【課題】脱脂後の成形体の搬送時において、成形体の割れや欠けを有効に防止できる焼結体の製造方法を提供すること。
【解決手段】原料粉末と樹脂材料とを加熱混練して成形用原料を得る工程と、成形用原料を射出成形して成形体を得る工程と、成形体から樹脂材料の一部を除去する第１脱脂工程と、残りの樹脂材料を除去する第２脱脂工程と、焼成工程と、を有し、樹脂材料はワックス、第１バインダおよび第２バインダを含有している。ワックスの熱分解温度は、第１バインダおよび第２バインダの熱分解温度よりも低く、第１バインダの熱分解温度は、第２バインダの熱分解温度よりも低い。第１脱脂工程において、第１バインダの流動開始温度以上、かつ第２バインダの熱分解温度未満の温度範囲とした後に、第１バインダの流動開始温度未満の温度まで冷却する。第２脱脂工程と焼成工程とは連続して行われる。 （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の作製に使用するターゲット等として好適に利用できる、新規な結晶型を有する酸化物を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、
Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測され、
かつ、２θが３０．６°〜３２．０°及び３３．８°〜３５．８°の位置に観測される回折ピークの一方がメインピークであり、他方がサブピークである、酸化物。 （もっと読む）

【課題】高価なガリウム（Ｇａ）を含有しない酸化物半導体膜製造用の酸化物焼結体を提供することを課題とする。また、当該酸化物焼結体と同一組成をもつ酸化物半導体薄膜を提供することを別の課題とする。
【解決手段】３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）と、３価の鉄イオン（Ｆｅ³⁺）と、２価のＸイオン（Ｘ²⁺）（但し、ＸはＣｕ、Ｚｎ、及びＦｅから選択される１種以上の元素を表す。）と、酸素イオン（Ｏ^2-）とからなる酸化物焼結体であって、３価のインジウムイオン（Ｉｎ³⁺）、３価の鉄イオン（Ｆｅ³⁺）、及び２価のＸイオン（Ｘ²⁺）の原子数比がそれぞれ、０．２≦（Ｉｎ³⁺）／｛（Ｉｎ³⁺）＋（Ｆｅ³⁺）＋（Ｘ²⁺）｝≦０．８、０．１≦（Ｆｅ³⁺）／｛（Ｉｎ³⁺）＋（Ｆｅ³⁺）＋（Ｘ²⁺）｝≦０．５、及び０．１≦（Ｘ²⁺）／｛（Ｉｎ³⁺）＋（Ｆｅ³⁺）＋（Ｘ²⁺）｝≦０．５を満たす酸化物焼結体及びこれと同一組成をもつ酸化物半導体薄膜。 （もっと読む）

【課題】異なる材料を含む主成分および副成分を含む誘電体磁器組成物同士の間で剥離が生じるのを抑制しつつ、同時に焼成することが可能な誘電体磁器組成物および積層型セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体磁器組成物は、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄を含む主成分と、副成分とを含む誘電体磁器組成物であり、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄を含む主成分原料と副成分原料とを混合した原料混合粉末を、酸素雰囲気下において８００℃以上９５０℃以下の温度で熱処理することにより得られ、Ｘ線回折において、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄の１０．０°から７０．０°の間におけるＸ線回折ピーク強度Ｉ_Aに対する、熱処理後の未反応なまま存在する副成分原料の１０．０°から７０．０°の間におけるＸ線回折ピーク強度Ｉ_Bのピーク強度比Ｉ_B／Ｉ_Aが、４０％以下である。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波誘電共振器（ＤＲ）に使用する従来技術に係る高Ｑ誘電体は高価な材料、すなわちＴａを使用すること、１５５０〜１６２０℃もの高い焼結温度、その他によって、非常に高価なものになっていた。
【課題を解決する手段】本発明のＴａを使用しない新規なセラミックはＢａ、Ｍｇ及びＮｂを含む。このセラミックは組成式Ｂａ_４−５ｘＭｇ_５ｘＮｂ_２＋ｙＯ_９で表される。ここで、０．３５＜ｘ≦０．４７及び−０．０５≦ｙ≦０．０１であり、また共振周波数の温度係数は−５〜＋６ｐｐｍ／℃の範囲である。このセラミックの焼結温度は従来技術の当該温度よりも大幅に低く、１３６０℃未満である。 （もっと読む）

