【課題】色むらのない窒化アルミニウム基板、並びに、それを用いた窒化アルミニウム回路基板及びモジュールを提供する。
【解決手段】基板内における酸素含有量の最大値と最小値の差が０．２０質量％以下であることを特徴とする色むらのない窒化アルミニウム基板であり、酸化処理が施された窒化アルミニウム粉末を原料とする前記窒化アルミニウム基板である。さらに、前記窒化アルミニウム基板を用いてなる回路基板であり、前記回路基板を用いてなるモジュールである。 （もっと読む）

ＣＢＮ（立方晶窒化ホウ素）成形体が高温／高圧で製造される間に、生成され且つＣＢＮ成形体の表面にその場で結合された耐熱性物質層。 （もっと読む）

【課題】高純度で高耐久性のヒータ用炭化ケイ素焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒素含有量が０．１体積％以上のβ型炭化ケイ素粉体を焼結して得られるヒータ用炭化ケイ素焼結体であって、ヒータ用炭化ケイ素焼結体を構成する粒子間の結合部の直径は１００μｍ以上であり、ヒータ用炭化ケイ素焼結体を１０００℃で１０００時間加熱した後の前記ヒータ用炭化ケイ素焼結体の抵抗増加率は１５％以下であり、ヒータ用炭化ケイ素焼結体はα型炭化ケイ素からなるヒータ用炭化ケイ素焼結体。 （もっと読む）

【課題】
鋼の浸炭材，焼入れ材など高硬度鋼の高速切削、断続切削に最適なｃＢＮ基超高圧焼結体およびその製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】
ｃＢＮ：３０〜８０体積％と、残りが周期律表４ａ，５ａ，６ａ族元素の炭化物，窒化物，ホウ化物，酸化物、Ａｌの窒化物，酸化物、Ｓｉの炭化物，窒化物およびこれらの相互固溶体の中の少なくとも１種からなる結合相と不可避不純物とでなるｃＢＮ基超高圧焼結体において、結合相は少なくとも（１）Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの中の少なくとも１種とＴｉとからなる複合窒化物および複合炭窒化物の中の少なくとも１種の複合化合物と、（２）Ｖ，Ｎｂ，Ｔａの中の少なくとも１種の斜方晶ホウ化物と、（３）ＡｌＮと、（４）Ａｌ₂Ｏ₃とを含有するｃＢＮ基超高圧焼結体。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を持つ高熱伝導窒化ケイ素セラミックス、その製造方法及びその応用製品を提供する。
【解決手段】ケイ素粉末の反応焼結を利用して合成した反応焼結窒化ケイ素焼結体であって、β相窒化ケイ素を主成分とし、Ｙ、Ｙｂ、Ｎｄ、Ｓｍの少なくとも一種を酸化物に換算して０．５〜７ｍｏｌ％含有し、Ｍｇの存在量が酸化物に換算して２ｍｏｌ％以下であり、１００Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率、６００ＭＰａ以上の３点曲げ強度、及び予き裂導入破壊試験法で測定した破壊靱性が７ＭＰａｍ^１／２以上であることを特徴とする窒化ケイ素焼結体、その製造方法、及びその応用製品。
【効果】低品位のＳｉ原料を含む多様なＳｉ原料粉末を出発原料として用いることが可能で、しかも優れた特性を有する窒化ケイ素焼結体を低コストで合成できる。 （もっと読む）

【課題】多くの不純物酸素を含む低品位のケイ素粉末を出発原料として用いることができ、従来の成形、焼成プロセスを用いて、優れた機械特性と高熱伝導性を併せ持つ窒化ケイ素焼結体を製造し、パワーモジュール用基板に適した高熱伝導窒化ケイ素基板を提供する。
【解決手段】ケイ素粉末に、ケイ素を窒化ケイ素に換算した際の比率において、０．５〜７ｍｏｌ％の希土類元素の酸化物と、１〜７ｍｏｌ％のマグネシウム混合物とを、上記ケイ素粉末に含まれる不純物酸素とマグネシウム化合物からの酸素との総量が０．１〜１．８質量％となるように混合し、該混合物を成形して窒化し、得られた窒化体を０．１ＭＰａ以上の窒素中で加熱して相対密度が９５％以上になるように緻密化し、得られた板状の窒化ケイ素焼結体の少なくとも一方の面に、マグネシウム、チタン、ジルコニウムのうち少なくとも一種の金属元素を含むろう材を用いて金属板を接合する。 （もっと読む）

