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Fターム[4G030AA32]の内容

酸化物セラミックスの組成 (35,018) | 成分 (15,407) | 第1b〜2b族元素酸化物 (913) | 酸化亜鉛 (605)

Fターム[4G030AA32]に分類される特許

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【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】第1酸化物粉末と第2酸化物粉末とを混合して作られた蒸着材において、
第1酸化物粉末がSiO2粉末であって、第1酸化物粉末の第1酸化物純度が98%以上であり、第2酸化物粉末がZnO、MgO及びCaOからなる群より選ばれた1種の粉末又は2種以上の混合粉末であって、第2酸化物粉末の第2酸化物純度が98%以上であり、蒸着材が第1酸化物粒子と第2酸化物粒子を含有するペレットからなり、蒸着材中の第1酸化物と第2酸化物とのモル比が5〜85:95〜15であり、かつ、ペレットの塩基度が0.1以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高屈折率でありかつ光メディアの保存性を十分に確保できる光メディアの干渉層をDCスパッタリングにより製造可能なスパッタリングターゲット、及び、スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】45〜90mol%のTiOと、残部のZnOと、からなり、比抵抗が0.001Ωcm〜1Ωcmである光メディア用スパッタリングターゲットを提供する。また、45〜90mol%のTiOと、残部のZnOと、からなる組成を有する原料粉体を不活性雰囲気中または真空中で焼成する工程を備える光メディア用スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をX線回折したとき、Zn2SnO4相を主相とし、ZnSnO3にInおよび/またはIn23が固溶したIn/In23−ZnSnO3固溶体を有し、ZnxInyz相(x、y、zは任意の正の整数である)は検出されないものである。 (もっと読む)


【課題】焼成により生じる表面変質層が極力少ないIGZO焼結体を提供する。
【解決手段】酸化インジウム粉末、酸化ガリウム粉末、及び酸化亜鉛粉末を含む混合粉体を成形し、得られた成形体を焼成することによりIGZO焼結体を製造するに際し、成形体の焼成は、成形体を、所定の開口部以外の部分は密閉された容器内に配置して行うようにする。さらには、該容器内に、酸化亜鉛粉末を敷いて焼成を行うようにする。これにより、焼成時において表面に生じるInGaZnを含む表面変質層の厚さが1mm以下となる。 (もっと読む)


【課題】低温焼結特性を備え、純銀を内部電極に使用した多層チップ型ZnOバリスタの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のZnOバリスタの製造方法は、十分な半導性を有するドープZnO粒子を調製するステップと、高インピーダンス焼結材料(またはガラス粉末)を別に調製するステップと、最後に前記ドープZnO粒子と前記高インピーダンス焼結材料を所定の比率でよく混合し、多層ZnOバリスタ(または積層バリスタ(Multilayer varistor、MLV)とも呼ばれる)の従来の作製手法に従って、850℃〜900℃の低温焼結温度下で純銀を内部電極として使用したZnOバリスタを作製するステップを含む。 (もっと読む)


【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、ニオブおよび/またはタンタルおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、ニオブおよび/またはタンタルが原子数比でX/(Zn+X)=0.02以上0.1以下(式中、Xはニオブおよび/またはタンタル)となるよう含有されている。 (もっと読む)


【課題】優れた導電性と成膜時に異常放電を抑制した透明導電膜の成膜を可能にするチタン(低原子価)ドープ酸化亜鉛系透明導電膜形成材料を提供する。
【解決手段】低原子価酸化チタン粉と酸化亜鉛粉もしくは水酸化亜鉛粉との混合粉、またはチタン酸亜鉛化合物粉を含み、チタンの原子数の全金属原子数に対する割合が2%超10%以下である原料粉末を用いて、真空中または不活性雰囲気中にて700℃以上1200℃以下の焼結温度で放電プラズマ焼結を行う。 (もっと読む)


【課題】実用に耐えうる導電性を保ちながら、かつ耐候性を備え、パターニングの際に適当なエッチングレートを有する透明導電膜を成膜するためのターゲットに用いることができる酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、モリブデンおよび酸素からなる酸化物焼結体であって、モリブデンが原子数比でMo/(Zn+Mo)=0.02以上0.1以下となるよう含有されている。 (もっと読む)


