【課題】光パルスのパルス内光波位相制御、およびパルスエンベロープ制御を可能にする光電場波形制御方法および制御装置を提供する。
【解決手段】レーザーパルスを２光路に分離し一方の光路をパルス整形器を介してプローブ光を出力する光路とし他方の光路をリファレンスパルス光を出力する光路とし両光路を合成して分光器に入射し、スペクトル位相差を計測する光パルスの光電場波形制御装置において、パルス整形器にパルスのエンベロープの形を制御する任意の位相を与えてリファレンスパルス光と前記プローブ光とのスペクトル干渉信号から位相差Φ１（ω）を求めパルス整形器に位相差を与えリファレンス光とプローブ光との位相差の変化Φ２（ω）を求め、これらの値からパルス整形器を制御してパルス内光波位相変化特性と遅延の変化特性をパルスエンベロープ波形の制御を行い任意の値に設定する。 （もっと読む）

【課題】 光回路の小型化を図る。
【解決手段】 基板上に形成されたクラッド層と、クラッド層に埋設されたコア部とからなる導波路により構成される光導波路デバイスにおいて、１以上の入力用光導波路３０１と、入力用光導波路３０１に接続された光分岐回路３０２と、光分岐回路３０２に接続され、各々の光導波路が位相調整手段３０３を含む光導波路アレイ３０４と、光導波路アレイ３０４に接続され、コア部が導波路より屈折率の低い複数の散乱点により画定されるピクセル形状部からなる光合波回路３０５とを備えた。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】入力光ビームを第一及び第二の光ビームに分割する光学スプリッタ１１ａ、１１ｂと、前記第一及び第二の光ビームをそれぞれ受け取り且つ伝送すべく前記光学スプリッタ１１ａ、１１ｂと接続された第一及び第二の導波路アーム９、１２であって、前記導波路アーム９、１２の各々がグループＩＶの半導体材料を備え又はグループＩＶの半導体材料の組み合わせを備えるコア領域３２を有する前記第一及び第二の導波路アーム９、１２と、前記第一及び第二の導波路アーム９、１２と接続され、前記記第一及び第二の光ビームを受け取り且つ該光ビームを合成して出力光ビームにする光コンバイナ１４ａ、１４ｂと、前記第一及び第二の導波路アーム９、１２とそれぞれ関係付けられた第一及び第二の電極構造体２０、２１と、前記第一及び第二の電極構造体２０、２１に電圧を供給する駆動回路８０とを備える、光変調器１において、前記駆動回路８０は、第一の電極構造体２０に対して第一のバイアス電圧に重ね合わせた第一の変調電圧を供給し、また、第二の電極構造体２１に対して第二のバイアス電圧に重ね合わせた第二の変調電圧を供給し得るようにされることを特徴とする、光変調器である。
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基板３２と、基板３２の上部に形成された光変調膜４６とを含む構造体であって、光変調膜４６は、Ｐｂ、Ｚｒ、ＴｉおよびＬａを構成元素として含む多結晶ＰＬＺＴからなり、膜中のＬａの含有率が５原子％以上３０原子％以下であり、周波数１ＭＨｚにおける比誘電率が１２００以上であることを特徴とする構造体。 （もっと読む）

レーザ(l26)及びAOM(10)は、レーザのパルスからパルスへのエネルギー安定性を損なうことなく、可変の非照射間隔で加工レーザ出力(40)を生じるように、ほぼ等間隔及びほぼ一定同様の高繰り返しレートでパルスさせる。加工レーザ出力(40)が要求されるときには、RFパルス(38)は、レーザ出力パルス(24)と時間一致でAOM(10)に供給され、ターゲットへレーザパルスを伝送する。加工レーザ出力(40)が要求されないときには、レーザパルスを遮断するように、RFパルス(38)は、レーザ出力パルス(24)と時間不一致でAOM(10)に供給される。即ち、AOM(10)における平均熱負荷は、加工レーザ出力(40)がランダムに、如何に要求されるかに関わらず、ほぼ一定となる。AOM(10)については、供給したRFパルス(38)のパワーを制御することにより、加工レーザ出力(40)のエネルギーを制御するように用いることもできる。RFパワーが変更されるときには、RFパルス(38)の持続時間(44)は、一定の平均RFパワーを維持するように変更される。
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【課題】消費電力を一定にでき、温度変動を防止して、安定した特性を有する光スイッチ及び光波長ルータを提供する。
【解決手段】石英系光導波路１により構成された光スイッチであり、その構成として、入力分岐部２Ａは、１本の入力導波路５から入力された光波を４本の出力導波路の全てに等強度に分岐するものであり、出力合分岐部３Ａは、４本の入力導波路のうち任意の１本に入力された光波を４本の出力導波路２９〜３２の全てに等強度に分岐するものであり、入力分岐部２Ａと出力合分岐部３Ａに挟まれた位相シフタ部４Ａは、入力分岐部２Ａの４本の出力導波路と出力合分岐部３Ａの４本の入力導波路を１対１に接続する位相シフタ導波路１１〜１４のそれぞれに位相変調を行う薄膜ヒータ１５〜１８を備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 さまざまなサイズの光電変換半導体素子をコプレナ基板に実装することのできる光電変換半導体装置を提供する。
【解決手段】 本光電変換半導体装置は、光電変換半導体素子１、コプレナ基板２、インピーダンス整合用の終端抵抗３を備えている。コプレナ基板２には、シグナルライン４とグランドライン５ａ、５ｂとが形成されている。シグナルライン４は、相対的に大きい幅４４ａと小さい幅４４ｂをそれぞれ有して延びる部分を備えている。シグナルライン４とグランドライン５ａ、５ｂとのギャップも、相対的に大きいギャップ１０ａと小さいギャップ１０ｂの部分がある。 （もっと読む）