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Fターム[4H048AA02]の内容

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Fターム[4H048AA02]に分類される特許

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【課題】5つのdppe(diphenylphosphinoethane)を配位子とするAu13クラスタの提供。
【解決手段】5つのdppeが配位子として金クラスタに結合しているAu13クラスタであって、該金クラスタは、Au(dppe)Clを還元剤、例えばNaBHを用いて還元し、金原子の数が2、3、4、6、11、13、14、15、17及び18の複数種類の金クラスタを含む混合物を得て、これに塩酸を加えるという簡易な方法により製造される。 (もっと読む)


本発明は、含窒素有機塩基、ニッケル触媒、ホスフィン化合物および溶媒の存在下、アリールハライド化合物とジボロンエステル化合物とを反応させることを特徴とする、ボロン酸エステル化合物の製造方法に関する。本発明の製造方法によれば、触媒としてニッケル触媒を用いた場合であっても、充分に高い収率で目的のボロン酸エステル化合物を得ることができ、さらにアリールハライド化合物として比較的安価で反応性の低いアリールクロライドやアリールブロミドを用いた場合であっても充分に高い収率で目的の生成物を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、工業的な大量合成にも適する安全なものであり、金属マグネシウムを使うものであるにもかかわらず収率が良好な、フッ化ベンゼンのグリニヤール試薬の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係るフッ化ベンゼンのグリニヤール試薬の製造方法は、特定のエーテルを含む溶媒中、反応開始剤の存在下、金属マグネシウムとハロゲン化フェニル化合物とを反応させる工程を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】光学活性ビス(アルキルホスフィノ)メタンを容易に、かつ経済的に製造する方法を提供すること。
【解決手段】ジアルキルヒドロキシキメチルホスフィンボラン(2)を酸化して、ジアルキルホスフィンボラン(3)を得る工程A;工程Aとは別に、ジアルキルヒドロキシメチルホスフィンボラン(2)における水酸基を脱離可能な官能基に変換し、誘導体(4)を得る工程B;工程Aで得られたジアルキルホスフィンボラン(3)をリチオ化し、リチオ化物(5)を得る工程C;工程Cで得られたリチオ化物(5)と、工程Bで得られた誘導体(4)とを反応させて、ビス(アルキルホスフィノ)メタンボラン(1a)を得る工程D;ビス(アルキルホスフィノ)メタンボラン(1a)を脱ボラン化してビス(アルキルホスフィノ)メタン(1)を得る工程Eを有する。 (もっと読む)


【課題】アルミニウムイオンを含む多孔性金属錯体であって、水素、メタン、二酸化炭素等のガスに対して十分なガス吸蔵能を有する多孔性金属錯体及びその製造方法、並びに当該錯体を用いたガス貯蔵方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムイオンと下記式(1)又は(2)で表される芳香族カルボン酸との配位結合によって構成される金属錯体を含み、金属錯体の複数が集積して形成された細孔構造を有する多孔性金属錯体。




[式中、n及びmは共に1〜5の整数を示す。] (もっと読む)


【課題】第2族金属含有多座β−ケトイミネートの製造方法を提供する。
【解決手段】ROHおよび(OH)(式中、RおよびRは、アルキル基およびアリール基から独立して選択される。)から成る群から選択された少なくとも1種を含むアルコールと、三座ケトイミン配位子とを含む反応混合物中でM(Mg、Ca、Sr、およびBaから成る群から選択される金属)を反応させることを含む、第2族金属含有多座β−ケトイミネートの製造方法。ある態様において、この反応混合物は、有機溶媒をさらに含む。 (もっと読む)


本発明は、ギ酸マグネシウムを基礎とする多孔質の有機金属骨格材料の製造方法であって、(a)マグネシウム又は酸化マグネシウムをギ酸に添加する工程、(b)その反応混合物を少なくとも75℃において撹拌する工程、(c)得られた懸濁液から固形物をろ過により分離する工程、を含む製造方法に関する。 (もっと読む)


【解決課題】全粒径に亘ってBa/Tiモル比のバラツキが小さいシュウ酸バリウムチタニルを提供すること。更に、本発明は結晶性に優れたチタン酸バリウムを提供すること。
【解決手段】シュウ酸及び四塩化チタンを水に混合して得られる水溶液(A1液)と、塩化バリウム水溶液(B1液)と、を反応容器に供給しつつ、反応液を該反応容器から排出しながら、シュウ酸バリウムチタニルの生成反応を行うことを特徴とするシュウ酸バリウムチタニルの製造方法。 (もっと読む)


【課題】添加成分を主成分中へより分散させたセラミックス前駆体の製造方法を提供する。
【解決手段】主成分であるa成分を含む第1原料および添加成分であるb成分を含む第2原料の全てもしくは一部を架橋性配位子によって取り囲まれた錯体配位子12および14とし、水、メタノール及びエタノールのうちいずれか1以上の溶媒へ第1原料及び第2原料を該溶媒の溶解度に比して過剰量となるように添加して懸濁流動体とし、過剰量で添加された第1原料及び第2原料が溶出して溶媒中で高濃度状態となることにより、この溶媒からセラミックス前駆体20を析出させるセラミックス前駆体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】簡便な方法によって、高純度トリアルキルガリウム及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】トリアルキルアルミニウムとトリハロゲノがリウムを還流させながら反応させた後、適正な還流比で蒸留することにより、主留分として炭化水素の合計含有量が4質量ppm未満で、且つケイ素原子の含有量が0.05質量ppm以下である高純度トリアルキルガリウムを得ることが出来る。 (もっと読む)


