【課題】膜抵抗のバラツキが小さく、膜特性の均一性に優れた透明導電膜作製用のＺｎＯ焼結体を提供する。
【解決手段】Ｂの含有割合がＢ_２Ｏ_３換算で０．０１〜３．０ｍｏｌ％であるＺｎＯ焼結体。焼結体を構成するＺｎＯ粒子の平均結晶粒径が２〜１０μｍであって、Ｂ源がＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３である。前記ＺｎＯ焼結体は、ＺｎＯ粉末とＢ_２Ｏ_３粉末とを混合、焼成及び粉砕してＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末を得る工程と、平均粒径が０．５〜１μｍのＺｎＯ粉末と平均粒径が０．２〜０．５μｍのＺｎ_４Ｂ_６Ｏ_１３粉末とを混合、成形、焼成してＺｎＯ焼結体を得る工程とを含む方法により製造される。 （もっと読む）

【課題】誘電特性及び圧電特性の良好な圧電体又は誘電体磁器組成物を得ることで、多岐に渡る圧電体デバイス及び誘電体デバイス開発の要望に答え、延いてはＰＺＴを主成分とする圧電体又は誘電体磁器組成物を代替し、環境負荷を低減する。
【解決手段】主成分が組成式（１−ｘ）ＫＮｂＯ_３＋ｘＫＭｅＯ_３で表される圧電体又は誘電体磁器組成物あって、０＜ｘ≦０．０５であり、Ｍｅが、４価のＴｉ、３価のＭｎ、２価のＭｎ及び２価のＺｎから選ばれるいずれかの金属元素と、６価のＷとの組み合わせであり、組み合わせたときの総価数が５価であることを特徴とする。前記主成分を１００ｍｏｌとしたときに、副成分としてＭｎをＭｎＯ換算で１．０〜２．０ｍｏｌ含有していることが好ましい。また、前記圧電体磁器組成物を用いた圧電体デバイス及び前記誘電体磁器組成物を用いた誘電体デバイスである。 （もっと読む）

【課題】誘電損失が低く、高強度、高熱伝導率で、誘電率および熱膨張係数の調整が容易にできるガラスセラミックスを提供する。
【解決手段】ガラスおよび／またはそれが結晶化したマトリックス中に特定の結晶面方向に配向したセラミックフィラーを分散し、該フィラーの配向方向と垂直な面と平行な面で測定されるＸ線回折ピークを比較して、前記フィラーに基づく（ｈｋ０）面および（００ｌ）面（ただし、ｈ≧０、ｋ≧０で、ｈ、ｋの一方が１以上の整数、ｌは１以上の整数）のピークのうち、２つの測定面でのピーク強度の変化が最も大きい特定結晶面のピーク強度Ｉ_{（ｈｋ０）}、Ｉ_{（００ｌ）}から、ｐ＝Ｉ_{（００ｌ）}／（Ｉ_{（ｈｋ０）}＋Ｉ_{（００ｌ）}）で求められる２つの測定面でのｐ_１、ｐ_２の比（ｐ_１／ｐ_２、但しｐ_１＞ｐ_２）が２以上、かつ一方の測定面から０．１ｍｍ研磨した研磨面でのｐ’値との比（ｐ’／ｐ）が０．８以上のガラスセラミックスとする。 （もっと読む）

【課題】均一に成膜でき、異常放電が生じ難いスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸化亜鉛焼結体からなり、Ｇａを０．０３〜０．７５原子％含み、複合酸化物がＸ線回折で検出されないことを特徴とするスパッタリングターゲットであり、Ｚｒ、Ｓｉ及びＡｌのうち１以上を合計で１００原子ｐｐｍ以下含み、酸化亜鉛焼結体表面の色差ΔＥ＊ａｂが０．７以下である。また、上記スパッタリングターゲットは、複合酸化物がＸ線回折で検出されない条件で焼結される。 （もっと読む）

