【課題】
長期間細菌等の繁殖を抑えることが可能であり、また、使用場所が制限されない冷風扇を提供することを目的とする。
【解決手段】
石灰岩汚泥及び微砂キラを必須２成分とし、必須２成分の合計に対する必須２成分の一方の成分の比率が４２質量％を下回ることなく、必須２成分の合計が全質量に対して９０質量％以上である組成物を焼結して製造した多孔質セラミック吸水材からなることを特徴とする吸水部材を使用することにより、細菌、カビまたは藻の繁殖を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】真空脱ガス炉用浸漬管の下端側の耐火物の熱衝撃に起因する亀裂の発生を抑制し、浸漬管の寿命を向上させることを目的とする。
【解決手段】円筒形状をなす芯金２０と、芯金２０の内周、外周及び下端を耐火物で被覆してなる真空脱ガス炉の浸漬管１において、浸漬管１のうち、少なくとも溶鋼に浸漬される部位である下筒部３２の不定形耐火物３２１がＭｇＯ−Ｃ質レンガよりなり、ＭｇＯ−Ｃ質レンガは、ＭｇＯ−Ｃ質レンガ全体を１００重量部としたときに、ＭｇＯを７５〜９５重量部、Ｃを３〜９重量部、Ａｌを０〜０．５重量部含有し、更にＳｉ、ＳｉＣ及びＢ_４Ｃから選ばれる一種あるいは二種以上の金属を１〜１６重量部含有する。 （もっと読む）

【課題】長期に渡る成膜を行った際に、得られる薄膜の特性の安定性に優れたスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ、Ｚｎ、及びＧａを含み、表面と内部の化合物の結晶型が実質的に同一である酸化物焼結体からなり、下記（ａ）〜（ｅ）の工程で製作されたスパッタリングターゲット。（ａ）原料化合物粉末を混合し、調製（ｂ）混合物６．０ｍｍ以上に成形（ｃ）３℃／分以下で昇温（ｄ）１２８０〜１５２０℃で２〜９６時間（ｅ）表面を０．２５ｍｍ以上研削 （もっと読む）

【課題】還元処理を行わなくても比抵抗が低い、酸化物半導体膜形成用のターゲットを提供する。
【解決手段】Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎを含み、周囲よりもＩｎの含有量が多い組織と、周囲よりもＧａ及びＺｎの含有量が多い組織を備えている酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。さらにＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子比が下記の式を満たす、酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。０．２０≦Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．７００．０１≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．５００．０５≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｇａ＋Ｚｎ）≦０．６０ （もっと読む）

【課題】相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】下記に示す酸化物Ａと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）と、を含有するスパッタリングターゲット。
酸化物Ａ：インジウム元素（Ｉｎ）、ガリウム元素（Ｇａ）、及び亜鉛元素（Ｚｎ）を含み、Ｘ線回折測定（Ｃｕｋα線）により、入射角（２θ）が、７．０°〜８．４°、３０．６°〜３２．０°、３３．８°〜３５．８°、５３．５°〜５６．５°及び５６．５°〜５９．５°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体および化合物半導体などを製造する装置内で高い耐プラズマ性を要求される部品に好適なフッ化物焼結体を提供する。
【解決手段】MgF₂を１〜５wt.％含有するCaF₂−MgF₂焼結体からなり、該焼結体の嵩密度が３．００g/cm³以上の緻密な構造を有している。 （もっと読む）

【課題】高さ寸法が比較的高くかつ相対密度が抑制された酸化亜鉛系酸化物ペレットを歩留まりよく量産可能な製造方法を提供する。
【解決手段】原料粉を湿式混合かつ噴霧乾燥して第一造粒粉を製造する第一工程、第一造粒粉を仮焼して仮焼粉を製造する第二工程、仮焼粉と未仮焼原料粉を湿式混合かつ噴霧乾燥して第二造粒粉を製造する第三工程、第二造粒粉を加圧して圧粉体を製造する第四工程、圧粉体を破砕して成形体用粉末を製造する第五工程、成形体用粉末を加圧成形して成形体を製造する第六工程、成形体を焼成して酸化亜鉛系酸化物ペレットを製造する方法であって、第四工程の第二造粒粉に対する加圧条件を50MPa以上150MPa以下に設定して第五工程で製造される成形体用粉末の嵩密度が1.4g/cm³以上2.0g/cm³以下となるようにし、第六工程の成形体用粉末に対する加圧条件が100MPa以上200MPa以下とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸化インジウムを成分とする高密度酸化物焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化インジウムを成分とする酸化物焼結体にスズを適切濃度添加することで、酸化粒焼結体の密度を高くすることができることを見出し、添加元素としてスズを含有するＩｎ_２Ｏ_３焼結体であって、スズの原子数が、焼結体中の全金属元素の原子数の総和に対する比率として０．０１〜０．２％添加することにより、相対密度が９８％以上となることを特徴とするスズ含有Ｉｎ_２Ｏ_３焼結体。 （もっと読む）

