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Fターム[4K021DA13]の内容

非金属・化合物の電解製造、そのための装置 (13,231) | 無隔膜槽 (721) | 特定の材料からなる電極を備える (266)

Fターム[4K021DA13]に分類される特許

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【課題】HHOガスを燃焼促進剤として利用する車両の燃費改善方式として、HHOガス生成器を廉価で小型コンパクト化してもガス生成量及び電気分解効率が低下することなく、必要且つ十分な量が確保されることと、生成したガス注入量を運転モードに応じてマッチングさせることで燃費削減を計る。
【解決手段】HHOガス生成器の電極板に安価で入手性の優れたステンレス板を陽極に、陰極は、ステンレスを母材とした純ニッケル溶射を施した電極を用いると共に、HHOガスの注入量を運転状況とオルターネータの負荷状況に応じてコントロールする事で全運転域にわたり適量のHHOガスをインテークパイプから注入するようにした。 (もっと読む)


【課題】電流密度の低下をより確実に抑制できる技術を提供すること。
【解決手段】炭素電極10は炭素基材20と、ダイヤモンド層30とを含んでいる。ダイヤモンド層30は、ダイヤモンド種結晶31と、このダイヤモンド種結晶31から成長するとともに炭素基材20表面を被覆する成長層32とを含んで構成される。成長層32は、ダイヤモンド種結晶31の下方に、ダイヤモンド種結晶31から成長し、炭素基材20と接する成長領域321を含む。 (もっと読む)


【課題】簡便な製法及び装置を用いた効率のよいフッ化処理による表面改質方法を提供する。
【解決手段】溶融塩を用いた電気化学プロセスによるフッ化処理による表面改質方法において、(a)フッ化物イオン源を含有する溶融塩を保持した電解槽1を準備し、(b)フッ化処理を施すための炭素あるいは金属などの基材表面を炭素膜で被覆した陽極4と陰極5とを電解浴中に配置し、(c)フッ化物イオン源が酸化される電位で炭素陽極4を通電することにより炭素陽極4の表面をフッ化処理するステップを含む。また、別の方法として、フッ化物イオン源とカーバイドイオン源を含む溶融塩を用いて、約2.5V(カソード限界の電位基準)よりも貴な電位で陽極を通電することにより陽極の表面にフッ素と炭素とを共析させたフッ化炭素膜を生成させても良い。 (もっと読む)


【課題】窒素ガスと酸素ガスを原料とし電気化学反応を利用して窒素酸化物を生成する電解窒素固定法を提供する。
【解決手段】電解窒素固定法は、陽極21と陰極22とに接触する溶融塩からなる電解質23を準備するステップと、陰極22に窒素ガスを供給するステップと、電解質23中に酸素ガスを供給するステップと、陽極21と陰極22との間に、陰極22において窒化物イオンが生成し、陽極において酸素が発生する電圧を印加するステップと、生成された窒化物イオンと供給された酸素とを接触させるステップとを含む。また、さらに電解窒素固定法は、陽極と陰極との間に挟むように配置された電解質を準備するステップと、陽極に窒素ガスを接触させるステップと、陰極に酸素ガスを接触させるステップと、陽極と陰極との間に、陰極において酸化物イオンが生成し、陽極において酸化物イオンが酸化されて窒素酸化物が生成する電圧を印加するステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】 金属細片を半導体表面にパターン化しなくとも、光照射により発生したキャリアを効率的に利用する手段の提供。
【解決手段】 第一の半導体と第二の半導体とが接合し、第一の半導体側の接合界面に二次元ホールガス層が形成されたヘテロ接合半導体を含むデバイスであって、第二の半導体の厚さが30nm以下であるエネルギー変換デバイス。 (もっと読む)


【課題】メンテナンスの頻度が低減されるとともに動作不良の発生が防止された電解装置を提供する。
【解決手段】電解装置10は電解槽11を備える。HFを含む電解浴12が電解槽11に収容される。電解槽11内で電解浴12の上部に形成される空間SPにHF供給管18aの供給口18dから気体状のHFが供給される。HF供給管18aからのHFの供給時には、電解槽11内の空間SPの圧力が制御部23によりHFの蒸気圧よりも高く制御される。 (もっと読む)