【課題】キャリヤの移動度や薄膜トランジスタ等の作製工程における耐エッチング性等が従来以上に優れたＩＧＺＯアモルファス半導体膜を形成することができる透明薄膜形成用材料、及びこの透明薄膜形成用材料を作製するためのＩＧＺＯ焼結体を提供する。
【解決手段】インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である透明薄膜形成用の複合酸化物焼結体及び前記複合酸化物焼結体から作製されている透明薄膜形成用材料。前記透明薄膜形成用材料は、成膜用ターゲットであり、気孔率が理論密度比で５％以下のスパッタリングターゲットであり、体積抵抗が１０^−２Ω・ｃｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＺＯ焼結体として、Ｉｎ_２Ｇａ_２ＺｎＯ_７で表される化合物の結晶が主体である複合酸化物焼結体を得ることができるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）および亜鉛（Ｚｎ）の各酸化物の粉末を１：１：１のモル比で混合、粉砕して原料粉末とする混合工程と、原料粉末を、所定の温度で仮焼して仮焼粉末とする仮焼工程と、仮焼粉末を、所定の寸法の成形体とする成形工程と、成形体を、所定の雰囲気中、１５００〜１６００℃で４時間以上焼成して焼結体とする焼成工程とを有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ系複合酸化物焼結体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】蒸着材に用いられるＺｎＯ焼結体において、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、蒸着膜の組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】バレルスパッタリング法により、ＺｎＯ粉末１１の表面を、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物１３で被覆して粒状体１４とする。粒状体１４又はこれを仮焼後に解砕して得る仮焼粉末１９を用いて、第１造粒粉末１５又は第２造粒粉末２１を作製し、成形、焼結を経て、ＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材１７又は２３を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】ＺｎＯ粉末１１と、希土類元素群から選ばれた２種以上１７種以下の元素を含む希土類元素酸化物粉末１２との混合粉末を用い、メカニカルアロイング処理することにより得られた平均粒径０．０５〜２μｍの複合粉末１３から第１造粒粉末１４を作製し、或いはこの複合粉末１３を仮焼、解砕して固溶体化を促進した複合仮焼粉末１８から第２造粒粉末１９を作製し、成形、焼結を経て、希土類元素を含むＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材１６又は２２を作製する。 （もっと読む）

【課題】成膜の生産性が高く、低い体積抵抗率を有しかつ高湿環境下において体積抵抗率の上昇が抑制されるＺｎＯ蒸着膜、及びその成膜方法を提供する。
【解決手段】希土類元素を０．１〜１５質量％含むＺｎＯ焼結体を蒸着材に用い、反応性プラズマ蒸着法により酸素ガス流量０〜５００ｓｃｃｍ、成膜速度０．５〜５．０ｎｍ／秒で成膜を行い、高耐湿性のＺｎＯ膜を成膜する。希土類元素は、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ又はＳｍの少なくとも１種であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】平均粒径が０．１〜１０μｍのＺｎＯ原料粉末１５を移動状態にし、このＺｎＯ粉末に平均粒径が０．０５〜５μｍで希土類元素を２種以上１７種以下含む希土類元素酸化物粉末１１を含むコーティング液１４を噴霧又は噴射し、その表面に厚さが０．０５〜５μｍの被覆層を形成して粒状体１９とする。粒状体１９又はこの粒状体を仮焼後に解砕して得られた仮焼粉末２４を用いて、第１造粒粉末２０又は第２造粒粉末２９を作製し、成形、焼結を経て、ＺｎＯ焼結体２２又は３２からなるＺｎＯ蒸着材を作製する。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ原料粉末に添加される、希土類元素群から選ばれた１種の元素を含む希土類元素酸化物の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を製造するとともに、膜組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を製造する。
【解決手段】ＺｎＯ粉末１１と、希土類元素群から選ばれた１種の元素を含む希土類元素酸化物粉末１２との混合粉末を用い、メカニカルアロイング処理することにより得られた平均粒径０．０５〜２μｍの複合粉末１３から第１造粒粉末１４を作製し、或いはこの複合粉末１３を仮焼、解砕して固溶体化を促進した複合仮焼粉末１８から第２造粒粉末１９を作製し、成形、焼結を経て、希土類元素を含むＺｎＯ焼結体からなるＺｎＯ蒸着材１６又は２２を作製する。 （もっと読む）