【課題】金属の溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度なＩＧＺＯのスパッタリングターゲットが得られる製造方法およびスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】Ｉｎ_２Ｏ_３粉とＧａ_２Ｏ_３粉とＺｎＯ粉とを混合して混合粉末を作製する工程と、該混合粉末を加圧焼結する工程と、を有し、前記Ｉｎ_２Ｏ_３粉の比表面積をＡ（ｍ^２／ｇ）とし、前記Ｇａ_２Ｏ_３粉の比表面積をＢ（ｍ^２／ｇ）とし、前記ＺｎＯ粉の比表面積をＣ（ｍ^２／ｇ）としたとき、各比表面積を、Ａ≧１０，Ｂ≧１３，Ｃ≧５かつＡ／Ｃ≧２，Ｂ／Ｃ≧２の範囲に設定し、前記混合粉末の金属成分組成比を原子比で、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：Ｘ（０．８≦Ｘ≦５）に設定する。 （もっと読む）

【課題】組成変動を生じることなく、安定して優れた誘電特性を有することができる誘電体磁器組成物の製造方法および積層型セラミック電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体磁器組成物の製造方法は、主成分原料と副成分原料とを水で混合して原料混合粉末を得る原料混合粉末の作製工程と、前記原料混合粉末を酸素雰囲気下において熱処理する熱処理工程と、熱処理後、原料混合粉末にＬｉ₂Ｏを含むガラスを添加し、有機溶剤を用いて粉砕するガラス成分添加・粉砕工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】貫通孔内周面への凹み発生を低減できるグリーンシート積層体および絶縁基板の製造方法を提供する。
【解決手段】複数のセラミックグリーンシート１の配線基板領域１ａとそれぞれの配線基板領域周囲のダミー領域１ｂとに跨るように配置された貫通孔２を成形する工程と、複数のセラミックグリーンシートを積層加圧して積層体５を作製する工程を有し、貫通孔は間隔をあけて配置された２つの孔がダミー領域側から配線基板領域側へ、配線基板領域とダミー領域との境界線１ｃの延長線１ｄを跨いで延びると共に配線基板領域でつながった形状であるグリーンシート積層体の製造方法である。複数のセラミックグリーンシートを積層加圧した際に上下に配置される平板状の金属体または弾性体が、２つの孔の間の積層体によって支持されて平板状の金属体または弾性体が貫通孔内に入り込むことを抑制でき、貫通孔の開口縁に傾斜を低減できる。 （もっと読む）

【課題】高い熱電特性を発揮する熱電変換材料を提供する。
【解決手段】下記（Ｉ）式の組成式で表される熱電変換材料であって、Ｚｎ_{（１−ｘ−ｙ）}Ａｌ_ｘＭ_ｙＯ（Ｉ）（式中、元素Ｍはランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、プロメチウム（Ｐｍ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）、スカンジウム（Ｓｃ）、イットリウム（Ｙ）、マグネシウム（Ｍｇ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタニウム（Ｔｉ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）からなる群から選択されるものであり、ｘ＞０であり、ｙ＞０であり、ｘ＋ｙ＜０．１である）前記熱電変換材料の相対密度が９０％以上であるもの。 （もっと読む）

【課題】 高い熱電特性を発揮する熱電変換材料を提供すること。
【解決手段】 本発明の一つの態様によれば複合材料が提供され、その複合材料は、Ｚｎ
Ｏ結晶を主成分とし、ＺｎＯ結晶中にＡｌが固溶されてなる複合材料であって、前記複合
材料は下記式（Ｉ）の組成式で表されるものであり、
Ｚｎ（１−ｘ−ｙ）ＡｌｘＯ （Ｉ）
（式中、Ｚｎは亜鉛であり、Ａｌはアルミニウムである）
複合材料の相対密度が９０％以上であり、ＺｎＡｌ２Ｏ４で表される亜鉛とアルミニウム
との酸化物のＸ線回折測定による相対強度が、ＺｎＯのＸ線回折測定による相対強度を１
としたときに、０．１未満であることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】第１酸化物粉末と第２酸化物粉末とを混合して作られた蒸着材において、
第１酸化物粉末がＭｇＯ粉末であって、第１酸化物粉末の第１酸化物純度が９８％以上であり、第２酸化物粉末がＺｎＯ粉末であって、第２酸化物粉末の第２酸化物純度が９８％以上であり、蒸着材が第１酸化物粒子と第２酸化物粒子を含有するペレットからなり、蒸着材中の第１酸化物と第２酸化物との比率が５〜８５：９５〜１５であり、かつ、ペレットの塩基度が０．１以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制し安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、金属又は合金用のエッチング液であるリン酸系エッチング液でもエッチング可能な透明導電膜が得られるターゲットを提供する。
【解決手段】インジウム、錫、亜鉛、酸素を含有し、六方晶層状化合物、スピネル構造化合物及びビックスバイト構造化合物を含むことを特徴とするスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】加工後に熱処理等を行わなくとも形状精度のよいスパッタリングターゲットが得られ、ＤＣスパッタリング法でも連続的に安定放電が可能で、適切な絶縁性を有する透明性膜が得られる酸化亜鉛焼結体を提供する。
【解決手段】亜鉛以外の金属含有量が０．１重量％未満、ＢＥＴ比表面積が２〜２０ｍ^２／ｇ、粉末かさ密度０．５〜１．８ｇ／ｃｍ^３の酸化亜鉛粉末を成形し、焼成する際に、焼結温度が９００〜１２５０℃、酸素が１０体積％以下の不活性雰囲気下でガス流量パラメータが８０００以上で焼成することにより、亜鉛以外の金属含有量が０．１重量％未満、２５℃での体積抵抗が１．０×１０^５Ωｃｍ以下の酸化亜鉛焼結体を製造し、それをスパッタリングターゲットとして用いて、ＤＣスパッタリング法により透明性膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】下記に示す酸化物Ａと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。
酸化物Ａ：インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成して得ることを可能としつつ、焼結性を確保し、抗折強度を維持すると共に、優れた誘電特性を有する誘電体磁器、誘電体磁器の製造方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】誘電体磁器は、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄を含む主成分と、亜鉛酸化物及びガラス成分を含む副成分とを含み、Ｘ線回折において、主相であるＭｇ₂ＳｉＯ₄の２θが３６．０°から３７．０°の間におけるＸ線回折ピーク強度Ｉ_Aに対する、未反応なまま存在する亜鉛酸化物の２θが３１．０°から３２．０°及び３３．０°から３４．０°におけるＸ線回折ピーク強度Ｉ_Bのピーク強度比Ｉ_B／Ｉ_Aが１０％以下であると共に、相対密度が９６％以上である。 （もっと読む）

