【課題】ダイヤモンドライクカーボン膜を備えた摺動部材において、せん断に対するダイヤモンドライクカーボン膜の密着性（耐引っ掻き性）を向上することで摺動部材の耐摩耗性の向上および長寿命化が可能な摺動部材を提供する。
【解決手段】基材の上に、第一層を含むＤＬＣ膜を配置した摺動部材であって、前記基材が、Ｖ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含む合金鋼であり、前記第一層がＶ，Ｃｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗから選ばれる少なくとも１種を含み、前記基材から第一層に向けて同一の結晶構造が連続することを特徴とする摺動部材。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素（炭化ケイ素）を母材とする微細周期構造を有するモールドにおいて、ガラスの成型などの用途に適した傾斜した断面形状の微細周期構造を有するモールドを、比較的簡単な方法によって再現性良く形成出来る方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素基板上に、開口部を有するタングステンシリサイドからなるドライエッチング用マスクを形成した後、エッチングガスとしてフッ素含有ガス単独又はフッ素含有ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いて、反応性イオンエッチング法によって炭化ケイ素基板をドライエッチングすることを特徴とする炭化ケイ素製モールドの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体の表面特性を向上できるＳｉＣ半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ半導体の洗浄方法は、以下の工程を備えている。ＳｉＣ半導体の表面にイオン注入する。表面に酸化膜を形成する。酸化膜を除去する。形成する工程では、１５０ｐｐｍ以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、ＳｉＣ半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】カーボン含有耐火物の耐熱衝撃性、耐酸化性及び耐食性をさらに向上させること。
【解決手段】Ａｌ_４Ｏ_４Ｃを１５．５質量％以上９５質量％以下含有するカーボン含有耐火物である。Ａｌ_４Ｏ_４Ｃ源としては、炭素質原料とアルミナ質原料に、炭化珪素、炭化硼素、窒化アルミニウム、窒化硼素及び金属のうち１種以上を添加し、アーク炉で溶融することにより製造され、カーボンを３．１質量％以上６．５質量％以下含有するアルミニウムオキシカーバイド組成物原料を使用する。 （もっと読む）

【課題】大面積かつ低抵抗のグラフェンシートを備えたグラフェンシート付き基材、及び、このグラフェンシート付き基材を安価に製造することが可能なグラフェンシート付き基材の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のグラフェンシート付き基材１は、結晶方位が（１１１）面のシリコン基板２に、エピタキシャル成長させた立方晶炭化珪素層３、グラフェンシート４が順次積層されている。 （もっと読む）

【課題】凝集が進行しにくく分散性が優れる球状ナノ粒子の製法を提供する。
【解決手段】液相中に１〜１０００ｎｍの大きさの原料粒子あるいは金属酸化物粒子を分散させ、この液相中の粒子に１レーザーパルスあたり０．５Ｊ／ｃｍ^２以下の弱いレーザー光を照射して、原料粒子を一旦溶融かつ融合させ、その後液相中で急冷することにより１０〜１０００ｎｍの大きさの球状ナノ粒子を製造する、あるいは金属酸化物粒子に還元反応を起こさせて、これにより金属球状ナノ粒子若しくは還元球状ナノ粒子またはこれらの複合構造の粒子を生成させる。 （もっと読む）

【課題】 ＳｉＣナノ粒子を高効率で製造すること。
【解決手段】 窒素雰囲気中でアークプラズマを発生させ、アークプラズマを塊状ＳｉＣまたはＳｉとＣの混合粉末成形体に照射してＳｉＣのナノ粒子を生成させる。 （もっと読む）

【課題】電気特性や機械特性に優れ、かつ電子線照射によってチューブ構造が崩壊することがない、単結晶炭化ケイ素ナノチューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】多結晶炭化ケイ素ナノチューブを作製し、その多結晶炭化ケイ素ナノチューブに対して、それを貫通するのに必要なエネルギー以上で加速されたイオンを照射することにより、単結晶炭化ケイ素ナノチューブを製造する。このとき、例えば、イオンは、照射温度900℃以上で照射され、その照射量がはじき出し量として5dpa以上である。 （もっと読む）

