【課題】取出し時の膜材料の付着や、ガラス基板保持部に付着した膜材料のガラス基板への転写を抑制することができるＥＵＶマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０の裏面側を保持する基板保持部２０と、ガラス基板１０の側面全周、基板保持部２０の側面全周のうち、基板保持部２０の上端を含めた高さ方向における少なくとも一部、および、ガラス基板１０の成膜面の外縁部を覆うことができ、搬出入用の開口部を有し、搬出入時の位置と、成膜時の位置と、の間を上下方向に移動可能である遮蔽部３０と、ガラス基板１０または製造後のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの搬出入用のアームと、を有し、搬出入用の開口部、ガラス基板１０および搬出入用のアームが所定の条件を満たすスパッタリング装置を用いて、ガラス基板上に反射層および吸収層を成膜するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】高精細な薄膜パターンの形成を可能にする。
【解決手段】基板上に一定形状の薄膜パターンを形成するためのマスク１であって、可視光を透過する樹脂製のフィルム２と、前記基板上に予め定められた薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する開口部５を形成した板体で構成され、前記フィルム２を保持する保持部材３と、備え、前記フィルム２は、前記基板上の前記薄膜パターン形成領域に対応して前記保持部材３の前記開口部５内に前記薄膜パターンと同形状の開口パターン４を備えている。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶリソグラフィ用マスクの搬送時やマスクステージへの装着・脱離時に異物が発生する不具合を抑制することにより、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】マスク１０をハンドラー３０で保持して露光装置のマスクステージに搬送する際、予めマスク１０の側面に永久磁石２０、２１を取り付けておく。また、ハンドラー３０のアーム部３２、３３には、マスク１０の永久磁石２０、２１との間に斥力が作用するように配置された電磁石３４、３５を取り付けておく。これにより、マスク１０を搬送する際、ハンドラー３０のアーム部３２、３３に挟まれたマスク１０は、アーム部３２、３３と非接触状態となり、浮遊状態でハンドラー３０に保持される。 （もっと読む）

【課題】静電チャックに吸着させた反射型露光マスクを取り外すのに必要な時間を短縮させる。
【解決手段】基板１１と、基板１１の第１の面側に形成された反射層１４及びマスクパターン１５と、基板１１の第２の面側に形成された導電膜１２と、導電膜１２上の一部の領域に形成された弾性変形体１３とを有する反射型露光マスクを提供する。弾性変形体１３は、非導電性物質で構成されている。そして、反射型マスク用静電チャックに電圧を印加し、反射型露光マスクを吸着させると、弾性変形体１３は圧縮し、電圧の印加をストップすると、元の形状に戻ろうとする。当該力により、反射型マスク用静電チャックからの反射型露光マスクの引き離しが促進される。 （もっと読む）

【課題】ステンシルマスクについて、メンブレンの破損を防止し、また取り扱いを容易にするステンシルマスクを提供する。
【解決手段】電子ビームを導入するための開口部が設けられた支持基板層と、基板上に設けられ、開口部から導入された電子ビームを選択的に透過させるステンシルパターンが形成されたステンシルパターン形成層と、ステンシルパターン形成層上に設けられ、ステンシルパターン形成層のうちステンシルパターンが形成されているメンブレン領域を物理的接触から保護するガード部とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハー又はレチクルと協働して拡散バリアを与える最小の接触を含む支持構造及び環境制御手段を与える容器において、ウエハー又はレチクルの面上に置かれる微粒子を軽減する。
【解決手段】容器は、突起物を伴う平坦で研磨された表面を有するベースを含み、ウエハー或いはレチクルはこの突起物上に設置される。突起物は、ウエハー又はレチクルと最小の接触を与えるとともにウエハー又はレチクルをベースに浮かせる球としての配置を有し、それらの間にギャップを与える。このギャップは、ウエハー又はレチクルをベースの平坦で研磨された表面から分離するとともに微粒子のギャップへの移動を防止し、それによってウエハー又はレチクルの高感度面の汚染を防止する。拡散フィルタは、ろ材なしで圧力均一化を与える。トップカバー上の移動可能なレチクルのピンはレチクルを規定する。二重ポッドの実施態様によってさらなる分離及び保護が得られる。 （もっと読む）

【課題】部分一括露光法において、機械的強度を保ちつつ、効率良く露光に用いるパターンを具備したステンシルマスクを提供すること。
【解決手段】ステンシルパターンが形成されるメンブレン領域と、前記メンブレン領域を取り囲むバルク領域１０２とからなるステンシルマスクである。１メンブレンの領域内に偏向領域１０３に対応したステンシルパターン群を複数個配置する。 （もっと読む）