【課題】低温で焼成して得ることを可能としつつ、焼結性を確保し、優れた誘電特性を有する誘電体磁器、誘電体磁器の製造方法及び電子部品を提供する。
【解決手段】本発明に係る誘電体磁器組成物は、Ｍｇ₂ＳｉＯ₄を含む主成分と、亜鉛酸化物及びガラス成分を含み、かつアルミニウム酸化物とチタン酸化物との何れか一方又は両方を含む副成分とを含む。 （もっと読む）

【課題】ガラスやセラミックスなどマトリックス材料と金属粒子とを混合して焼結させた電気抵抗材料について、抵抗温度係数を制御する。
【解決手段】金属材料として、抵抗温度係数が異なる二種類以上の金属材料の粒子を混合して用い、その混合した金属材料とマトリックス材料とを、それら金属材料を化合や発熱反応をさせない温度で焼結させる。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法による透明導電膜の製膜時のノジュールの発生を抑止して安定性よく製膜することのできるスパッタリングターゲットおよびその製造法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムと酸化ガリウムおよび酸化亜鉛からなる金属酸化物の焼結体であって、該金属酸化物がＩｎ_２Ｏ_３（ＺｎＯ）_ｍ〔ただし、ｍは２〜１０の整数である。〕、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７、ＩｎＧａＺｎＯ_４、ＩｎＧａＺｎ_２Ｏ_５、ＩｎＧａＺｎ_３Ｏ_６、ＩｎＧａＺｎ_４Ｏ_７、ＩｎＧａＺｎ_５Ｏ_８、ＩｎＧａＺｎ_６Ｏ_９およびＩｎＧａＺｎ_７Ｏ_１０の群から選択される１種または２種以上の六方晶層状化合物を含有し、かつ、酸化インジウム９０〜９９質量％、酸化ガリウムと酸化亜鉛の合計１〜１０質量％の組成を有する焼結体からなるスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】Ｃｒ_２Ｏ_３を含有した酸化物スパッタリングターゲットであっても、防着板からのｄｅｐｏ膜の剥がれ落ちを抑制可能な酸化物スパッタリングターゲットおよびこれを用いて成膜された光記録媒体用酸化物膜を提供すること。
【解決手段】ＺｎＯおよびＣｒ_２Ｏ_３を含有する酸化物スパッタリングターゲットであって、さらにＳｉＯ_２を含有し、不可避不純物を除いた全金属成分量に対する原子比で、Ｚｎ：ｐ％、Ｃｒ：ｑ％およびＳｉ：１００−ｐ−ｑ％とされており、これらの成分組成が、３３≦ｐ≦９０、８≦ｑ≦６５、８５≦（ｐ＋ｑ）≦９９の関係を満たしている。 （もっと読む）

【課題】高い電圧が印加された場合であっても、過大電流が発生し難いセラミックス体を提供する。
【解決手段】ＡｌおよびＯを含むセラミックス体であって、第３遷移元素（Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ）および第４遷移元素（Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ）から選ばれた少なくとも１種以上の特定遷移元素の酸化物を含有し、体積固有抵抗値が１．０×１０^１３〜１．０×１０^１５Ω・ｃｍであり、かつ、表面の少なくとも一部において、表面抵抗率が１０^１０〜１０^１５Ωであるセラミックス体。 （もっと読む）