【課題】低温焼結が可能で、高周波領域での誘電損失が低く、メッキ耐食性に優れたセラミックス焼結体を得ることが可能なセラミックス組成物、該組成物から得られるセラミックス焼結体、及び該焼結体を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】固相反応法により合成されたディオプサイド結晶粉末１００質量部に対し、ＳｒＴｉＯ_３粉末を６〜１９質量部、Ａｌ成分を酸化物換算で１．４〜６質量部、Ｌｉ成分を酸化物換算で０．３〜０．９質量部、Ｂ成分を酸化物換算で１．６〜３．２質量部、Ｚｎ成分を酸化物換算で３．２〜５．１質量部、Ｃｕ成分を酸化物換算で０．５〜０．９質量部、Ａｇ成分を酸化物換算で０〜３質量部、Ｃｏ成分を酸化物換算で０〜４．５質量部含有するセラミックス組成物。該組成物を用いて、セラミックス焼結体及び電子部品を得る。 （もっと読む）

【課題】粗大な粒子が存在しない焼結体の製造に適した一酸化チタン粉末等の低原子価酸化チタン粉末、及びそれを用いて製造した酸化亜鉛系焼結体を提供する。
【解決手段】ＢＥＴ比表面積が１ｍ^２／ｇ以上１０ｍ^２／ｇ以下であり、レーザー回折・散乱法により測定した粒度分布における積算体積分率９０％粒径が５μｍ以下である一酸化チタン粉末等の低原子価酸化チタン粉末は、粉砕ボール径が１ｍｍφ以上１０ｍｍφ以下であるボールミルにより粉砕処理が施された後、目開きが５０μｍ以上１２０μｍ以下の篩にかけて選別されたものである。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有し、しかも、非常に優れた面内均一性をする酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体をＸ線回折し、２θ＝３４°近傍のＸＲＤピークの強度をＡ、２θ＝３１°近傍のＸＲＤピークの強度をＢ、２θ＝３５°近傍のＸＲＤピークの強度をＣ、２θ＝２６．５°近傍のＸＲＤピークの強度をＤで表したとき、下記式（１）を満足する。
［Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）］×１００≧７０ ・・・ （１） （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体に対してＥＰＭＡによる面内組成マッピングを行なったとき、測定面積中に占める、Ｓｎ濃度が１０〜５０質量％の領域の比率が７０面積％以上である。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能であり、特に、直流スパッタリング法で製造してもノジュールが発生し難く、長時間安定して放電することが可能な直流放電安定性に優れた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、ビッカース硬度が４００Ｈｖ以上である。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ特性の均一性、ＴＦＴ特性の再現性及びＴＦＴの歩留りが良好なＴＦＴパネルが得られる複合酸化物焼結体、及びそれからなるスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】Ｉｎ、Ｚｎ及びＳｎを含み、焼結体密度が相対密度で９０％以上であり、平均結晶粒径が１０μｍ以下であり、バルク抵抗が３０ｍΩｃｍ以下であり、直径１０μｍ以上の酸化スズの凝集粒子数が、１．００ｍｍ^２あたり２．５個以下である複合酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であり、前記酸化物焼結体をＸ線回折し、２θ＝３４°近傍のＸＲＤピークの強度をＡ、２θ＝３１°近傍のＸＲＤピークの強度をＢ、２θ＝３５°近傍のＸＲＤピークの強度をＣ、２θ＝２６．５°近傍のＸＲＤピークの強度をＤで表したとき、下記式（１）を満足する。
７０＞［Ａ／（Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ）］×１００≧１０ ・・・ （１） （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットであって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能であり、特に、直流スパッタリング法で製造しても長時間安定して放電することが可能な直流放電安定性に優れた酸化物焼結体およびスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と；酸化スズと；Ａｌ、Ｈｆ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｉｎ、およびＴａよりなる群から選択される少なくとも１種の金属（Ｍ金属）の酸化物と、を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、面内方向および深さ方向の比抵抗をガウス分布で近似したとき、上記比抵抗の分散係数σが０．０２以下である。 （もっと読む）

【課題】 Ｌａ原子及びＯ原子を有し、着色がない光学部材用の組成物及び、透明な光学部材を提供することを目的とする。
【解決手段】 Ｌａ原子及びＯ原子を有する光学部材用の組成物において、前記組成物がさらに、Ｃａ原子、Ｍｇ原子、Ｂａ原子、Ｓｒ原子、Ｚｎ原子からなる群Ａから選ばれる少なくとも１種の原子と、Ｔａ原子、Ｎｂ原子からなる群Ｂから選ばれる少なくとも１種の原子と、を有し、前記組成物の有する原子の総和を１００ｍｏｌ％としたときに、前記Ｌａ原子と、前記Ｏ原子と、前記群Ａから選ばれる少なくとも１種の原子と、前記群Ｂから選ばれる少なくとも１種の原子の総和が９９ｍｏｌ％以上であることを特徴とする光学部材用の組成物。 （もっと読む）