【課題】乾式法により複合タングステン酸化物薄膜を形成するために用いられる、複合タングステン酸化物ターゲット材とその製造方法を提供する
【解決手段】一般式：Ｍ_xＷ_yＯ_z（ただし、Ｍは、Ｈ、Ｈｅ、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂ、Ｆ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ、Ｂｒ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｅ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｏｓ、Ｂｉ、およびＩの内から選択される１種以上の元素、０．００１≦ｘ／ｙ≦１、２．０＜ｚ／ｙ≦３．０）からなる組成を有する複合タングステン酸化物の粉末に、真空もしくは不活性ガス雰囲気下、９００℃以上１１００℃未満の温度、１９．６ＭＰａ以上の圧力の条件で、ホットプレスまたは熱間静水圧プレスを施すことにより、前記複合タングステン酸化物以外の相を含まず、かつ、密度が７ｇ／ｃｍ³以上である、上記組成の複合タングステン酸化物の焼結体からなるターゲット材を得る。 （もっと読む）

【課題】圧電特性が良好な圧電材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるペロブスカイト型複合酸化物からなり、前記ペロブスカイト型複合酸化物の結晶系が少なくとも単斜晶構造を含んでいる圧電材料。前記ペロブスカイト型複合酸化物の結晶系が、単斜晶構造と菱面体晶構造を有する混在系、または単斜晶構造と正方晶構造を有する混在系であることが好ましい。


（式中、ＡはＢｉ元素であり、ＭはＦｅ、Ａｌ、Ｓｃ、Ｍｎ、Ｙ、Ｇａ、Ｙｂのうちの少なくとも１種の元素である。ｘは０．４≦ｘ≦０．６の数値を表す。ｙは０．１７≦ｙ≦０．６０の数値を表す。） （もっと読む）

本発明は、以下の材料：Ｚｎを主成分として、Ｐｒを０．１〜３原子％の割合で、Ｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｙｂ，Ｌｕから選択される金属Ｍを０．１〜５原子％の割合で含む、バリスタセラミックに関する。
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本発明は、Ｚｎを主成分として、Ｐｒを０．１〜３原子％の割合で含む、バリスタセラミックに関する。
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【課題】 ターゲット材の割れ防止のため、熱衝撃に強い透明導電膜用焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】
インジウム化合物粉末やスズ化合物粉末などの透明導電膜用の原料粉末を混合後に造粒し、当該造粒粉末を成形した成形体を電磁波加熱により焼結することで、焼結体の平均結晶粒径を２μｍ以下に制御することができ、熱衝撃試験により求めた最大許容温度差が１５０℃以上となり、スパッタリング中の割れ発生率が大幅に低下する。 （もっと読む）

【課題】 ８００℃から８５０℃程度の低温で焼結が行え、１ＧＨｚ程度にて高周波数帯域においてもでの使用が可能緻密な薄膜を形成でき、配合する各組成の微粉化は比較的に低いレベルでよい低温焼結用電極材料を提供すること
【解決手段】 ４０〜５０ｍｏｌ％のＦｅ_２Ｏ_３，１５〜２５ｍｏｌ％のＮｉＯ，５〜２０ｍｏｌ％のＣｕＯ，１５〜２５ｍｏｌ％のＺｎＯからなるフェライト材料に、下記組成のガラスを５０〜８０ｖｏｌ％を混合して形成される組成とした。そして、ガラス成分は、ＳｉＯ_２を７０ｗｔ％〜８５ｗｔ％，Ｂ_２Ｏ_３を１２ｗｔ％〜２５ｗｔ％，Ｋ_２Ｏを１ｗｔ％〜５ｗｔ％，Ａｌ_２Ｏ_３を０〜８ｗｔ％という関係を満たす組成配分とした。ガラスの存在比率が多くなることもあり、低温で焼結が行えるようになり、誘電率も１ＧＨｚ以上の高周波数帯域まで安定した値を保持できる。 （もっと読む）