【課題】添加元素が母体結晶内に均一かつ安定に分散した複合窒化物または複合酸窒化物セラミックスを製造する。
【解決手段】窒化物粒子よりなる母粒子上に前記添加元素を含有する子粒子を担持させてなり、該子粒子は、その平均粒径が前記母粒子の平均粒径の１０分の１以下である複合窒化物または複合酸窒化物セラミックス合成用前駆体。この前駆体に他の窒化物原料を混合して焼成することにより、添加元素が母体結晶内に均一かつ安定に分散した複合窒化物または複合酸窒化物セラミックスを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】クラッチ廃材等のSiC生成に必要な珪素と炭素成分を含む複合体シートから、適当な強度を有するSiC含有シートを製造する方法を提供すること。
【解決手段】複合体シートを予備加熱し、1400〜1600℃で熱処理することを含むSiC含有シートの製造方法であって、前記複合体シートは、セルロースおよび合成繊維の少なくとも一方、炭素粉体および炭素繊維の少なくとも一方、珪藻土並びにフェノール樹脂を含有し、かつ少なくとも前記予備加熱は、複合体シートからの揮発成分雰囲気下で行う前記方法。 （もっと読む）

【課題】肉厚のパイプ等であっても、内部までケイ化反応した多孔質ＳｉＣ焼結体を提供すること。
【解決手段】本発明は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）と炭素（Ｃ）とを含み、かつ、気孔率が40〜85％の成形体中に、ＳｉＯガスを透過させることを含む多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法であって、ＳｉＯガスを発生させる原料を、成形体中の炭素（Ｃ）と原料中のＳｉとのモル比（Ｃ：Ｓｉ）が１：３〜１：７となるような量で用い、かつ、成形体中にＳｉＯガスを透過させる際の成形体の温度が1800〜2000℃である、多孔質ＳｉＣ焼結体の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 炭化ケイ素焼結体からなる立体成形体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
炭化ケイ素粉末を溶媒中に分散して得られるスラリー状の混合粉体を得る工程と、鋳型の表面にアルギン酸塩膜を設ける工程と、上記混合粉体を成形型に流し込み乾燥させてグリーン体を得る工程と、得られたグリーン体を真空雰囲気下５５０℃〜６５０℃まで昇温する第１の加熱工程と、さらに真空又は不活性ガス雰囲気下で１５００℃以上の温度まで昇温した後、上記真空又は不活性ガス雰囲気下の温度条件に保持して炭化ケイ素焼結体を得る第２の加熱工程と、を有することを特徴とする炭化ケイ素焼結体からなる立体成形体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、焼成後、未研磨の状態において平滑な表面を有し、光線透過特性が高い窒化アルミニウム焼結体を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る窒化アルミニウム焼結体は、酸素濃度が４５０ｐｐｍ以下、酸素、窒素、アルミニウム以外の不純物元素濃度が３５０ｐｐｍ以下であり、平均結晶粒径が２μｍ〜２０μｍであり、更に、焼成後、未研磨の状態において、表面の算術平均高さＲａが１μｍ以下であり、最大高さＲｚが１０μｍ以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【目的】耐熱性に優れた平均粒子径数μmの高純度cBN焼結体を5GPa領域で製造することが
可能な技術の開発。
【解決手段】立方晶窒化ホウ素粉末表面を流体源として、固体のポリ塩化ビニリデン、ポ
リ塩化ビニル、またはポリエチレンなど使用する超臨界流体で清浄化し、焼結助剤を添加
しないで立方晶窒化ホウ素を立方晶窒化ホウ素の熱力学安定条件下の5GPa, 1400℃以上の
高圧高温条件下で焼結することを特徴とするヴィカース硬さ40GPa以上の高純度立方晶窒
化ホウ素焼結体の製造法。 （もっと読む）

【課題】 焼結後のセラミックス基材内の焼結助剤分布を均一化することによって、以上述べた焼結後の熱処理による増加変形量を低減すること、即ちセラミックス基材の高温での熱処理時に生ずる変形量を小さくする。
【解決手段】 焼結助剤を含むセラミックス基材であって、蛍光Ｘ線によるその一方の主面側および他方の主面側の主成分元素の検出強度に対する焼結助剤成分元素の検出強度の比を、それぞれａおよびｂとし、ａ＞ｂとした場合に、ａ／ｂ≦１．３であるセラミックス基材を提供する。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造工程あるいは液晶パネル製造工程で用いられる基板処理装置用部材等を構成する窒化珪素質焼結体を提供する。
【解決手段】
β−Ｓｉ_３Ｎ_４を主成分とし、β−ＲＥ_２Ｓｉ_２Ｏ_７（ＲＥは周期律表第３族元素）を３体積％以上、２０体積％以下の範囲で含有してなり、室温における熱膨張係数が１．４×１０^−６／Ｋ以下、室温における熱伝導率が２５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の窒化珪素質焼結体を提供することができ、特に半導体製造装置用部材・液晶製造装置用部材として用いた際に、温度変化が生じた際においても熱膨張の非常に小さい焼結体であるため、位置精度を高いものとすることができる。 （もっと読む）