【課題】予備スパッタ工程に要する時間を短縮化し、そのばらつきも小さくなるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲットは、酸化亜鉛を主成分とする焼結体からなり、焼結体の表面の水との接触角が８０°以下である。これは、アセトン又はアルコールを用いて表面が洗浄されることによる。そして、この洗浄後、湿度が４０〜８０％、温度が室温から１００℃以下の環境化で１時間以上静置されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低抵抗な透明導電膜を得ることが可能で、耐異常放電性を有する焼結密度の高いＺｎＯ系焼結ターゲットを提供すること。
【解決手段】
Ｇａ_２Ｏ_３及び／又はＡｌ_２Ｏ_３を含むＺｎＯ系粉体に、Ｂ_２Ｏ_３を０．４ｗｔ％以下を添加したことを特徴とするＺｎＯ系ターゲット。Ｇａ_２Ｏ_３及び／又はＡｌ_２Ｏ_３を含むＺｎＯ粉体にＢ_２Ｏ_３粉体を混合した後、７００〜１０００℃で仮焼結し、仮焼結体を粉砕後プレス成形した後、１２００℃超の温度で焼結することを特徴とするＺｎＯ系焼結ターゲットの製造方法。 （もっと読む）

【課題】焼結性を向上させることができると共に耐還元性を付与することができ、しかも比誘電率を高めることができる積層セラミックコンデンサを提供する。
【解決手段】積層セラミックコンデンサ１は、積層された複数の誘電体セラミック層２と、これらの誘電体セラミック層間に配置された内部電極３Ａ３Ｂと、これらの内部電極に電気的に接続された外部電極４Ａ４Ｂと、を備え、上記誘電体セラミック層は、組成式（Ｋ_１−ｙＮａ_ｙ）Ｓｒ_２Ｎｂ_５Ｏ_１５（但し、０≦ｙ＜０．２）で表されるタングステンブロンズ型複合酸化物を主成分として含む誘電体セラミック組成物によって形成されていると共に、上記組成式中のＮｂの２０モル％以下が副成分で置換されており、上記副成分として、Ｍｎが含まれると共にＣｒ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｓｉから選択される少なくとも一種が含まれることがある。 （もっと読む）

【課題】光記録媒体保護膜形成用として、割れやＩｎの溶出がなく製造工程を簡素化でき、高密度が得られる酸化物スパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ＺｒＯ_２，Ｉｎ_２Ｏ_３，Ｇａ_２Ｏ_３およびＺｎＯを含有し、ＺｒＯ_２相の周囲がＩｎとＺｎとＧａとの酸化物からなる複合酸化物相を含む相で囲まれた組織を有する。好ましくは、不可避不純物を除いた全金属成分量に対する原子比で、Ｚｒ：Ａ％，Ｉｎ：Ｂ％，Ｇａ：Ｃ％およびＺｎ：Ｄ％とされており、これらの成分組成が、０＜Ａ≦４５．５、９．１≦Ｂ≦３１．０、９．１≦Ｃ≦３１．０、Ｂ＋Ｃ≦２Ｄ、Ａ＋Ｂ＋Ｃ＋Ｄ＝１００の関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】Ｋ_ｘＮａ_{（１−ｘ）}Ｎｂ０_３を母材として、環境に優しく、圧電特性に優れる圧電材料をより安価に提供する。
【解決手段】一般式Ｋ_ｘＮａ_{（１−ｘ）}Ｎｂ０_３で表される化合物を主成分として含んだ圧電材料であって、０．１≦ｘ≦０．７であるとともに、Ｃｕ酸化物が１０ｍｏｌ％以下、ＢａＴｉＯ_３が、１．０ｍｏｌ％以上、２０ｍｏｌ％以下添加されている圧電材料とした。また。さらに、ガラスが０．１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下添加されている圧電材料とすればより好ましい。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの製造工程において割れや焼結不良の発生がなく、高密度のα型酸化ガリウム粉末ターゲットの製造に適用できる技術を提供する。
【解決手段】塩素含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下、ナトリウム含有量が１０ｗｔｐｐｍ以下であって、平均粒径が０．５μｍ〜３μｍ、粒度分布範囲が０．１〜１０μｍ、ＢＥＴ比表面積が１０〜４０ｍ^２／ｇであるα型酸化ガリウム粉末、及びガリウムを硝酸で溶解して硝酸ガリウム水溶液とし、次に、アンモニア水で中和してＧａ（ＯＨ）３を得、これを８０〜１２０℃で乾燥させてＧａＯ（ＯＨ）とした後、４００〜５５０℃で１〜１０時間焙焼して酸化ガリウム粉末とする製造方法。 （もっと読む）