【課題】低抵抗率で、かつ、抵抗率の膜厚依存性及び基板上での抵抗率分布が少ない酸化亜鉛を母材とする透明導電膜およびその製造用技術並びに薄膜製造用酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明のある態様の酸化亜鉛系透明導電膜は、実質的に亜鉛、ガリウム、スズおよび酸素からなり、ガリウムをGa/(Zn+Ga+Sn)の原子比で1%を超え8%未満の割合で含有し、且つスズをSn/(Zn+Ga+Sn)の原子比で0.1%を超え1%未満の割合で含有する。 (もっと読む)


【課題】結晶配向セラミックスの成長のシードとして好適に用いられる鉛系圧電材料を提供する。
【解決手段】上記課題は、粒子状の鉛系圧電材料であって、メジアン径が1μm未満であり、[算術偏差/平均]で表される粒度分布が15%以下であり、全粒子のうち85%以上が立方体形状を有する鉛系圧電材料によって解決される。 (もっと読む)


【課題】本発明は、簡便な工程により優れた分散性を実現でき、かつ、水分含有量が少ないグリーンシートを製造することが可能なスラリー組成物の製造方法を提供する。また、該スラリー組成物の製造方法を用いて製造したスラリー組成物を提供する。
【解決手段】無機粉末、ポリビニルアセタール樹脂及び有機溶剤を含有するスラリー組成物の製造方法であって、無機粉末、ポリビニルアセタール樹脂(A)及び無機分散用有機溶剤を添加、混合して無機分散液を作製する工程、ポリビニルアセタール樹脂(B)及び樹脂溶液用有機溶剤を添加、混合して樹脂溶液を作製する工程、及び、前記無機分散液に樹脂溶液を添加する工程を有し、前記ポリビニルアセタール樹脂(A)は、重合度が20〜600、かつ、水酸基量が47.5〜60モル%であり、前記ポリビニルアセタール樹脂(B)は、重合度が800〜4200、かつ、水酸基量が28〜42モル%であり、前記無機分散液を作製する工程において、前記ポリビニルアセタール樹脂(A)を無機粉末100重量部に対して0.1〜20重量部添加するスラリー組成物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】異常放電を抑制できるスパッタリングターゲット及び成膜方法を提供し、またそのようなターゲットとして使用可能な複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】主にZn、Al、Ti及びOから構成され、原子比で(Al+Ti)/(Zn+Al+Ti)=0.004〜0.055、Al/(Zn+Al+Ti)=0.002〜0.025、Ti/(Zn+Al+Ti)=0.002〜0.048、主に酸化亜鉛を含有し平均粒径が20μm以下の六方晶ウルツ型構造を有する粒子、及びAl及びTiを含有し平均粒径が5μm以下のZnTiO類似構造及び/又はZnTi類似構造を有する粒子で、ZnとAlが固溶したアルミニウム酸亜鉛のスピネル酸化物構造を有する粒子を含有しないもの、からなる複合酸化物焼結体、及びそれからなるスパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】蒸発速度、成膜速度を向上して製造コストを低減する。
【解決手段】ZnO蒸着材は、ZnOの多孔質焼結体からなり、その焼結体が0.1〜500μmの範囲の平均気孔径を有する。その多孔質焼結体は3〜50%の範囲の気孔率を有することが好ましく、1〜500μmの範囲の平均結晶粒径を有する粒子の焼結体であることが更に好ましい。その製造方法は、純度が99.0%以上あって平均粒径が0.1〜10μmであるZnO粉末とバインダと有機溶媒とを混合してZnO粉末の濃度が45〜75重量%のスラリーを調製する工程と、そのスラリーに気体を吹込んで混入することによりガス含有スラリーを得る工程と、そのガス含有スラリーを噴霧乾燥して平均粒径が50〜300μmの造粒粉末を得る工程と、その造粒粉末を成形して成形体を得る工程と、その成形体を所定の温度で焼結してZnO多孔質焼結体を得る工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】圧電特性が良好なBi系圧電材料を提供する。
【解決手段】下記一般式(1)で表されるペロブスカイト型金属酸化物からなる圧電材料。


