【課題】目的に応じて高い反応選択性及び目的物質の生成率を確保できる有機化合物の反応方法及び製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも２種類の流体を用いるものであり、そのうちで少なくとも１種類の流体については、有機化合物を少なくとも１種類含む流体であり、上記以外の流体のうちで少なくとも１種類の流体については、液体形態もしくは溶液中の反応剤を少なくとも１種類含む流体について、近接・離反可能に互いに対向して配設され、少なくとも一方が他方に対して回転する処理用面間にできる薄膜流体中で上記の各流体を合流させるものであり、当該薄膜流体中において有機反応させる。 （もっと読む）

【課題】一般式III(R¹は、請求項１に記載のように定義される)のグルコピラノシル置換ベンジルベンゼン誘導体を調製する方法を提供する。
【解決手段】工程2(S2)で得られた有機金属化合物とグルコノラクトンとの反応混合物に1つ以上の酸を含む水溶液を添加して、水相と有機相を形成し、それによって、有機相が約0〜7の範囲にあるpHを有する工程(S3)を含む。
【化１】
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本発明は、４−フルオロ−３−ピペリジン−４−イル−ベンジル）−カルバミン酸ｔｅｒｔ−ブチルエステル、式Ｉの化合物の製造のための改善された方法である。本発明は、３工程での式Ｉの化合物の合成方法に関し、該方法は、５−（（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノメチル）−２−フルオロベンゼンボロン酸（化合物１１）の形成、Ｓｕｚｕｋｉカップリング条件下で化合物１１を反応させて（４−フルオロ−２−ピリジン−４−イル−ベンジル）−カルバミン酸ｔｅｒｔ−ブチルエステルを得ること、及び水素添加条件下で上述の生成物を選択的水素添加して化合物Ｉを得ることを含む。本発明はまた、中間体５−（（ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル）アミノ−メチル）−２−フルオロベンゼンボロン酸（化合物１１）、及び（４−フルオロ−２−ピリジン−４−イル−ベンジル）−カルバミン酸ｔｅｒｔ−ブチルエステル（化合物１３）に関する。 （もっと読む）

【課題】芳香族ボロン酸エステルに関する非常に効率的で、かつ空気耐容性の調製方法を提供すること。
【解決手段】芳香族ボロン酸エステルの調製方法であって、該芳香族ボロン酸エステルが、有機溶媒中での芳香族アミンＡｒ−ＮＨ_２、ジボロン酸エステル及び亜硝酸アルキルの反応によって得られ、該芳香族アミンのアリール基Ａｒが、非複素環式アリールを表す、芳香族ボロン酸エステルの調製方法。 （もっと読む）

【課題】安全性及び生産性が高く、簡便な含フッ素スルホニルイミド化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】ペルフルオロアルキルスルホニルフロライド（Ｒｆ^１ＳＯ_２Ｆ）とアンモニアとを反応させて反応液を得る第１の工程と、前記反応液とＬｉ，Ｎａ，Ｋのいずれかのアルカリ金属元素Ｍの、水酸化物、炭酸塩、及び重炭酸塩の中から選ばれた少なくとも１種のアルカリ金属化合物とを反応させて、ペルフルオロアルキルスルホンアミドのアルカリ金属塩（Ｒｆ^１ＳＯ_２ＮＨ・Ｍ）を含む混合物を得る第２の工程と、前記混合物とペルフルオロアルキルスルホニルハライド（Ｒｆ^２ＳＯ_２Ｘ）とを反応させる第３の工程と、を備える含フッ素スルホニルイミド化合物（（Ｒｆ^１ＳＯ_２）（Ｒｆ^２ＳＯ_２）Ｎ・Ｍ）の製造方法を採用する。但し、Ｒｆ^１及びＲｆ^２は炭素数１〜４の直鎖状又は分岐状のペルフルオロアルキル基であり、Ｘはフッ素又は塩素である。 （もっと読む）