【課題】長期操業の可能なセラミックス焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】焼結原料を予熱途中からプレスを開始して焼結温度まで高め、所定時間保持した後冷却することを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。本発明においては、以下の実施形態等から選ばれた少なくとも一つを備えていることが好ましい。（１）プレス開始前の昇温速度が５００〜１４００℃／ｈであり、プレス開始前の昇温速度をプレス後の昇温速度よりも遅くすること。（２）冷却途中でプレスを解除すること。（３）焼結温度が１２００〜２２００℃、プレス圧力が１０ＭＰａ以上であること。（４）プレスの開始と解除を８００〜１４００℃で行うこと。（５）焼結原料を、順次連続して予熱、プレス、焼結、冷却すること。（６）複数個の焼結原料が容器に収納されてなるユニットを、順次連続して予熱、プレス、焼結、冷却すること、など。 （もっと読む）

【課題】 数μｍから十数μｍ程度の略球状の塗布性に優れたアルファサイアロン蛍光体粉末を効率よく簡便に製造することができる製造方法の提供。
【解決手段】 湿式ミルによりアルファサイアロン蛍光体を構成する各元素を含む原料粉末を溶媒とともに混練する混練工程と、スプレードライヤーにより前記混練工程で得られた混練物を噴霧乾燥することにより原料粉末の凝集体の粒径を整える造粒工程と、前記造粒工程で造粒した凝集体粉末を加圧成形せずに粉末のまま容器に収めて焼結し、アルファサイアロン蛍光体粉末を得る焼結工程とを有することを特徴とするアルファサイアロン蛍光体粉末の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 耐プラズマ性が充分高く、寿命の長いドライエッチング装置用電極を提供する。
【解決手段】 例えば窒化アルミニウム粉末１００質量部および希土類酸化物０．５〜２０質量部を含むグリーン体を還元性雰囲気中で焼結することにより窒化アルミニウム粒界に希土類窒化物を生成させることにより得られる導電性の窒化アルミニウムで表面の一部又は全部を構成した貫通孔を有する成形体をドライエッチング装置用電極として用いる。 （もっと読む）

【課題】 強度や破壊靭性などの機械的特性及び耐熱衝撃性を向上させた弁部材を提供すること。
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなり、液体の流路の少なくとも一部を構成する溝または穴部を備えた液体用の弁部材であって、該弁部材を成す窒化珪素質焼結体は、窒化珪素を主成分とする結晶相と、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｔｉ、ＺｒおよびＣｕのうち少なくとも１種の第１の金属元素の珪化物からなる第１金属珪化物および上記第１の金属元素よりも融点の高い第２の金属元素の珪化物からなる第２金属珪化物を含む粒界相とを有し、且つ上記溝または穴部の表面における上記第１の金属珪化物および第２の金属珪化物のそれぞれの濃度が上記窒化硅素質焼結体の内部より低いことで耐熱衝撃性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】 低い体積抵抗率が要求されると共に、金属による汚染を嫌う用途、例えば、半導体製造装置用部材として好適に使用することができる窒化アルミニウム焼結体を提供する。
【解決手段】 平均結晶粒径が１５〜３０μｍであり、酸素濃度が０．１質量％〜０．６質量％、金属不純物量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体であって、かかる窒化アルミニウム焼結体は、室温における体積抵抗率が１．０×１０^８Ωｃｍ以下である。また、上記焼結体は、平均粒子径０．１〜２０μｍの窒化アルミニウム粉末、及び、該窒化アルミニウム粉末に対して焼結助剤を０〜０．１質量部含有する成形体を、中性又は還元雰囲気下で、平均結晶粒径が１５〜３０μｍに到達するまで焼結することによって得られる。 （もっと読む）

【課題】低コストで安定した、大型、大面積で薄肉のセラミック体の製造方法を提供する。
【解決手段】耐熱性を有する型にセラミック原料粉末スラリーを注入し、乾燥、固化させる工程と、型の内部あるいは表面に形成された成形体を脱型せず型ごと焼成炉内に配し、所定温度に加熱し、前記成形体を焼結せしめ、炉冷後、型から焼結体を取り出す工程から成る大型薄肉セラミック体の製造方法。
【効果】脱型することなく、成形後、そのまま焼成することにより成形体のハンドリングが不要となり、大型薄肉セラミック体を容易に得ることができる。 （もっと読む）