【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板処理の歩留まりを向上させる。
【解決手段】塗布現像処理システムのインターフェイスステーション５は、ウェハを露光装置に搬入する前に少なくともウェハの裏面を洗浄する洗浄ユニット１００と、洗浄後のウェハの裏面について、当該ウェハの露光が可能かどうかを露光装置に搬入前に検査する検査ユニット１０１と、各ユニット１００、１０１の間で基板を搬送するアームを備えたウェハ搬送機構１２０、１３０と、ウェハ搬送機構１２０、1３０の動作を制御するウェハ搬送制御部を有している。ウェハ搬送制御部は、検査の結果、ウェハの状態が洗浄ユニット１００での再洗浄により露光可能な状態になると判定されれば、当該ウェハを洗浄ユニット１００に再度搬送するように、ウェハ搬送機構１２０、１３０を制御する。 （もっと読む）

【課題】取出し時の膜材料の付着や、ガラス基板保持部に付着した膜材料のガラス基板への転写を抑制することができるＥＵＶマスクブランクの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板１０の裏面側を保持する基板保持部２０と、ガラス基板１０の側面全周、基板保持部２０の側面全周のうち、基板保持部２０の上端を含めた高さ方向における少なくとも一部、および、ガラス基板１０の成膜面の外縁部を覆うことができ、搬出入用の開口部を有し、搬出入時の位置と、成膜時の位置と、の間を上下方向に移動可能である遮蔽部３０と、ガラス基板１０または製造後のＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの搬出入用のアームと、を有し、搬出入用の開口部、ガラス基板１０および搬出入用のアームが所定の条件を満たすスパッタリング装置を用いて、ガラス基板上に反射層および吸収層を成膜するＥＵＶＬ用反射型マスクブランクの製造方法。 （もっと読む）

【目的】マルチビーム形成アパーチャによって散乱した荷電粒子によるブランキング偏向器アレイへの帯電とコンタミ成長を抑制する装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、荷電粒子ビームを放出する電子銃２０１と、マルチビームを形成するマルチビーム形成アパーチャ部材２０３と、マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレート２０４と、マルチビーム形成アパーチャ部材２０３とブランキングプレート２０４との間に配置された、電磁レンズ２１２，２１４と、電磁レンズ２１２，２１４の間であってマルチビームの集束点位置に配置され、集束点から外れた荷電粒子の通過を制限する制限アパーチャ部材２１６と、複数のブランカーによってビームｏｆｆの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する制限アパーチャ部材２０６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の洗浄面と反対側の面に液体が付着するを防ぐことが可能な枚葉式の基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】回転可能な回転板と、前記回転板の周縁に沿って設けられ基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部の上端に設けられ、前記基板の周縁を支持することにより前記基板を案内可能な案内部と、前記基板支持部により前記周縁が支持される前記基板に対して上方から液体を供給する供給部とを備え、前記案内部が、前記回転板の周方向に沿って少なくとも３つ以上設けられ、前記基板支持部により前記周縁が支持される前記基板の表面よりも高い高さを有する液処理装置により上述の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、ダストを低減できる半導体装置の製造方法、及び周辺露光装置を提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法では、基板１における被加工材の上に感光剤３を塗布する。半導体装置の製造方法では、周辺露光用マスクＭＫ１を介して、光源ＬＳからの光を基板１の周辺部１ａに照射することにより、基板１の周辺露光を行う。周辺露光用マスクＭＫ１は、基板１のエッジ１ｅに近づくにつれて光の遮蔽率が徐々に低くなるパターンを有している。半導体装置の製造方法では、感光剤３における周辺露光された部分を除去する。 （もっと読む）