【課題】優れたガス分離性能を有する金属錯体の提供。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基またはハロゲン原子を示し、Ｘは炭素原子または窒素原子を示し、Ｙは水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基等を示し、Ｘが窒素原子の場合にはＹは存在しない。）で表されるジカルボン酸化合物（Ｉ）と、６〜１１族の第４〜５周期に属する金属から選択される少なくとも１種の金属と、該金属に二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体。 （もっと読む）

【課題】優れたガス分離性能を有する金属錯体を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）；


（式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基もしくはハロゲン原子を示し、Ｘはヘテロ原子含有基を示す。）で表されるジカルボン酸化合物（Ｉ）と、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、銅、亜鉛及びカドミウムから選択される少なくとも１種の金属と、該金属に二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 優れたガス分離性能を有する金属錯体を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）；


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基もしくはハロゲン原子を示し、ＸはＸは共鳴効果で電子供与性を示す置換基を示す。）で表されるジカルボン酸化合物（Ｉ）と、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、銅及び亜鉛から選択される少なくとも１種の金属と、該金属に二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体によって上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】半導体用層間絶縁膜、バリアメタル層、エッチストッパー層の形成に用いられるホウ素（Ｂ）原子上に異なる置換基が導入されたＢ−アルキルボラジンを、選択的に合成しうる手段を提供する。
【解決手段】Ｂ−アルキルボラジンを合成する際に、化学式１で表されるボラジン化合物と、アルケン化合物とを、触媒存在下で反応させる。これにより、Ｈ−Ｂ結合が、アルキル−Ｂ結合に変換された、Ｂ−アルキルボラジンを合成する。
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【課題】 本発明の課題は、特定のジハロゲノ金属化合物を用いる方法にて、特定の中間体（新規な化合物）を経由して、高収率でアミノアザボラシクロペンテン化合物の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、アルコキシアザボラシクロペンテン化合物と有機金属アミド化合物とを反応させることを特徴とするアミノアザボラシクロペンテン化合物の製造方法によって解決される。 （もっと読む）

本発明は、広く、連鎖シャトリング剤（ＣＳＡｓ）、ＣＳＡｓを調製する方法、ＣＳＡと触媒を含んでなる組成物、該組成物を調製する方法、該組成物を用いてポリオレフィン、末端官能性ポリオレフィン、およびテレケリック・ポリオレフィンを調製する方法、ならびに該方法によって調製されたポリオレフィン、末端官能性ポリオレフィン、およびテレケリック・ポリオレフィンに関する。 （もっと読む）

【課題】新規ホスフィンオキシド及びその製造方法、これを用いた希土類金属抽出方法の提供。
【解決手段】下式（１）で表されるテトラホスフィンテトラオキシド。


（Ｒ^１〜Ｒ^２は、アリール基等、ｎは２以上の整数。）該化合物と希土類金属塩を溶媒中で接触させるとテトラホスフィンテトラオキシドが配位した希土類金属錯体が得られる。該化合物は、下記化合物（４）とジフェニルホスフィンオキシド等を反応させ製造する。
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式（Ｉ）で表わされるハロゲン化マグネシウムの付加物を開示する。
ＭｇＸ_２・ｍＲＯＨ・ｎＥ・ｐＨ_２Ｏ （Ｉ）
（ただし、Ｘは、塩素、臭素、炭素数が１〜１２のアルコキシ、炭素数が３〜１０のシクロアルコキシ、または、炭素数が６〜１０のアリールオキシであるが、少なくとも１つのＸは塩素または臭素であって、Ｒは、炭素数が１〜１２のアルキル、炭素数が３〜１０のシクロアルキル、または、炭素数が６〜１０のアリールであって、Ｅは式（II）で表わされるｏ−アルコキシ安息香酸エステル化合物であり、
【化１】