【課題】 工業化が可能で、安定的に収率良くオニウムテトラキスアシロキシボレートを製造する方法を提供すること。
【解決手段】 テトラキスアシロキシボレートアルカリ金属塩を、アルカリ水酸化物の存在下で、オニウム塩と反応させるオニウムテトラキスアシロキシボレートの製造方法。
テトラキスアシロキシボレートアルカリ金属塩とアルカリ水酸化物の非プロトン性極性溶媒溶液を、オニウム塩のアルコール溶液と反応させるオニウムテトラキスアシロキシボレートの製造方法は態様である。 (もっと読む)


本発明は、結晶質配位共重合体の組成物、および該組成物の製造方法と使用方法を提供する。該製造方法では、複数種の有機分子を集成して、層状構造もしくはコア−シェル構造を有する多孔性骨格材料を生成させる。これらの材料は、種成長法のような逐次的成長法によって合成される。本発明はさらに、官能性を制御するための単純な手順を提供する。 (もっと読む)


本発明は、式(I)[式中、nは0、1、2または3であり、R1は水素、シアノまたはフッ素であり、それぞれのR2は互いに独立して、シアノ、フッ素、C1〜C4-アルキル、C1〜C4-フルオロアルキル、C1〜C4-アルコキシ、C1〜C4-フルオロアルコキシ、C1〜C4-アルキルチオおよびC1〜C4-フルオロアルキルチオより選択される]の2-アミノビフェニレンを製造する方法に関する。本発明はさらに、このような2-アミノビフェニレンのピラゾールカルボキシアミドを製造する方法に関する。
【化1】
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【課題】BNCT等に利用できる、ホウ素含有化合物およびその製造方法の提供。
【解決手段】一般式(A):


(R、Rは、同一または異なっていてもよい、水素原子または炭素数1〜8のアルキル基、または、当該アルキル基が結合したアルキレン基を示し、Rは、水素原子またはR13−(O)−CO−基(但し、R13は炭素数1〜8のヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基、nは1または0)を示し、Rは、水素原子またはR14−(O)−CO−基(但し、R14は炭素数1〜10のヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基、mは1または0)を示し、Rは、水素原子または炭素数1〜10のヘテロ原子を有していてもよい炭化水素基を示す。)で表される、ホウ素化トリプトファン誘導体。 (もっと読む)


【課題】カチオン伝導体の製造方法、及び該製造方法によって得られるカチオン伝導体を提供する。
【解決手段】カチオン伝導体の製造方法であって、配位性部位を2つ以上有する配位子としての芳香族化合物、中心金属としての金属イオン、及び、カルボキシル基(‐COOH)を有する非配位性の芳香族化合物を含む原料錯体を準備する工程、並びに、原料錯体の前記カルボキシル基が配置されている細孔群B1の細孔内に、カチオン化する元素Mを有する第1のゲスト成分を包接させ、該細孔内において該第1のゲスト成分と前記カルボキシル基とを反応させることにより、該カルボキシル基(‐COOH)を、カチオン伝導性を有するカルボン酸塩(‐COOM)へと変換する工程を含むことを特徴とする、カチオン伝導体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】優れたガス分離性能を有する金属錯体を提供する。
【解決手段】下記一般式(I);


(式中、R、R及びRはそれぞれ同一または異なって水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基もしくはハロゲン原子を示し、Xは共鳴効果で電子供与性を示す置換基を示す。)で表されるジカルボン酸化合物(I)と、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、銅、亜鉛及びカドミウムから選択される少なくとも1種の金属と、該金属に二座配位可能な有機配位子とからなる金属錯体によって上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】ボラジン化合物用装置の洗浄方法において、洗浄度をより一層向上させうる手段を提供する。
【解決手段】ボラジン化合物用装置の洗浄方法であって、ボラジン化合物用装置の被洗浄部位に対して周波数100kHz以下の第1超音波を照射する第1照射段階と、前記被洗浄部位に対して周波数100kHz超の第2超音波を照射する第2照射段階とを含む、洗浄方法により、上記課題は解決される。 (もっと読む)


【課題】優れたガス分離性能を有する金属錯体を提供する。
【解決手段】置換基を有していてもよいジカルボン酸化合物と、クロム、モリブデン、タングステン、マンガン、鉄、ルテニウム、コバルト、ロジウム、ニッケル、パラジウム、銅、亜鉛及びカドミウムから選択される少なくとも1種の金属と、下式


(式中、R、R、R及びRはそれぞれ同一または異なって水素原子等を示すか、RとR、RとRは一緒になって置換基を有していてもよいアルキレン基等を示し;nは1または2であり;R、R10、R11及びR12はそれぞれ同一または異なって水素原子等を示すか、RとR10、R11とR12は一緒になって置換基を有していてもよいアルキレン基等を示す。)で表される二座配位子(II)とからなる金属錯体。 (もっと読む)


【課題】高純度のN−アルキルボラジンを製造しうる手段を提供する。
【解決手段】ボラン(BH)錯体またはジボラン(B)と、RCN(Rは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、またはアラルキル基である)で表されるニトリルとを反応させてN−アルキルボラジンを合成する段階を有し、水分含量が1質量%以下の前記ニトリルが反応に用いられることを特徴とする、N−アルキルボラジンの製造方法である。 (もっと読む)


本発明は、一般的には、トリアルキルアルミニウム化合物であって、その少なくとも1つのアルキル基が内部オレフィン又はアルファ−オレフィンから誘導される第一級アルキル基であるものを製造する、新規な方法に関する。本方法は、異性化/ヒドロアルミニウム化触媒を用いる。 (もっと読む)


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