【課題】Ｇａの含有量がＩｎの含有量に比べ低い領域において、単一の結晶構造を主成分として有するスパッタリングターゲットに使用できる焼結体を提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを０．２８≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．３８、０．１８≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．２８の原子比で含む酸化物であって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）で表されるホモロガス結晶構造を有する化合物を主成分とする酸化物からなる焼結体。 （もっと読む）

【課題】長期に渡る成膜を行った際に、得られる薄膜の特性の安定性に優れたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｚｎ、及びＧａを含み、表面と内部の化合物の結晶型が実質的に同一である酸化物焼結体からなり、下記（ａ）〜（ｅ）の工程で製作されたスパッタリングターゲット。（ａ）原料化合物粉末を混合し、調製（ｂ）混合物６．０ｍｍ以上に成形（ｃ）３℃／分以下で昇温（ｄ）１２８０〜１５２０℃で２〜９６時間（ｅ）表面を０．２５ｍｍ以上研削 （もっと読む）

【課題】還元処理を行わなくても比抵抗が低い、酸化物半導体膜形成用のターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。さらにＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子比が下記の式を満たす、酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。０．２０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．７００．０１≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．５００．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．６０ （もっと読む）

【課題】酸化物薄膜の作製に使用するターゲット等として好適に利用できる、新規な結晶型を有する酸化物を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、
Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測され、
かつ、２θが３０．６°〜３２．０°及び３３．８°〜３５．８°の位置に観測される回折ピークの一方がメインピークであり、他方がサブピークである、酸化物。 （もっと読む）

【課題】強度の高い酸化インジウム−酸化亜鉛系スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有する焼結体の製造において、製造に用いるＺｎＯ粉末の出発原料又は解砕後の最大粒径を３μｍ以下に抑えることにより、焼結体中の結晶のグレインサイズを均一化とし、結晶のグレインサイズの短径を３μｍ〜５μｍ、長径を５μｍ〜１０μｍである焼結体。 （もっと読む）

【課題】高さ寸法が比較的高くかつ相対密度が抑制された酸化亜鉛系酸化物ペレットを歩留まりよく量産可能な製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉を湿式混合かつ噴霧乾燥して第一造粒粉を製造する第一工程、第一造粒粉を仮焼して仮焼粉を製造する第二工程、仮焼粉と未仮焼原料粉を湿式混合かつ噴霧乾燥して第二造粒粉を製造する第三工程、第二造粒粉を加圧して圧粉体を製造する第四工程、圧粉体を破砕して成形体用粉末を製造する第五工程、成形体用粉末を加圧成形して成形体を製造する第六工程、成形体を焼成して酸化亜鉛系酸化物ペレットを製造する方法であって、第四工程の第二造粒粉に対する加圧条件を50MPa以上150MPa以下に設定して第五工程で製造される成形体用粉末の嵩密度が1.4g/cm³以上2.0g/cm³以下となるようにし、第六工程の成形体用粉末に対する加圧条件が100MPa以上200MPa以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制することが可能なスパッタリングターゲット、及びそれを用いた膜の製造方法を提供する。またそのようなターゲットとして使用可能な複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】主として亜鉛、元素Ｍ（Ｍはアルミニウム及び／またはガリウム）、チタン及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、原子比が、
（Ｍ＋Ｔｉ）／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００４〜０．０６
Ｍ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０５８
Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０５８
であり、焼結体が主として酸化亜鉛を含有し平均粒径が２０μｍ以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子、及び元素Ｍおよびチタンを含有し平均粒径が５μｍ以下のＺｎＴｉＯ_３型類似構造を有する粒子等からなる。その焼結体をターゲットとして用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】酸化インジウムを成分とする高密度酸化物焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムを成分とする酸化物焼結体にスズを適切濃度添加することで、酸化粒焼結体の密度を高くすることができることを見出し、添加元素としてスズを含有するＩｎ_２Ｏ_３焼結体であって、スズの原子数が、焼結体中の全金属元素の原子数の総和に対する比率として０．０１〜０．２％添加することにより、相対密度が９８％以上となることを特徴とするスズ含有Ｉｎ_２Ｏ_３焼結体。 （もっと読む）

