互作用部２５の長さを、展開基板２０を用いない場合より長くする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、良好な高周波特性を発揮することのできる光導波路モジュールを提供する。
【解決手段】
底面と、底面に形成されたチップ挿入溝を有する金属パッケージと、電気光学効果を有す基板と、基板上に形成された光導波路と、光導波路に関連して形成された第１及び第２曲げ部を有する信号電極と、基板上に形成された接地電極とを含み、金属パッケージのチップ挿入溝中に挿入固定された導波路チップと、接地電極を信号電極の第１及び第２曲がり部近傍で金属パッケージにそれぞれ接続する第１及び第２リボンとを備える。 （もっと読む）

光伝送中の異なる波長に応じて二次曲線的に変化する位相シフトを誘起することにより、伝送中の波長分散を補償するための多重波長装置。異なる波長成分が空間的に広げられるように入力光信号を分散し、また異なる波長成分が異なる位相要素を通過するように分散方向に沿って位相シフト要素を配置することにより、二次曲線的な位相シフトの変化が可能となる。前記位相要素は、分散軸に沿って少なくとも部分的に二次曲線的な変化を位相シフトを与えるように作用し、したがって、波長成分に少なくとも部分的な二次曲線的な位相変化を生じさせる。これは、波長分散の結果として生じる二次曲線的な周波数依存の位相シフトを補償する。前記装置は、波長分散の変化を動的に補償できるように、同調可能である。
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【課題】小型で消費電力の小さい光変調器を提供する。
【解決手段】分極を反転しない領域１７ａと反転する領域１７ｂを有する基板１と、第１及び第２の光導波路１８ａ、１８ｂとを備えた光導波路１８を具備し、第１及び第２の光導波路を伝搬する光と、中心導体１９ａ及び接地導体１９ｂ、１９ｃからなる進行波電極を伝搬する電気信号が相互作用する相互作用部が、互いに異なる方向に分極した第１及び第２の相互作用部２０ａ、２０ｂを含み、中心導体は第１及び第２の相互作用部で第１もしくは第２の光導波路に対向し、第１及び第２の相互作用部で第１及び第２の光導波路を伝搬する光の位相を変調する光変調器において、第１及び第２の相互作用部の間に光導波路シフト部２０ｃを設け、第１及び第２の相互作用部にて、中心導体及び接地導体と、第１及び第２の光導波路の相対位置が入れ替わるようにする。 （もっと読む）

可変の光学パワーリミッタが開示される。本発明の側面に従った装置は、半導体物質の中に配置された光学導波路を含む。光学ビームは、その光学導波路を通るように導かれている。その光学ビームは、その広漠ビームの入力パワーレベルに応じた２光子吸収によりその光学導波路において自由キャリアを生成している。ダイオード構造体はその光学導波路内に配置される。そのダイオード構造体は、その光学導波路の中のその自由キャリアの自由キャリア・ライフタイムを制御するためにバイアスされて接続され、そのダイオード構造体のバイアスに応じてクランプされる出力パワーレベルに、その光学ビームの出力パワーを設定する。 （もっと読む）

【課題】従来のものに比べて挿入損失が小さく、低損失の光通信デバイス及び光デバイスを提供する。
【解決手段】電気光学効果を有する基板１と、この基板１に形成された導波路対４Ａ，４Ｂを有する第１の光変調器１−１と、基板１に形成された導波路対７Ａ，７Ｂを有する第２の光変調器１−２と、第１の光変調器１−１の出力に設けられ第１の光変調器１−１の導波路対４Ａ，４Ｂを伝播する光を結合して分岐しうる導波路カプラ５と、この導波路カプラ５による分岐後の出力に遅延差を与えて第２の光変調器１−２の導波路対７Ａ，７Ｂへ入力する遅延接続部６Ａ，６Ｂとをそなえて構成する。 （もっと読む）