【課題】 ベアリングボール等に用いられる帯状部を有するセラミックボール素球を製造する際に、プレス成形時の割れ、および焼成時の割れの発生を防止し、高い歩留まりでセラミックボール素球を得る。
【解決手段】 両端部に略球面状の球面部を有し、中央部に円周方向全体にわたって、外側に突出する帯状部が形成された、セラミックボール素球において、球面部と帯状部との間に、傾斜部を有することを特徴とするセラミックボール素球。 （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制することが可能なスパッタリングターゲット、及びそれを用いた膜の製造方法を提供する。またそのようなターゲットとして使用可能な複合酸化物焼結体を提供する。
【解決手段】主として亜鉛、元素Ｍ（Ｍはアルミニウム及び／またはガリウム）、チタン及び酸素から構成される複合酸化物焼結体であって、原子比が、
（Ｍ＋Ｔｉ）／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００４〜０．０６
Ｍ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０５８
Ｔｉ／（Ｚｎ＋Ｍ＋Ｔｉ）＝０．００２〜０．０５８
であり、焼結体が主として酸化亜鉛を含有し平均粒径が２０μｍ以下の六方晶系ウルツ型構造を有する粒子、及び元素Ｍおよびチタンを含有し平均粒径が５μｍ以下のＺｎＴｉＯ_３型類似構造を有する粒子等からなる。その焼結体をターゲットとして用いて成膜する。 （もっと読む）

【解決手段】走査型電子顕微鏡を用いて倍率１０００倍で観察して得られた組織画像の中から任意に２０μｍ×２０μｍの領域を３０個選択し、波長分散型電子線マイクロアナライザーにて各領域におけるＩｎおよびＳｎの質量組成（質量％）を分析し、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）比を求め、この比から換算して得られた３０個のＳｎＯ₂組成の平均である平均
組成ｘと、前記３０個のＳｎＯ₂組成の標準偏差σとが、２≦ｘ／σ≦６の関係を満足す
ることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲット。
【効果】本発明のＩＴＯスパッタリングターゲットは、圧縮強さが大きく、高パワーを負荷してスパッタリングを行っても割れが発生することが少なく、アーキングおよびノジュールの発生も抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉイオン伝導性に優れるイオン伝導性セラミックス材料を提供する。
【解決手段】Ｍｇ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｓｎ及びＨｆからなる群から選択される１種又は２種以上の元素を結晶構造内に有するＬｉ−β−アルミナ系セラミックス材料。上記元素を含むことで、良好なＬｉイオン伝導性を発揮するセラミックス材料。 （もっと読む）

【課題】リチウム二次電池の固体電解質材料等として使用可能な程度の緻密度やＬｉイオン伝導度を示すことのできるセラミックス材料を提供する。
【解決手段】Ｌｉ、Ｌａ、Ｚｒ、Ｎｂ及び／又はＴａ、並びにＯを含有し、ガーネット型又はガーネット型類似の結晶構造を有する、セラミックス材料を用いる。 （もっと読む）

【課題】耐酸性及び高温耐電圧特性に優れたスパークプラグを提供すること。
【解決手段】略筒状に形成され、軸線方向に貫通する貫通孔６を有する絶縁体２と、貫通孔６に挿設された中心電極３とを備えたスパークプラグ１００であって、前記絶縁体２は、Ｓｉ成分とＢａ成分とＣａ成分とＭｇ成分とを下記条件（１）及び（２）を満足するように含有し、Ｂ成分を実質的に無含有であるアルミナ基焼結体で形成されてなることを特徴とするスパークプラグ１００。
条件（１）：Ｓｉ成分の酸化物換算質量に対するＣａ成分の酸化物換算質量の割合Ｒ_Ｃａが０．０５〜０．４０、条件（２）：Ｓｉ成分の酸化物換算質量、Ｃａ成分の酸化物換算質量及びＭｇ成分の酸化物換算質量の合計質量に対するＭｇ成分の酸化物換算質量の割合Ｒ_Ｍｇが０．０１〜０．０８ （もっと読む）