【課題】量産時の連続スパッタリング工程においても、非エロージョン部に堆積した付着膜がターゲット表面から剥がれにくく、ノジュールやアーキングの生じにくい焼結体ターゲットの提供。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とした薄膜製造用焼結体ターゲットにおいて、ベースとなる焼結体ターゲットのスパッタ面に、ｃ軸配向した酸化亜鉛を主成分とした薄膜が膜厚２０ｎｍ以上のシード膜として形成されていることを特徴とする薄膜製造用焼結体ターゲット；酸化亜鉛を主成分とした薄膜製造用焼結体ターゲットの製造方法において、ベースとなる焼結体ターゲットのスパッタ面に、組成が、該焼結体ターゲットの組成と実質的に同じであるシード膜形成用ターゲットを用いて、スパッタリング法で、ｃ軸配向した酸化亜鉛を主成分としたシード膜を２０ｎｍ以上の厚さに成膜することを特徴とする薄膜製造用焼結体ターゲットの製造方法などによって提供。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉイオン伝導性に優れるイオン伝導性セラミックス材料を提供する。
【解決手段】Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｎ及びＨｆからなる群から選択される１種又は２種以上の元素を結晶構造内に有するＬｉ−β−アルミナ系セラミックス材料。上記元素を含むことで、良好なＬｉイオン伝導性を発揮するセラミックス材料。 （もっと読む）

本発明は、酸化スズを主要構成要素として有し、１種類が酸化アンチモンである少なくとも２種類の別の酸化物０．５から１５ｗｔ％を有するセラミック体を含むスパッタリングターゲットを記述する。ターゲットは、理論密度（ＴＤ）の少なくとも９０％、好ましくは少なくとも９５％の密度を有し、５０Ω・ｃｍ未満の電気抵抗率を有する。ターゲットは、平面または回転構造を有し、スパッタリング面積が少なくとも１０ｃｍ^２、好ましくは少なくとも２０ｃｍ^２である。このスパッタリングターゲットを製造するプロセスであって、酸化スズと少なくとも２種類の別の酸化物とを含むスラリーを用意するステップ、スラリーから未焼成体を成形し、未焼成体を乾燥させるステップ、未焼成体を１０５０から１２５０℃の温度で焼成し、それによって予備成形ターゲットを得るステップ、および予備成形ターゲットを粉砕してその最終寸法にするステップを含むプロセスも記述する。 （もっと読む）

【課題】比抵抗が非常に低く、耐湿熱性試験後の比抵抗の変化率が極めて小さくて耐湿熱性に優れた酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット及びこれを用いて製造した透明導電性酸化亜鉛系薄膜を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛にガリウムおよびインジウムを含有させた焼結体からなる透明導電性酸化亜鉛系薄膜製造用のイオンプレーティング用ターゲット及びこれを用いて製造した透明導電性酸化亜鉛系薄膜であって、ガリウム元素とインジウム元素の質量比率（Ｉｎ／Ｇａ）は０．０１以上０．６以下、且つ、ウルツ鉱型単一相の結晶構造を有するものであり、透明導電性薄膜は、耐湿熱性を損なう原因となる格子間亜鉛及び亜鉛欠損を減少させ、可視光に対する吸収係数αを小さくし、吸収係数が極小となる波長領域を視感度に有効な５００〜６００ｎｍにシフトさせたものである。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、低電力損失レベルを有する高電界バリスタ材料を提供することである。前記バリスタ材料が、他の電気特性、すなわち、特に、非線形電流−電圧曲線（または電流密度−電界強度曲線のそれぞれ）、インパルス挙動、及び耐用寿命の安定性に関する優れた性能を有することがさらなる目的である。
【解決手段】ＺｎＯ相を形成するＺｎＯ、及び粒界の酸化ビスマス相を形成するＢｉ₂Ｏ₃として表されるＢｉを含み、スピネル相をさらに含む、サージアレスタ用バリスタ材料であって、該バリスタ材料に含まれるパイロクロア相の量が、該スピネル相に対する該パイロクロア相の比が０．１５未満となる量であることを特徴とする、バリスタ材料。 （もっと読む）