【課題】基板に形成され分岐された導波路のうち一方を分極反転させ、その上側に形成される中央電極で二つに分岐された導波路を同時に制御することによって、低電圧駆動が可能であり、チャープ（Ｃｈｉｒｐ）による信号歪みのない特性を具現することができる対称構造を有する低電圧型光変調器を提供する。
【解決手段】基板と、基板上面から内側に入力部と、入力部から分岐した一対の第１及び第２分岐部と、第１及び第２分岐部が結合される出力部よりなる光導波路と、光導波路の第１と第２分岐部との間を基準にして基板の一領域に分極反転されている分極反転領域と、光導波路の第１及び第２分岐部の側面の基板がエッチングされ形成された第１ないし第３凹溝と、基板の上面に形成されたバッファ層と、第１及び第３凹溝である光導波路の第１及び第２分岐部の上側のバッファ層の上部に形成された中央電極と、中央電極と独立しており、第１及び第３凹溝の側面上側のバッファ層の上部にそれぞれ形成された第１及び第２側面電極を含んでなされる。 （もっと読む）

光損失を削減した高速の光変調器又は光スイッチを開示する。本発明の局面による装置は、半導体材料内に配置された光スプリッタを含む。第１の波長を有する光ビームは、光スプリッタによって第１の部分及び第２の部分に分割される。半導体材料に配置された第１の光導波路及び第２の光導波路は、光スプリッタに光結合される。光ビームの第１の部分及び第２の部分は、第１の光導波路及び第２の光導波路それぞれを通るよう誘導される。第１の光導波路は更に、励起光ビームを受信するよう光結合される。励起光ビームは、励起波長、及び第１の光導波路において第１の波長の光ビームの第１の部分を増幅及び位相シフトさせるための励起電力レベルを有する。ダイオード構造が第１の光導波路内に配置される。ダイオード構造は、光導波路内の二光子吸収に応じて生成される自由キャリアを第１の光導波路から掃出するよう選択的にバイアスされる。光カプラは、半導体材料内に配置され、光ビームの第１の部分及び第２の部分を合成するよう第１の光導波路及び第２の光導波路に光結合される。

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【課題】実質的に低損失であり電圧低下を改善する、電気光学ニオブ酸リチウム基板を有する変調器を提供する。
【解決手段】本基板は、その表面に沿って延びる第１、第２および第３のリッジを有する。第１および第２のリッジに沿って第１および第２の導波路が延びている。ＲＦ電極が第１の導波路の上を延び、第１のセクションを含むスロット付きの第２の電極が第２の導波路の上を延びている。かかるスロット付き電極の第２のセクションが、第３のリッジ上を第１のセクションに平行し隣接して延びている。要約すると、本発明は、スロットがスロット付き電極間の基板内に形成されたスロット付き接地電極を提供する。 （もっと読む）

【課題】 接地電極を構成する金属膜と基板との間の熱膨張差によってリッジ部分にかかる応力を低減させる光デバイスを提供する。
【解決手段】 他の溝６−３の開口部面積に対する該他の溝６−３位置に形成される接地電極部分５Ｂ−２の体積の比が、該他の溝６−３位置以外の位置に形成される接地電極部分５Ｂ−１，５Ｂ−３にかかる面積に対する当該接地電極部分５Ｂ−１，５Ｂ−３の体積の比よりも小さくなるように構成する。 （もっと読む）

【課題】 さまざまなサイズの光電変換半導体素子をコプレナ基板に実装することのできる光電変換半導体装置を提供する。
【解決手段】 本光電変換半導体装置は、光電変換半導体素子１、コプレナ基板２、インピーダンス整合用の終端抵抗３を備えている。コプレナ基板２には、シグナルライン４とグランドライン５ａ、５ｂとが形成されている。シグナルライン４は、相対的に大きい幅４４ａと小さい幅４４ｂをそれぞれ有して延びる部分を備えている。シグナルライン４とグランドライン５ａ、５ｂとのギャップも、相対的に大きいギャップ１０ａと小さいギャップ１０ｂの部分がある。 （もっと読む）