ただし、Ｒ_１基およびＲ_２基は互いに独立して、炭素数が１〜１２の直鎖状または分岐鎖状アルキル基、炭素数が３〜１０のシクロアルキル基、炭素数が６〜１０のアリール基、炭素数が７〜１０のアルカリル基、または、炭素数が７〜１０のアラルキル基であって、Ｒ_１基およびＲ_２基はＲ基と同一または異なり、ｍは１．０〜５．０の範囲にあって、ｎは０．００１〜０．５の範囲にあって、ｐは０〜０．８の範囲にある。）
（１）上記ハロゲン化マグネシウムの付加物と、（２）チタン化合物と、任意に（３）電子供与体化合物との反応生成物を含有する、オレフィン重合において有用な触媒成分も開示する。
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一般式（I）で定義される化合物の一群を用いて不飽和モノマーのアニオン重合を開始することができる。前記式において、Ｍはアルカリ金属原子、Ｒ^１は少なくとも１つのＯＲ^２置換基を含有するアリール基であり、Ｒ^２はそれぞれＭと反応しない基であり、Ｒはヒドロカルビル基である。かかる開始剤を、高温で行われるもセミバッチ重合および連続重合法に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 極めて簡単でかつ費用効果の高い方法で、或る種の金属のジアルキルホスフィン酸塩を高純度で製造することができる、ジアルキルホスフィン酸塩の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、ジアルキルホスフィン酸塩の製造方法であって、
ａ） 溶媒系中で、次亜リン酸及び／またはこれの塩を遊離基開始剤の存在下にオレフィンと反応させてジアルキルホスフィン酸及び／またはこれらのアルカリ金属塩を生成させ、
ｂ） ａ）で得られたジアルキルホスフィン酸及び／またはアルカリ金属ジアルキルホスフィン酸塩を、金属Ｍｇ、Ｃａ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｚｒ及び／またはＦｅの化合物と反応させてこれらの金属のジアルキルホスフィン酸塩を生成させる、
ことを含む上記方法に関する。更に本発明は、本発明の方法によって得られたジアルキルホスフィン酸金属塩の使用方法、特に難燃剤の製造にこれを使用する方法にも関する。 （もっと読む）

プラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）またはプラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）による銅含有膜の堆積のためのビス−ケトイミナート銅前駆体の使用方法を開示している。 （もっと読む）

【課題】単量体又は二量体であり、熱的に安定な、易揮発性であり、且つＡＬＤ又はＣＶＤにより製造されるＢＳＴに非常に適したフッ素化されていないバリウム前駆体を提供する。
【解決手段】バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、ラジウム若しくはカルシウム又はこれらの混合物からなる群から選択される金属に配位した、一以上の多官能化ピロリルアニオンを含む化合物。あるいは、１つのアニオンは、第二の非ピロリルアニオンと置換されることができる。
新規の化合物の合成法及びＢＳＴフィルムを形成するためのそれらの使用法も考慮される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、有機スズ化合物等の毒性の高い化合物を一切使用せずに、特定の中間体を経由して、アザボラシクロペンテン化合物の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、アルコキシアザボラシクロペンテン化合物、有機金属化合物とを反応させることを特徴とする、アザボラシクロペンテン化合物の製造方法によって解決される。 （もっと読む）

本発明は、式（Ａ）
【化１】


を有する銅（Ｉ）錯体（式中、Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ又はＩであり（互いに独立して）、Ｎ^＊∩Ｅ＝二座配位子（式中、Ｅ＝Ｒ_２Ｅ形態（式中、Ｒ＝アルキル、アリール、アルコキシ、フェノキシ又はアミドである）のホスフィニル／アルセニルラジカルであり、Ｎ^＊＝ピリジル、ピリミジル、ピリダジニル、トリアジニル、オキサゾリル、チアゾリル及びイミダゾリルから選択される芳香族基の一部であるイミン官能基であり、該芳香族基は、有機溶媒中での銅（Ｉ）錯体の溶解度を増加させるための少なくとも１つの置換基を任意に有し、「∩」＝同様に該芳香族基の一部である少なくとも１つの炭素原子であり、該炭素原子は、イミンの窒素原子、及びリン原子又はヒ素原子の両方に直接隣接して位置する）である）、及びまた、オプトエレクトロニクス組立品における（特に、ＯＬＥＤにおける）それらの使用に関する。 （もっと読む）

本開示は、増大された安定性を含む有機骨格を提供する。 （もっと読む）