半導体の処理に使用する化学−機械的研磨剤組成物は非球形の形状をもった研磨剤粒子を使用する。 （もっと読む）

【課題】短時間に半導体基板を平坦化する研磨液組成物、これを用いて半導体基板を平坦化する研磨方法、並びにこれらを用いて半導体基板を研磨する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】水系媒体と研磨粒子を含んでなる研磨液組成物であって、該研磨粒子中における粒子径２〜２００ｎｍの研磨粒子含有量が５０体積％以上であり、該研磨粒子として粒子径が２〜５８ｎｍ未満の小粒径研磨粒子を粒子径２〜２００ｎｍの研磨粒子全量中４０〜７５体積％含有し、粒子径が５８〜７５ｎｍ未満の中粒径研磨粒子を粒子径２〜２００ｎｍの研磨粒子全量中０〜５０体積％含有し、粒子径が７５〜２００ｎｍの大粒径研磨粒子を粒子径２〜２００ｎｍの研磨粒子全量中１０〜６０体積％含有する研磨液組成物、これを用いて、半導体基板を平坦化する研磨方法、半導体基板の平坦化方法、並びに半導体基板を研磨する工程を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】主として無機粒子からなる研磨用成形体を用いた研磨用定盤により被研磨材料を研磨するにあたり、その面状態を適正に修正する方法及びそのための面修正材を提供する。
【解決の手段】面修正に用いられる修正材の修正に携わる面の一部または全面に、所定の材質からなる部材を配し、かつ当該研磨用定盤及び／または面修正材を互いに摺擦運動させながら修正液を加えつつ研磨用定盤を面修正する方法及びそのための面修正材を用いる。 （もっと読む）

【課題】 加工効率に優れる。
【解決手段】 基板１０の表面１１に、切刃稜線１４を有する複数の凸部１２を設ける。切刃稜線１４が軸線Ｏを中心とした放射方向に延びるように、凸部１２を配置する。凸部１２に、切刃稜線１４を複数に分断して、この切刃稜線１４にて生じる切屑を逃がすための空隙１５を形成する。凸部１２の上面１３を平坦面とする。複数の凸部１２の上面１３の合計面積Ｓ１と、基板１０の表面１１の面積Ｓ２との比Ｓ１／Ｓ２を、０．０００１〜０．０１の範囲に設定する。気相合成ダイヤモンド１６のコーティング層の層厚ｔを、０．５〜２０μｍの範囲に設定する。基板１０の表面１１の全面を、気相合成ダイヤモンド１６でコーティングする。 （もっと読む）

【課題】 ダスト等の異物の付着およびスクラッチ傷の発生を効果的に抑制できる研磨パッドを提供する。
【解決手段】 被研磨物の研磨に用いられる研磨パッドにおいて、研磨に用いられる研磨スラリー中の砥粒の研磨後の平均粒径を研磨前の平均粒径の１．５倍以下に調整可能で、かつ表面Ｄ硬度が６５度以上であることを特徴とする研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】 加工用ワイヤを垂直方向に保持した状態で行う内径ラップ加工を実現するために最適な内径ラップ加工用ワイヤ及びこのワイヤを有効に利用したワイヤ式内径ラップ加工方法を提供すること。
【解決手段】 ワークＷに設けられた穴Ｗａに挿通されて、前記ワークＷの内径ラップ加工を行う際に用いられる加工用ワイヤ２（２ａ，２ｂ）であって、前記加工用ワイヤ２の両端部には、該加工用ワイヤ２を係止するための挿着部材として機能する金具２１，２２を取り付ける。かかる構成の加工用ワイヤ２を利用して、垂直方向に加工用ワイヤ２を係止させた状態で内径ラップを行うワイヤ式内径ラップ加工方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ研磨後におけるウエハ表面の平坦度を高めることができる研磨ヘッドおよびこれを用いた研磨装置を提供すること。
【解決手段】 半導体ウエハＷを真空吸着して研磨布５６上に圧接するチャックプレート５を備えた研磨ヘッドであって、チャックプレート５は、熱膨張係数αがα≦４．５×１０^-6／Ｋ，熱伝導率βがβ≧１７０Ｗ／ｍ・Ｋである炭化珪素からなるセラミックスプレートによって形成されている構成とされる。 （もっと読む）

