【課題】接合後の位置ズレが小さく、また、接合強度及び気密性が高く、中空部を有する場合でも中空部の寸法精度に優れた接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】第一の炭化珪素焼結体１１及び第二の炭化珪素焼結体１２を得る工程と、第二の炭化珪素焼結体１２の接合面１２ａを表面粗さＲａ０．６μｍ以下に加工する工程と、第一の炭化珪素焼結体１１の接合面１１ａに炭化珪素含有金属珪素層１３を形成する工程と、第二の炭化珪素焼結体１２の接合面１２ａと炭化珪素含有金属珪素層１３とを当接し、真空中で熱処理する工程と、からなる。 （もっと読む）

【課題】接合強度の向上を図った中空構造のＢ_４Ｃ／Ｓｉ複合材料接合体を得ることが可能なＢ_４Ｃ／Ｓｉ複合材料体の接合方法を提供する。
【解決手段】複数のＢ_４Ｃ／Ｓｉ複合材料体を互いの接合面で当接させて、不活性ガス雰囲気下で接合面に対して０．０２ＭＰａ〜８．０ＭＰａの圧力を加えた状態で、１０００℃〜１３８５℃に加熱して保持することにより接合する。 （もっと読む）

【課題】接合強度の向上を図った中空構造のＳｉＣ／Ｓｉ複合材料接合体を得ることが可能なＳｉＣ／Ｓｉ複合材料体の接合方法を提供する。
【解決手段】複数のＳｉＣ／Ｓｉ複合材料体を互いの接合面で当接させて、不活性ガス雰囲気下で接合面に対して０．０５ＭＰａ〜１０．０ＭＰａの圧力を加えた状態で、１０００℃〜１４１４℃に加熱して保持することにより接合する。 （もっと読む）

【課題】研削抵抗の相違に由来する、緻密質体と多孔質体との境界における段差の低減または解消を図ることができる緻密質−多孔質接合体等を提供する。
【解決手段】本発明の緻密質−多孔質接合体によれば、緻密質体１と前記多孔質体２との接合界面が実質的に隙間なく一体的に焼成されている。緻密質体１が酸化アルミニウムの焼結体からなり、ＸＲＤのピーク強度により算出される結晶配向度Ｉ_３００／（Ｉ_３００＋Ｉ_１０４）が０．１〜０．２である。 （もっと読む）

【課題】強磁場中で望ましくない干渉を引き起こす可能性のある強磁性特性を全く有しない強磁場中で使用するための筐体用の金属被覆及び低コストで信頼性の高いＳＡＷフィルタチップを取り付けるのに適する密閉マイクロ空洞を提供する。
【解決手段】セラミック１０用の金属被覆３０は、金属を有する基底層１２と、パラジウムを含み、層厚さが０．１〜５μｍの間にある接着層１４と、非強磁性材質のはんだづけ可能層１６と酸化保護層２０とを含み、接着層１４の材質がはんだづけ可能層１６の材質と異なる。 （もっと読む）

【課題】 腐食性の高い流体が流れる流路を備える部材において、長期間にわたって使用することのできるセラミック接合体およびこれを用いた支持体を提供する。
【解決手段】 基体２と、基体２に接合層６を介して接合された蓋３とを備えたセラミック接合体１であって、基体２と蓋３とで形成される空間が流体の流路５とされ、流体の流れる方向に流路５を断面視したとき、深さの深い領域５ａの両側に浅い領域５ｂを有しているセラミック接合体１である。流路５に、腐食性の高い流体を流したとしても、基体２と蓋３との接合層６は劣化しにくく、流体の漏洩が生じることが少ないので、腐食性の高い流体が流れる流路５を備える部材として長期間にわたって使用することができる。 （もっと読む）

【課題】接合面を鏡面研磨することなくアルミナセラミックス焼結体が接合されたアルミナセラミックス接合体を提供する。
【解決手段】アルミナセラミックス接合体１０は、アルミナセラミックス焼結体１，２，３を接合面１ａ，２ａ，３ａで当接させた状態で焼結することにより接合されており、接合界面１１における空孔１２が５μｍ以下であり且つ空孔１２の割合αが３％以上４０％以下である。接合面１ａ，２ａ，３ａの表面粗さＲａを０．２５μｍ以上０．８０μｍ以下に研削したアルミナセラミックス焼結体１，２，３を焼結して形成される。 （もっと読む）