【課題】電気特性や機械特性に優れ、かつ電子線照射によってチューブ構造が崩壊することがない、アモルファス炭化ケイ素ナノチューブの製造方法を提供すること。
【解決手段】多結晶炭化ケイ素ナノチューブを作製し、その多結晶炭化ケイ素ナノチューブに対して、それを貫通するのに必要なエネルギー以上で加速されたイオンを照射することにより、アモルファス炭化ケイ素ナノチューブを製造する。このとき、例えば、イオンは、照射温度200℃以下で照射され、その照射量がはじき出し量として1dpa以上である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノ粒子生成技術の内、アークプラズマを利用した技術をより一層改良することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、炉内に設置した両電極間に発生したアークプラズマにより、無機塊状物からナノ粒子を生成するナノ粒子作製装置であって、前記無機塊状物の設置個所にカーボンるつぼが配置され、当該カーボンるつぼに前記無機塊状物を保持させて、前記アークプラズマを発生させ得るようにしてあることを特徴とするナノ粒子作製装置を採用した。また、前記ナノ粒子作製装置を用いたナノ粒子作製方法であって、ナノ粒子生成中の前記炉内の雰囲気は、窒素単独若しくは窒素が５０ｖｏｌ％以上含有されている不活性ガスとしたことを特徴とする手段を用いた。 （もっと読む）

【課題】気相中で合成したナノ粒子の表面を改質して凝集を防止することができ、或いは、粒子表面に電荷を付加することなく他物質を被覆することができるナノ粒子の表面処理装置および方法を提供する。
【解決手段】内部にマイクロ波２が共鳴可能な共鳴空間９を有し、マイクロ波の吸収が少ない材料からなる中空共鳴容器１０と、中空共鳴容器内に所定の周波数のマイクロ波を供給して共鳴空間にマイクロ波の共鳴状態を形成するマイクロ波供給装置１２と、中空共鳴容器の外部から、共鳴空間を通って、その外部まで連続して延びる連続中空管２０と、連続中空管の内側を通してその一端から他端に向けて、ナノ粒子を含む混合ガスを連続的に供給するナノ粒子供給装置２２と、連続中空管の他端から排出された混合ガスからナノ粒子１を分離するナノ粒子分離装置２６とを備える。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素の表面に反応性イオンエッチングにより微細加工を施す際に、炭化ケイ素の表面を任意形状かつ高精細に微細加工することができ、特に、ナノメートル級の寸法公差による微細加工を行うことができる炭化ケイ素の表面処理方法を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素基板の表面に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により微細加工を施す前に行う表面処理方法であって、単結晶炭化ケイ素基板の表面に、アンモニア及び過酸化水素を含む水溶液、塩酸及び過酸化水素を含む水溶液、硫酸及び過酸化水素を含む水溶液、フッ酸及び過酸化水素を含む水溶液の群から選択される１種または２種以上を順次用いてケミカル洗浄を施し、次いで、この表面に酸素プラズマ処理を施す。 （もっと読む）

炭化タングステンを処理するための方法が提供される。出発材料は、液相線によって上方に画定された、面心立方構造を有するγ相の単相領域を示す状態図に表されるW-C系の炭化タングステン粒子を含有する。粒子は、単相領域において均質化処理にかけ、その後、融解させて球状化することができる。次いで焼入れを行って、単相化構造を周囲温度で凍結させる。任意選択で、単相領域を広げるために、少なくとも1種の合金元素を出発材料に添加することができ、それによって、単相化粒子の焼入れ性を増大させる。 （もっと読む）

【課題】 寸法精度に優れた微小な凹凸形状を有する炭化珪素構造体及びそれを備えた光学レンズ用金型と電子放出素子並びに炭化珪素構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の炭化珪素構造体は、炭化珪素基板１の表面１ａに微小な錐体２が複数個形成され、これらの錐体２の高さ（Ｈ）は１０ｎｍ以上かつ５００μｍ以下、その先端部の直径（Ｄ）は１ｎｍ以上かつ１００μｍ以下であり、これらの錐体２は、５ｎｍ以上かつ５００μｍ以下の間隔で配置されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、基板上で金属M1の炭化物からナノロッドを合成する方法に関する。該発明の方法は、(a)基板上での、金属M1の酸化物のナノ結晶および金属M1とは異なる少なくとも1種の金属M2の酸化物のナノ結晶の層(M1金属酸化物ナノ結晶は、この層に分散している)を蒸着させるステップ、(b)金属M1およびM2の酸化物ナノ結晶を対応する金属に還元するステップ、および(c)金属M1のナノ結晶を選択的に成長させるステップよりなる。本発明は、また、基板上で前記材料のナノ結晶から金属M1の炭化物のナノロッドを成長させる方法、かくして得られた基板、およびそれらの用途、例えば化学的または生物学的機能性を含むミクロシステム、特にバイオセンサー、例えばフラットテレビまたはコンピュータスクリーンなどのための電子放射源の製造における用途にも関する。 （もっと読む）