【課題】被処理水に対する高い殺菌性能を維持し、かつ既存の水処理装置4に対しても簡単に取り付けることができる水処理用電極5を提供する。
【解決手段】
塩化物イオンを含む被処理水中に浸漬する電気分解用の第1の電極部41、42、43と、第1の電極部41、42、43と非導通状態で被処理水中に浸漬し、第1の電極部41、42、43の周囲を取り囲む第2の電極部44とを有し、少なくとも第1の電極部41、42、43への通電により被処理水を電気分解する水処理装置4における第3の電極部5として被処理水中に浸漬して用いられる水処理用電極5であって、基材に導電性ダイヤモンドを成膜するダイヤモンド成膜電極51と、ダイヤモンド成膜電極51と電気的に導通する導通部52と、を有し、導通部52を第1の電極部41、42、43から給電される給電部とすることを特徴とする水処理用電極5。 (もっと読む)


【課題】放射性物質、Fe、Zrをそれぞれ別々に分離して回収する炉心溶融物の処理方法を提供する。
【解決手段】炉心溶融物の処理方法は、炉心溶融物を陽極に装荷し(S11)、陰極に金属Zrを電解析出させる工程(S12)と、交換した陰極に金属Feを電解析出させる工程(S13)と、第1ガスをバブリングして陽極の雰囲気の酸化性を高める工程(S14)と、交換した陰極にU酸化物を電解析出させる工程(S15)と、第2ガスをバブリングして陽極の雰囲気の酸化性をさらに高める工程(S16)と、交換した陰極にU酸化物及びPu酸化物の混合物を電解析出させる工程(S17)と、陽極に残留する残留物を回収する工程(S18)と、電解浴12に含まれる核分裂生成物を回収する工程(S19)と、を含む。 (もっと読む)


【課題】分解過程のガス濃度の変化に対応して、最適な配合割合の触媒を採用させることにより、ガスの分解効率を高めたガス分解素子を提供する。
【解決手段】固体電解質層101と、この固体電解質層の一側に設けられる第1の電極層(アノード電極)102と、他側に設けられる第2の電極層(カソード電極)105とを備えて構成されるガス分解素子100であって、上記第1の電極層又は/及び第2の電極層に設けられる触媒151、152の配合割合が、ガスの流動方向に向けて変化するように形成されている。 (もっと読む)


【課題】インジウム−亜鉛酸化物(IZO)スパッタリングターゲット又は製造時に発生するIZO端材等のIZOスクラップから、インジウム及び亜鉛を効率良く回収する方法を提供する。
【解決手段】アノード及びカソードの双方にIZOスクラップを使用し、極性を周期的に反転して電解することにより、インジウム及び亜鉛を水酸化物として回収することを特徴とするIZOスクラップからの有価金属の回収方法及び前記電解することにより得たインジウム及び亜鉛の水酸化物を焙焼してインジウム及び亜鉛の酸化物として回収することを特徴とする前記IZOスクラップからの有価金属の回収方法。 (もっと読む)


【課題】小型化が可能で、しかも浴量を少なくすることができる電解再生処理装置を提供する。
【解決手段】再生処理部19は、アノードとして機能する内周面を有する筒状部23と、筒状部23内に配設され、内周面31と離隔した状態で筒状部23の延設方向に沿って延びるカソード25とを含む。デスミア処理に用いられた処理液は、筒状部23の内周面31とカソード25との隙間を通じて送液される。送り側導管15は、下流側端部15bが筒状部23に接続され、デスミア処理槽13から排出される前記処理液を再生処理部19に導く。戻し側導管17は、上流側端部17aが筒状部23に接続され、再生処理部19から排出される前記処理液をデスミア処理槽13に導く。 (もっと読む)


【課題】水酸化インジウム、又は、水酸化インジウムを含む化合物を電解法により製造する方法を提供する。
【解決手段】インジウムからなるアノードを用い、電解液の電導度が10mS/cm以上として電解を行い、水酸化インジウム又は水酸化インジウムを含む化合物を電解液中に析出させ、さらに析出させた水酸化インジウム又は水酸化インジウムを含む化合物をこの洗浄液の電導度が1mS/cm以下になるまで洗浄することにより、デンドライトの発生を抑制し、生成した製品の品質の低下を抑制する。 (もっと読む)