【課題】短時間で、セラミック焼結体の焼結密度を求めることが可能であるとともに、セラミック焼結体のサイズが非常に小さい場合や、セラミック焼結体が、セラミック以外の材料からなる部材、例えば内部導体などを備えている場合にも焼結密度を効率よく測定することが可能なセラミック焼結体の焼結密度の測定方法を提供する。
【解決手段】(ａ)開気孔を有し、焼結密度を測定する対象である被検試料と組成が同じで、焼結密度が判明しているセラミック焼結体を用意し、その比表面積をＢＥＴ法により測定して、焼結密度と比表面積との関係を表す検量線を作成するとともに、(ｂ)被検試料である、開気孔を含むセラミック焼結体の比表面積をＢＥＴ法により測定し、(ｃ)前記検量線を用いて、前記被検試料の焼結密度を求める。
上記方法により、セラミック以外の材料からなる部材、例えば、内部導体を備えたセラミック焼結体の焼結密度を測定する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法により透明導電性酸化物を成膜する際のノジュールの発生を抑制し、安定にスパッタリングを行うことのできるターゲット、このようなターゲットからなる透明導電性酸化物、およびこのようなターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ）で表わされる原子比が、０．７５〜０．９７の範囲であるとともに、Ｉｎ₂Ｏ₃ （ＺｎＯ）_ｍ（ただし、ｍは２〜２０の整数である。）で表される六方晶層状化合物を含有し、かつ、該六方晶層状化合物の結晶粒径が５μｍ以下の値であるスパッタリングターゲットから成膜してなる透明導電性酸化物。 （もっと読む）

【課題】可視光領域だけでなく赤外領域においても透過性に優れ、耐熱性の高い酸化物透明導電膜、その膜を成膜しうるスパッタリングターゲット、そのターゲットに使用しうる複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】主として、亜鉛、アルミニウム、マグネシウム及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、
・焼結体中の元素の原子比が、Ａｌ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｍｇ）＝０．００５〜０．１、Ｍｇ／（Ｚｎ＋Ａｌ＋Ｍｇ）＝０．００１〜０．０５であり、
・焼結体が酸化亜鉛を含有し平均粒径が１０μｍ以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子（ａ）と、アルミニウムを含有し平均粒径が５μｍ以下のスピネル構造を有する粒子（ｂ）からなる
焼結体から成るスパッタリングターゲットを用いて成膜する。 （もっと読む）

【課題】ノジュールの発生を抑制できる導電性酸化物を提供する。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質の導電性酸化物であって、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、窒素の濃度が７×１０¹⁹（ａｔｏｍ／ｃｃ）以上であることを特徴とする。インジウムの濃度とガリウムの濃度と亜鉛の濃度との合計の濃度に対するインジウムの濃度の比が０．３以上０．６以下であることが好ましい。導電性酸化物は、スパッタリング法のターゲットに用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】高い屈折率とともに高い発光効率を有する透光性セラミックを提供する。
【解決手段】 ペロブスカイト型化合物ＡＢＯ₃（ただし、ＡはＢａを含む）を主成分とし、希土類元素Ｒ（ＲはＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂから選ばれる少なくとも一種）を含む組成を有する透光性セラミックであり、希土類元素ＲがＡサイトに含まれる。 （もっと読む）

グリーン膜及びその後の焼結に供して作成される多孔被覆高密度焼結セラミック膜であって、前記膜は、塗布とそれに続く熱処理によって作成される特定の濃度の貴金属を含むセラミック材料で被覆されており、被覆中０．２乃至５質量％の貴金属が含まれている。 （もっと読む）

本発明は高温耐性の基部を具えるモジュール型部品に関連しており、当該高温耐性基部は、セラミックキャピラリ膜を導入するための少なくとも１の貫通路、及び金属又はセラミックの底部と少なくとも１のセラミックキャピラリ膜との間に十分な気密と高温耐性の接合部として形成される少なくとも１のポッティングを有する少なくとも１の金属又はセラミック底部を有している。少なくとも１の金属又はセラミック底部の少なくとも１の貫通穴は、金属又はセラミック底部の少なくとも一面上に十分な気密と高温耐性の接合に対応するための拡張部を有している。 （もっと読む）