【課題】更に低い接合温度でも良好な接合状態を得ることができ、かつ、製造工程において加圧の必要がない窒化アルミニウム接合体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】窒化アルミニウムを含む棒状の取付体２３と、窒化アルミニウムを含み、前記取付体２３の先端部２３ａが支持穴２５に螺合された被取付体２７と、これらの取付体２３と被取付体２７との当接部のうち、少なくとも、前記螺合によって取付体２３が圧接力を受ける圧接部に形成され、前記取付体２３及び被取付体２７を接合する接合層１１とを備えた窒化アルミニウム接合体である。 （もっと読む）

【課題】加工時間が短く結合強度が高いカーボンスチールとジルコニアセラミックとの接合方法及びこの方法で得た接合部品を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、カーボンスチール、ジルコニアセラミック及びチタン箔の接合されるべき界面を磨き上げてから洗浄して乾燥させる工程と、チタン箔がカーボンスチールとジルコニアセラミックとの間に挟まれるように、これらを石墨金型内に設置する工程と、石墨金型を放電プラズマ焼結装置の炉内に設置して、直流パルス電源を起動して、垂直圧力が１０〜５０ＭＰａで、加熱レートが５０〜６００℃／ｍｉｎで、焼結温度が８００〜１１００℃で、加熱時間が１０〜５０分間で、炉の真空度が６〜１０ＭＰａである条件下でカーボンスチール及びジルコニアセラミックにパルス電流を印加して、両者を焼結する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高精度に導体が内蔵された薄型のセラミックス接合体を提供する。
【解決手段】相対密度９９％以上の第１及び第２のセラミックス焼結体１１，１２、並びに空隙を有する導体１３を用意する工程と、第１及び第２のセラミックス焼結体１１，１２の間に導体１３を挟み込み、ホットプレスすることにより、少なくとも一方のセラミックス焼結体がクリープして空隙が埋まり、他方のセラミックス焼結体と接合する工程とを含む。第１及び第２のセラミックス焼結体１１，１２は、互いに共通する成分を主成分とし、少なくとも一方のセラミックス焼結体の平均粒径を７μｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】高精度に導体が内蔵された薄型のセラミックス部材を提供するものである。
【解決手段】相対密度９９％以上の第１のセラミックス焼結体１１の主面に溝１１１を形成する工程と、溝１１１に導体１２を形成する工程と、第１のセラミックス焼結体１１の主面を導体１２とともに研磨して、主面における溝１１１に形成された導体１２の表面１２１と溝１１１以外の第１のセラミックス焼結体表面１１１とを面一の研磨面とする工程と、相対密度９９％以上の第２のセラミックス焼結体１３の主面を研磨面とする工程と、第１のセラミックス焼結体１１の主面と第２のセラミックス焼結体１３の主面とを密着させてホットプレスする工程とを含む。第１のセラミックス焼結体１１及び第２のセラミックス焼結体１３は、互いに共通する成分を主成分とする。 （もっと読む）

【課題】未焼結のセラミックス成形体の接合体を焼結一体化する方法において、接合部に隙間を有しないセラミックス焼結体を得る。
【解決手段】２以上のセラミックス成形体同士を焼結して一体化したセラミックス焼結体の製造方法であって、前記セラミックス成形体を鋳込み成形により得た後に乾燥させる行程と、前記セラミックス成形体の接合面を平滑化する工程と、平滑化された接合面を有する前記セラミックス成形体を湿潤する工程と、前記セラミックス成形体に含まれるセラミックス粉末と同一のセラミックス粉末を含む泥漿を介して接合面同士を突合せて未焼結接合体を得る工程と、前記未焼結接合体を焼結して一体化する工程と、を含むことを特徴とするセラミックス焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】接合界面およびその近傍における焼結体の特性の変化が無く、変形の少ないセラミックス接合体を提供する。
【解決手段】第１のセラミックス焼結体と第２のセラミックス焼結体とが接合材を介さずに接合されたセラミックス接合体であって、第１及び第２のセラミックス焼結体は、互いに共通する成分を主成分とし、第１及び第２のいずれか一方又は両方のセラミックス焼結体が副成分を含んでおり、一方のセラミックス焼結体の前記副成分が、他方のセラミックス焼結体に拡散していないことを特徴とするセラミックス接合体。 （もっと読む）