【課題】処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去する。
【解決手段】現像液ノズル１４２に現像液を供給する現像液供給装置１９０は、現像液貯槽２０１から現像液ノズル１４２へ現像液を供給するための現像液供給管２０２と、現像液供給管２０２に設けられ、現像液供給管２０２中の現像液に直流電圧を印加する電極２１２と、電極２１２に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニット２１３と、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２１６と、現像液供給管２０２に接続され、洗浄液供給源２１６から現像液供給管２０２に洗浄液を供給するための洗浄液供給管２１５と、現像液供給管２０２における電極２１３が設けられた位置を通過した洗浄液を、現像液供給管２０２から排出する廃液管２２０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、ノズルに霜が付着するのを抑制し、霜に起因する基板の汚染を防止する。
【解決手段】基板上から側方に退避した退避位置において、冷却ガスノズル３のガス吐出口３０に対して上面３７ａが平面となった整流部材３７を近接対向配置し、ガス吐出口３０から少量の冷却ガスを吐出させる。不使用時にも冷却ガスを吐出させるアイドリングを行っておくことにより、ノズルの温度上昇を抑制し必要時に直ちに冷温の冷却ガスを吐出させることができる。また、アイドリング時に整流部材３７を配置し、ガス吐出口３０周りの隙間から冷却ガスを吹き出させることにより、高湿度の周囲雰囲気がノズル内に侵入するのを抑制し、ノズル内に下が付着するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】汚染に起因する性能の劣化を抑制できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置は、露光光の光路を第１液体で満たすように第１液体で液浸部を形成可能な第１部材と、第１部材から離れた位置で第２液体で液浸部を形成可能な第２部材と、所定部材と第２部材との間の第２液体に振動を与える振動発生装置とを備え、第２液体を用いて所定部材をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】基板とマスクとの隙間への付着物の噛み込みを検出でき、マスクの疵付きを防止でき高い露光精度を維持できる露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置１は、基板２に転写すべきパターンが形成されたマスク１２が設けられており、光源１１から出射された露光光を透過させて基板２にパターンを露光する。基板２は、ステージ１０により、マスク１２に対してスキャン方向に移動される。マスク１２はマスクホルダ１３に保持され、マスクホルダ１３には、加速度センサ１４が設けられている。そして、加速度センサ１４によりマスク１２の鉛直方向の加速度を検出する。判定部１６は、加速度センサ１４の検出結果が所定値を超えたか否かを判定し、この判定結果に基づいて、ステージ１０を制御する制御部１５は、ステージ１０による基板２の移動を継続又は停止させる。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、反射部材の反射面に付着するカーボンを除去することができる、露光装置を提供する。
【解決手段】露光装置１００は、光源、反射部材、収容容器、及びガス供給部を備える。光源（ＥＵＶ光源２０１）は、ＥＵＶ光、ＤＵＶ光又はＶＵＶ光のいずれかの光を照射する。反射部材（多層膜ミラー２０４及びマスク２０５）は、ＥＵＶ光源２０１から照射されたＥＵＶ光２０３を反射する。収容容器（照明系室１０２及びマスク設置室１０３）は、反射部材を収容する。ガス供給部（酸素ガス供給設備１０８ａ〜ｄ及び不飽和炭化水素ガス供給設備１０９ａ〜ｄ）は、収容容器内に、酸素ガス、及び不飽和炭素水素ガスを導入する。 （もっと読む）

【課題】フィルタの交換を効率的に、かつ高い位置決め精度で行う。
【解決手段】ケミカルフィルタ５１を保持するフィルタボックス３８であって、ケミカルフィルタ５１を保持するフレーム５０と、フレーム５０の側面５０ｃに形成された案内溝５２と、側面５０ｃに交差する背面５０ｂに設けられた凹部３９Ａ，３９Ｂと、を備える。案内溝５２は、側面５０ｃの上端と下端との間に配置され、かつフレーム５０の側面５０ｃの側端に連通する第１溝部５２ａと、第１溝部５２ａに連通し、かつフレーム５０の上端に向かって延びる第２溝部５２ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィ装置の投影システム内への汚染の移動を防止または制限することができるリソグラフィ装置および方法を提供する。
【解決手段】リソグラフィ装置は、複数の反射光学系を含む投影システムを備える。反射光学系のうちの１つには、反射光学系を通り抜ける開口部が設けられる。開口部は、ＥＵＶ放射を実質的に透過させる被覆層によって塞がれる。被覆層は、汚染が投影システムに入ることを防止する一方、パターン付きＥＵＶ放射が投影システムから基板上に移ることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに起因する異物低減可能なＥＵＶマスクブランクスの製造方法の提供。
【解決手段】基板１１上にＭｏ／Ｓｉ多層反射膜１２、保護層１３としてＲｕ膜またはＲｕ化合物膜を、イオンビームスパッタリング法を用いて実施し、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜１２のＳｉ膜成膜時、および、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜時に、ターゲット角度、プロセスガス種類、プロセスガス圧力、イオンソースのＲＦパワー、サプレッサ電圧、イオンビーム電圧、および、イオンビーム電流をほぼ同一とし、Ｓｉ膜成膜に使用したスパッタリングターゲットのエロージョン領域に基づき、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜に使用するスパッタリングターゲットのエロージョン領域、非エロージョン領域を予測し、ＲｕターゲットおよびＲｕ化合物ターゲットの予測される非エロージョン領域に粗面化処理を施してから、Ｒｕ膜またはＲｕ化合物膜成膜を実施する。 （もっと読む）