【課題】ペリクルフレームを変形させることのないペリクルハンドリング治具を提供すること。
【解決手段】半導体装置を製造する際に用いるリソグラフィーにおいて使用される、ペリクルを取り扱うためのハンドリング治具。該治具は、取っ手、該取っ手の先端とＴ字状に接続する主軸、該主軸とこの字型を形成する如く、該軸の両端から該軸と直交する如く前方に突出した2本のアーム、及び、該アームの内側側面にそれぞれ2個ずつ設けられたペリクルフレーム保持部からなる。また、前記アームはアーム間隔を調整できるように左右に開閉操作可能に構成され、前記保持部は、前記アームが閉じたときに、ペリクルフレームにおける４つのコーナーのフレーム側面をつかむ如く設けられている。 （もっと読む）

【課題】マスクに荷電粒子ビームを照射して所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、額縁状のフレーム１０ａにアースピン１０ｃを垂設して成るアース体１０をマスクＷにセットして描画を行うものにおいて、マスクにその種類に応じたアース体をセットでき、且つ、スループットの低下も防止できるようにする。
【解決手段】アース体１０用のセット室９に、複数種のアース体１０を保持し、これらアース体１０のうちからマスクＷの種類に応じた１つのアース体１０を選択してマスクＷにセットするセット装置１１を設置する。セット装置１１は、複数種のアース体１０を上下方向の間隔を存して保持する上下複数段の棚部１２ａ，１２ｂを有する保持枠１２と、この保持枠１２を昇降させる昇降手段１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】部分一括露光法において電子線を偏向領域内に待機させると同時に、ステンシルマスクの急激な温度上昇を起こすことなく、耐熱性に優れたステンシルマスク及び電子線露光方法を提供すること。
【解決手段】ステンシルパターンが形成されるメンブレン部材と、メンブレン部材を取り囲むバルク部材とからなるステンシルマスクにおいて、バルク部材は、メンブレン部材を保持する保持バルク領域と、メンブレン部材に隣接し照射する電子線を待機するための待機用バルク領域とを有することを特徴とするステンシルマスク。 （もっと読む）

【課題】ガラスを基材として用いなくても、近年のプリント配線基板のパターンの細線化や要求精度の厳格化に対応でき、かつ、ポリエステルフィルムを基材として用いた場合と同等の利便性を有するフォトマスクを提供すること。
【解決手段】高分子化合物を主成分とするフィルムまたはシートからなる基材と、前記基材の少なくとも一方の面に配設された遮光層と、前記基材の少なくとも一方の面に配設されたフレームと、から少なくとも構成されたフォトマスクであって、前記フォトマスクは、使用および保管される雰囲気において、前記基材が、前記フレームに張力のかかった状態で固定されている。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウェハを用いて作製される転写マスク（ステンシルマスク）に発生するエッチングストッパ層の圧縮応力に起因した反りという転写マスクの欠陥を低減し、優れた転写精度を有する転写マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】第１の基板に開口部を形成する工程と、開口部が形成された第１の基板と第２の基板とを接合してパターン形成部を形成する工程と、パターン形成部に荷電粒子線透過孔を形成する工程と、を含むことを特徴とする転写マスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】転写貫通パターン端部のラフネスへの影響が小さく、また転写貫通パターンの矩形性や面内の寸法均一性を維持したまま転写貫通パターンの寸法を制御することができるステンシルマスク及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】開口部が形成された支持部と、支持部上にパターン形成されたエッチングストッパ層と、エッチングストッパ層上に転写貫通パターンが形成された薄膜層と、を備え、支持部及び薄膜層の表面もしくは全面が酸化されたことを特徴とするステンシルマスク。 （もっと読む）