【課題】製造工程が簡素でコストが安価であり、剛性が高い熱処理用ヒータを提供する。
【解決手段】本発明による熱処理用ヒータ１は、炭化ケイ素の多孔体を仮焼した仮焼体３と、仮焼体３の外表面を被覆した、絶縁材料からなる被覆材５とを備えている。従って、剛性が低い多孔体の仮焼体３を絶縁材からなる被覆材５で被覆することによって、耐久性および輻射効率が高く、製造工程がシンプルで低コストの熱処理用ヒータ１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ等の低抵抗金属と同時焼成が可能であり、しかも高い機械的強度と低熱膨張性を実現する、高強度低熱膨張性磁器及びその製造方法の提供。
【解決手段】式（１）


（式中、ａは質量比で０．０４〜０．２５であり、α、β、γ及びδは質量％比でα：β：γ：δ＝７．６〜１３．２：４．０〜１０．３：１３．０〜３０．４：５３．７〜７２．８である。）で示される組成を有する複合酸化物を含む高強度低熱膨張性磁器及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】接合後の位置ズレが小さく、また、接合強度及び気密性が高く、中空部を有する場合でも中空部の寸法精度に優れた接合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第一の炭化珪素焼結体１１と第二の炭化珪素焼結体１２とが金属珪素及び炭化珪素からなる接合層１４を介して接合された炭化珪素接合体であって、前記第一の炭化珪素焼結体１１は、炭化珪素含有金属珪素層１３が形成される接合面１１ａを有し、前記第二の炭化珪素焼結体１２は、前記炭化珪素含有金属珪素層１３と当接する接合面１２ａを有し、第二の炭化珪素焼結体１２の接合面１２ａは、表面粗さＲａ０．６μｍ以下であって、前記炭化珪素含有金属珪素層１３が熱処理されてなる接合層１４を介して接合されたことを特徴とする炭化珪素接合体。 （もっと読む）

【課題】焼結体単体と同程度の曲げ強度及び剛性を有し、経時的な寸法変化が小さい低熱膨張セラミックス接合体を提供する。
【解決手段】低熱膨張セラミックスからなる焼結体同士を、介在物を配せずに接合してなる低熱膨張セラミックス接合体であって、前記焼結体を構成する材料が、リチウムアルミノシリケートと、炭化珪素および／または窒化珪素とからなり、２０〜３０℃における平均の熱膨張係数が−１×１０^−６〜１×１０^−６／℃であることを特徴とする低熱膨張セラミックス接合体。 （もっと読む）

【課題】回路基板用窒化珪素セラミックス基板に適切な表面状態を付与することにより密着性、放熱性、耐圧性能（部分放電特性含む）を改善した窒化珪素回路基板を提供する。
【解決手段】窒化珪素基板に金属回路板をろう付け接合した窒化珪素回路基板であって、窒化珪素基板の接合面は算術平均粗さＲａが、Ｒａ＜１μｍ、最大高さＲｙが、Ｒｙ＜１０μｍ、粗さ曲線から求めたスキューネスＲｓｋが、１＞Ｒｓｋ＞０であり、ろう付け接合界面のボイドの面積率が３％以下である窒化珪素回路基板。 （もっと読む）

【課題】接合後の位置ズレが小さく、また、接合強度及び気密性が高く、中空部を有する場合でも中空部の寸法精度に優れた接合体が得られる炭化珪素焼結体の接合方法を提供する。
【解決手段】第一の炭化珪素焼結体１１と第二の炭化珪素焼結体１２とが金属珪素からなる接合層１４を介して接合された炭化珪素接合体であって、
前記第一の炭化珪素焼結体１１は、金属珪素層１３が形成される接合面１１ａを有し、前記第二の炭化珪素焼結体は、前記金属珪素層と当接する接合面１１ｂを有し、前記第一及び第二の炭化珪素焼結体の各接合面は、いずれも表面粗さＲａ０．６μｍ以下であって、前記金属珪素層が熱処理されてなる接合層１４を介して接合されたことを特徴とする炭化珪素接合体。 （もっと読む）

【課題】ひび割れの進展、および接着剤層の水分移動を極力抑制して、以て接着剤層の接着強度の向上を図る。
【解決手段】隔壁により仕切られ軸方向に貫通する多数の流通孔を有する多孔質ハニカムセグメント２が、接着剤層３を介して複数個結束されて構成されるセラミックハニカム構造体１であって、接着剤層３には、該接着剤層３を挟んで対向する２個のハニカムセグメント２、２の各被接着面２ａ、２ｂのいずれかに固設された突起部４が複数個埋設されている。接着剤層３に生じたひび割れは、突起部４に突き当たることによってその進展が阻まれるので、大きな割れ目に成長するのを未然に防ぐ。 （もっと読む）