【課題】 研磨速度に優れることは勿論のこと、鏡面研磨後のウエハー形状、特に、良好な平坦度、平面度を有して平坦性に優れると共にウエハー外周部におけるエッジ部ダレがない高精度の形状を得ることができ、スクラッチ傷の発生がなく、研磨加工コストも廉価となるシリコンウエハー鏡面研磨用研磨板、およびこのシリコンウエハー鏡面研磨用研磨板を用いたシリコンウエハーの鏡面研磨方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 シリコンウエハー鏡面研磨用研磨板はプラスチック板からなるように構成し、シリコンウエハーの鏡面研磨方法は前記シリコンウエハー鏡面研磨用研磨板を定盤上に固定した研磨装置またはラッピング装置によってシリコンウエハーを鏡面研磨するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムディスク及びガラス製ハードディスクは、記録容量の高密度化のため平均うねりが３Å以下のディスクが要望されている。その平滑な研磨面が得られる研磨用組成物を提供すること。
【解決手段】 異なったモノモーダル数粒子径分布を有するコロイダルシリカ粒子群を含む、０．５〜５０重量％のＳｉＯ₂ 濃度を有する、アルミニウムディスク、又はシリカを表面に有する基板の研磨用組成物。 （もっと読む）

【課題】メモリーハードディスクの仕上げ研磨や半導体素子の研磨用として、研磨後の被研磨物の表面平滑性に優れ、かつ突起や研磨傷等の表面欠陥を発生することなく、しかも経済的な速度で研磨を可能とする研磨液組成物を提供すること。
【解決手段】研磨材と水とを混合してなる研磨液組成物であって、研磨材の小粒径側からの積算粒径分布（個数基準）が５０％となる粒径（Ｄ５０）に対する９０％となる粒径（Ｄ９０）の比（Ｄ９０／Ｄ５０）が１．３〜３．０で、且つＤ５０が１０〜６００ｎｍである研磨液組成物、粒径（Ｄ５０）が異なる２種類以上の研磨材と水とを混合してなる研磨液組成物であって、Ｄ５０の最も小さな研磨材（Ａ）のＤ５０（Ｄ５０Ｓ）に対するＤ５０の最も大きな研磨材（Ｂ）のＤ５０（Ｄ５０Ｌ）の比（Ｄ５０Ｌ／Ｄ５０Ｓ）が１．１〜３．０であってＡとＢとの配合比率（Ａ／Ｂ（重量比））が９０／１０〜１０／９０である研磨液組成物。 （もっと読む）

【課題】 比較的大きな金属間化合物の結晶からなる非常に硬質な強磁性結晶粒が粒界相で囲われている金属組織を有した硬質な焼結希土類磁石合金を歩留りよく且つ滑らかな表面をもつ小さな部品に切断する。
【解決手段】 強磁性結晶粒の周囲にそれより易被削性の粒界相を有する焼結希土類磁石合金に線径１.２ｍｍ以下の可撓性線材を押し付け，砥粒を分散媒に分散させてなる砥液を該合金と線材との間に介在させつつ，該線材をその軸方向に移動させることを特徴とする焼結希土類磁石合金の切断法。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハの着脱が容易であるとともに、研磨品質を維持しながらウェーハを安定して保持しつつ研磨可能であるウェーハ研磨装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 ウェーハ保持ヘッド５０は、ヘッド本体２内に張られたダイヤフラム５と、ダイヤフラム５に固定された多孔質材からなるキャリア６と、キャリア６と同心状に配されたリテーナリング７と、流体室１４の圧力を調整する圧力調整機構３０と、キャリア６上面に密閉空間２５を形成するドーム状の隔壁部２０と、密閉空間２５の圧力を調整することによってキャリア６とウェーハＷとの吸着力を調整する第２圧力調整機構３１とを備えている。 （もっと読む）