【課題】耐汚損性と長期にわたる耐電圧特性とを兼ね備える小型のスパークプラグ、及び、このスパークプラグの製造方法を提供すること。
【解決手段】先端側に脚長部３０を有する絶縁体２と中心電極３と係合凸部５６で絶縁体２を保持する主体金具１とを備え、係合凸部５６の内径Ｄ_ＩＮ、係合凸部５６の内周面５９に対面する脚長部３０の最大外径ｄ_ＯＵＴ、その内径ｄ_ＩＮ及び絶縁体２の誘電率εが下記条件を満足するスパークプラグ１００、並びにＡｌ化合物粉末とＳｉ化合物粉末とＭｇ化合物粉末及びＢａ化合物粉末を含む２種類以上の第２族元素化合物粉末と０．５〜４．０質量％の希土類化合物粉末とを含有する原料粉末を加圧成形後に焼結して絶縁体２を製造する工程を含むスパークプラグ１００の製造方法。条件：（Ｄ_ＩＮ−ｄ_ＯＵＴ）／２≦０．４０(mm)、（ｄ_ＯＵＴ−ｄ_ＩＮ）／２≦１．６５(mm)及びε≧９．４（F/m）） （もっと読む）

【課題】イオン化チューブ及びこれを備えるイオン化生成装置の提供。
【解決手段】本発明のイオン化生成チューブは、中空のチューブ構造を有するものであって、チューブはセラミック及び放射性物質の混合によって形成され、放射性物質はチューブの長さ方向全体にわたって分布する。よって、本発明に係るイオン化生成チューブは、アルファ粒子が放出される面積を増加させることができるため、イオン化率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】ノジュールの発生を抑制できる導電性酸化物を提供する。
【解決手段】導電性酸化物は、結晶質の導電性酸化物であって、インジウム、ガリウム、亜鉛、酸素および窒素を含み、窒素の濃度が７×１０¹⁹（ａｔｏｍ／ｃｃ）以上であることを特徴とする。インジウムの濃度とガリウムの濃度と亜鉛の濃度との合計の濃度に対するインジウムの濃度の比が０．３以上０．６以下であることが好ましい。導電性酸化物は、スパッタリング法のターゲットに用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】マイクロメートルサイズの気孔を有し、気孔率が60％を越える多孔体で、耐火物としての使用に耐えうる少なくとも数MPaの圧縮強度を有するアルミナ多孔体を製造する。
【解決手段】平板状アルミナ粒子に焼結助剤および造孔材を混ぜ合わせて金型にいれて成形し、その成形体を加熱して出発アルミナ多孔体を製造する。その後、得られたアルミナ多孔体を水酸化アルミニウムゲル水溶液、あるいは硝酸マグネシウム水溶液に真空下で十分に浸漬させる。アルミナ多孔体を引き上げて乾燥後、再度その多孔体試料を高温焼成する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム（ＩＩＩ）含有の熱蛍光板状体、及びこの熱蛍光板状体を利用することによって、放射線の３次元線量分布を取得することが可能である熱蛍光積層体を簡易に製造する。
【解決手段】まず、四ホウ酸リチウム、酸化マンガン（ＩＶ）、及び酸化アルミニウムの各成分を混合して第１混合体を形成する。次に、この第１混合体を熱処理することによって第１焼結体を形成し、この第１焼結体を粉砕して粉砕体にする。次に、第１混合体の各成分と同一の成分を粉砕体に最混入させずに、この粉砕体を平板状に圧迫成型することによって板状体を形成する。次に、この板状体を熱処理することによって、第２焼結体としての熱蛍光板状体を形成する。 （もっと読む）

【課題】高電界印加時の電界誘起歪が良好なニオブ酸アルカリ系の圧電／電歪磁器組成物を提供する。
【解決手段】圧電／電歪体膜１２２は、圧電／電歪磁器組成物の焼結体である。当該圧電／電歪磁器組成物は、Ａサイト元素としてＬｉ，Ｎａ及びＫを含み、Ｂサイト元素としてＮｂ及びＳｂを含み、Ｂサイト元素の総原子数に対するＡサイト元素の総原子数の比が１より大きく、Ｂサイト元素の総原子数に占めるＳｂの原子数が１ｍｏｌ％以上１０ｍｏｌ％以下であるペロブスカイト型酸化物に、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｄｙ，Ｈｏ及びＹｂからなる群より選択される一種類以上の元素の化合物と、Ｍｎの化合物と、を含有させた圧電／電歪磁器組成物である。 （もっと読む）