(式中、AはBi元素または3価の金属元素から選択される少なくともBi元素を含む1種類以上の元素を表す。MはFe、Al、Sc、Mn、Y、Ga、Ybのうちの少なくとも1種の元素を表す。0.9≦x≦1.25、0.4≦j≦0.6、0.4≦k≦0.6、0.09≦l≦0.49、0.19≦m≦0.64、0.13≦n≦0.48、l+m+n=1である。) (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜を成膜する成膜技術を提供することを課題の一とする。また、その酸化物半導体膜を用いた信頼性の高い半導体素子を作製する方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】成膜に用いるスパッタリングターゲットの中の不純物であるアルカリ金属、アルカリ土類金属、及び水素を排除することにより得られる新規なスパッタリングターゲットを用いれば、これらの不純物の含有量の少ない酸化物半導体膜を成膜することができる。 (もっと読む)


【課題】色むらの少ない着色粒状物を提供する。
【解決手段】ガラスフリットを含むコーティング材Cとコア粒子Bとを混合する。前記コーティング材Cと前記コア粒子Bとの混合物Mを焼成して前記コア粒子Bの表面に前記コーティング材Cを溶着することによって、前記コア粒子Bの表面に着色層Tを形成した着色粒状物Aに関する。前記コア粒子のみを焼成し、焼成後のコア粒子内のL*a*b表色系における色差が3以下である。焼成時の熱でコア粒子Bの変色を少なくし、コア粒子Bの変色が着色層Tの発色に及ぶのを少なくすることができる。 (もっと読む)


【課題】薄い膜厚(200nm以下)で抵抗率が低いZnO系薄膜を、安定したDCスパッタで得られるZnO系ターゲットを提供すること、およびそれを用いて形成される抵抗の低いZnO系透明導電膜を提供すること。
【解決手段】Znを含む酸化物相と、AlおよびTiを含む金属間化合物相と、を備え、前記酸化物相中に前記金属間化合物相が分散していることを特徴とするZnO系スパッタリングターゲットにより、前記課題を解決したものである。 (もっと読む)


【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】第1酸化物粉末と第2酸化物粉末とを混合して作られた蒸着材において、第1酸化物粉末がY23粉末であって、第1酸化物粉末の第1酸化物純度が98%以上であり、第2酸化物粉末はZnO、MgO及びCaOからなる群より選ばれた1種の粉末又は2種以上の混合粉末であって、第2酸化物粉末の第2酸化物純度が98%以上であり、蒸着材が第1酸化物粒子と第2酸化物粒子を含有するペレットからなり、蒸着材中の第1酸化物と第2酸化物との比率が5〜85:95〜15であり、かつ、ペレットの塩基度が0.1以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】透明性及びガスバリア性に優れた薄膜の形成に好適な蒸着材及び該薄膜を備える薄膜シート並びに積層シートを提供する。
【解決手段】第1酸化物粉末と第2酸化物粉末とを混合して作られた蒸着材において、上記第1酸化物粉末がZnO粉末であって、この第1酸化物粉末の第1酸化物純度が98%以上であり、上記第2酸化物粉末がCaO粉末であって、この第2酸化物粉末の第2酸化物純度が98%以上であり、蒸着材が第1酸化物粒子と第2酸化物粒子を含有するペレットからなり、蒸着材中の第1酸化物と第2酸化物との比率が5〜85:95〜15であり、かつ、ペレットの塩基度が0.1以上であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】表示装置用酸化物半導体膜の成膜に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と;酸化スズと;Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Gaおよび希土類元素よりなる群から選択される少なくとも一種の金属(M金属)の酸化物の各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、酸化物焼結体をX線回折したとき、Zn2SnO4化合物は検出されるが、スピネル型化合物であるZnMXy相およびMXy相(x、yは任意の整数である)は検出されないものである。 (もっと読む)


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