【課題】焼結体の表面を除いた内部の色むらを抑制した複合酸化物焼結体を提供することである。
【解決手段】酸化亜鉛と、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｎｂ、Ｉｎ、Ｙ、Ｓｃから選ばれる元素の酸化物を少なくとも１種以上含む複合酸化物焼結体において、当該焼結体の焼き上がり面を除去した焼結体表面部と焼結体中心部とのＣＩＥ１９７６空間で測定されるＬ^＊ａ^＊ｂ^＊色差：ΔＥ^＊が３．０以下である、色むらの少ない、放電特性等の安定性に優れた複合酸化物焼結体。 （もっと読む）

【課題】 ８００℃から８５０℃程度の低温で焼結が行え、１ＧＨｚ程度にて高周波数帯域においてもでの使用が可能緻密な薄膜を形成でき、配合する各組成の微粉化は比較的に低いレベルでよい低温焼結用電極材料を提供すること
【解決手段】 ４０〜５０ｍｏｌ％のＦｅ_２Ｏ_３，１５〜２５ｍｏｌ％のＮｉＯ，５〜２０ｍｏｌ％のＣｕＯ，１５〜２５ｍｏｌ％のＺｎＯからなるフェライト材料に、下記組成のガラスを４０〜７９ｖｏｌ％と、石英を２０〜５０ｖｏｌ％を混合して形成される組成とし、ガラス成分は、ＳｉＯ_２を７０ｗｔ％〜８５ｗｔ％，Ｂ_２Ｏ_３を１２ｗｔ％〜２５ｗｔ％，Ｋ_２Ｏを１ｗｔ％〜５ｗｔ％，Ａｌ_２Ｏ_３を０〜８ｗｔ％という関係を満たす組成配分とした。ガラスの存在比率が多くなることもあり、低温で焼結が行えるようになり、誘電率も１ＧＨｚ以上の高周波数帯域まで安定した値を保持できる。 （もっと読む）

本発明は材料組成物、それらの材料の製造方法、およびｐ型透明導電膜の物理気相堆積技術におけるターゲットとして使用するためのセラミック体の製造方法に関する。ペレット化された酸化物材料Ｍ_xＳｒ_1-xＣｕ_2+aＯ_2+b［式中、−０．２≦ａ≦０．２、−０．２≦ｂ≦０．２、且つ、Ｍは、Ｂａ、Ｒａ、Ｍｇ、Ｂｅ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｄ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒからなる二価の元素の群の１つまたはそれより多くであり、０≦ｘ≦０．２］の製造方法であって、以下の工程 ・ 特定の粒径分布を有し、且つ化学量論組成量Ｃｕ₂Ｏ、Ｓｒ（ＯＨ）₂・８Ｈ₂Ｏを含み、の０＜ｘ≦０．２の場合、Ｍ−水酸化物を含む前駆体混合物を提供する工程、 ・ 前記の前駆体混合物を密接に混合して均質な混合物を得る工程、および ・ 前記の均質な混合物を８５０℃より高い温度で焼結する工程、を含む方法が開示される。酸化物材料ＳｒＣｕ_2+aＯ_2+bは、４００ｐｐｍ未満の残留炭素含有率を有し、且つ、それを用いて、少なくとも５．３０ｇ／ｍｌの密度を有するターゲットを製造できる。 （もっと読む）