【課題】安価なコストで、高純度のタングステンを回収する方法を提供する。
【解決手段】タングステン成分を含有する原料混合物に対して、アルコールアミンを含有する電解液を用いて電気分解を行う工程を含むタングステンの回収方法。 (もっと読む)


【課題】電解法により水酸化インジウム、又は、水酸化インジウムを含む化合物を製造するに際し、アノードの表面に水酸化インジウム、又は、水酸化インジウムを含む化合物が付着するのを抑制し、かつカソードの表面にインジウム、又は、インジウム合金が電着することを防止し、生産性の低下や品質の低下を抑制する方法を提供する。
【解決手段】電解槽の中にカソード板と原料となるインジウム、又は、インジウム合金のアノード板とを、間隔を置いて交互に配列し、該カソード板とアノード板の間であり、かつ各カソード板とアノード板の一方の側縁の近傍位置に、カソード板とアノード板の他方の側縁に向かって電解液を供給するノズルを配置し、このノズルの開口部より流出させた電解液を、電解槽中の各カソード板とアノード板の間で回流させ、水酸化インジウム、又は、水酸化インジウムを含む化合物を電解液中に析出させる (もっと読む)


【課題】第8〜第10族から選ばれる少なくとも1種の遷移金属の硫化物を工業的規模で安定的に製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも1種の液体硫化剤中に二つの電極を配置し、当該二つの電極間に矩形パルスプラズマ放電を発生させることを含む遷移金属硫化物の製造方法であって、前記電極の少なくとも一方が、第8族〜第10族の遷移金属元素から選ばれる少なくとも一種の元素を含有することを特徴とする遷移金属硫化物の製造方法。 (もっと読む)


【課題】電解法により水酸化インジウム粉末を製造する方法を提供する。
【解決手段】電解槽の中にカソード板と原料となるインジウム金属のアノード板とを、間隔を置いて交互に配列し、該カソード板とアノード板の間に電解液を供給して、電解により水酸化インジウム粉末を製造する方法であって、アノード板の重量がアノード初期の重量の20%〜80%となった段階で電解を中止して使用済みアノード板を取り出し、この使用済みアノード板を溶解すると共にインジウム金属を補充・鋳造してアノード板を再作製し、この再作製アノード板を使用して、電解を開始して電解液中に水酸化インジウム粒子を析出させることを特徴とする電解による水酸化インジウム粉末の製造方法。 (もっと読む)


【課題】二酸化ケイ素の電解還元後に陰極を電解槽から取り出す必要がなく、二酸化ケイ素を連続して電解還元させることによってシリコンを製造することができるシリコンの製造方法を提供すること。
【解決手段】溶融塩の存在下で二酸化ケイ素を電解還元させることによってシリコンを製造する方法であって、シリコンからなる陰極3上に二酸化ケイ素4を載置させた状態で当該二酸化ケイ素4を電解還元させることを特徴とするシリコンの製造方法。 (もっと読む)


【課題】吸着剤を無駄なく効率的に使用可能なフッ素ガス生成装置を提供する。
【解決手段】主生ガスを流通させる筒状部材31aと、筒状部材31aに前記主生ガスを導入するガス導入口51aと、筒状部材31aから主生ガスを導出するガス導出口52aと、筒状部材31aを流通する主生ガスの流路を確保する空間を形成するように配置された吸着剤保持具201と、ガス導入口51aから流入した主生ガスを攪拌するための攪拌羽根202と、主生ガスを筒状部材31a内の空間に循環又は拡散させるためのガス流案内筒203と、を有することを特徴とするフッ素ガス生成装置100。 (もっと読む)


【課題】高い酸素発生電位と酸化能力を有し、かつ、耐久性に優れた電解用電極及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】金属基体の表面に耐食中間層と、耐食中間層の表面に触媒層とを有する電解用電極において、触媒層が、酸化スズ及び酸化アンチモンを含有する層と、酸化スズ及び酸化アンチモンが含有する層の表面に二酸化鉛層とからなることを特徴とする電解用電極及びその製造方法。本発明の電解用電極は、高い酸素発生電位と酸化能力を有し、かつ、耐久性に優れるため、各種用途に利用できる。 (もっと読む)


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