【目的】ＩＣ、ＬＳＩあるいは超ＬＳＩ等の半導体デバイスの素材であるシリコンウェーハや化合物半導体のウェーハ等の超薄板状のワークのポリッシング加工を行う工程において使用するポリッシング加工機に係り、更に詳しくは被ポリッシング加工体を把持するためのワックスレス方法の改良に関するものである。
【構成】回転自在なポリッシング用定盤１と、プレッシャープレート５とを具備するポリッシング加工機において、前記ポリッシング用定盤の面に対して被加工体４の面を平行状態で把持し圧接する貼付プレート１１が、高剛性で高密度のセラミックスプレートと、一枚またはそれ以上の通気、通水性を有する多孔質セラミックスプレート１５と、軟質発泡体の層１３とカラー１６からなるバッキングパッド１２とから構成されたことを特徴とする貼付プレートを提供する。 （もっと読む）

【課題】 キャリヤの上面側と下面側とにおいて研磨剤水溶液の交流を可能とすることで、キャリヤの全面において研磨剤水溶液の均一化・適量化を図り、研磨効率を向上させる。
【解決手段】 キャリヤ９の上面側から下面側に貫通するように微細な複数の通孔１５を一定の規則性に基づいて形成することにより、キャリヤ９の上面側に供給された研磨剤水溶液が通孔１５を通ってキャリヤ９の下面側に流れ、また反対に、キャリヤ９の下面側から研磨剤水溶液が通孔１５を通ってキャリヤ９の上面側に流れるようにすると共に、通孔１５を通って研磨剤が下方に落下する際に、比較的大きな塊は下定盤３に当たること等によって崩れ、微細な粒状物となり、水溶液との混合性が高まるようにする。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの周縁部における研磨量の不均一性を減少させることによって、高い平坦度を実現することができるポリッシング装置を提供する。
【解決手段】 トップブロック５の下面には、トップリング６が固定され、トップブロック５の下面周縁部には、トップリング６の外周を取囲む様にガイドリング７が固定される。ウエーハ１は、バッキングパッド８を介してトップリング６の下面に吸着される。トップリング６の下面側には、外周に沿って薄肉部１１がリング状に形成され、薄肉部１１とトップブロック５の下面及びガイドリング７の内周面とにより取囲まれたリング状の空間部に、ピストン１２が挿入される。ピストン１２の上端面とトップブロック５の下面との間に圧力室１３が形成される。圧力室１３内の圧力を制御してピストン１２による加圧力を調整し、周縁部におけるウエーハ１の表面と研磨布との間の接触圧力分布の調整を行う。 （もっと読む）

【課題】 溝付きロール間に巻き回されたスライス用ワイヤの張力を、巻き回し全体において均等化することのできるマルチワイヤソー装置を提供する。
【解決手段】 スライス用ワイヤ４の溝付きロール１、２への巻き回しの中から、所定のターン数のグループ１５、１６を引き出し、これを外部ロール７、８に張架する。外部ロール７、８をエアシリンダ９、１０により変位させることによって、外部ロール７、８に張架されたグループ１５、１６のスライス用ワイヤ４の張力を調整し、この張力調整によって溝付きロール１、２間を走行するスライス用ワイヤ４の張力を均等化させる。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単で内歯歯車の水平を出すための調整を必要としない、内歯歯車昇降機構を備えた平面研磨装置を得る。
【解決手段】 機体１０に内歯歯車１１と同軸をなす大径の中心歯車１９と、該中心歯車１９を回転させる駆動歯車２２及びモーター２１を設け、上記中心歯車１９の回りに複数の昇降用駆動軸２５を回転自在なるように立設して、各駆動軸２５に、上記中心歯車１９に噛合する従動歯車２６を取り付けると共に、該駆動軸１９の正逆回転により上下動するナット部材２７を螺着し、該ナット部材２７を上記内歯歯車１１に連結する。 （もっと読む）