【課題】覗き見困難で、表示性能が良いマイクロカプセル型電気泳動式表示パネルが求められていた。
【解決手段】支持層と補強層とメンブレン層からなるステンシルマスクにおける前記支持基板層が除かれている前記開口部の前記補強層と前記メンブレン層からなる多層メンブレン層における前記補強層の一部が除去された前記メンブレン層からなるメンブレン層開口部が、前記メンブレン層がパターン状に除去されているステンシルパターン領域より大きい面積を有しており、パターン領域内にはステンシルパターン領域を形成しているステンシルマスクにおいて、補強層とメンブレン層がシリコンが共にシリコンからなることを特徴とするステンシルマスクおよびその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 耐熱性を保持するとともにステンシルマスクを固定するときに破損しにくいステンシルマスクを提供する。
【解決手段】 ステンシルマスク１００は、枠８と、枠８によって展開されている薄層２と、薄層２の表面の一部に形成されている厚層１２を備えている。厚層１２が積層されていない範囲の薄層２には、開口１０が形成されている。ステンシルマスク１００を平面視したときの中心１１から枠８の内側８ａに至る任意の線分Ｄ２に沿って薄層２と厚層１２ａの積層を断面視したときに、その断面の重心位置Ｇ２が線分Ｄ２の中点Ｇ１よりも枠８側に位置している。ステンシルマスク１００では、厚層１２によって耐熱性が保持されるとともに、ステンシルマスク１００を固定するときに、衝撃加速度によって生じるマスクの撓みが低減される。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィシステムにおいて用いられるレチクルを保護する取外し可能なカバーを提供すること。
【解決手段】 取外し可能なカバーは、フレームと、上記フレームによって支持される薄膜とを含む。上記薄膜は、検査波長に対して透過性であるため、所定位置にある上記取外し可能なカバーを用いて、上記レチクルを検査することが可能である。上記取外し可能なカバーが所定位置にあり、かつ、リソグラフィによる露光を行う際に取外し可能である場合、この取外し可能なカバーは上記レチクルを保護する。上記取外し可能なカバーは、少なくとも１つのレチクルファスナをさらに含み得る。上記取外し可能なカバーが所定位置にある場合、上記少なくとも１つのレチクルファスナは、上記レチクルに力を加えて、これにより、上記取外し可能なカバーが上記レチクルに対して動くのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィシステムにおいて用いられるレチクルを保護する取外し可能なカバーを提供すること。
【解決手段】 取外し可能なカバーは、フレームと、上記フレームによって支持される薄膜とを含む。上記薄膜は、検査波長に対して透過性であるため、所定位置にある上記取外し可能なカバーを用いて、上記レチクルを検査することが可能である。上記取外し可能なカバーが所定位置にあり、かつ、リソグラフィによる露光を行う際に取外し可能である場合、この取外し可能なカバーは上記レチクルを保護する。上記取外し可能なカバーは、少なくとも１つのレチクルファスナをさらに含み得る。上記取外し可能なカバーが所定位置にある場合、上記少なくとも１つのレチクルファスナは、上記レチクルに力を加えて、これにより、上記取外し可能なカバーが上記レチクルに対して動くのを防ぐ。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィシステムにおいて用いられるレチクルを保護する取外し可能なカバーを提供すること。
【解決手段】 取外し可能なカバーは、フレームと、上記フレームによって支持される薄膜とを含む。上記薄膜は、検査波長に対して透過性であるため、所定位置にある上記取外し可能なカバーを用いて、上記レチクルを検査することが可能である。上記取外し可能なカバーが所定位置にあり、かつ、リソグラフィによる露光を行う際に取外し可能である場合、この取外し可能なカバーは上記レチクルを保護する。上記取外し可能なカバーは、少なくとも１つのレチクルファスナをさらに含み得る。上記取外し可能なカバーが所定位置にある場合、上記少なくとも１つのレチクルファスナは、上記レチクルに力を加えて、これにより、上記取外し可能なカバーが上記レチクルに対して動くのを防ぐ。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの薄膜層と、薄膜層を少なくとも部分的に取り囲み、薄膜層の縁部の少なくとも一部を取り付けるフレームとを有する、リソグラフィ、特にＥＵＶ（極紫外線）リソグラフィにおける光学装置のための光学薄膜素子に関する。薄膜層の締付けを容易にする少なくとも１つの締付け素子が設けられており、光学薄膜素子を投影露光システム、特にＥＵＶリソグラフィで使用することができ、薄膜素子の薄膜層を平坦となるように調節可能に締め付けることができる。対応した光学薄膜素子を作製するための方法が提案される。この方法では、薄膜層と共にリソグラフィによって締付け素子を作製する。
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【課題】レチクルの保管，移動時の汚染に係る情報を含めた管理を行うレチクル管理方法を提供する。
【解決手段】レチクル１を用いた露光時の処理情報に加え、保管，移動時のレチクル汚染に関する情報をレチクルストッカーにおいて、レチクル１に付随したＩＣチップ３に記録する。レチクル１を用いて露光処理する時に、ＩＣチップ３に記録した汚染に関する情報が所定の規格量を超えた時点で洗浄など汚染除去処理を指示し、実行する。このレチクル１に係る情報に含めた保管，移動時のレチクル汚染に関する情報を呼び出すことで、レチクル洗浄を行って、パターン欠陥に結びつく汚染状態のレチクル１を露光処理に使用することを防止できる。 （もっと読む）