【課題】 基板載置面に付着した塵を効率良く除去する。
【解決手段】 清掃用カバー１００を、基板載置面（基板ホルダ５０の上面）の一部に対向配置する。そして、清掃用カバー１００及び基板ホルダ５０から清掃用カバー１００の下面と基板載置面との間（対向面間）に圧縮気体を噴出して対向面間の気体を激しく撹拌するとともに基板ホルダ５０により対向面間から気体を吸引する。これにより、基板載置面における清掃用カバー１００の下面に対向する領域に付着した塵Ｄは、対向面間で撹拌された気体中に取り込まれ、この気体と共に吸引されて除去される。 （もっと読む）

【課題】液浸リソグラフィ装置の内部を洗浄するための方法と装置を提供すること。
【解決手段】特に、リソグラフィ装置の液体供給システムを使用して、リソグラフィ装置の投影システムと基板テーブルとの間の空間に洗浄流体を導入することができる。追加的に又は代替案として、洗浄デバイスを基板テーブルの上に備えてもよく、超音波液体を作り出すために超音波エミッタを備えることもできる。 （もっと読む）

【課題】水素ラジカルジェネレータによって生成され、リソグラフィ装置の光エレメント上に堆積した汚染物質を低減させる方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る方法は、水素ラジカルジェネレータの金属フィラメントの金属酸化物を含む第１部分の温度が金属酸化物の蒸発温度以下である還元温度である場合に、水素分子を金属フィラメントの第１部分に通過させることを含む。 （もっと読む）

【課題】容易かつ効果的に洗浄されるリソグラフィ装置、及び液浸リソグラフィ装置を効果的に洗浄する方法を提供する。
【解決手段】表面を洗浄するメガソニックトランスデューサを有する液浸リソグラフィ投影装置、及び液体を通じてメガソニック波を使用して液浸リソグラフィ投影装置を洗浄する方法が開示される。液体には流れ、望ましくは放射状流れが誘起される。 （もっと読む）

【課題】露光工程でのフォトマスクに付着した異物を除去し、異物に起因した白欠陥の発生を未然に防ぐことを可能とする露光装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板４０を真空吸着により固定する基板チャック２０と、フォトマスクを保持するマスクホルダー１０を備えた露光装置にて、フォトマスクＰＭの膜面に付着した異物を除去するガスを、基板チャック中央部の基板チャック表面とフォトマスク膜面の間隙Ｇ２に吹出すガス吹出機構５０を基板チャックに設け、基板チャック周辺部の基板チャック表面とフォトマスク膜面の間隙から排出されるガスを吸引するガス吸引機構３０を基板チャックとマスクホルダーの周辺部に設けたこと。 （もっと読む）

【課題】彫刻により発生するガス、アブレーションカスを吸込フードに誘導し、回収効率を上げることができる。
【解決手段】吹付ノズル８０は、一列に並んだ吹き出し口８０ａからの空気を吹き出し、略四角錐台形のエアーフローＡ１を形成する。吹付ノズル８０は、エアーフロー中心面ＡＭ１が、光軸Ｌと露光面ＦＡとの交点Ｉにおけるドラム５０の接線と平行となるように、かつエアーフローＡ１の方向がドラムの回転方向Ｒと同方向となるように配設される。エアーフローＡ１の延長上には、エアーフローＡ１を覆う大きさで形成された吸込フード８１が配設される。これにより、ガス、アブレーションカスを含むエアーフローＡ１を吸込フード８１から確実に吸い込むことができる。 （もっと読む）

【課題】水素または同様の雰囲気を用いたＥＵＶ装置に適した代替の汚染物質トラップを提供する。
【解決手段】汚染物質トラップがＥＵＶ放射源装置内で用いられる。ＥＵＶ放射ビームが発生されて低圧ガス雰囲気を通り仮想放射源点に合焦される。ＥＵＶ放射は、ＥＵＶ放射が通過する低圧水素雰囲気中にプラズマを生成する。電極を含む汚染物質トラップは、放射ビームが仮想放射源点に近接する最中に放射ビーム内または周りに位置付けられる。ＤＣバイアス源が電極に接続されて、プラズマによって負帯電された汚染物質粒子をビーム経路外に偏向させるように向けられた電界を発生させる。追加のＲＦ電極および／またはイオナイザはプラズマを増強させて粒子の帯電を増加する。偏向電極は、短時間の間、ＲＦバイアスで動作させられて、それにより増強されたプラズマを確実に消失させる。 （もっと読む）