本発明によれば、パッドコンディショニングシステムのドライブアセンブリから得られたモータ電流信号のようなセンサ信号が、ＣＭＰシステムにおける一つあるいはそれ以上の消耗品（１１３）の状態を推定するように用いられるシステム及び方法が提供される。
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【課題】ラッピングワイヤの断線を生ずることなく、高精度に内径を加工できる内径加工装置および方法を提供する。
【解決手段】互いに離間配置されたテンション装置１２、１３間に懸架されたラッピングワイヤ１４と、このラッピングワイヤ１４が挿通される管状体２４を保持し、前記ラッピングワイヤ１４の周りに回転させる回転チャック２１と、この回転チャック２１を前記ラッピングワイヤ１４に沿って微小振動させる加振機２０と、この加振機２０とともに前記回転チャック２１を載置し、前記ラッピングワイヤ１４に沿って一方向に移動する加工テーブル１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】インゴットを平行に保持し切断加工する場合において、インゴット間にスラリーを供給する場合であっても、ワイヤソー装置の大きさを最小限に留めることができるワイヤソー装置を提供する。また、スラリーノズルがワイヤよりもかなり上方にある場合であっても、スラリーの表面張力によりスラリーが内側へ集中せず、スラリーを均一に供給できるワイヤソー装置を提供する。
【解決手段】ワイヤソーにおいて、スラリーを供給するセンターノズル２０ｂを中間プレート４１に固定する。また、センターノズル２０ｂの下部には、スリット４６を覆うように長手方向に沿ってスリットバー５０を固定する。そして、このスリットバー５０の両端には一対のサイドバー５１を鉛直に固定する。 （もっと読む）

【課題】短時間に半導体基板を平坦化する研磨液組成物、これを用いて半導体基板を平坦化する研磨方法、並びにこれらを用いて半導体基板を研磨する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】水系媒体と研磨粒子を含んでなる研磨液組成物であって、該研磨粒子中における粒子径２〜２００ｎｍの研磨粒子含有量が５０体積％以上であり、該研磨粒子として粒子径が２〜５８ｎｍ未満の小粒径研磨粒子を粒子径２〜２００ｎｍの研磨粒子全量中４０〜７５体積％含有し、粒子径が５８〜７５ｎｍ未満の中粒径研磨粒子を粒子径２〜２００ｎｍの研磨粒子全量中０〜５０体積％含有し、粒子径が７５〜２００ｎｍの大粒径研磨粒子を粒子径２〜２００ｎｍの研磨粒子全量中１０〜６０体積％含有する研磨液組成物、これを用いて、半導体基板を平坦化する研磨方法、半導体基板の平坦化方法、並びに半導体基板を研磨する工程を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】主として無機粒子からなる研磨用成形体を用いた研磨用定盤により被研磨材料を研磨するにあたり、その面状態を適正に修正する方法及びそのための面修正材を提供する。
【解決の手段】面修正に用いられる修正材の修正に携わる面の一部または全面に、所定の材質からなる部材を配し、かつ当該研磨用定盤及び／または面修正材を互いに摺擦運動させながら修正液を加えつつ研磨用定盤を面修正する方法及びそのための面修正材を用いる。 （もっと読む）

【課題】 加工効率に優れる。
【解決手段】 基板１０の表面１１に、切刃稜線１４を有する複数の凸部１２を設ける。切刃稜線１４が軸線Ｏを中心とした放射方向に延びるように、凸部１２を配置する。凸部１２に、切刃稜線１４を複数に分断して、この切刃稜線１４にて生じる切屑を逃がすための空隙１５を形成する。凸部１２の上面１３を平坦面とする。複数の凸部１２の上面１３の合計面積Ｓ１と、基板１０の表面１１の面積Ｓ２との比Ｓ１／Ｓ２を、０．０００１〜０．０１の範囲に設定する。気相合成ダイヤモンド１６のコーティング層の層厚ｔを、０．５〜２０μｍの範囲に設定する。基板１０の表面１１の全面を、気相合成ダイヤモンド１６でコーティングする。 （もっと読む）

