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Fターム[4G001BB67]の内容

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Fターム[4G001BB67]に分類される特許

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【課題】 微粒超硬合金作製に有用な微粒WC粉とこれを安価に製造する製造方法とこの原料からなる高硬度微粒超硬合金を提供すること。
【解決手段】 WC粉は、結合炭素量が5.10〜5.90質量%、窒素含有量が0.10〜0.20質量%とWCを含有するWC粉において、WC/WC=0.07〜0.88であり、WC/WCの値はX線回折により、JCPDS 25−1047のWC(101)とJCPDS 35−0776のWC(101)の強度の割合である。このWC粉は、W酸化物とカーボン粉、あるいはW酸化物とCr酸化物とカーボン粉を混合し、窒素雰囲気中で加熱し、還元、炭化することによって得られる。 (もっと読む)


【課題】原子力用途のためのホウ素−11(“11B”)同位体を含むSiC材料、並びに前駆体及びSiC材料の形成方法、及びSiC材料の提供。
【解決手段】原子炉構成要素において使用する材料は、セラミック材料及びホウ素−11化合物を含む、炭化ケイ素材料の前駆体配合物である。セラミック材料は、ケイ素及び炭素及び所望により、酸素、窒素、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、またはこれらの混合物を含む。ホウ素−11化合物は、酸化ホウ素、水素化ホウ素、水酸化ホウ素、炭化ホウ素、窒化ホウ素、三塩化ホウ素、三フッ化ホウ素、ホウ素金属、またはこれらの混合物のホウ素−11同位体からなる。原子炉構成要素において使用するための材料、構成要素、並びに材料の製造方法。 (もっと読む)


【課題】耐食性と耐熱衝撃性が更に向上したセラミックス焼結体と、このセラミックス焼結体の容易な製造方法と、このセラミックス焼結体で構成された長寿命のボートを提供する。
【解決手段】
二硼化チタン、窒化硼素及びストロンチウム化合物を含有してなり、窒化硼素のC軸格子定数が6.666Å以下であり、3点曲げ強さが60〜130MPa、弾性率が40〜60GPaであることを特徴とするセラミックス焼結体。このセラミックス焼結体で構成された金属蒸発用発熱体。特定二種の窒化硼素粉末と二硼化チタン粉末とストロンチウム化合物粉末とを含有してなる原料粉末を焼結することを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】多くの不純物酸素を含む低品位のケイ素粉末を出発原料として用いることができ、従来の成形、焼成プロセスを用いて、優れた機械特性と高熱伝導性を併せ持つ窒化ケイ素焼結体を製造し、パワーモジュール用基板に適した高熱伝導窒化ケイ素基板を提供する。
【解決手段】ケイ素粉末に、ケイ素を窒化ケイ素に換算した際の比率において、0.5〜7mol%の希土類元素の酸化物と、1〜7mol%のマグネシウム混合物とを、上記ケイ素粉末に含まれる不純物酸素とマグネシウム化合物からの酸素との総量が0.1〜1.8質量%となるように混合し、該混合物を成形して窒化し、得られた窒化体を0.1MPa以上の窒素中で加熱して相対密度が95%以上になるように緻密化し、得られた板状の窒化ケイ素焼結体の少なくとも一方の面に、マグネシウム、チタン、ジルコニウムのうち少なくとも一種の金属元素を含むろう材を用いて金属板を接合する。 (もっと読む)


【課題】 耐摩耗性や潤滑性に優れ、かつ高い硬度を有し、高速度の切削に好適に使用される切削工具を、被膜形成等を要することなく提供することができる立方晶窒化硼素焼結体を得ること。
【解決手段】 立方晶窒化硼素及び、結合材からなる立方晶窒化硼素焼結体であって、前記結合材中における炭素の含有量が、立方晶窒化硼素焼結体全体に対して、0.01〜3質量%であることを特徴とする立方晶窒化硼素焼結体とする。前記炭素がグラファイトとして含有されている場合には、その粒径が30nm以下であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】白色LED用の蛍光体、特に青色LED又は紫外LEDを光源とする白色LEDを提供するに好適な蛍光体を提供する。
【解決手段】一般式:(Ca、Eu)m/2(Si)12−(m+n)(Al)m+n(O)(N)16−nで示されるα型サイアロンであって、Eu含有量が0.1〜0.35at%であり、格子定数aが0.780〜0.790nm、格子定数cが0.560〜0.580nmの範囲にあることを特徴とするα型サイアロンであり、前記のα型サイアロンの粉末からなる蛍光体であり、好ましくは、α型サイアロンを構成する粒子の平均粒径が1μm以上20μm以下であり、更に好ましくは、α型サイアロンを構成する元素以外の不純物が1質量%以下であることを特徴とする前記の蛍光体である。また、前記蛍光体を用いた照明器具。 (もっと読む)


【課題】 希土類多ホウ化物において、高温(900K以上)で優れたn型の熱電的性質を有する新しい機能を示す多ホウ化物を提供することを目的としている。
【解決手段】 一般式REB22+X4+Y1+Z(−6<X<6、−3<Y<3、−1<Z<1、REは、Sc、Y、Ho、Er、Tm、Luからなる群から選ばれる少なくとも1種の希土類元素)で表される、三斜晶系または菱面体系に属する炭素、窒素をドープしてなる希土類多ホウ化物を提供することによって解決する。 (もっと読む)