【課題】環境に優しく、実用に耐える圧電特性を維持しつつ生産性に優れたＫ_ｘＮａ_{（１−ｘ）}Ｎｂ０_３を母材とした圧電材料を提供する。
【解決手段】焼結体からなる圧電材料であって、一般式Ｋ_ｘＮａ_{（１−ｘ）}Ｎｂ０_３で表されるとともに０．０２≦ｘ≦０．５である化合物に、ＺｎＯを最も多く含むＺｎ系ガラスと、Ｆｅ_２Ｏ_３とが添加されてなる圧電材料とした。より好ましくは、前記Ｚｎ系ガラスと前記Ｆｅ_２Ｏ_３が、ともに０ｗｔ％よりも多く、１．０ｗｔ％以下の質量比で添加されている圧電材料とすることである。 （もっと読む）

【課題】優れた導電性と化学的耐久性及び近赤外領域の高透過性を有する透明導電膜の成膜を可能にする酸化亜鉛系透明導電膜形成材料、その製造方法、それを用いたターゲット、および酸化亜鉛系透明導電膜の形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の酸化亜鉛系透明導電膜形成材料は、実質的に亜鉛、チタン、酸素および窒素からなる酸化物焼結体であって、原子数比でＴｉ／（Ｚｎ＋Ｔｉ）＝０．０２超０．１以下となるよう含有されている。 （もっと読む）

【課題】クラック、断線、短絡等の発生が防止された、信頼性の高い導体パターンを備えた信頼性の高い配線基板を効率よく製造することのできる製造方法を提供すること。
【解決手段】セラミックス材料とバインダーとを含む材料で構成され、少なくとも表面付近の一部に酸または塩基を含むシート状のセラミックス成形体１５を用意するセラミックス成形体用意工程と、前記セラミックス成形体１５の酸または塩基を含む領域に、金属粒子と有機成分とを含む導体パターン形成用インク２００を液滴吐出法により吐出して、導体パターン前駆体１０を形成する導体パターン前駆体形成工程と、複数の前記セラミックス成形体１５を積層して積層体１７を得る積層工程と、前記積層体１７を焼結して、導体パターン２０およびセラミックス基板３１とを有する配線基板３２を得る焼成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】表示装置用酸化物半導体膜の製造に好適に用いられる酸化物焼結体であって、高い導電性と相対密度を兼ね備えており、高いキャリア移動度を有する酸化物半導体膜を成膜可能な酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】本発明の酸化物焼結体は、酸化亜鉛と、酸化スズと、酸化インジウムの各粉末を混合および焼結して得られる酸化物焼結体であって、
前記酸化物焼結体をＸ線回折したとき、Ｚｎ₂ＳｎＯ₄相を主相とし、ビックスバイト型結晶構造であるＺｎ_XＳｎ_XＩｎ_YＯ_m相（Ｘ、Ｙ、ｍは任意の整数）を有すると共に、前記酸化物焼結体に含まれる金属元素の含有量（原子％）をそれぞれ、［Ｚｎ］、［Ｓｎ］、［Ｉｎ］としたとき、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］に対する［Ｉｎ］の比、［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］に対する［Ｚｎ］の比、［Ｓｎ］の比は、それぞれ下式を満足するものである。
［Ｉｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］＋［Ｉｎ］）＝０．０１〜０．２５未満
［Ｚｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．５０〜０．８０
［Ｓｎ］／（［Ｚｎ］＋［Ｓｎ］）＝０．２０〜０．５０ （もっと読む）

【課題】局所的なそりあがりが軽減または解消された、酸化亜鉛を含有する焼結体を製造する方法を提供する。
【解決手段】セッター３に載置されている成形体２と、左右それぞれのヒーター１との間に、アルミナ、マグネシアまたはジルコニア質等からなる遮蔽物４が設置される。成形体２と遮蔽物４との間隔ｄは１０［ｍｍ］以上に調節されることが好ましい。 （もっと読む）