【課題】 ダスト等の異物の付着およびスクラッチ傷の発生を効果的に抑制できる研磨パッドを提供する。
【解決手段】 被研磨物の研磨に用いられる研磨パッドにおいて、研磨に用いられる研磨スラリー中の砥粒の研磨後の平均粒径を研磨前の平均粒径の１．５倍以下に調整可能で、かつ表面Ｄ硬度が６５度以上であることを特徴とする研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】 加工用ワイヤを垂直方向に保持した状態で行う内径ラップ加工を実現するために最適な内径ラップ加工用ワイヤ及びこのワイヤを有効に利用したワイヤ式内径ラップ加工方法を提供すること。
【解決手段】 ワークＷに設けられた穴Ｗａに挿通されて、前記ワークＷの内径ラップ加工を行う際に用いられる加工用ワイヤ２（２ａ，２ｂ）であって、前記加工用ワイヤ２の両端部には、該加工用ワイヤ２を係止するための挿着部材として機能する金具２１，２２を取り付ける。かかる構成の加工用ワイヤ２を利用して、垂直方向に加工用ワイヤ２を係止させた状態で内径ラップを行うワイヤ式内径ラップ加工方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ研磨後におけるウエハ表面の平坦度を高めることができる研磨ヘッドおよびこれを用いた研磨装置を提供すること。
【解決手段】 半導体ウエハＷを真空吸着して研磨布５６上に圧接するチャックプレート５を備えた研磨ヘッドであって、チャックプレート５は、熱膨張係数αがα≦４．５×１０^-6／Ｋ，熱伝導率βがβ≧１７０Ｗ／ｍ・Ｋである炭化珪素からなるセラミックスプレートによって形成されている構成とされる。 （もっと読む）

【課題】 研磨速度に優れることは勿論のこと、鏡面研磨後のウエハー形状、特に、良好な平坦度、平面度を有して平坦性に優れると共にウエハー外周部におけるエッジ部ダレがない高精度の形状を得ることができ、スクラッチ傷の発生がなく、研磨加工コストも廉価となるシリコンウエハー鏡面研磨用研磨板、およびこのシリコンウエハー鏡面研磨用研磨板を用いたシリコンウエハーの鏡面研磨方法を提供することを課題とする。
【解決手段】 シリコンウエハー鏡面研磨用研磨板はプラスチック板からなるように構成し、シリコンウエハーの鏡面研磨方法は前記シリコンウエハー鏡面研磨用研磨板を定盤上に固定した研磨装置またはラッピング装置によってシリコンウエハーを鏡面研磨するように構成する。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムディスク及びガラス製ハードディスクは、記録容量の高密度化のため平均うねりが３Å以下のディスクが要望されている。その平滑な研磨面が得られる研磨用組成物を提供すること。
【解決手段】 異なったモノモーダル数粒子径分布を有するコロイダルシリカ粒子群を含む、０．５〜５０重量％のＳｉＯ₂ 濃度を有する、アルミニウムディスク、又はシリカを表面に有する基板の研磨用組成物。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハの着脱が容易であるとともに、研磨品質を維持しながらウェーハを安定して保持しつつ研磨可能であるウェーハ研磨装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 ウェーハ保持ヘッド５０は、ヘッド本体２内に張られたダイヤフラム５と、ダイヤフラム５に固定された多孔質材からなるキャリア６と、キャリア６と同心状に配されたリテーナリング７と、流体室１４の圧力を調整する圧力調整機構３０と、キャリア６上面に密閉空間２５を形成するドーム状の隔壁部２０と、密閉空間２５の圧力を調整することによってキャリア６とウェーハＷとの吸着力を調整する第２圧力調整機構３１とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 ウエーハの周縁部における研磨量の不均一性を減少させることによって、高い平坦度を実現することができるポリッシング装置を提供する。
【解決手段】 トップブロック５の下面には、トップリング６が固定され、トップブロック５の下面周縁部には、トップリング６の外周を取囲む様にガイドリング７が固定される。ウエーハ１は、バッキングパッド８を介してトップリング６の下面に吸着される。トップリング６の下面側には、外周に沿って薄肉部１１がリング状に形成され、薄肉部１１とトップブロック５の下面及びガイドリング７の内周面とにより取囲まれたリング状の空間部に、ピストン１２が挿入される。ピストン１２の上端面とトップブロック５の下面との間に圧力室１３が形成される。圧力室１３内の圧力を制御してピストン１２による加圧力を調整し、周縁部におけるウエーハ１の表面と研磨布との間の接触圧力分布の調整を行う。 （もっと読む）

【目的】本発明は、シリコンウェーハ等、極めて高い平坦度や平行度、更には面粗さが要求される板状の工作物の表面を加工するラッピング加工、ポリッシング加工等を行なう研磨装置に関するものであり、研磨装置の定盤、キャリアヘッドの駆動をダイレクトドライブモータで行なう装置に関する。
【構成】シリコンウェーハ等の被加工体をキャリアヘッドに取り付けて、回転可能な定盤に前記被加工体を圧着し、加工液を供給しつつ、回転による前記定盤と被加工体の表面の擦過作用により研磨加工を行なう装置において、前記キャリアヘッドと前記定盤のうち少なくとも一方をダイレクトドライブモータ直結方式で駆動し、かつ前記ダイレクトドライブモータにより駆動されるキャリアヘッドあるいは定盤の位置決めの制御をエンコーダによって行なうことを特徴とするコンパクトで高精度のラッピング加工あるいはポリッシング加工用の研磨装置を提供する。 （もっと読む）