【課題】
半導体製造工程あるいは液晶パネル製造工程で用いられる基板処理装置用部材等を構成する窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】
β−Siを主成分とし、β−RESi(REは周期律表第3族元素)を3体積%以上、20体積%以下の範囲で含有してなり、室温における熱膨張係数が1.4×10−6/K以下、室温における熱伝導率が25W/(m・K)以上の窒化珪素質焼結体を提供することができ、特に半導体製造装置用部材・液晶製造装置用部材として用いた際に、温度変化が生じた際においても熱膨張の非常に小さい焼結体であるため、位置精度を高いものとすることができる。 (もっと読む)


【課題】SiとOとを主成分とする薄膜をスパッタ法で作製するにあたって、成膜時における割れやすさを改善すると共に、異常放電の発生を抑制することを可能にしたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】主成分としてSiとCとを含有するスパッタリングターゲットである。スパッタリングターゲット1は、SiC結晶粒2の隙間にSi相3がネットワーク状に連続して存在する組織を具備する。Si相3は平均径が1000nm以下とされている。このようなスパッタリングターゲットを、酸素を含むガス中でスパッタリングすることによって、主成分としてSiとOとを含有し、かつ主成分以外の第三元素を合計量で10〜2000ppmの範囲で含む光学薄膜を成膜する。 (もっと読む)


【課題】 高温下でハロゲン系腐食性ガスやそのプラズマに曝されても腐食や摩耗が少なく、かつパーティクルの発生が極めて少ない窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム質焼結体中にAl、N、Oを合計で99.5重量%以上含み、AlNを主結晶相とするとともに、他の結晶相として上記Al、N、Oの3成分を含む化合物を含有し、上記焼結体をX線回折(X線の発生源:銅)にて測定した時、上記AlNの回折ピーク強度I1(面間隔:2.68乃至2.71)に対する上記化合物の回折ピーク強度I2(面間隔:2.56乃至2.62)の強度比(I2/I1)が1〜8%で、かつ面間隔:1.52乃至1.537と上記AlNの(101)面の面間隔乃至上記AlNの(002)面の面間隔とに回折ピーク強度を実質的に持たないようにする。 (もっと読む)


立方晶窒化ホウ素成形体は、AlMgB14のような少なくとも1種のホウ化アルミニウムマグネシウム化合物を含有する第2の硬質相を含有する。第2の硬質相中に存在するホウ化アルミニウムマグネシウムは、AlMgB14のみから成るか、又は、AlMgB14と他の1種以上のホウ化アルミニウムマグネシウム化合物との混合物から成る場合がある。更に、1種以上のホウ化アルミニウムマグネシウム化合物は、ケイ素、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル及び鉄のような単体;又は、それらのホウ化物、炭化物並びに窒化物;でドーピングすることができる。 (もっと読む)


【課題】 半導体製造装置、液晶デバイス製造装置用の絶縁性部材等として好適に用いることができ、また、前記部材等の大型化、高精度化、複雑化にも対応することができる高比抵抗炭化ケイ素焼結体を提供する。
【解決手段】 常圧焼結法により、窒素含有量が0.4wt%以上0.5wt%以下であり、前記窒素の一部が炭化ケイ素結晶に固溶しており、残部が炭化ケイ素結晶粒界に窒化ホウ素結晶として存在し、かつ、比抵抗が0.1GΩ・cm以上である高比抵抗の炭化ケイ素焼結体を得る。 (もっと読む)


炭化ケイ素焼結体の断面研磨面の炭化ケイ素粒子とケイ素粒子の面積から、気孔率(%)=(ケイ素粒子の面積/(ケイ素粒子の面積+炭化ケイ素粒子の面積))×100として求めた気孔率が15%以上30%以下であり、残留ケイ素の含有量が炭化ケイ素焼結体の全体積に対して4%以下である炭化ケイ素焼結体。
(もっと読む)


【課題】 窒化アルミニウム焼結体中の気孔を極力減少させることにより、均熱性に優れたサセプタを提供する。
【解決手段】 本発明の窒化アルミニウム焼結体は、含有するビスマスと塩素の量を一定値以下に制御する。すなわち、窒化アルミニウムを主成分とする窒化アルミニウム焼結体において、窒化アルミニウム焼結体中のビスマスの含有量が30ppm以下であり、かつ塩素の含有量が100ppm以下であることを特徴とする。前記窒化アルミニウム焼結体に、抵抗発熱体が形成されていることが好ましく、半導体加熱用部品として使用されることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】電気抵抗の低温側極大現象を抑制したセラミックス焼結体を提供する。熱衝撃性と耐食性に優れた長寿命のボートを提供する。
【解決手段】TiBを40〜60質量%、BNを40〜60質量%、並びに金属及び/又は金属化合物を金属分として0.2〜3質量%を含み、当該金属及び/又は金属化合物の金属がFe、V、Mn、Cu及びSiから選ばれた少なくとも一種であり、相対密度が90%以上であるセラミックス焼結体。ストロンチウム及び/又はストロンチウム化合物をSr分として0.2〜7.5質量%を更に含有させてなる上記セラミックス焼結体。これらのセラミックス焼結体で構成された金属蒸発用発熱体(ボート)。 (もっと読む)


【課題】窒化アルミニウムの特性を維持しつつ、その耐食性を向上させる。
【解決手段】窒化アルミニウム質セラミックス10は、窒化アルミニウム粒子と粒界相とを備える。更に、窒化アルミニウム質セラミックス10は、その表層に内部11よりも粒界相を多く含む粒界相豊富層12を備える。そして、その粒界相豊富層12における粒界相は希土類元素又はアルカリ土類元素の少なくとも1つを含有する。 (もっと読む)


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